「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic sensor and a current detecting device using this magnetic sensor, capable of restraining generation of noise by an external large-scale magnetic field, by stabilizing a magnetic domain of a free layer, without using a longitudinal magnetic bias.例文帳に追加

縦磁気バイアスを用いることなく、フリー層の磁区を安定化させることができ、外部大規模磁場によるノイズの発生を抑制することのできる磁気センサおよびこれを用いた電流検出装置を提供する。 - 特許庁

The surface roughness in a covered region covered with a negative electrode active material layer 23 and in the exposed region other than the covered region out of the negative electrode current collector 22 is 2.0-10.0 μm in an Rz value.例文帳に追加

したがって、負極集電体２２のうち、負極活物質層２３によって覆われる被覆領域およびそれ以外の露出領域における表面粗さは、Ｒｚ値で２．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。 - 特許庁

The current corrector used for the electrode 10 of an energy-storing element has a conductive layer 5 made up of conductive particles 3 coupled together so as to have voids among them formed on a base material 2 with conductivity.例文帳に追加

空隙を有するように導電性粒子３間が結合してなる導電性層５が、導電性を有する基材２上に形成されてなる構成を有する、蓄エネルギ素子の電極１０に用いられる集電体。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A base material for electron emitters 10 has attached with it a graphite-containing film 12 as a buffer layer suitable for conditions of carbon film forming by direct current plasma on the surface of a conductive wire 11 as a raw material example.例文帳に追加

本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。 - 特許庁

To simultaneously realize a higher breakdown voltage between the gate and the drain, a higher current density in the channel region, and a lower contact resistance of the source/drain electrode, as to a hetero-junction transistor using a nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層を用いたヘテロ接合トランジスタについて、ゲート・ドレイン間の高耐圧化、チャネル領域での高電流密度化、及びソース／ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を同時に実現すること。 - 特許庁

In an oxidized layer 108a surrounding the current passing-through region 108b, the thickness of a portion in which oxidation advances in a -Y direction is thicker than a portion in which oxidation advances in a +X direction and a -X direction.例文帳に追加

また、電流通過領域１０８ｂを取り囲んでいる酸化層１０８ａは、酸化が−Ｙ方向に進行した部分の厚さが、酸化が＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に進行した部分の厚さよりも厚い。 - 特許庁

When the cathode Cath has a negative potential and electrons are injected, the depletion layer in the vicinity of the interface 4a contracts to spread the two-dimensional electron gas, and thereby a current flows between the cathode Cath and the anode An.例文帳に追加

陰極Ｃａｔｈが負電位となり電子が注入されると、界面４ａ付近の空乏層が縮小して２次元電子ガスが広がり、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間に電流が流れる。 - 特許庁

A driving current from the driving circuit part 13 is supplied to a cathode electrode 16 and an anode electrode 18 of the organic EL element 14 via the embedded plugs 11A, 11B, thereby an organic EL layer emits light.例文帳に追加

駆動回路部１３からの駆動電流が埋込プラグ１１Ａ，１１Ｂを介して有機ＥＬ素子１４のカソード電極１６およびアノード電極１８に供給されることにより、有機ＥＬ層１７が発光する。 - 特許庁

To provide a light emitting element emitting light of a plurality of wavelengths from a single emission layer and emitting light of multiple colors, especially white color, by simply injecting a current into a set of p-type and n-type electrodes.例文帳に追加

単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のｐ型及びｎ型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that illuminates a back surface and prevents a dark current caused by an interface state by evenly forming a hole storage layer without having variations among pixel on a light-receiving surface of a light-receiving part.例文帳に追加

受光部の受光面に、画素間のばらつきなく均一にホール蓄積層を形成して、界面準位に起因した暗電流を抑制することが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photoconductive element comprising a hole-ejection preventing reinforced layer allowing acquisition of a high-grade image having high sensitivity, high resolution and high S/N by suppressing dark current, and to provide an image pickup device.例文帳に追加

本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

The air-fuel ratio sensor has an exhaust side electrode exposed in an exhaust passage, and an air side electrode exposed to the air layer, and is impressed with a forward voltage to make a sensor current flow in response to an exhaust air-fuel ratio.例文帳に追加

空燃比センサは、排気通路内に晒された排気側電極と、大気層に晒された大気側電極とを有し、正電圧の印加を受けることにより排気空燃比に応じたセンサ電流を流通させる。 - 特許庁

To provide a low-current high-density plasma nitriding method capable of depositing a nano-sized nitride on a surface of a product, and capable of increasing the thickness of a layer of a compound on the surface of the product, and to provid the device for the same.例文帳に追加

製品の表面にナノサイズの窒化物を形成したり、製品の表面に化合物の層厚を厚く形成したりすることが可能な低電流高密度によるプラズマ窒化方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface emission semiconductor laser which can suppress the light absorption at a contact layer and can obtain a low threshold current and high light output, and to provide an optical transmission module, an optical exchange device, and an optical transmission system.例文帳に追加

コンタクト層における光吸収を抑制し、低閾電流と高い光出力を得ることの可能な面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システムを提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode for a non-aqueous electrolyte secondary battery for achieving a non-aqueous electrolyte secondary battery, which strikes a balance between a superior joining strength of a current collector with an active material layer and an high battery capacity.例文帳に追加

集電体と活物質層との優れた接合強度および高い電池容量を両立した非水電解質二次電池を実現可能な非水電解質二次電池用正極を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a cylinder block plating apparatus and a cylinder block plating method, capable of suppressing any plating failure at an opening end of a cylinder bore on which the current is concentrated, and forming a uniform plating layer.例文帳に追加

電流が集中するシリンダボアの開口端部における花咲きを抑制するとともに、均一なめっき層を形成可能なシリンダブロックのめっき処理装置およびシリンダブロックのめっき処理方法を提案する。 - 特許庁

The power storage device includes a negative electrode having a crystalline silicon film as a negative electrode active material on the surface of a current collector and containing conductive oxide on a surface layer section of the crystalline silicon film.例文帳に追加

集電体の表面に負極活物質として結晶性珪素膜が設けられ、前記結晶性珪素膜の表層部に導電性酸化物が含まれている負極を有する蓄電装置に関する。 - 特許庁

To laminate a memory cell longitudinally while improving controllability of drain current, and to lower difficulty in processing a control gate electrode and a charge storage layer even when a fin structure is used for the memory cells.例文帳に追加

ドレイン電流の制御性を向上させつつ、メモリセルを縦方向に積層するとともに、メモリセルにフィン構造を用いた場合においても、制御ゲート電極および電荷蓄積層の加工の難易度を低下させる。 - 特許庁

The resistance changing layer 12 can change an electrical resistance value among a plurality of states by applying a voltage or a current between the first electrode 11 and the second electrode 13.例文帳に追加

抵抗変化層１２は、第１の電極１１と第２の電極１３との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。 - 特許庁

By this constitution, a super- lattice amplifying layer can be reduced in film thickness without deteriorating a multiplication factor and increasing a dark current, and the avalanche photodiode can be improved in response speed and reduced in operating voltage.例文帳に追加

この構成により、増倍率を低下させることなく、さらには暗電流を増やすことなく、超格子増倍層の膜厚を薄くすることが可能となり、応答速度を速くできるうえに動作電圧も低くできる。 - 特許庁

The current interruption layer 15 is formed in the region of the LED chip 4 from the central part to one side face thereof while avoiding the vicinity of three other side faces of the LED chip 4 (noninterruption region 16).例文帳に追加

電流遮断層１５は、ＬＥＤチップ４の中央部から側面の１つに至る領域に形成されており、ＬＥＤチップ４の他の３つの側面の近傍（非遮断領域１６）を回避して設けられている。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

The current collector 1 is formed by juxtaposing a plurality of metallic wires 110 at an interval, and the electrode lead-out part 11 exposed from the active material layer 2 is constituted of respective end parts (linear pieces) of the metallic wires 110.例文帳に追加

集電体1は、複数の金属線110を間隔をあけて並列することで形成されており、活物質層2から露出する電極取出し部11が金属線110の各端部（線状片）で構成されている。 - 特許庁

The protective glass cleaning means 11 is structured in such a manner that a metallic ribbon 8 placed opposite to a permanent magnet 9 is vibrated by making an AC current flow through the ribbon, promoting growth and amplification of a turbulent component in the turbulent boundary layer 15.例文帳に追加

この保護ガラスクリーニング手段１１は、永久磁石９に対向させた金属リボン８に交流を通して振動させるものとし、乱流境界層１５での乱流成分の成長と増幅を促進する。 - 特許庁

Current distributions of the heating coils 11a and 11b of each layer and of inside of the layers are made uniform by the conductor skin effect and the proximity effect and by this, the low-priced heating coil with the simple composition and the prevention of the increase in loss is obtained.例文帳に追加

そして、表皮効果と近接効果による各層の加熱コイル１１ａ、１１ｂおよび層内の電流分布を均一にし、損失増加を防いで簡素な構成で安価な加熱コイルとしている。 - 特許庁

When static surge (ESD) enters from the back electrode 7, the ESD current flows into the first p-type region 3 only from a region not covered with the depletion layer DL in the joint J23.例文帳に追加

裏面電極７から静電気サージ（ＥＳＤ）が侵入した際に、ＥＳＤ電流が、接合部Ｊ２３のうち空乏層ＤＬによって覆われていない領域からのみ第１のＰ型領域３に流れ込む。 - 特許庁

This not only shows superior current-voltage characteristics, because ohmmic contact characteristic with respect to the p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high optical transparency possessed by the transparent electrode.例文帳に追加

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優れた電流−電圧特性を示すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高められる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is prevented from generating a leak current flow on the re verse surface of an element separating insulating film since a depletion layer includes an interfacial potential generation part, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

空乏層が界面準位発生部を含んでしまうことに起因した素子分離絶縁膜の下側表面に沿うリーク電流の発生が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive current collector has a high resistance layer which is formed by implanting glass fiber having fiber diameter of 5-15 μm from the surface of one side in a felt-like matrix comprising of carbon fiber or graphite fiber with a needle punch.例文帳に追加

炭素繊維又はグラファイト繊維からなるフェルト状の基材の一方の表面から、繊維径が５〜１５μｍのガラス繊維をニードルパンチにより打ち込んで形成した高抵抗層を有する正極集電体である。 - 特許庁

A resistance layer has a structure that a transition metal or an alloy containing the transition metal is involved in a carbon nanotube, and has a characteristic in which a metal-insulator transition (Mott transition) is induced by applying a voltage or current.例文帳に追加

抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起される特性を有する。 - 特許庁

The detection current flowing from a 1st electrode 16 connected with the 1st tunnel junction 18 flows to a 2nd electrode 17 through the 1st tunnel junction 18, the magnetic free layer 10, and the 2nd tunnel junction 19.例文帳に追加

第1のトンネル接合１８に接続される第1の電極１６から流れる検出電流は、第1のトンネル接合１８、磁化自由層１０、及びと第2のトンネル接合１９を通って第2の電極１７に流れる。 - 特許庁

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas.例文帳に追加

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つことができる。 - 特許庁

To provide a technique capable of manufacturing a semiconductor device, reduced in the amount of leakage current and capable of obtaining a wiring layer high in TDDB resistance whereby reduced in power consumption and high in reliability.例文帳に追加

リーク電流量が少なく、ＴＤＤＢ耐性の高い配線層を得ることができ、これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.例文帳に追加

窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor comprises a pair of polarizable electrodes 1a and 1b, an electrolyte, and the conductive adhesive layers 6a and 6b for bonding the polarizable electrodes 1a and 1b and the current collectors 4a and 4b.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、一対の分極性電極１ａ、１ｂと、電解液と、分極性電極１ａ、１ｂと集電体４ａ、４ｂとを接合する導電性接着層６ａ、６ｂとを備える。 - 特許庁

With this configuration, if a voltage is applied in forward direction between the p-type ohmic electrode 21 and the n-type ohmic electrode 20, a current flows between both electrodes so that the InGaN layer 14 emits blue light.例文帳に追加

このような構成においては、ｐ型オーミック電極２１とｎ型オーミック電極２０の間に順方向に電圧を印加すると、両電極間に電流が流れ、ＩｎＧａＮ層１４が青色に発光する。 - 特許庁

To effectively reduce a dark current by suppressing an injection of charges (electrons and holes) from an intermediate level to a photoelectric conversion layer, in an organic photoelectric conversion element of a type of applying voltage to an electrode.例文帳に追加

電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。 - 特許庁

According to the planer doped layer, even if an energization time to the semiconductor device 2 with a structure of a hetero bipolar transistor increases, current amplification factor can be prevented from lowering and reliability of a semiconductor device can be raised.例文帳に追加

このプレーナドープ層により、へテロバイポーラトランジスタの構造を有した半導体デバイス２への通電時間が増加しても、電流増幅率の低下を防止することができ、半導体デバイスの信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce operating voltage of a semiconductor storage device by expanding coupling ratio, preventing problems like enlargement of element surface, decrease of cell current or less reliability due to the thin film of a dielectric layer.例文帳に追加

素子面積の増大、セル電流の減少、又は誘電層の薄膜化に起因する信頼性の低下等の問題を防止しつつ、カップリングレシオを増大させて、半導体記憶装置の動作電圧を低電圧化する。 - 特許庁