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current layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4333



例文

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

The product of a catalyst surface area per catalyst coating area of an anode catalyst layer 32 of a fuel cell stack and oxygen reduction exchange current density is set to a first prescribed value or less.例文帳に追加

燃料電池スタックのアノード触媒層32の単位触媒塗布面積あたりの触媒表面積と、前記アノード触媒層32の触媒の酸素還元交換電流密度との積を第1の所定値以下とする。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide vapor-deposition material advantageously usable for forming a magnesium oxide film useful as a protective film for the dielectric layer of an alternating current type plasma display panel by an electron beam vapor-deposition method.例文帳に追加

交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材を提供する。 - 特許庁

A current is applied to a semiconductor layer between two superlattice reflection films for change in refractive index for light, and a distance between the superlattice reflective films is changed equivalently, for a wavelength-variable function.例文帳に追加

2つの超格子反射膜の間の半導体層に電流を印加することで光の屈折率を変化させ、超格子反射膜の距離を等価的に変えることにより波長可変機能を有することができる。 - 特許庁

例文

A mixture of polycarbonate resin and acrylonitrile-butadiene-stylene resin is used as the thermoplastic resin, carbon material is used as the conductive material and Pd or Pd-Ni alloy is used as the current collection layer.例文帳に追加

熱可塑性樹脂としてポリカーボネート樹脂とアクリロニトリルーブタジエンースチレン共重合体樹脂との混合物、導電性材料として炭素材料、集電層としてPdまたはPd−Ni合金を用いる。 - 特許庁


例文

The device includes a relatively thick passivation layer 20 to reduce traps caused by device processing, and thin passivation layers 16, 18 below a gate terminal 38 to reduce the gate current leakage.例文帳に追加

該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層20と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子38の下方の薄い不動態化層16、18とを含む。 - 特許庁

Since the dielectric film has a multilayer structure where each layer is thinner than the upper limit critical thickness, crystallization temperature of the dielectric film is increased while reducing the leakage current.例文帳に追加

又、各層が臨界厚さの上限値より薄い厚さを有する多層構造で誘電体膜を形成することによって、誘電体膜の結晶化温度を増加させると共に、漏洩電流を減少させることができる。 - 特許庁

Temperature of the liquid crystal layer is raised to the level of normal operation within a short period of time, by forming an ITO film 13 on the surface of the color filter substrate 12 and feeding a current through the ITO film 13 in the starting up.例文帳に追加

カラーフィルタ基板12の表面にITO膜13を形成し、ITO膜13に起動時に電流を流すことによって、液晶層の温度を正常動作できるまでに短時間で上昇させる。 - 特許庁

To provide an electro-optic device having a driving circuit which reduces resistance related to an electric connection between a semiconductor layer of a TFT and a wiring, and also reduces consumption current by preventing the malfunction of the driving circuit.例文帳に追加

電気光学装置の駆動回路において、TFTの半導体層と配線との電気的接続に係る抵抗を小さくし、更には当該駆動回路の動作不良を防止して消費電流を小さくする。 - 特許庁

例文

When the enamel layer 463b is broken or the like, a leakage current flows from the heating wire 463a to the conductive tape 463c, and the dielectric breakdown detection circuit detects it to, for example, shut off a power supply.例文帳に追加

したがって、エナメル層463bに破壊などが生じると、発熱線463aから導電テープ463cに漏洩電流が流れ、これを絶縁破壊検知回路が検知して、例えば、電源を遮断する。 - 特許庁

例文

An area 14 which is not coated with positive mix is formed on a positive plate 3A by coating positive mix layer 12 on a positive current collector 11 of the positive plate 3A intermittently.例文帳に追加

正極板3Aの正極集電体11に正極合剤層12を形成する際、正極合剤層12を間欠的に正極集電体11に塗布して、合剤未塗布部14を正極板3Aに形成する。 - 特許庁

To provide a driving method for improving deterioration in illuminance due to current convergence and to provide a driving method that realizes a long life of a display device having a phosphor layer excited with an electron beam.例文帳に追加

電流集中による輝度劣化を改善するための駆動方法を提供するもので、電子線で励起される蛍光体層を有する表示装置の長寿命化を実現する駆動方法を提供するにある。 - 特許庁

A check point where the necessity of the layer change of a return current route on a solid pattern should be decided is detected from a signal line and the shape of a pattern adjacent to the signal line by a check point detection means 110.例文帳に追加

チェックポイント検出手段110により、信号線と信号線に隣接するべたパターンの形状から、べたパターン上のリターン電流ルートの層変更の必要性を判断すべきチェックポイントを検出する。 - 特許庁

A double tunnel insulating layer is formed in a tunnel region to flow tunnel current, and a resonance tunnel effect, instead of FN tunnel effect, is used when charging and discharging electricity.例文帳に追加

トンネル電流を流すトンネル領域に2重のトンネル絶縁膜層を形成し、フローティングゲートへの電荷の注入あるいは引き抜きにおいて、従来のFNトンネル効果のかわりに共鳴トンネル効果を用いることとした。 - 特許庁

When the metallic particles in this state are put into a state that a current exists by electromagnetic induction, or through electrodes put in the liquid layer wherein the metallic particles are suspended, The positions of the metallic particles changes from their thermal stabilization positions, and their distribution changes.例文帳に追加

この状態にある金属粒子を懸濁した液体層に電極を介して、あるいは電磁誘導により電流が存在する状態に置くと、金属粒子位置分布が熱的安定位置から変位する。 - 特許庁

Between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3, such a current block layer 5 as to let an electroresistance value become2.5×10^5Ω, the electroresistance value being converted per electrode area 1 cm^2 between electrodes when an electric field of20 kV/cm is applied at normal temperature between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3.例文帳に追加

圧電薄膜素子は、基板1上に、下部電極層2、圧電体薄膜層4および上部電極層3を有し、圧電体薄膜層4が、(Na_xK_yLi_z)NbO_3(0<x<1,0<y<1,0≦z≦0.1,x+y+z=1)を主相とするペロブスカイト構造の結晶からなるものであり、下部電極層2と上部電極層3との間に常温で20kV/cm以下の電界を印加したときの、電極間の電極面積1cm^2当たりに換算した電気抵抗値を2.5×10^5Ω以上とするような電流ブロック層5を、下部電極層2と上部電極層3との間に備えている。 - 特許庁

The negative electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a current collector and a mix layer formed on the current collector, and the mix layer contains polyvinyl pyrrolidone in which a K value represented by formula (1) is in a range of 34-112, carboxymethyl cellulose, and a latex binder, and a negative active material, and the carboxymethyl cellulose is more contained than the polyvinyl pyrrolidone in weight percentage.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、集電体と、集電体の上に形成された合剤層とを備える非水電解質二次電池用負極であって、合剤層は、下記式(1)で表されるK値が34〜112の範囲内にあるポリビニルピロリドンと、カルボキシメチルセルロースと、ラテックス系結着剤と、負極活物質とを含有し、カルボキシメチルセルロースがポリビニルピロリドンよりも重量比で多く含有されていることを特徴としている。 - 特許庁

The positive electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a current collector and a positive mixture material layer 22 formed on the current collector, and the positive mixture layer 22 contains a positive active material 23 reversibly absorbing/releasing lithium ions and a silane coupling agent 24 present in at least the vicinity of the surface of the broken surface 23a of the positive active material 23.例文帳に追加

集電体と、集電体に形成された正極合剤層22とを備えた非水電解質二次電池用正極であって、正極合剤層22として、リチウムイオンを可逆的に吸蔵・放出する正極活物質23と、少なくとも正極活物質23の破断面23aの表面近傍に存在し、水分との反応を防止するシランカップリング剤24、24aとを含有して非水電解質二次電池用正極が構成される。 - 特許庁

In the inspection method of the electrode plate for a secondary battery, a porous insulating layer 3 formed on the electrode plate 1 is inspected, wherein a current flowing in accordance with application of a voltage for inspection is measured while applying a voltage on the porous insulating layer 3, and defect resulting in internal short circuit of the electrode plate 1 is determined by comparing with a previously set current.例文帳に追加

上記従来の課題を解決するために本発明の二次電池用電極板の検査方法は、電極板1上に形成された多孔性絶縁層3の検査方法であって、前記多孔性絶縁層3に電圧を印加しながら前記検査用電圧の印加に伴って流れる電流を測定し、予め設定した電流と比較して電極板1の内部短絡につながる欠陥の判定をすることを特徴とするものである。 - 特許庁

A control unit applies a high-frequency alternating current between a reference electrode 23 and measuring electrode 22 to detect an internal resistance R1 of the solid electrolyte layer 21, and compares an average value of the detected internal resistance R1 with a reference value to determine the degradation of the solid electrolyte layer 21.例文帳に追加

コントロールユニットが、基準電極23と測定電極22との間に高周波の交流電流を印加することにより固体電解質層21の内部抵抗値R1を検出し、検出された内部抵抗値R1の平均値を基準値と比較することにより固体電解質層21の劣化を判定する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device having improved photoelectric conversion efficiency by increasing open circuit voltage and a short-circuit current without the need for a semiconductor layer as a window layer on a light incident side to contain a high-concentration impurity element, while suppressing the exhaust amount of carbon dioxide, when manufactured.例文帳に追加

光入射側の窓層の半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加し光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

As for the high frequency coaxial cable 10, high frequency current flows in the center conductor 13, and the center conductor 13 has an inner layer part 11 constructed of a paramagnetic metal material and an outer layer part 12 which has a prescribed Curie temperature and is constructed of a ferromagnetic metal material.例文帳に追加

本発明に係る高周波同軸ケーブル10は、高周波電流が中心導体13を流れるものであり、中心導体13が、常磁性金属材料で構成される内層部11と、所定のキュリー温度を有し、強磁性金属材料で構成される外層部12とを備えたものである。 - 特許庁

In the buffer member 5, a conductive connection layer 7 comes in contact with a hard disk drive 2 and the storing section 1a, accordingly the static electricity charged in the hard disk drive 2 and electromagnetic wave noise can be discharged to the storing section 1a or a chassis of a notebook PC1 that conducts a current to the storing section 1a, through conductive connection layer 7.例文帳に追加

緩衝部材5はハードディスク装置2と格納部1aに対し導電接続層7が接触しているため、ハードディスク装置2に帯電する静電気や電磁波ノイズを導電接続層7を通して格納部1a又は格納部1aと導通するノートPC1の筐体へ逃がすことができる。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition system where, as a window layer for a semiconductor light emitting device, a current dispersion layer composed of a transparent electrically conductive film of metal oxide is formed, and simultaneously, its roughening is possible, to provide a filter utilized for the vacuum deposition system, and to provide a semiconductor light emitting device produced by using them.例文帳に追加

半導体発光素子の窓層として、金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層を形成し、且つ同時に粗面化することが可能な真空蒸着装置、この真空蒸着装置に利用するフィルタ、それらを用いて作製した半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a connecting structure and a connecting method of an oxide superconducting current lead, where an oxide superconductor is not broken by thermal shrinkage of a copper electrode, and the problem of interface breaking of the oxide superconductor and a silver coating layer which is to be caused by permeation of solder and solder flux into an interface between the superconductor and the silver coating layer is excluded.例文帳に追加

銅電極の熱収縮により酸化物超電導体が破断することなく、酸化物超電導体と銀被覆層との界面にハンダ及びハンダフラックスが侵入し両者の界面破壊の恐れのない酸化物超電導電流リードの接続構造と方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative electrode current collector 13 is composed of an insulating layer 13a having electric insulating characteristics, and a conductive part 13b formed on a surface of the insulating layer 13a.A plurality of metal parts extended in a battery terminal direction are independent from each other and arranged in a comb-shaped state in the conductive part 13b.例文帳に追加

電気絶縁性を有する絶縁層13aおよび絶縁層13aの表面に形成される導電部13bからなる負極集電体13であって、導電部13bは、電池端子方向に延在する複数の金属部が互いに独立して櫛型状に配列されたことを特徴とする負極集電体。 - 特許庁

To make a niobium solid-state electrolytic capacitor small and stable by suppressing a leakage current in a high-temperature load test, in a method of manufacturing the niobium solid-state electrolytic capacitor fabricated by forming a chemical conversion-treated film, a solid-state electrolyte layer, and a cathode extraction layer in this order on the surface of an anode body made of niobium or an alloy mainly formed of niobium.例文帳に追加

ニオブ又はニオブを主成分とする合金からなる陽極体表面に、化成皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成するニオブ固体電解コンデンサの製造方法において、 高温負荷試験中における漏れ電流の増大を抑制して、小さく且つ安定なものとする。 - 特許庁

Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current.例文帳に追加

また、透明電極層521に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、EL素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。 - 特許庁

The organic TFT 1 has source and drain electrodes 3, 7 opposed to each other, an organic semiconductor layer 6 interposed between the source and drain electrodes 3, 7, and a gate electrode 5 disposed in the organic semiconductor layer 6 and for controlling the flow of the current interposed between the source and drain electrodes 3, 7.例文帳に追加

本発明の有機TFT1は、対向するソース電極3及びドレイン電極7と、ソース電極3及びドレイン電極7間に配置される有機半導体層6と、有機半導体層6中に配置されると共に、ソース電極3とドレイン電極7間に流れる電流を制御するゲート電極5と、を備える。 - 特許庁

This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加

少なくとも2つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁

To provide an inexpensive sealed battery capable of effectively collecting a current from a negative electrode without using a collector even in the case of the low bonding strength of a negative electrode active material layer and of suppressing the internal resistance of the battery and its dispersion even in the case of the low conductivity of the negative electrode active material layer.例文帳に追加

負極活物質層の結着強度が低い場合でも集電体を使用せずに負極から有効に集電することができ、かつ負極活物質層の導電性が低い場合でも電池の内部抵抗とそのばらつきを抑制することができる密閉型電池を安価に提供する。 - 特許庁

Since the upper region 3a of the p-type diffusion layers 3 is made narrow, a contact part of the n^--type epitaxial layer 2 with a Schottky electrode 5 is widened and contact resistance between the n^--type epitaxial layer 2 and the Schottky electrode 5 can be reduced while increasing a current passage resulting in low ON resistance.例文帳に追加

また、p型拡散層3の上部領域3aの幅を狭くしてあるため、n^-型エピ層2のうちショットキー電極5との接触部位を広くとれ、n^-型エピ層2とショットキー電極5との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。 - 特許庁

Also, the seed layer 6 having the high strength of adhesion is formed by using the same gaseous raw material as that for the shielding film and changing the scanning method and stagnation time of the ion beam 5, probe current and the gaseous raw material for FIB-CVD and the shielding film 7 of the small halo component is formed by FIB-CVD on the formed seed layer 6.例文帳に追加

または遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イオンビーム5の走査方法・滞在時間やプローブ電流やFIB-CVD原料ガスを変えて接着強度の強い種層6を形成し、形成した種層6の上にハロー成分の小さい遮蔽膜7をFIB-CVDで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。 - 特許庁

An impurity concentration of the heavily doped DBR 112A is higher than that of the DBR 112B, and the band gap energy of the high refractive index layer in the heavily-doped DBR 112A is higher than energy at the wavelength of a resonator formed of the DBR 106, the active region, the current constriction layer, and the DBRs 112A and 112B.例文帳に追加

高濃度DBR112Aの不純物濃度は、DBR112Bの不純物濃度よりも高く、高濃度DBR112Aの高屈折率層のバンドギャップエネルギーは、DBR106、活性領域、電流狭窄層、DBR112A、112Bから形成される共振器波長のエネルギーよりも大きい。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery with high reliability in which cut of an electrode plate and fall-off of an electrode mixture layer are prevented while maintaining the amount of an electrode active material necessary for high capacity, by controlling the coating shape and coating position of the electrode mixture layer coated and formed on a current collector.例文帳に追加

集電体に塗布形成される電極合剤層の塗布形状および塗布位置を制御することにより、高容量化のために必要な電極活物質の量は維持したままで電極板の切れおよび電極合剤層の脱落を抑止し、信頼性の高い非水系二次電池を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element and an integrated type semiconductor optical element which suppress a reactive current flowing in a buried layer and obtains a high-speed response characteristic in the semiconductor optical element and the integrated type semiconductor optical element each of which has a buried layer at the side of a mesa stripe shape laminated body.例文帳に追加

メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。 - 特許庁

To provide an electrochemical capacitor that has high energy density, has low internal resistance and a high breakdown voltage in a wide temperature environment from high temperature to low temperature, can be rapidly charged and discharged with a large current, and generates stable high output, to provide an electrode layer used for the electrochemical capacitor, and to provide a method of manufacturing the electrode layer.例文帳に追加

高いエネルギー密度を有し、高温から低温までの広い温度環境にて、内部抵抗が低く、耐電圧が高く、大電流での急速な充放電が可能で、且つ安定した高出力が得られる電気化学キャパシタ並びにそれに用いる電極層およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of polymerizer and capacitor for stably and efficiently realizing the formation of a solid state electrolytic layer upon manufacturing the solid state electrolytic capacitor with the solid state electrolytic layer, through current carrying technique employing an anode substrate with a dielectric oxide film formed on the surface thereof as an anode.例文帳に追加

表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する固体電解コンデンサを製造する際、固体電解質層の形成を安定して効率的に実現するための重合装置及びコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for the high speed filtration/separation of solid- suspended water, after magnetic particles and a flocculant are added into raw water to form a magnetic flock, the mixed raw water is passed through a layer filled with granular filter medium at least 80% in initial porosity in an ascending current, and the flock containing the magnetic particles is filtered/ separated in the layer.例文帳に追加

原水に磁性粒子と凝集剤を添加して磁性フロックを形成した後、初期空隙率80%以上の粒状ろ材充填層に上向流で通水して、磁性粒子含有フロックを前記粒状ろ材充填層内でろ過分離することを特徴とする懸濁水の高速ろ過分離方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加

FD−SOIの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the gaps formed when an ion conductive compound with a catalyst layer for becoming the hydrogen ion reaction part, a current collecting plate separator, a gas diffusion layer, and a gasket material are assembled, an expansion material of which the volume is increased by heating or a resin composition containing a foaming agent are arranged in advance before assembling.例文帳に追加

水素イオン反応部分となる触媒層付きのイオン伝導性化合物、集電板セパレーター、ガス拡散層及びガスケット材を組立てたときに出来る隙間に、組立て前にあらかじめ、加熱により体積が増加する膨張材もしくは発泡剤を含有した樹脂組成物を配置しておく。 - 特許庁

To set up design data so as to restrain the emission of noises caused by the cutoff of a return current without changing the position of a signal line so much when the signal line overlaps with or is located near a non-conductive region in a plane located on the layer other than that of the signal line in a multi-layer circuit board.例文帳に追加

多層回路基板において、信号線と信号線とは別の層にあるプレーン内にある非導電領域とが重なる、あるいは近接する位置にある場合、信号線の位置を大きく変更することなく、帰路電流の遮断によるノイズ放射を抑えるように設計データの設計を行う。 - 特許庁

This method at least includes a process to form each luminescent layer 5b, 5c so that the chromaticity variation of display light with respect to current density becomes larger than 0.02, and a process for applying the energizing treatment to impress the prescribed voltage between both electrodes after forming both electrodes and the organic layer 5.例文帳に追加

電流密度に対する表示光の色度変化量が0.02より大きい値となるように各発光層5b,5cを形成する工程と、前記両電極及び有機層5形成後に前記両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなる。 - 特許庁

The buffer layer for the oxide superconductive thin film is formed through such a method wherein a CeO_2 buffer layer 2 of thickness 200 to 2,000 Å is formed on an R plane sapphire board 1 at a deposition speed of 40 to 350 Å/min and at deposition temperature of 630 to 780°C so as to obtain the oxide superconductive thin film having a high critical current density.例文帳に追加

酸化物超伝導薄膜用バッファ層において、R面サファイア基板1上に、200Åから2000Åの膜厚のCeO_2 バッファ層2を、40Å/minから350Å/minの堆積速度と630℃から780℃の堆積温度で形成し、高臨界電流密度を得る。 - 特許庁

To provide a reliable nonaqueous secondary battery capable of restraining snapping of an electrode plate and dropping-out of an electrode mixing-agent layer by controlling an application shape and an application position of the electrode mixing-agent layer formed by application to a current collector while maintaining an amount of an electrode active material necessary for high capacity.例文帳に追加

集電体に塗布形成される電極合剤層の塗布形状および塗布位置を制御することにより、高容量化のために必要な電極活物質の量は維持したままで電極板の切れおよび電極合剤層の脱落を抑止し、信頼性の高い非水系二次電池を提供するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode plate capable of completing drying of a coating film of a coating composition for an activator layer without reducing adhering property to a current collector within short time, and an electrode plate with excellent adhesiveness of the active material layer manufactured by applying the above method.例文帳に追加

活物質層用塗工組成物の塗膜の乾燥を、集電体に対する密着性を低下させずに短時間で完了させることができる電極板の製造方法を提供すると共に、該製造方法を適用して製造された、活物質層の密着性が良好な電極板を提供する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which when a plurality of semiconductor devices are manufactured utilizing a laminate structure including a p-type group III nitride semiconductor layer, subjected to etching and other process and divided into individual semiconductor devices, a leak current flows along a surface of the p-type group III nitride semiconductor layer exposed on a side surface of the individual semiconductor devices.例文帳に追加

p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数個の半導体装置を製造し、エッチング等して個々の半導体装置に分割すると、個々の半導体装置の側面に露出するp型のIII族窒化物半導体層の表面に沿ってリ−ク電流が流れてしまう。 - 特許庁

In the nonaqueous secondary battery having the positive electrode using poly-sulfide carbon as the positive electrode active substance, a negative electrode and an electrolytic solution, the positive electrode is constituted of a multi-layered structure of a layer composed of an electroconductive powder and a binder formed on a current collector, and a layer containing the poly-sulfide carbon and the binder laminated on it.例文帳に追加

ポリ硫化カーボンを正極活物質とする正極と、負極と、電解液を有する非水二次電池において、正極を集電体上に形成された導電性粉体とバインダーとからなる層と、それに積層されたポリ硫化カーボンとバインダーを含む層との多層構造に構成する。 - 特許庁

例文

In the heating layer 7 formed on the outside 11 of an inner pan body 1 and simultaneously functioning as a heat conduction layer, an eddy current loss in the region facing an induction coil of an electromagnetic cooker is made larger than that in the other region, which results in that each of alloy composition ratios in both regions is set in a different extent.例文帳に追加

熱伝導層を兼ねる内鍋本体1の外側面11に形成する発熱層7のうち、電磁誘導加熱調理器の誘導コイルと対峙する領域での渦電流損失が、他の領域よりも大きくなるように、両領域における合金の組成比を異なる範囲に設定する。 - 特許庁




  
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