「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetization free layer 3c is required to generate resonance oscillation by an electric current, and it is preferable to have the size of a sectional area of less than 200 nm square and the thickness of degree of 1-5 nm in the film thickness thereof, for examples.例文帳に追加

磁化自由層３ｃは、電流によって共鳴振動を起こすことが必要であり、例えば、断面積の大きさで２００ｎｍ角以下、膜厚において１から５ｎｍ程度の厚さであるのが好ましい。 - 特許庁

When the end face of the through-type current transformer 5A projects axially by a length L beyond the end face of an earth shield electrode 4 embedded in the outer periphery of the insulating layer 2, the clearance is increased by at least 20+0.75L.例文帳に追加

絶縁層２の外周側に埋設した接地シールド電極４の端面よりも貫通形変流器５Ａの端面が軸方向にＬだけ出る場合には、上記間隙は少なくとも20＋0.75Ｌだけ大きくする。 - 特許庁

To ease realization of mass production by clarifying the effect of parameters of a super-junction semiconductor device having a drift layer comprising parallel pn layers which depletes in OFF state while conducting current in ON state.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。 - 特許庁

By moving the mobile carriage 10, making the surface of the steel structure 50 heated with the heating coils applied with an electric current, the painted film layer softened by such heating is peeled off with the polishing brush 7.例文帳に追加

高周波加熱コイル５へ電流を供給して鋼構造物５０の表面を加熱させながら移動台車１０を移動させることにより、加熱により軟化した塗膜層が研磨ブラシ７によって剥離される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for electricity-storage devices which allows the manufacture of an electrode for electricity-storage devices such that a composite layer of the electrode is less prone to exfoliate from a current collector even with a small content of polytetrafluoroethylene.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレンの含有量を低く抑えても電極コンポジット層が集電体から脱落しにくい蓄電素子用電極を製造できる蓄電素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A detection coil 6 is wound around the outer periphery of the conductive layer 3, the coil which outputs an induced voltage corresponding to the intensity of an external magnetic field acting on the magneto-sensitive body 1, when the pulse current flows through the magneto-sensitive body 1.例文帳に追加

パルス電流が感磁体１に流れた際に、感磁体１に作用する外部磁界の強度に対応した誘起電圧を出力する検出コイル６が、導電層３の外周に巻き回されている。 - 特許庁

Motor/generator MG1, MG2 are coaxially arranged in a center of a case 1 as a composite current two layer motor, first and second planetary gear groups G1, G2 are coaxially arranged on the right side of the motor/generator, and a third planetary gear group G3 is also coaxially arranged on the left side thereof respectively.例文帳に追加

モータ/ジェネレータMG1,MG2を複合電流二層モータとしてケース1の中央に同軸配置し、その右側に第1および第2遊星歯車組G1,G2を、左側に第3遊星歯車組G3をそれぞれ同軸配置する。 - 特許庁

The insulating layer 25 is one for preventing the eddy current Ir generated in the line material 23, and an object, which is coated with a chemical cover or low-conductive resin such as, for example, an oxide film for copper, or the like is used.例文帳に追加

絶縁層２５は、線材２３中に生じる渦電流Ｉｒを防止するためのもので、例えば銅の酸化膜などの化学的な被覆、導電性の低い樹脂をコーティングしたものなどが用いられる。 - 特許庁

Even when the negative electrode active material is easily expanded or shrunken at high activity in charge discharge, the electrolyte is hard to be decomposed, and the negative electrode active material layer 22B is hardly peeled from the negative current collector 22A.例文帳に追加

充放電時に負極活物質が高活性で膨張・収縮しやすい場合においても、電解液が分解しにくくなると共に、負極活物質層２２Ｂが負極集電体２２Ａから剥離しにくくなる。 - 特許庁

To provide a negative electrode in which stress can be alleviated while adhesiveness between a negative electrode current collector and a negative electrode active material layer is secured and characteristics can be improved, provide a battery using it, and a manufacturing methods of those.例文帳に追加

負極集電体と負極活物質層との密着性を確保しつつ応力を緩和し、特性を向上させることができる負極およびそれを用いた電池、並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can suppress the generation of its kink and emit its laser beam having a desired horizontally radiating angle, by specifying the width of its ridge, i.e., the width of its stripe and the thickness of its current blocking layer.例文帳に追加

リッジ幅すなわちストライプ幅および電流阻止層厚を規定することによってキンクの発生の抑制および所望の水平放射角のレーザ光を発射可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a small-sized, light weight and inexpensive new type wind speed radar of simple structure having a functional level same to phased array system one high in performance as a radar for measuring the wind speed and a wind direction of an air current in the atmospheric layer.例文帳に追加

大気層での気流の風速、風向を測定するレーダとして高性能なフェーズドアレイ方式と機能的に同程度で、かつ小型軽量、構造が簡易で、コストが安い新方式の風速レーダを得る。 - 特許庁

To provide an activated carbon for an electric double-layer capacitor, the activated carbon having high capacitance density per volume in each of aqueous and non-aqueous electrolytic solutions and excellent discharge and charge characteristics under a large current.例文帳に追加

水溶液系あるいは非水溶液系の電解液のそれぞれにおいて、体積あたりの容量密度が高く、大電流での充放電特性に優れた電気二重層キャパシタ用活性炭を提供すること。 - 特許庁

A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.例文帳に追加

情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁

For example, even if the local temperature rise occurs due to the presence of an air layer 362 to cause the disconnection of a part of the high resistance patterns 1132, the current flows to the other high resistance patterns 1132 as shown by an arrow mark.例文帳に追加

例えば空気層３６２の存在により、局部的な温度上昇が起こり、一部の高抵抗パターン１１３２が断線しても、電流は矢印で示すように他の高抵抗パターン１１３２を流れる。 - 特許庁

To suppress increase of a junction leak current even when an impurity layer is formed thin, and to suppress increase of contact resistance even when positioning deviation occurs in forming a contact hole.例文帳に追加

不純物層が浅く形成された場合にも接合リーク電流の増大を抑制できるようにすると共に、コンタクトホール形成時に位置合わせずれが生じた場合にもコンタクト抵抗の上昇を抑制できるようにする。 - 特許庁

When the p-side electrode 7 is formed of a metal material, the operating current can be lowered without generation of spike of the valence band unlike the case where a semiconductor layer is used and the heat radiation property can also be improved.例文帳に追加

ｐ側電極７が金属であると、半導体層を用いた場合のように価電子帯のスパイクが生じることなく、動作電流を低減することができ、また、放熱性も向上することができる。 - 特許庁

A current switching layer composed of a thin film of the material moved from an insulating body to a conductor body, formed by impressing the voltage exceeding a prescribed value, is installed between an organic thin film and one or both side of an electrode.例文帳に追加

有機薄膜と電極の片面又は両面との間に、所定の値以上の電圧を印加することによって絶縁体から導体に転移する物質の薄膜から形成された電流スイッチング層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which prevents the occurrence of cracks, which forms a nitride semiconductor growth layer having proper surface planarization properties, and which does not have current leakage paths or damages, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To suppress the chemical dissolution reaction of the etched part in a non-electrolyzed zone which can not be subjected to current impressing in a electrolytic etching stage, and to suppress the falling, reduction of capacity and reduction of strength in the etching layer.例文帳に追加

電解エッチング処理工程における電流印加ができない無電解部分における既エッチング部の化学溶解反応を抑制するとともに、エッチング層の欠落、容量低下、強度低下を抑える。 - 特許庁

To provide a metal substrate with an insulating layer which is capable of being manufactured by a simple process and maintaining excellent heat resistance during each semiconductor process, and has a high withstand voltage property and a small leakage current, and to provide, an Al base material for realizing the metal substrate.例文帳に追加

容易なプロセスにて製造可能であり、半導体プロセスにおける耐熱性を有し、耐電圧性に優れ、漏れ電流の小さい絶縁層付金属基板、及びそれを実現するＡｌ基材を提供する。 - 特許庁

The secondary part (12) comprises a device (13, 13') with a board and a conductor track which is applied to the board, in the form of a layer structure, wherein the conductor track can be supplied with an electric current for the purpose of producing the static magnetic field.例文帳に追加

二次側部分（１２）は、層構造の形で、基板及び基板に付された導体路とを備えた装置（１３、１３’）を含み、導体路は静磁場を生成する目的のため電流が供給され得る。 - 特許庁

To increase a magnetoresistance change amount in a magnetoresistance effect element of which the current is made to flow into the direction intersected with faces of respective layers constituting the magnetoresistance effect element, and also to improve a soft magnetic property of a free layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流される磁気抵抗効果素子における磁気抵抗変化量を大きくし、且つフリー層の軟磁気特性を良好にする。 - 特許庁

To provide an electrode member where an effective quantity of current flows even through a part just under a projecting type terminal by reducing a difference in electrical resistance between a part just under the projecting type terminal of a conductive adhesion gel layer and a part not just under the terminal.例文帳に追加

導電性粘着ゲル層の凸型端子直下の部分と他の部分との電気抵抗の差が少なく、凸型端子直下の部分でも有効量の電流が流れる電極材を提供する。 - 特許庁

Namely, hillocks are decreased, by using AlGaInAsP containing as a composition for the current constriction layer 110, and planarity and crystallinity of the element surface are enhanced, and the reliability of the element such as service life, etc., is improved.例文帳に追加

即ち、電流狭窄層１１０にＡｓを組成として含むＡｌＧａＩｎＡｓＰを用いることでヒロックが減少し、素子表面の平坦性及び結晶性が改善し、寿命などの素子信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide an organic EL display device capable of efficiently demonstrating characteristics of an organic EL by preventing occurrence of leakage current between pixels even when a hole transporting layer is formed in one lot on the whole display region.例文帳に追加

正孔輸送層を表示領域全体に一括成型する場合でも画素間のリーク電流の発生を防止して有機ＥＬの特性を効率よく発揮できる有機ＥＬ表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor that can prevent the surface of an organic semiconductor layer from being damaged and reduce off-state current, and to provide a manufacturing method therefor, and a flat panel display having the organic thin-film transistor.例文帳に追加

有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を低減させることができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置とを提供する。 - 特許庁

As a crystal particle size of silicon forming a channel layer 141 of a peripheral TFT 110 is formed of micro crystal silicon, the variations of a threshold value voltage are suppressed to a certain degree while an on current is increased.例文帳に追加

周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。 - 特許庁

In the three-layer structure sheet comprising metal M/aluminum/metal M used in the current collector of the positive electrode, the ratio of total thickness of two layers of the metal M to the total thickness is 0.7 or less.例文帳に追加

また、正極集電体に用いた金属Ｍ／アルミニウム／金属Ｍからなる三層構造シートにおいて、合計厚さに対する金属Ｍの二層合計の厚さの比が０．７以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer.例文帳に追加

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The selective placement of the region containing the metal element allows whisker to be generated effectively in the active material layer formed on the current collector, and also allows the generation region to be controlled.例文帳に追加

該金属元素を含む領域を選択的に配置することで、集電体上に形成される活物質層においてウィスカーを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。 - 特許庁

Accordingly, the InP-embedded layer 30 is formed with high precision, by forming the semiconductor laser 1 by using such a method, and accordingly, leakage current in the formed semiconductor laser 1 is significantly suppressed.例文帳に追加

従って、この方法により半導体レーザ１を作製することで、ＩｎＰ埋込層３０が高い精度で形成され、それにより、作製される半導体レーザ１におけるリーク電流が有意に抑制される。 - 特許庁

To provide a porous valve metal electrode of which adhesiveness is stabilized in the porous valve metal electrode in which a valve metal porous layer is formed on a valve metal current collector, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バルブ金属集電体上にバルブ金属多孔質層が形成された多孔質バルブ金属電極において、密着性が安定した多孔質バルブ金属電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で能動層２５を介して相互間に電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming a trench in the surface of an epitaxial layer and forming a transfer transistor in the trench.例文帳に追加

エピタキシャル層の表面にトレンチを形成し、トレンチ内にトランスファトランジスタを形成して、デッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor epitaxial substrate and its manufacturing method by which an influence of the carrier concentration of a subcollector layer on a current amplification factor can be prevented and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

サブコレクタ層のキャリア濃度による電流増幅率への影響を抑え、信頼性の高い半導体デバイスの製作を可能にする薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a current collection sheet for solar cells that is used for internal wiring in a solar cell module and has an insulator layer capable of preventing a short circuit between electrodes, and to provide the method of manufacturing the same.例文帳に追加

太陽電池モジュールにおける内部配線用の太陽電池用集電シートであって、電極間の短絡を防ぐことのできる絶縁層を有する太陽電池用集電シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent ozone layer destruction and global warming by using ammonia refrigerant in a hermetic compressor and to prevent dielectric breakdown of a fluororesin coating due to starting current to improve reliability.例文帳に追加

密閉形圧縮機において、アンモニア冷媒を用いてオゾン層破壊防止や地球温暖化防止を図りつつ、始動電流による弗素樹脂被覆の絶縁破壊を防止して信頼性の高いものとすること。 - 特許庁

Basically AlGaAsP is selected as semiconductor material for a current constriction layer 110 of an AlGaAsP semiconductor laser element, whose clad layers 105, 107 have lattice constants between GaP and GaAs.例文帳に追加

基本的には、クラッド層１０５，１０７がＧａＰとＧａＡｓの間の格子定数を持つＡｌＧａＩｎＡｓＰ系の半導体レーザ素子において、電流狭窄層１１０の半導体材料をＡｌＧａＩｎＡｓＰとする。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で２つの電極間で能動層２５を介して電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor layer of an SOI substrate 1, a plurality of completely electrically isolated unit bipolar transistors Qu from each other are connected in parallel to constitute the bipolar transistors needing a large current capacity.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の半導体層において、互いに完全に電気的に分離された複数の単位バイポーラトランジスタＱｕを並列接続することにより、大電流容量を必要とするバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

The electrode for a power storage device is provided by selectively placing a region containing a metal element serving as a catalyst on a current collector and then forming an active material layer, and a power storage device including the electrode is provided.例文帳に追加

集電体上に、触媒として機能する金属元素を含む領域を選択的に配置した後、活物質層を形成した蓄電装置用電極およびこれを用いた蓄電装置を提供する。 - 特許庁