「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical waveguide type semiconductor optical device has an optical waveguide comprising at least a core layer 3 having at least a function of absorbing light and a clad layer 2 on a semiconductor substrate 1, and in the device, while the light entering the entrance end face propagates the optical waveguide, the light is absorbed to generate a photo current.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層３とクラッド層２とからなる光導波路を形成し、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬するでコア層に吸収されることにより光電流が生成される光導波路型半導体光デバイスである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

Since positive holes generated in a manufacturing process are dispersed and captured on two interfaces of the three-layer light transparent film, electric field strength in the vicinity of a surface of the p-type semiconductor layer 102 is made smaller than the conventional case, generation of inversion of conductivity type is made little, and the leakage current between the light receiving part can be reduced.例文帳に追加

この３層の光透過性膜の２つの界面に、製造工程で生じた正孔が分散して捕獲されるので、Ｐ型半導体層１０２の表面付近における電界強度が従来より小さくなり、導電型の反転が少なくなって、受光部間のリーク電流が少なくできる。 - 特許庁

In the electromagnetic-field generating element, the magnetization of the spin-wave excitation layer is biased in a direction substantially perpendicular to its layer surface by a portion of the magnetic field generated from the first magnetic pole, and an electric current for exciting the spin-wave flows in the electromagnetic-field generating element in a direction from the second pole to the first pole.例文帳に追加

さらにこの電磁界生成素子においては、スピン波励起層の磁化が第１の磁極から発生する磁界の一部によって層面に実質的に垂直な方向にバイアスされ、スピン波を励起するための電流が電磁界生成素子内を第２の磁極から第１の磁極へ向かう方向に流れる。 - 特許庁

The fixing device is provided with; the heat generating member 20 with a heat generating layer 21, the exciting coil 25 carrying out induction heating of the heat generating layer 21 by generating magnetic flux, and a demagnetization coil 26 generating the magnetic flux in one part in the width direction which is the direction canceling the magnetic flux by having induction current flow by the magnetic flux generated by the exciting coil 25.例文帳に追加

発熱層２１を有する発熱部材２０と、磁束を発生させて発熱層２１を誘導加熱する励磁コイル２５と、励磁コイル２５によって発生される磁束によって誘導電流が流れてその磁束を打ち消す方向の磁束を幅方向の一部に発生させる消磁コイル２６と、を備える。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is produced by laminating a reaction layer sheet 2 which is a member constituting the gas diffusion electrode, a gas supply layer sheet 3 and a current collector 4, laminating the metallic terminal on one part thereof and hot pressing the laminated under the conditions of a temperature above the melting point of a used fluororesin and ≤400°C and a pressing pressure of ≥5 g/cm2.例文帳に追加

ガス拡散電極を構成する部材である反応層シートとガス供給層シートと集電体とを積層するとともに、一部に金属端子も合わせて積層し、使用したフッ素樹脂の融点以上、４００℃以下の温度、プレス圧５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の条件下でホットプレスして製造。 - 特許庁

An insulator buffer layer 2 is composed of HfO_2+u or Hf_1-xAl_2xO_2+x+y to reduce the leakage current from both of the insulation buffer layer 2 and a ferroelectric 3 and to provide a memory transistor which retains data for a good long time.例文帳に追加

これは主として、バッファ層及び強誘電体のリーク電流が大きいため、強誘電体が記憶した電気分極を遮蔽するように強誘電体とバッファ層の界面付近に電荷が蓄積されトランジスタのソースドレイン間の電気伝導を強誘電体の電気分極が制御できなくなるためである。 - 特許庁

Any one of the lower layer 7 and the upper layer 9 has magnetization direction fixed to an external magnetic field and the other may have magnetization direction changeable depending on an external magnetic field so that the size of the external magnetic field can be detected, based on the change of a resistance for a sense current 22 in response to the external magnetic field.例文帳に追加

センス電流２２に対する抵抗値が外部磁界に応じて変化することによって外部磁界の大きさを検知するように、下部層７と上部層９のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。 - 特許庁

An average power given to an interface between the carbon nanotube layer 4 and the cathode layer 3 by a current flowing therethrough in aging is lower than that when the electron emission device 100 is actually driven.例文帳に追加

また、エージングにおいてカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値は、実際に電子放出装置１００が駆動されるときにカーボンナノチューブ層４とカソード層３との界面を通過する電流によって界面に与えられる電力の平均値よりも小さい。 - 特許庁

a shift in grating constant and roughening of a surface that the InGaAsP etching stop layer 18 has are therefore prevented and deterioration in crystallinity of a p-type GaAlAs 3rd clad layer 22 which is grown again is prevented to prevent a resistance increase of a current channel nearby a regrowth boundary surface.例文帳に追加

したがって、ＩnＧaＡsＰエッチストップ層１８に発生する格子定数のずれや表面の荒れを防止し、さらに再成長されるｐ型ＧaＡlＡs第３クラッド層２２における結晶性の劣化を防止し、再成長界面付近における電流チャンネルにおける抵抗増大を防止することができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

Further a conduction layer used for dividing the electric current and/or a layer vertical to the axis of the glow pin is preferably formed on an end part of the extrusion molding by a spraying, metal-coating, press-molding or immersion method or by a conventional welding method in a plastic technology field.例文帳に追加

また、電流を分流するのに使用される伝導層および／またはグロー・ピンの軸線に対して垂直に配置された層を、吹き付け、金属被覆加工、プレス成形によって、若しくは浸漬法によって、またはプラスチックの技術分野における従来の溶接法によって押出成形物の端部に形成するとよい。 - 特許庁

The method for manufacturing the structure includes: a step of preparing a conductive material 101 containing tungsten(W); a step of forming a mask layer 103 having a pattern on the material 101; and a step of allowing to flow anode-current through the material 101 on which the mask layer 103 is formed in a molten salt 20.例文帳に追加

構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery with high reliability, and restraining breakage of an electrode plate or fall-off of an electrode mixture layer with the necessary amount of an electrode active material maintained for having high capacity by controlling an application position and/or an application shape of an electrode mixture layer applied and formed on a current collector.例文帳に追加

集電体に塗布形成される電極合剤層の塗布位置および／または塗布形状を制御することにより、高容量化のために必要な電極活物質の量は維持したままで電極板の切れおよび電極合剤層の脱落を抑止し、信頼性の高い非水系二次電池を提供するものである。 - 特許庁

To provide a separator electrode integral power storage member capable of enhancing battery performance such as battery capacity, discharge current density, life, and reliability, and enhancing safety and productivity by forming an electrode layer and a separator layer in the integral structure difficult to separate.例文帳に追加

電極層とセパレータ層が容易に剥離されない一体化構造とする事により電池容量の増加や放電電流密度の向上、長寿命化、信頼性の向上等の電池性能や安全性と生産性の向上への寄与等、同時に解決する事が可能となるセパレータ電極一体型蓄電部材を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a non-aqueous electrolyte secondary battery with a collector having an electrode active material layer at least on one surface of it, which exhibits excellent high power property even at the time of rapid charging or discharging such as large current discharging, by preventing condensation of conductive material contained in the electrode active material layer and making the active material in the electrode active material layer react efficiently.例文帳に追加

集電体の少なくとも一面に、電極活物質層を備える非水電解液二次電池用電極板において、該電極活物質層に含まれる導電材の凝集を防ぎ、該電極活物質層の活物質を効率的に反応させて、大電流の放電など急速な充放電時においても優れた高出力特性を発揮する非水電解液二次電池用電極板を提供する。 - 特許庁

This thermal actuator comprises a cantilevered element extending from a base element and normally residing at a first position before activation, a first layer constructed of an electrically resistive material such as titanium aluminide, a coupling device that conducts electrical current serially between first and second resistor segments, and second layer constructed of a dielectric material having a low coefficient of thermal expansion and attached to the first layer.例文帳に追加

サーマルアクチュエータは、基部要素から延在し活性以前に第一位置に通常存在しているカンチレバー型要素を含み、アルミニウム化チタンなどの電気的に伝導性の物質から構成される第一層と、間に電気的な流れが連続的に伝導するカップリング装置と、並びに低係数の熱膨張を有し、前記第一層に付加された誘電体物質から構成される第二層とを含む。 - 特許庁

A direct-current power cable in which the internal semiconductive layer or the external semiconductive layer is formed with a semiconductive composition containing a polypropylene-base resin or a low-density polyethylene-base resin and a carbon nanotube and the insulating layer is formed with an insulating composition containing a polypropylene-base resin or low-density polyethylene-base resin and a nano-inorganic particle is adopted.例文帳に追加

この目的を達成するため、前記内部半導電層または外部半導電層は、ポリプロピレン基本樹脂または低密度ポリエチレン基本樹脂とカーボンナノチューブとを含む半導電性組成物によって形成され、前記絶縁層は、ポリプロピレン基本樹脂または低密度ポリエチレン基本樹脂とナノ無機粒子とを含む絶縁組成物によって形成される直流用電力ケーブルを採用する。 - 特許庁

In a semiconductor position detector where light enters the light receiving face where a semiconductor conductive layer 12 is made and the current values outputted each from both ends of the semiconductor conductive layer 12 vary according to the position of its incidence, a gate electrode 11 capable of interrupting the electric conduction between both ends is provided through an insulating film 10 in the middle of the semiconductor conductive layer 12.例文帳に追加

本半導体位置検出器においては、半導体導電層１２が形成された受光面に光が入射し、その入射光位置に応じて半導体導電層１２の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体導電層１２の途中に両端部間の電気伝導を遮断可能なゲート電極１１を絶縁膜１０を介して設けた。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head, leakage magnetism of a recording medium 1704 is detected from difference in voltage between a first non-magnetic conductor 101 and a first free layer 102 and voltage between a second non-magnetic conductor 103 and a second free layer 104, while a current flows to the second non-magnetic conductor 103 from the first non-conductor 101 through a fixed layer 105.例文帳に追加

磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体１０１から固定層１０５を介して第二の非磁性導電体１０３へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体１０１と第一の自由層１０２との間の電圧と、第二の非磁性導電体１０３と第二の自由層１０４との間の電圧との差分から記録媒体１７０４の漏洩磁気を検出する。 - 特許庁

A semiconductor DBR mirror formed on an active layer is formed divided as a 1st DBR mirror and a 2nd DBR mirror, and a current stricture is provided only at the part of the 1st DBR mirror to reduce the thickness of a narrow area of a current path, thereby obtaining an element which can operate with both high and low voltages.例文帳に追加

活性層の上部に形成する半導体ＤＢＲミラーを、第１のＤＢＲミラーと第２のＤＢＲミラーに分けて形成し、電流狭窄は第１のＤＢＲミラーの部分にのみ設けることにより、電流経路の狭い領域の厚さを薄くすることが可能で、低電圧動作と高温動作が可能な素子を得ることができる。 - 特許庁

In manufacture of a power storage device, when a lithium cobaltate layer is formed on a positive electrode current collector by a sputtering method in which a target including lithium cobaltate and a sputtering gas including Ar are used, the positive electrode current collector is heated at a temperature that does not allow the formation of cobalt oxide while the crystal of the lithium cobaltate is subjected to c-axis orientation.例文帳に追加

コバルト酸リチウムを含むターゲットと、Ａｒを含むスパッタガスを用いたスパッタリング法により、正極集電体上にコバルト酸リチウム層を形成する際に、コバルト酸リチウムの結晶をｃ軸配向させつつ、かつ酸化コバルトが生成されない温度で、当該正極集電体を加熱する蓄電装置の作製に関する。 - 特許庁

The electrode for the battery includes a current collector and an active material layer formed on the current collector which includes an active material that has an average particle size exceeding 1 μm and 5 μm or less and a BET specific surface area of 1-5 m^2/g and a conductive assistant of which content is 3-50 wt.% against 100 wt.% of the active material.例文帳に追加

集電体と、前記集電体上に形成され、平均粒子径が１μｍを超え５μｍ以下であり、かつＢＥＴ比表面積が１〜５ｍ^２／ｇである活物質、および前記活物質１００質量％に対して３〜５０質量％の含量である導電助剤を含む活物質層とを含む、電池用電極である。 - 特許庁

This method is characterize in comprising a step of including a magnetic sensitive layer with a magnetization in plane, forming a current perpendicular to plane type magneto resistive effect film 4 which perpendicularly runs the sense current to a film plane and carrying out patterning into a component configuration, and a step of forming a magnetic yoke 12 which covers the magneto resistive effect film 4 carried out patterning into the component configuration.例文帳に追加

膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の磁気抵抗効果膜４を形成し、素子形状にパターニングする工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜４を覆う磁気ヨーク１２を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the slot antenna 10, although power is fed to the radiation conductor layer 13 in the vicinity of the slot 12 via the feeding line 14 to be able to excite the slot 12, since the width of the slot 12 is widened at the closing end in a magnetic field region (maximum current region), the path length of a current is increased to lower the resonance frequency.例文帳に追加

このスロットアンテナ１０は、給電ライン１４を介してスロット１２近傍の放射導体層１３に給電することにより、スロット１２を励振させることができるが、スロット１２の幅寸法が磁界領域（電流最大領域）である閉端部で拡幅されているため、電流の経路長が増大して共振周波数が低くなる。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor laser which is formed from a compound semiconductor layer in which a ridge contains Ga, includes a process (step 12) wherein the semiconductor laser is energized with element current until the characteristics of the semiconductor laser is restored after it is degraded by energization of the element current.例文帳に追加

本発明は、リッジ部がＧａを含む化合物半導体層で形成された半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの特性が素子電流の通電により劣化した後回復するまで、前記半導体レーザに前記素子電流を通電する工程（ステップ１２）を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic EL element including at least an organic light emitting layer held between a pair of electrodes includes a current application step S3 of applying a current to the organic EL element in a heating state, and a preservation step S4 of preserving the organic EL element in the heating state.例文帳に追加

一対の電極間に少なくとも有機発光層を狭持してなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、加熱状態で前記有機ＥＬ素子に通電を行う通電処理工程Ｓ３と、加熱状態で前記有機ＥＬ素子を保存する保存処理工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法である。 - 特許庁

When water is accumulated by dew condensation between the wavelength conversion member and the sensor substrate 10, a dark current sometimes increases, causing coupling of an ion component included in the water with the photoelectric conversion element (electrode or the like of the photoelectric conversion element), but the dark current is difficult to occur because such coupling is inhibited due to the providing of the nonionic layer 20.例文帳に追加

波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 - 特許庁

A semiconductor optical device 100 is equipped with a current injection region 112 and a current non-injection region 114 in the optical axis direction of an optical waveguide layer 102, where an isolation groove 116 for electrically isolating the regions 112 and 114 from each other is provided between the regions 112 and 114.例文帳に追加

光導波路層１０２の光軸方向に電流注入領域１１２と電流非注入領域１１４とを有する半導体光素子１００において，前記電流注入領域１１２と前記電流非注入領域１１４との間には，前記両領域間１１２，１１４を電気的に分離するための分離溝１１６が形成される。 - 特許庁

A current non-injection region where the contact layer 7 contacts the dielectric film 8 is formed on the upper surface of the ridge part 6a in the vicinity of the resonator end face, and the first electrode 9 and the second electrode 10 are formed separately from the upper surface region of the dielectric film 8 excluding a sidewall surface of the opening in the current non-injection region.例文帳に追加

共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor for reducing leakage current by suppressing the degradation of an anodized coating when a manganese dioxide layer is formed by thermal decomposition, for concurrently suppressing the increase of the leakage current when the capacitor is exposed to high temperatures and humidities without load, and for providing excellent impedance characteristics in the high-frequency region.例文帳に追加

熱分解により二酸化マンガン層を形成する際に起こる陽極酸化皮膜の劣化を抑制して漏れ電流を低減させることができるとともに、高温高湿下に無負荷で放置された時の漏れ電流の増大も抑制でき、かつ高周波領域でのインピーダンス特性も優れている固体電解コンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁

The photovoltaic element comprises current collecting electrodes 103 made of a metal wire 104 having a conductive coating layer 105, and metal bus bars 106 connected with the current collecting electrodes 103 wherein the metal wire 104 and the metal bus bar 106 are touched and bonded each other in a region 107 connecting the metal wire and the metal bus bar.例文帳に追加

導電性被覆層１０５を有する金属ワイヤ１０４からなる集電電極１０３と、集電電極１０３と接続された金属バスバー１０６とを有する光起電力素子において、金属ワイヤ１０４と金属バスバー１０６の間を接続する領域１０７で、金属ワイヤと金属バスバーが接触接合していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery enhancing reliability in overcharge by preventing the occurrence of cracks or cutoff of a negative current collector even when the volume change attendant on charge discharge of a negative mix layer is large, and enhancing cycle characteristics by preventing deterioration of cycle characteristics caused by cracks or cutoff of the negative current collector.例文帳に追加

負極合剤層の充放電に伴う体積変化が大きい場合においても、負極集電材の亀裂、切断などの発生を防止して、過充電時における信頼性を高め、かつ上記負極集電材の亀裂、切断などに伴うサイクル特性の劣化を防止して、サイクル特性の優れた非水二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a boron phosphide-based semiconductor layer which can reduce leakage of an element driving current, improve photoelectric conversion efficiency as a light-emitting element, improve an opposite direction voltage, cause a gate electrode to have high voltage resistance as an electric field effect transistor, and improve the pinch-off characteristic of a drain current.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を備える半導体素子において、素子駆動電流の漏洩を低減することができ、発光素子として光電変換効率を高くでき、逆方向電圧も高くでき、また電界効果型トランジスタとしてゲート電極を高耐圧性とし、ドレイン電流のピンチオフ特性も改善することができるようにする。 - 特許庁

To provide a storage battery in which there arises no welding defect in forming a strap by bundling the selvedge of a current collector and a reliable strap is obtained in the storage battery using the current collector formed by forming an alloy layer on at least one of surfaces of metal base sheet and by forming the sheet by a punching or expansion process.例文帳に追加

金属基体シート表面の少なくとも一方に合金層を形成し、該シートを打ち抜きあるいはエキスパンド加工により形成した集電体を使用した蓄電池において、前記集電体の耳部を束ねてストラップを形成する際に、溶接不良が発生せず、信頼性の高いストラップが得られる蓄電池を提供することにある。 - 特許庁

The current collecting line 13 includes a frame part 13b and a plurality of linear parts 13a which are connected at one end to the frame part 13b and are left open at the other end, and the photoelectric conversion layer 15, which is disposed between the respective linear parts 13a, is formed continuously on the transparent conductive film 12 without being broken off by the current collecting line 13.例文帳に追加

この集電線１３が、枠部１３ｂと、その枠部１３ｂに一端部が接続され、他端部が開放された複数の線状部分１３ａとを有し、その線状部分１３ａのそれぞれの間に設けられる光電変換層１５が集電線１３により途切れることなく、透明導電膜１２上で連続して形成されている。 - 特許庁

Thus, fuel is injected in the sufficiently weakened timing of a residual air current regardless of a change in the residual air current in a compression stroke caused by an increase in the tumble ratio, and since excessive agitation of the fuel caused by an increase in the tumble ratio is restrained, a layer of a variable thick air-fuel mixture can be stably formed in the vicinity of a spark plug 17.例文帳に追加

これにより、タンブル比の増大に伴う圧縮行程中の残存気流の強化に拘わらず、その残存気流が十分弱まった時期に燃料が噴射されるようになり、タンブル比の増大に起因する燃料の過撹拌が抑制されるため、点火プラグ１７近傍に可変な濃い混合気の層を安定して形成することができる。 - 特許庁

To provide an electron source which is a thin film type electron source having a lower electrode and an upper electrode and an electron acceleration layer comprising an insulator or a semiconductor between them starting a diode current at lower threshold voltage than in the prior art and capable of securing a diode current required for electron emission even at low voltage, and to realize an image display device having a long service life and low power.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有する薄膜型電子源で従来よりダイオード電流が低い閾値電圧で立ち上がり、低電圧でも電子放出に必要なダイオード電流が確保できる電子源を提供し、長寿命、低消費電力の画像表示装置を実現すること。 - 特許庁

In a narrow gloove welding method for a single V groove or a single bevel groove by MAG welding, an initial layer is welded by impressing a welding current which has the wave form superimposing DC and a pulse current and that a droplet transfer form is spray transfer, between a welding base material and a filler material, after that a second and succeeding layers are welded by impressing DC.例文帳に追加

ＭＡＧ溶接によるＶ形もしくはレ形の挟開先の溶接方法であって、溶接母材と溶加材の間に、直流電流とパルス電流を重畳させた波形で、溶滴の移行形態がスプレー移行となる溶接電流を印可して初層の溶接を行った後、直流電流を印可して２層目以降の溶接を行う - 特許庁

A jumping electric current IJ is reduced by connecting a short pipe member 30 having an anticorrosive metal layer 50 at least on an inside wall surface between at least two pipe materials 1, 2 different in electric potential by insulating it from the pipe materials 1, 2.例文帳に追加

電位の異なる少なくとも２つの管材１，２の間に、少なくとも内部の壁面に耐食性金属層５０を有する短管部材３０を、管材１，２に絶縁させて接続し、ジャンピング電流Ｉ_J を低減する。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell in which a superior supply of a gas to the electrode layer and a superior current collection that has been generated is achieved, and in which reaction heat generated accompanied with power generation is effectively cooled.例文帳に追加

電極層へのガスの良好な供給および発電された電気の良好な集電を達成するとともに、発電に伴って発生する反応熱を効果的に冷却する燃料電池用セパレータを提供すること。 - 特許庁

Thereby in a transfer part, reverse charge injection from the transfer roller 6a to a charged body layer 2b of the image carrier 2 is prevented, and current exceeding the withstand voltage of an IC driver of high voltage is prevented from flowing to the write electrode 3b.例文帳に追加

これにより、転写部において転写ローラ６ａから像担持体２の帯電体層２ｂへの逆電荷注入が阻止され、高電圧のＩＣドライバ８の耐圧を超えた電流が書込電極３ｂに流れるのが防止される。 - 特許庁

A metal layer 5 is disposed between base materials 7, and has a current collecting electrode function by contacting a nano-wire 11 to ensure conduction, and a buffering function for absorbing the deformation of the nano-wire 11 caused by heat.例文帳に追加

金属層５は、母材７の間に配置されており、ナノワイヤ１１と接触して導通を確保する集電電極の機能を有するとともに、ナノワイヤ１１の熱による変形を吸収する緩衝の機能を有している。 - 特許庁