「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The groove 12A is formed by rolling by a roller formed with a convex section after a precursor layer containing the negative electrode active material and a binder is formed on a negative electrode current collector 11.例文帳に追加

溝１２Ａは、負極活物質と結着剤とを含む前駆層を負極集電体１１に形成したのち、凸状部を形成したローラーにより圧延することにより形成する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer is formed as a fine crystal structure having a high insulating property and is coated with a nitride film, thereby mitigating an increase of the leakage current caused by formation of the nitride film.例文帳に追加

そして第２の窒化物半導体層を絶縁性の高い微結晶構造とし、窒化膜で被覆することで、窒化膜の形成により生じるリーク電流の増加を緩和する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device called a phase transformation memory which can reduce current required for making a phase transformation layer start the phase transformation.例文帳に追加

相変化層を安定して形成でき、相変化層に相変化を起させるために必要とされる電流を低減することができる相変化型メモリと呼ばれる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an MR head showing excellent output voltage characteristics by initializing the magnetic orientation of a pin layer by using an optimum pulse current according to the structure of the magnetic head after a wafer process.例文帳に追加

ウェハプロセス後に、各磁気ヘッドの構造に応じた最適なパルス電流を用いてピン層の磁気配向を初期化することにより、優れた出力電圧特性を示すＭＲヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element and a nitride semiconductor light-emitting element that can suppress deterioration in the crystallinity of an active layer and have large current density and high luminous efficiency.例文帳に追加

活性層の結晶性の悪化を抑制することができ、大電流密度で発光効率の高い半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The gate leak current is significantly reduced by the insulating layer 1-11 consisting of the high dielectric material, and a proper transistor operation to the high gate voltage can be realized.例文帳に追加

この高誘電体材料からなる絶縁層１−１１により、ゲートリーク電流は著しく低減され、更に高いゲート電圧に対して正常なトランジスタ動作が実現される。 - 特許庁

The negative electrode current collector 10 for lithium secondary battery is provided with a conductive substrate 1 and a conductive layer 2 installed at least at a part of the surface of the conductive substrate 1.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用負極集電体１０は、導電性基板１と、導電性基板１の表面の少なくとも一部に設けられた導電層２とを備えている。 - 特許庁

The current constriction layer 51 has a conductive region 51A made of AlAs or AlGaAs mixed crystal and a nonconductive region 51B made of an insulating oxide containing aluminum.例文帳に追加

電流狭窄層５１は、ＡｌＡｓまたはＡｌＧａＡｓ混晶よりなる導電領域５１Ａと、アルミニウムを含む絶縁性酸化物よりなる非導電領域５１Ｂとを有する。 - 特許庁

To ensure high current efficiency and a sufficient driving life in an organic electroluminescent element including an organic layer formed by wet film forming method.例文帳に追加

湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子であって、高い電流効率、十分な駆動寿命を有する有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

While the substrate 101 is held, a plated layer is formed as a wiring pattern by spouting a plating solution from the downside in a state where an electric current is supplied to the film 102 by using the electrode 203.例文帳に追加

その後、電極２０３を用いてカレントフィルム１０２に電流を供給している状態で、下側からメッキ液を吹き上げることにより、配線パターンとしてのメッキ層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of depositing an dielectric film to control the generation of a low-dielectric layer to have a high-dielectric constant and the property on the low leakage current between a silicon substrate and the dielectric film.例文帳に追加

シリコンと誘電膜との間に、低誘電層の発生を抑制して高い誘電定数と低い漏れ電流の特性とを有する誘電膜を蒸着する方法を提供すること。 - 特許庁

The ratio of the area S2 occupied by the crack to the total area S1 of the current collecting layer 133, S2/S1, is 7×10^-4 to 1×10^-1, and the width of the crack is 0.1-5 μm.例文帳に追加

集電層１３３の総面積Ｓ１に対するクラックが占める面積Ｓ２の割合Ｓ２／Ｓ１が７×１０^−４〜１×１０^−１であり、クラックの幅は０．１〜５μｍである。 - 特許庁

To make a memory element store information, preventing destruction of the memory element by making the direction of magnetization of a storage layer reverse by applying a write current having less write-in voltages.例文帳に追加

少ない書き込み電圧から成る書き込み電流を印加することによって記憶層の磁化の向きを反転させることで、記憶素子の破壊を防ぎつつ、記憶素子に情報を記憶させる。 - 特許庁

In the step of forming the reflective and conductive film, the translucent substrate 1 is carried along the direction in which the current of the semiconductor layer flows by the in-line sputtering device 80.例文帳に追加

そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層の電流が流れる方向に沿ってインラインスパッタリング装置８０で透光性基板１を搬送する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor that can be manufactured by a simple process while having a uniform and thick solid electrolyte layer with a high coverage, a low ESR, and a low leakage current.例文帳に追加

簡素な工程により作製可能で、しかも、均一で厚く高い被覆率の固体電解質層を有し、ＥＳＲ及び漏れ電流の低い固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

Thus, the probe is brought into contact with the space between the conducting pads and a current is caused to flow to perform testing continuity between the conductive layer and the conducting pad of ground potential.例文帳に追加

これにより、導通パッド間にプローブを接触させて電流を流すことにより、導電層とグランド電位とされた導通パッドとの間の導通検査を行うことができる。 - 特許庁

To easily initialize a magnetizing fixing part and a magnetic wall position, in a current-driven magnetic wall moving type MRAM in which the magnetic anisotropy of a magnetizing recording layer is in the vertical or in-plane direction.例文帳に追加

磁化記録層の磁気異方性が垂直方向、または、面内方向である電流駆動磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁化固定部、及び、磁壁位置の初期化を容易に行う。 - 特許庁

To provide a production process of a high purity Ti material for obtaining a high reliability semiconductor element by employing a film composed of a Ti nitride in a contact barrier layer, a gate electrode or the like thereby suppressing leak current of a semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

An adhesion layer composed of a polyamideimide resin containing carbon and an active material are successively laminated on at least one surface of a current collector of the electrode plate for battery.例文帳に追加

集電体の少なくとも一方の面に、カーボンを含有したポリアミドイミド樹脂からなる接着層と、活物質層とを順に積層したことを特徴とする電池用電極板。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser capable of efficiently injecting a current into an active layer and increasing the power of output as well as suppressing optical absorption.例文帳に追加

光吸収を抑制することができると共に、活性層への電流注入が効率よく行うことができ、高出力化を図ることが可能となる面発光レーザを提供する。 - 特許庁

Since the polarization state of the layer 6 is spontaneous, the polarization state can be held (stored) and discriminated (read out) by the channel current of the transistor.例文帳に追加

この強誘電体層６の分極状態は自発性であるため、分極の状態を保持（記憶）し、かつこの状態をトランジスタのチャネル電流に判別（読み出し）させることができる。 - 特許庁

The current-carrying control for the base material 12 is performed based on the maximum diameter A, and a plated layer 14 of thickness t corresponding to the maximum diameter A is formed to fix abrasive grains 16 (step S7).例文帳に追加

最大径Ａに基づいて母材１２に対する通電制御を行い、最大径Ａに対応した厚さｔのめっき層１４を形成して砥粒１６を固定する（ステップＳ７）。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device with an excellent spectral sensitivity characteristic and without variation in output current in which no contaminant is mixed in a photoelectric conversion layer, and provide a highly reliable semiconductor device including the photoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばらつきのない光電変換装置を得ることを課題とする。 - 特許庁

In mounting, the covering body 10 is peeled from the mounting surface 6a to expose the adhesive layer 9 and the mounting surface 6a is adhered to the air current pipe passage 2.例文帳に追加

取付時には、前記取付面６ａから前記被覆体１０を剥離し、前記接着剤層９を露出させて、前記取付面６ａを前記気流管路２に接着する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor of high reliability capable of suppressing increase in leakage current, by preventing slipping-out of oxygen from a thin dielectric layer, even when heat treatment is carried out.例文帳に追加

熱処理を行った場合にも、薄膜誘電体層から酸素が抜け出すことを防止してリーク電流の増加を抑制することが可能で、信頼性の高い薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

An anode 10 includes an anode active material layer which includes a plurality of anode active material fibers containing silicon as a constituent element on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１０１上に、珪素を構成元素として含有する負極活物質繊維を複数含む負極活物質層が設けられたものである。 - 特許庁

Further, the efficiency is enhanced to a maximum extent while reducing a leak current, by optimizing the film thickness of the strained Si layer having a channel region, the inactivation of defects, a field plate structure, etc.例文帳に追加

更に、チャネル領域を有する歪Si層の膜厚、欠陥の不活性化、或いはフィールドプレート構造の最適化などによってリーク電流を低減しつつ最大限に効率を高める。 - 特許庁

An ESD protection circuit 10 is formed so as to avoid a position corresponding to a connected surface 7A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing generation of leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０を接着面７Ａと対応する位置から外れた位置に形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To perform component isolation of a semiconductor layer formed on an insulator stably while suppressing increase in number of steps, and to enhance suppression effect of current leak by a parasitic transistor.例文帳に追加

工程数の増大を抑制しつつ、絶縁体上に形成された半導体層の素子分離を安定して行うとともに、寄生トランジスタによる電流リークの抑制効果を向上させる。 - 特許庁

To provide a thin-film superconductive wire material having high critical current density in the construction that an RE123 superconductive layer is formed on a metal tape substrate, and a production process thereof.例文帳に追加

金属テープ基板上にＲＥ１２３系の超電導層を形成する構成において高い臨界電流密度を有する薄膜超電導線材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film solar cell, having a hole extraction layer and exhibiting high photoelectric conversion efficiency and the value of short-circuit current.例文帳に追加

本発明は、正孔取出し層を有する有機薄膜太陽電池であって、光電変換効率および短絡電流値の高い有機薄膜太陽電池を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a capacitor in which a step for forming the conductive layer for a storage node electrode can be simplified and a high capacitance and a low leak current can be realized.例文帳に追加

ストレージノード電極用導電層の形成工程を単純化でき、高いキャパシタの容量と低いリーク電流を実現することができるキャパシタの形成方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a Cu film 14c is stacked on the Cu film 14b within the wiring depositing grooves 12a and 12b by plating method using the sacrificial conductor film 12 and the Cu film 14b as a current carrying layer.例文帳に追加

その後、犠牲導体膜１２とＣｕ膜１４ｂを通電層としてめっき法によって配線形成用溝１２ａ，１２ｂ内のＣｕ膜１４ｂ上にＣｕ膜１４ｃを積み増す。 - 特許庁

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized.例文帳に追加

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。 - 特許庁

To prevent or minimize generation of horizontal shock or current shock in a photosensitive layer carrier conveyed through an electrolytic bath and electrochemically buffed therein.例文帳に追加

電解液浴（１）の中を貫通して搬送され、この中で電気化学式にバフ磨きされる感光層担体２に、横衝撃ないし電流衝撃が生ずることを防止ないし最小にする。 - 特許庁

To provide a capacitor and a method for manufacturing the same capable of suppressing reduction of inorganic oxide of a dielectric and having a barrier layer which does not impede the characteristics of the dielectric, and small leak current.例文帳に追加

誘電体の無機酸化物の還元を抑制し、誘電体の特性を阻害しないバリア層を備えた、漏れ電流の少ないキャパシタ、およびその容易な製造方法を提供すること。 - 特許庁

The flow of the deep current which is pointed upward as it flows along the tilted rectangular plate reaches a surface layer by flowing diagonally upwards even after separating upward from the guide plate.例文帳に追加

傾斜した長方形の板にそって流れる間に上方に向けられた深層水の流れは、誘導板から上方に離れてのちも斜め上方に流れて表層に到達する。 - 特許庁

A tuning electrode 28 is provided in the rear DFB region S2, and a current is injected into the tuning layer 22 of the rear DFB region S2 independently from the front DFB region S1.例文帳に追加

後方ＤＦＢ領域Ｓ２にチューニング電極２８を設け、前方ＤＦＢ領域Ｓ１とは独立して、後方ＤＦＢ領域Ｓ２のチューニング層２２に電流を注入する。 - 特許庁

To activate carbon contained in a semiconductor layer at high activation rate and to form a tunnel-junction of high tunnel current peak density, so as to manufacture a multi-junction solar cell of high efficiency.例文帳に追加

半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。 - 特許庁

The photoconductive layer 12 is formed on the semiconductor substrate 11 by the epitaxial growth method, and when a higher bias voltage is applied, a current is saturated at a specified value.例文帳に追加

光伝導層１２は、エピタキシャル成長法により半導体基板１１上に形成されており、より高いバイアス電圧を印加し続けたとき、電流が所定値で飽和する。 - 特許庁

To provide a method of forming a passivation layer of a semiconductor device which can prevent junction leakage current caused by plasma while forming a high-quality film with no void between metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間にボイドのない優れた膜を形成しながらプラズマによる接合漏洩電流を防止することが可能な半導体素子のパッシベーション層形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current passage connected in parallel to an active layer of a light emitting diode LED to protect the LED from static electricity, which can be applied from the outside, without using a Zener diode.例文帳に追加

ツェナーダイオードの利用なしにも外部から流入可能な静電気から発光ダイオードを保護するために、発光ダイオードの活性層と並列に接続される電流通路を提供する。 - 特許庁

To enhance conversion efficiency by confining short wavelength light and long wavelength light of visible light with a porous oxide semiconductor layer to efficiently absorb and increasing optical current.例文帳に追加

可視光の短波長光と長波長光とを多孔質酸化物半導体層で閉じ込めて効率的に吸収させて、光電流を増大させて変換効率を高めること。 - 特許庁

The positive electrode for the lithium-ion secondary battery includes: a positive electrode active material containing a lithium composite oxide; a positive electrode mixture layer containing a conductive material and a binder; and a current collector.例文帳に追加

リチウム複合酸化物を含む正極活物質、導電材及び結着剤を含有する正極合剤層と集電体を備えるリチウムイオン二次電池用正極である。 - 特許庁