「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

In a TTG-DFB-LD including an MQW wavelength control layer 16 wherein a refraction factor is changed by a current injection, the effective forbidden bandwidth of the MQW wavelength control layer 16 becomes greater than energy of light generated in an MQW active layer 20 just by a value of ≥40 meV and <60 meV.例文帳に追加

電流注入により屈折率が変化するＭＱＷ波長制御層１６を有するＴＴＧ−ＤＦＢ−ＬＤにおいて、ＭＱＷ波長制御層１６の実効的な禁制帯幅が、ＭＱＷ活性層２０で発生した光のエネルギーよりも４０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満の値だけ大きくなっている。 - 特許庁

The low-resistance ground-plane may have a slot for reducing a loop size of an eddy current path; and the ground-plane is formed from at least one of an upper IC metal layer, a copper pad formed between a non-activated layer in IC and the dielectric layer, and a part or combination of metal portions used in formation of the micro-coil.例文帳に追加

低抵抗グランドプレーンは、渦電流路のループサイズを減少するためにスロットを設けることができ、１つ以上の上部ＩＣメタル層、ＩＣ不活性化層と誘電体層との間に形成された銅パッド、マイクロコイルの形成に使用されるメタルの部分又はその組合せから形成される。 - 特許庁

The heating member 21 is formed so that its thickness may be smaller than skin depth corresponding to the alternating current, and also is equipped with a first non-magnetic material layer comprising non-magnetic material, and a second non-magnetic material layer comprising non-magnetic material and having a smaller volume resistivity than that of the first non-magnetic material layer.例文帳に追加

そして、発熱部材２１は、その厚さが交番電流に対応した表皮深さよりも薄くなるように形成されるとともに、非磁性材料からなる第１非磁性材料層と、非磁性材料からなるとともに該第１非磁性材料層に比べて体積固有抵抗が小さい第２非磁性材料層と、を具備する。 - 特許庁

To provide a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element in which a large amount of varying resistance is allowed by implementing a fundamental review of material attribute of a pin layer, free layer and a spacer layer of a spin valve structure, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using such a magnetoresistive effect element as above.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.例文帳に追加

ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

With a GaN crystal layer, which generates a carrier related to an optical current under optical excitation as an optical detection layer 1, an incident side electrode P1 is provided as an ohmic electrode on the side irradiated with a light L which is received through a contact layer 3 composed of GaN crystal and capable of forming an ohmic electrode.例文帳に追加

光励起によって光電流に係るキャリアを発生するＧａＮ系結晶層を光検出層１として、受光対象光Ｌが入射する側には、ＧａＮ系結晶からなりオーミック電極を形成し得るコンタクト層３を介して、入射側電極Ｐ１をオーミック電極として設ける。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

To obtain a hetero junction bipolar transistor of high current gain, by avoiding crystalline degradation of a carbon-added InGaAs layer by thermal history in an organometallic chemical vapor deposition process, in a preparation method of a hetero junction bipolar transistor with a carbon-added InGaAs layer as a base layer.例文帳に追加

炭素添加ＩｎＧａＡｓ層をベース層として有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの作製方法において、有機金属化学気相成長工程中の熱履歴による炭素添加ＩｎＧａＡｓ層の結晶性劣化を回避することにより、電流利得の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを得ること。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor stack layer, an electrode, and a conducting structure formed by nanoimprinting technique between the semiconductor stack layer and electrode, and consequently a current is uniformly dispersed to the semiconductor layer through the electrode and conducting structure.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、半導体スタック層と、電極と、ナノインプリンティング技術で当該半導体スタック層と当該電極との間に形成される導電構造とを含み、これにより、電流は、当該電極と当該導電構造を介して当該半導体スタック層に均一に分散することができる。 - 特許庁

The electrode for electric double layer capacitor is formed by bonding an electrode composition layer containing active carbon activated with steam, active carbon activated with alkali metal hydroxide, and a binder to a current collector via a conductive adhesive layer containing carbon particles and containing a polymer not containing an epoxy group as a binder.例文帳に追加

水蒸気で賦活した活性炭、アルカリ金属水酸化物で賦活した活性炭、および結着剤を含む電極組成物層が、炭素粒子を含み、かつバインダーとしてエポキシ基を含有しない重合体を含む導電性接着剤層を介して集電体と接着されてなる電気二重層キャパシタ用電極。 - 特許庁

A metal layer 26 is formed on a portion of the conductive film 18 by electrolytic plating for allowing current to flow to the conductive film 18, and the conductive film 18 is etched with the metal layer 26 as a mask by a first etchant having etching operation stronger to the conductive film 18 than the metal layer 26.例文帳に追加

導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８の一部上に金属層２６を形成し、導電膜１８に対して金属層２６に対するよりも強いエッチング作用のある第１のエッチャントによって、金属層２６をマスクとして導電膜１８をエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing moisture absorption to an insulating layer and the adverse effects on a wiring layer and on a via of moisture, passing through the insulating layer and thereby suppressing some or all of the problems, such as increase in dielectric constant, corrosion of a wiring metal, oozing of the wiring metal into an insulating film and increase in the leakage current.例文帳に追加

絶縁層への吸湿や絶縁層を通過する水分の配線層やビアへの悪影響を抑制でき、その結果、誘電率の上昇、配線金属の腐食、配線金属の絶縁膜中への滲みだし、リーク電流の増大等の問題のいずれかまたは全てを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This capacitor is manufactured, by stacking a first conductive high polymer layer 13 made on the side of the valve metal foil 11 for a cathode and a second conductive high polymer layer 15 made on the side of the current collecting metal body 16 for a cathode via the conductive adhesive layer 14, and pressurizing them in the direction of stacking.例文帳に追加

本発明のコンデンサ素子は、陽極用弁金属箔１１側に形成された第一の導電性高分子層１３と、陰極用集電金属体１６側に形成された第二の導電性高分子層１５とを、導電性接着剤層１４を介して積層させて積層方向に加圧することにより作製される。 - 特許庁

The current-collecting member has a surface-finishing layer at least on one side of a conductive material wherein the ratio of a microscopic superficial area to a macroscopic superficial area is over 2.20 on a surface opposite the surface-finishing layer in the interface of the conductive material, and a volume resistance is below 2 Ωcm in the surface-finishing layer.例文帳に追加

導電性基材の少なくとも片面上に表面処理層を有し、表面処理層の導電性基材との接触面の反対側表面における巨視的表面積に対する微視的表面積の比が２．２０以上であり、かつ表面処理層の体積抵抗が２Ω・ｃｍ以下である集電体。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a fuel cell with high output density and good properties having a current collector layer efficiently collecting electron generated at a reaction layer, and the reaction layer with excellent reaction efficiency, and to provide an electronic device and an automobile equipped with the fuel cell.例文帳に追加

反応層で生じた電子を効率よく集める集電層及び反応効率のよい反応層を有し、出力密度が高く、特性のよい燃料電池を効率よく製造する燃料電池の製造方法、並びにこの燃料電池を電力供給源として備える電子機器及び自動車を提供する。 - 特許庁

The method includes a stage of judging whether the current operating frequency of the user equipment is an MBMS necessary frequency selected preferentially by a higher-layer protocol when an RRC state of the user equipment changes to the CELL_DCH state; and a stage of continuously using the current operating frequency when the current operating frequency of the user equipment is the MBMS necessary frequency selected preferentially by the higher-layer protocol.例文帳に追加

方法は、ユーザー端末のＲＲＣ状態がＣＥＬＬ＿ＤＣＨ状態となった場合に、当該ユーザー端末の現動作周波数が上位層プロトコルにより優先に選定されたＭＢＭＳ所要周波数であるかどうかを判断する段階と、上記ユーザー端末の現動作周波数が上位層プロトコルにより優先に選定されたＭＢＭＳ所要周波数である場合に、現動作周波数を引き続き利用する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device comprising a gate insulation layer in which leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously while forming the gate insulation layer with high dielectric constant insulating material to obtain high potential mobility.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element wherein an organic EL layer and/or the contact surface of a cathode and a charge transport layer do not serve as passages for a leakage current, when insulating layers are disposed between organic EL layers.例文帳に追加

本発明の目的は、有機ＥＬ層間に絶縁層を配置した場合において、有機ＥＬ層、および／または、陰極と電荷輸送層との接触面がリーク電流の経路とならない、有機ＥＬ素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To deteriorate an element basic characteristic such as an increase of current density and deterioration of inner quantum efficiency, by diffusing a Zn acceptor from a p-type clad layer to a region near an active layer by thermal history in a wafer process in a semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子では、ウエハプロセス工程での熱履歴によってｐ型クラッド層から活性層近傍領域までＺｎアクセプタが拡散することにより、電流密度が増大、内部量子効率が低下する等、素子基本特性が劣化する。 - 特許庁

As a result, a degree of freedom in the shape or arrangement of the surface conductor layer 6 which is formed on the surface of the laminated substrate 2 is increased as compared with a conventional example where the electric plating conductor layer for feeding the electric current is formed only on the surface of an insulating base material.例文帳に追加

その結果、電気めっきの給電用導体層が絶縁基材の表面にしか形成し得ない従来例に比較して、積層基板２の表面に形成される表面導体層６の形状や配置の自由度が高くなる。 - 特許庁

The electron implanting layer includes a compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2), and using the compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2) for the electron implanting layer can obtain the light emitting element with the practical stability configured such that electrons are smoothly implanted and a current flows more easily.例文帳に追加

一般式（１）又は（２）に示す基本骨格を有する化合物を電子注入層に使用することにより、電子の注入が円滑であり、電流がより流れやすく安定性の向上した発光素子が得られるようになる。 - 特許庁

When an electric field causing breakdown of the insulation layers 2, 4, but not causing breakdown of the insulation layer 3 is applied between the pair of electrodes 5, 6; two ballistic current passages are formed between the pair of electrodes 5, 6 to hold the insulation layer 3 between.例文帳に追加

絶縁層２、４を絶縁破壊させつつ絶縁層３を絶縁破壊させない大きさの電界を一対の電極５、６間に印加すると、一対の電極５、６間に絶縁層３を挟む２つの弾道的な電流経路が形成される。 - 特許庁

To establish galvanization conditions effecting high rust inhibitory performance of a galvanized coating layer by appropriately controlling the temperature, pH, current density and galvanized coating layer thickness in an electrolytic solution consisting of a zinc sulfate hydrate and ammonium sulfate, in a production process of a galvanized steel sheet.例文帳に追加

亜鉛鍍金鋼板の製造において、硫酸亜鉛水化物及び硫酸アンモニウムからなる電解溶液中の温度、ｐＨ、電流密度及び鍍金層の厚さを適切に制御して高い防錆性能を有する鍍金条件を確定する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device with a transparent conductive film, a photoelectric conversion unit, a transparent electrode layer and a highly reflective electrode layer, which has high conversion efficiency and is improved in short circuit current density and curve factors.例文帳に追加

透明導電膜、光電変換ユニット、透明電極層、及び高反射電極層を備えた薄膜光電変換装置において、短絡電流密度および曲線因子が改善された変換効率の高い光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid state imaging apparatus capable of suppressing generation of a junction leakage current even when the layout pattern width of a floating diffusion layer becomes small and a polysilicon pattern is arranged circumferentially along the floating diffusion layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

浮遊拡散層のレイアウトパターン幅が小さくなり、かつその周囲にポリシリコンパターンが浮遊拡散層に沿って配置された場合でも、接合リーク電流の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To projectively form first and second main electrode regions in even film thickness as additional active layer portions on an active layer body, prevent the problems such as increase of leakage current and parasitic capacitance, and easily perform an element isolation process.例文帳に追加

活性層本体上に均一な膜厚での第１及び第２主電極領域を付加的活性層部分として、突出させて形成するとともに、リーク電流や寄生容量の増加等の問題が防止され、かつ素子分離プロセスを容易に行う。 - 特許庁

In the method for controlling the characteristics of a semiconductor device, a semiconductor device fabricated on a semiconductor wafer is fed with a current in an atmosphere containing fluorine in order to store fluorine in a barrier layer or a channel layer and to vary the device characteristics as desired.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成する半導体デバイスに、フッ素を含む雰囲気中で電流を流し、それによりフッ素をバリヤ層やチャネル層に蓄積させかつデバイス特性を所望の値に変化させる半導体デバイスの特性制御方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which a copper wiring layer having a uniform film thickness and being free from a disconnection or leak current occurring between an upper wiring layer over wide ranges of all electrically conductive regions, is formed in the semiconductor device.例文帳に追加

広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction structure which can reduce a critical current value required for switching and maintain thermal stability even if a device is fabricated small in size, by maintaining magnetization directions of a free magnetic layer and a pinned magnetic layer perpendicular to each other.例文帳に追加

自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向を垂直に維持することにより、スイッチングに必要な臨界電流値を下げ、素子サイズを小さくしても熱的安定性を維持することのできる磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁

After a separation fluid is sprayed into the buildup wiring substrate, the buildup wiring substrate is transferred into the electromagnetic induction coil to which high-frequency current is applied, thus vibrating a copper wiring layer and an electrolytic copper plating layer, and facilitating the separation of the dry film resist.例文帳に追加

剥離液をビルドアップ配線基板にスプレーした後に、高周波電流が印加された電磁誘導コイルの中をビルドアップ配線基板を搬送することにより、銅配線層や電解銅めっき層を振動させ、ドライフィルムレジスト剥離を促進する。 - 特許庁

Through charge migration between an organic semiconductor layer 3 and the metal oxide layer 5, a region including a plenty of carriers and a small number of traps is formed up to near the end of the electrode 4 in which the current concentrates, thereby the contact resistance is greatly reduced.例文帳に追加

有機半導体層３と金属酸化物層５との間の電荷移動により、電極４の電流が集中する端近傍まではキャリアが豊富でトラップの少ない領域が形成されるので、コンタクト抵抗が大幅に低下する。 - 特許庁

When the switches are turned on, the positive electrode layers or negative electrode layers of the current collectors connected to the switches are connected by a positive electrode layer parallelization circuit (30) or a negative electrode layer parallelization circuit (31), and each unit cell is connected in parallel.例文帳に追加

スイッチがオンされると、そのスイッチに接続されている正極層並列化回路（３０）または負極層並列化回路（３１）によって集電体の正極層同士または負極層同士が接続され、各単電池が並列に接続される。 - 特許庁

By this, a thickness of a film in the organic layer 4 on the anode lower electrode 2a is equalized and a space of the anode lower electrode 2a and the cathode lower electrode 5 which are arranged on both sides of the organic layer 4 is equalized, and thus generating of a leakage current is prevented.例文帳に追加

これによって、陽極下部電極２ａ上の有機層４の膜厚を均一化し、有機層４を挟んで設けられる陽極下部電極２ａと陰極下部電極５との間隔を均一化して漏れ電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device and a method of fabricating the same to increase integration and to reduce an amount of operation current of the phase-change memory device by reducing the contact area between a phase-change material layer and a heating layer.例文帳に追加

高集積化が可能であり、相変化物質層と発熱層との接触面積を低減することにより、相変化メモリ素子の動作電流量を減少させることができる相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, an injected current density in a multi-strain- quantum well active layer 105 in the area near the rear end face of the resonator becomes lower than that in the multi-strain-quantum well active layer 105 in the other areas.例文帳に追加

これにより、共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井戸活性層１０５への注入電流密度は、他の領域における多重歪量子井戸活性層１０５への注入電流密度よりも低減される。 - 特許庁

An insulating layer 12 is formed in such a manner that it may constrict the path of the current supplied to an active layer AL inside an element from an electrode 13 in a stripe shape provided in the element upper part from both sides in a lateral direction under this electrode 13.例文帳に追加

素子上部に設けられたストライプ形状の電極１３から素子内部の活性層ＡＬへ供給される電流の経路を同電極１３下にて横方向に両側から狭窄する態様で、絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer promotes inductive heating of the heatable fuser member based on high hysteresis loss exhibited when the ferromagnetic layer is exposed to a magnetic field created by the current flowing through an induction coil or other like device.例文帳に追加

強磁性体層は、誘導コイル又は他の類似の装置を通じて流れる電流によって生成された磁界に強磁性体層が暴露されるときに示される高ヒステリシス損失に基づいて、加熱可能な溶着部材の誘導的加熱を促進する。 - 特許庁

The amount of current flowing from one diffusion layer region to the other diffusion layer region at voltage application to the gate electrode 13 varies, according to the amount of charges held on the nanodot 15 of each charge-holding portion 61, 62.例文帳に追加

各電荷保持部６１、６２のナノドット１５に保持された電荷の多寡に応じて、ゲート電極１３に電圧を印加した際の一方の拡散層領域から他方の拡散層領域に流れる電流量を変化させるようになっている。 - 特許庁

The insulative resin layer 13 is formed on at least a part of a portion of the surface of the current collector 10, with which the mixture particle 11 is not in contact, in an area on which an electrode mixture layer is formed.例文帳に追加

この絶縁性樹脂層１３は、集電体１０の表面のうち電極合剤層が形成された部分において合剤粒子１１が集電体１０の表面に接触していない部分の少なくとも一部分に、形成されている。 - 特許庁

That is, after forming a hole transport layer 5 and an electron transport layer 9 of the organic light-emitting element 2 on the whole display range, the contact hole section 122 is removed, and the current supply line 121 and the upper transparent electrode 10 are electrically connected.例文帳に追加

すなわち、有機発光素子２の正孔輸送層５と電子輸送層９とを表示領域全体に形成した後、コンタクトホール部１２２を除去して、電流供給線１２１と上部透明電極１０とを電気的に接続する。 - 特許庁

The element 10 is constituted so that the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed by making a current in the in-face direction flow through the storage layer 4 to the element 10, and the information is recorded to the storage layer 4.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０に対して、記憶層４にその面内方向の電流を流すことにより、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きを変化させて、記憶層４に情報の記録を行う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device having a gate insulation layer, while forming the gate insulation layer with a high dielectric ratio insulating material to obtain a high potential mobility, leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor is constituted which has three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and an insulator layer and an organic semiconductor layer provided at least on a substrate, and controls a source-drain current by applying a voltage to the gate electrode.例文帳に追加

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

On the current constriction insulating layer 17, an n-side electrode 21 is formed to cover the n-type contact layer 20 and a p-side electrode 22 is formed entirely on the side of the semiconductor substrate 11 opposite to the n-side electrode 21.例文帳に追加

電流狭窄絶縁層１７上にはｎ側電極２１がｎ型コンタクト層２０を覆うように形成され、半導体基板１１におけるｎ側電極２１と反対側の面にはその全面にｐ側電極２２が形成されている。 - 特許庁