「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

This is the heater built-in ceramics member composed of a ceramics insulator layer, a heater layer inside the ceramics insulator layer, and a reed electrode for an external connection to supply a current to the heater layer, and the reed electrode comprises including electroconductive metal silicide.例文帳に追加

セラミックス絶縁体層、セラミックス絶縁体層の内部にあるヒーター層、及び、ヒーター層に電流を供給するための外部接続用のリード電極からなるヒーター内蔵セラミックス部材であって、前記リード電極が導電性金属珪化物を含んでなることを特徴とするヒーター内蔵セラミックス部材及びその製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the negative electrode plate for the lithium ion secondary battery includes: an active material layer formation step of forming a negative active material layer containing negative active material particles and a metallic oxide as a binding material, on a current collector; and a reduction step of performing reduction treatment of the metallic oxide contained in the active material layer formed in the active material layer formation step.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質粒子と、結着物質としての金属酸化物とを含む負極活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記活物質層形成工程で形成された前記活物質層に含まれる金属酸化物を還元処理する還元工程とを有する。 - 特許庁

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁

When pattern-forming the color conversion layer on a device substrate, an adhesion preventive electrode is arranged in advance before evaporating and forming the color conversion layer, the adhesion preventive electrode is heated by flowing current to the adhesion preventive electrode, and pattern-forming of the color conversion layer is performed by re-evaporating the color conversion layer in order to manufacture the multicolor light-emitting device.例文帳に追加

素子基板上に色変換層をパターン形成する際に、色変換層の蒸着形成前に、付着防止用電極を前もって配設しておき、付着防止用電極に電流を流して加熱し、色変換層を再蒸発させることにより色変換層のパターン形成を行い、多色発光デバイスを製造する。 - 特許庁

A carbon nano-tube structure membrane is employed for an intermediate layer 4 for configuring a magnetic sensing membrane 1 of the magnetic sensor of a structure for supplying a current to the magnetic sensing membrane of a single spin bulb structure having a stacked structure comprising a pinned layer 3, the intermediate layer 4, and a free layer 5 at least in the direction including a perpendicular component.例文帳に追加

ピンド層３／中間層４／フリー層５からなる積層構造を有するシングルスピンバルブ構造の磁気感知膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気センサの磁気感知膜１を構成する中間層４として、カーボンナノチューブ構造膜を用いる。 - 特許庁

This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加

書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B has an amorphous negative electrode active material layer which is formed on a negative electrode current collector 22A and contains an amorphous negative electrode active material and a crystalline negative electrode active material layer which is formed on the amorphous negative electrode active material layer and contains a crystalline negative electrode active material.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、負極集電体２２Ａ上に形成されると共に非結晶性の負極活物質を含む非結晶性負極活物質層と、非結晶性負極活物質層上に形成されると共に結晶性の負極活物質を含む結晶性負極活物質層とを有している。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

That is, when the electrophoresis is applied to formation for the solid electrolyte layer, since electric current concentrically flows to a part on the front surface in which the solid electrolyte layer is not formed, the electrophoresis is concentrated to the part, and a solid electrolyte layer is preferentially formed in a part on which the solid electrolyte layer is not formed.例文帳に追加

つまり、電気泳動法を固体電解質層の形成に応用すると、表面の固体電解質層が形成されていない部分に集中的に電流が流れるのでその部分に電気泳動が集中し、固体電解質層が形成されていない部分に優先的に固体電解質層が形成される。 - 特許庁

To obtain high yield in a self-oscillating type nitride semiconductor laser element, wherein a substrate is overlaid with an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer, the p-type clad layer is provided with a stripe part protruding upward, and n-type current-constriction layers are formed on both sides of the stripe part, respectively.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４、及びｐ型クラッド層５が形成され、ｐ型クラッド層５は上向きに突出するストライプ部53を具え、該ストライプ部53の両側にｎ型電流狭窄層６、６を形成している自励発振型の窒化物半導体レーザ素子において、従来よりも高い歩留まりを実現する。 - 特許庁

When a current flows through a region (channel region) near the boundary with the multiplex δ doped InAlAs layer 204 inside the InGaAs layer 203, while reducing resistance to the movement of carriers passing through the multiplex δ doped InAlAs layer 204 which is a carrier supply layer, the breakdown voltage at the time of off-state is increased.例文帳に追加

電流がＩｎＧａＡｓ層２０３内の多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４との界面付近の領域（チャネル領域）を流れる際に、キャリア供給層である多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４を通過するキャリアの移動に対する抵抗を低減しつつ、オフ時における耐圧を高めることができる。 - 特許庁

In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled at 0°C.例文帳に追加

酸化シリコン層４をマスク材料層として５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合し０℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層３に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層５を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

A short wavelength ultraviolet ray is detected with high sensitivity by employing a large band gap semiconductor as an optical absorption layer, making carriers excited by light travel laterally of the semiconductor layer and guiding them to a low resistance layer formed partly, and taking out an optical current from an electrode formed on the low resistance layer.例文帳に追加

バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a first conductivity-type cladding layer 3, an active layer 4 and a second conductivity-type cladding layer 5 are stacked in sequence on a first conductivity-type semiconductor substrate, a mesa construction is formed in the second cladding layer and block layers 9 and 21 for current narrowing are formed on both sides of the mesa construction.例文帳に追加

本半導体レーザは、第１導電型半導体基板の上に、第１導電型クラッド層３、活性層４、第２導電型クラッド層５を順次積層し、第２クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層９，２１が形成されている。 - 特許庁

The spin torque oscillator includes an oscillation layer comprising a magnetic body, a spin injection layer comprising a magnetic body and injecting spin into the oscillation layer, and a current constriction layer having an insulation part comprising an oxide or a nitride and a conductive part comprising a nonmagnetic metal penetrating the insulation part in the lamination direction.例文帳に追加

実施形態に係るスピントルク発振子は、磁性体からなる発振層と、磁性体からなり前記発振層にスピンを注入するスピン注入層と、酸化物または窒化物からなる絶縁部および前記絶縁部を積層方向に貫通する非磁性金属からなる導電部を有する電流狭窄層とを有する。 - 特許庁

A positive electrode current collecting foil 10 includes: the metal foil 11; the carbon coated layer 13 laminated on the foil surface 11a of the metal foil 11 containing carbon particles; and a positive electrode active material layer 15 laminated on the layer surface 13a of this carbon coated layer 13 and containing the positive electrode material.例文帳に追加

正極集電箔１０は、金属箔１１と、この金属箔１１の箔表面１１ａ上に積層されてなり、カーボン粒子を含むカーボンコート層１３と、このカーボンコート層１３の層表面１３ａ上に積層されてなり、正極活物質を含む正極活物質層１５とを備える。 - 特許庁

To provide an HBT of high current gain β by allowing no increase in re-coupling central concentration in an InGaP intrinsic emitter layer even if the layer is grown at such low temperature as 500°C or higher for the continuous growth of a GaAs base layer and the InGaP intrinsic emitter layer.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層とＩｎＧａＰ真性エミッタ層を連続成長するために、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層を５００℃台の低温で成長しても、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層中の再結合中心濃度を増加させないことで、電流利得βが高いＨＢＴを提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

In a negative limiting current oxygen sensor, a heater is arranged, while being alienated from a place on the heater surface of a diffusion layer for gas diffusion speed control at the boundary section between a portion where the lead takeout section of an electrode layer comes into contact with a solid electrolyte layer and a portion exposed to an atmosphere of the lead takeout section of a cathode layer.例文帳に追加

陰極層のリード取り出し部と固体電解質層とが接触している部分と陰極層のリード取り出し部の雰囲気中に露出している部分との境界部のガス拡散律速用拡散層のヒータ側面における箇所から離間してヒータが配されている限界電流式酸素センサ。 - 特許庁

A bonding pad is formed on part of the translucent ohmic electrode layer, and a current block layer is provided between the translucent ohmic electrode layer and the high defect density part of the p-type layer, the bonding pad being disposed above the current block layer.例文帳に追加

該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 - 特許庁

To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current.例文帳に追加

二次元電子ガスを形成するＧaＡ層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのＮbＮ超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、ＮbＮ超伝導電極層とＧaＡs層との層間にＩn−Ｓn層を挿入し熱処理することにより、ＮbＮ超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。 - 特許庁

In activating the gate electrode, the semiconductor layer is formed by being brought into contact with the insulating layer on the first and the second doping layers and in the gap, so that current can flow directly between the first and the second portions of the first conductive layer across the gap.例文帳に追加

ゲート電極の活性化時に、電流が、ギャップを横切って第１導電層の第１部分と第２部分の間で直接流れるように、半導体層が、第１部分および第２部分のドーピング層の上と、ギャップ内で絶縁層に接触して形成される。 - 特許庁

In a semiconductor device, a conductive layer 12 composed of undoped InAs grown by the MBE method is provided on an insulating semiconductor substrate 11 composed of a GaAs crystal, and ohmic electrodes 13 and 14 which are used for injecting an electric current into the conductive layer 12 are provided on the layer 12.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からなる絶縁性半導体基板１１上に、ＭＢＥ法によって成長したノンドープＩｎＡｓからなる導電層１２を設け、この導電層１２に電流を注入するために用いるオーム型の電極１３，１４を設けている。 - 特許庁

In the organic EL element 1, when a current is carried (a voltage is applied) between a positive electrode 3 and a negative electrode 5, positive holes and electrons are moved in a positive transportation layer 41 and in an electron transportation layer 43, respectively, and the positive holes and electrons are recombined with each other in a luminescent layer 42.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１では、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。 - 特許庁

The coating layer 34 of the core material 32 is welded to the base material 36 of the metal plate 31 by running the welding current between the wire 30 and the metal plate 31 clamped by a pair of electrodes, heating and melting the plating layer 33 and the surface layer 37.例文帳に追加

素線３０と金属板３１を一対の電極間に挟んで溶接電流を通電して発熱させて鍍金層３３及び表面層３７を溶融させることで芯材３２の被覆層３４と金属板３１の母材３６とを互いに溶接する。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第１のメッキレジスト膜１１の開口部１２内における下地金属層６の上面に再配線７を形成する。 - 特許庁

In the optical-write display element manufactured by successively laminating a first electrode, EC layer, photoconductive layer and second electrode, the photoconductive layer is formed from a photoconductor in which the carrier generated in a photoelectric conversion process is multiplied by a current amplifying mechanism.例文帳に追加

第一電極、ＥＣ層、光導電層、第二電極を順次積層してなる光書込み表示素子において、光導電層を、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成した。 - 特許庁

The light-transmissive electrode 20 comprising niobium titanium oxide acts as a photocatalytic function layer by being activated by an ultraviolet light of wavelength of 380 nm from the light emitting layer 13, and also acts as a light-transmissive electrode for supplying current to the light emitting layer 13.例文帳に追加

酸化ニオブチタンから成る透光性電極２０は、発光層１３からの波長３８０ｎｍの紫外光により活性化されて光触媒機能層として作用し、且つ発光層１３に電流を供給するための透光性電極としても作用する。 - 特許庁

An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 containing silicon as an anode active material and a second layer 2 containing silicon and nickel as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１０１上に、負極活物質として珪素を含有する第１の層１と負極活物質として珪素およびニッケルを含有する第２の層２とが交互に積層されてなる負極活物質層１０２を有する。 - 特許庁

The edge adjacent to the laminated metal layer members is intentionally shifted by an amount in the excess of a manufacturing tolerance at an edge position relative to the laminated metal layer member, thereby reducing the loss of an eddy current generated by the contact of layer members at the edge.例文帳に追加

積層された金属層部材の隣接するエッジは積層された金属層部材に対するエッジ位置の製造許容差より大きい量だけ意図的にずらされてエッジにおける層部材どうしの接触から生じる渦電流ロスを改善する。 - 特許庁

A paste for forming the conductive protective layer for protecting a collector containing polytetrafluoroethylene and a conductive filler (b), and a conductive protective layer (A) obtained by applying the paste for forming the conductive protective layer are provided on a collector (B) in a current collector laminate.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレンと導電性フィラー（ｂ）とを含む集電体保護用の導電性保護層形成用ペースト、および該導電性保護層形成用ペーストを塗布して得られる導電性保護層（Ａ）が集電体（Ｂ）上に設けられてなる集電積層体。 - 特許庁

An electric double layer capacitor 10 comprises a plurality of electrode sheets 2 in which an electrode layer 2b is provided on a current collection foil 2a, and a separator 4 arranged between the electrode sheets 2 wherein the electrode layer 2b and the separator 4 are impregnated with electrolyte.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１０は、集電箔２ａ上に電極層２ｂが設けられた複数の電極シート２と、電極シート２間に配置されたセパレータ４と、を備え、電極層２ｂおよびセパレータ４に電解液が含浸されて構成されている。 - 特許庁

Furthermore, a uniform film exhibiting good step coverage can be deposited by forming the carbon layer 5 for reducing a reverse bias current by sputtering, and since an upper heterojunction layer (mixture layer 3) can be formed easily, the diode can be formed stably.例文帳に追加

さらに、逆バイアス電流低減のためのカーボン層５をスパッタリング法によって形成することでステップカバレッジの良い均一な膜を形成することができ、上部へのヘテロ接合層（混合層３）の形成が容易になることから安定したダイオード形成が可能になる。 - 特許庁

This solid electrolytic capacitor includes an anode 1 formed of niobium, a dielectric layer 3 covering the anode 1 and formed of an oxide of niobium, and a cathode layer 4 covering the dielectric layer 3 and formed of copper, and can thereby reduce leak current.例文帳に追加

本発明の固体電解コンデンサは、ニオブからなる陽極１と、陽極１を覆うニオブの酸化物からなる誘電体層３と、誘電体層３を覆う銅からなる陰極層４とを有するものであるので、漏れ電流を低減させることができる。 - 特許庁

The printed wiring board has a plurality of vias including a first via and a second via connected to at least one of a land formed in a surface layer and a power supply pattern formed in a layer other than the surface layer where the land is formed, and a current is shunted to the plurality of vias.例文帳に追加

表層に形成されたランドおよびランドが形成されている表層以外の層に形成された電源パターンの少なくとも１つに接続された第１のビアと第２のビアを含む複数のビアを有し、これら複数のビアに電流を分流させる。 - 特許庁

Thereby, since the ends of the upper electrode 518 are not overlapped on the radiation detection layer 522, any leakage current increased by the electric field concentration at the ends of the upper electrode 518 doesn't flow through the radiation detection layer 522, and consequently the deterioration of the radiation detection layer 522 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、上部電極518の端部が放射線検出層522上にかからないので、上部電極518の端部における電界集中によって増大したリーク電流が放射線検出層522に流れず、放射線検出層522の劣化を抑制できる。 - 特許庁

A conductive paint layer made of carbon as a conducting agent is provided between the aluminum foil of the current collector of the positive electrode 1 and the mixture layer containing positive electrode active material, and the ratio of the thickness of the conductive paint layer/the positive electrode mixture is made in the range of 0.02-0.1.例文帳に追加

正極１における集電体であるアルミニウム箔と正極活物質を含む合剤層との間にカーボンを導電剤とする導電性塗料層を設け、導電性塗料層／正極合剤層の厚みの比を０．０２〜０．１の範囲とした。 - 特許庁

To provide a J-FET structured so as to control leakage current by an In oxide or an InAs semiconductor formed in a layer including an In in a J-FET having a recess structure where a layer including an In is prepared as a stopper layer.例文帳に追加

Ｉｎを含む層をストッパー層として作成されたリセス構造を有するＪ−ＦＥＴにおいて、Ｉｎを含む層に形成されるＩｎ酸化物やＩｎＡｓ半導体によるリーク電流を抑止する構造を有するＪ−ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser which is equipped with a refractive index waveguide structure and a current stricture structure and oscillates in basic lateral mode has light guide layers 5 and 7 above and below a quantum wall layer 6, and the upper light guide layer 7 is made thicker than the lower light guide layer 5.例文帳に追加

屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層６の上下に光ガイド層５，７を備え、上部光ガイド層７の厚みを下部光ガイド層５の厚みより薄くする。 - 特許庁

By measuring a current flowing to a part that is formed by the contact 6 formed between one end side of the contact 6 and that of the substrate layer 1 and the substrate layer 1, and a depth where the contact enters the measurement layer 2 can be verified.例文帳に追加

コンタクト６の一端側と基板層１の一端側との間に形成されるコンタクト６と基板層１とから形成される部分に流れる電流を計測することにより、コンタクトが計測用層２に進入している深さを確認することができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加

酸素電極２０を、集電体２１上の拡散層２２および触媒層２３の積層構造とし、触媒層２３には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム（Ｐｄ）、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁

Hereby, bubbles generated in the electrode layer 11 when sending the current through the electrolytic solution can be moved to the insulating layer 12 through the gap, and since the insulating layer 12 can absorb the moved bubbles, the generated bubbles can be removed.例文帳に追加

これにより、電解液を介して電流を流す際に電極層１１において発生した気泡は、上記空隙を通って絶縁層１２に移動し得、絶縁層１２が移動してきた気泡を吸収し得るので、発生した気泡を除去することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a step of forming a positive active material layer 12 on a separator 11 by injecting an active material together with carrier gas to the separator 11; and a step of forming a current collecting layer 13 in a vacuum process on the positive active material layer 12.例文帳に追加

セパレータ１１に対して活物質をキャリアガスと共に噴射することにより、セパレータ１１上に正極活物質層１２を形成する工程と、正極活物質層１２上に、真空プロセスにより集電層１３を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The negative electrode current collector for the dry cell has a surface of wire rod made of iron formed in a prescribed shape by forging process on which a plating treatment is applied, and the plating is made of two layer structure of which the inner layer is made by copper plating and the outer layer is by galvanization.例文帳に追加

鍛造加工により所定形状に形成された鉄製の線材の表面にメッキ処理が施されており、前記メッキが、内層が銅メッキ、外層が亜鉛メッキの二層構造とされていることを特徴とする乾電池用負極集電体である。 - 特許庁