「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 and a second layer 2 respectively containing silicon and a metal element as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１０１上に、珪素および金属元素を負極活物質として各々含有する第１および第２の層１，２が交互に積層されてなる負極活物質層１０２を有する。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor light receiving element having a light receiving layer having a group III-V compound semiconductor layer including Sb as a group V constituent element, and an n-type InP window layer and reducing a dark current.例文帳に追加

Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

The plated film and/or the oxide layer is the uniform and minute protective layer 3, and is protected reliably so that the current collecting line 3 cannot be decomposed by the electrolyte layer 4, thus maintaining power generation performance for a long time.例文帳に追加

まためっき被膜及び／又は酸化被膜は均一で稠密な保護層３であり、電解質層４によって集電線３が分解されないよう確実に保護することで、長期に亘って発電性能を維持することができる。 - 特許庁

The magnetic memory cell has a magnetic substance memory layer for storing data by the magnetization state, and a spin control layer for supplying spin electrons to the magnetic substance memory layer by the same control principle regardless of the data being written, based on the writing current.例文帳に追加

磁気メモリセルは、磁化状態によりデータを記憶する磁性体記憶層と、書き込み電流に基づいて書き込むデータに依らず同一の制御原理で磁性体記憶層にスピン電子を供給するスピン制御層とを備える。 - 特許庁

The AC current flowing through the pattern electrode 22 is made to flow through the full face electrode 24 via the 2nd dielectric layer 23, and returns to the return electrode 32 via the 2nd dielectric layer 23 and the 1st dielectric layer 21 in this order.例文帳に追加

パターン電極２２に流れた交流電流は第２誘電体層２３を経由して全面電極２４に流れ、第２誘電体層２３及び第１誘電体層２１をこの順に経由して帰路電極３２に帰還する。 - 特許庁

The intrinsic gettering performance of an IGBT 1 is inspected by measuring the current amplification rate (HFE) of an PNP transistor 30 formed of a channel region 12, a drift layer 11, a buffer layer 17 and a collector layer 18.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のイントリンシックゲッタリング能力の検査は、チャネル領域１２、ドリフト層１１、バッファ層１７及びコレクタ層１８により形成されたＰＮＰトランジスタ３０の電流増幅率（ＨＦＥ）を測定することにより行う。 - 特許庁

The through-electrode 90 is formed in a through-hole penetrating the first conductive clad layer 20, the current block 40, the second conductive clad layer 50, and the contact layer 60, and is electrically connected to either of the first electrode 70 and the second electrode 80.例文帳に追加

貫通電極は、第1導電型クラッド層、電流ブロック部、第2導電型クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成され、第1電極及び第2電極のいずれか一方と電気的に接続されている。 - 特許庁

In the battery electrode provided with a current collector, and an active material layer containing an active material formed on the surface of the collector, a thin part thinner than the other part of the active material layer is formed on the active material layer.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極において、活物質層に、当該活物質層の他の部位と比較して厚さの小さい薄部を存在させる。 - 特許庁

Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely.例文帳に追加

さらに、両トランジスタ１０と２０のゲート延在部６７ａの先端間の隙間付近のエピタキシャル層６２の表面にストッパ層６４をそれとは逆のｐ型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。 - 特許庁

A current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor 100 has an improved seed layer structure 114 for a ferromagnetic hard (high coercivity) bias layer that is used to longitudinally bias a free ferromagnetic layer of the sensor.例文帳に追加

面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ１００は、センサの自由強磁性層に縦にバイアスをかけるために用いられる強磁性体ハード（高保磁力）バイアス層用の改善されたシード層構造１１４を有する。 - 特許庁

The generation of the eddy current in the vicinity of the outer peripheral section of the magnetic substance layer can be inhibited largely by forming the plurality of rectangular-shaped slits to the magnetic substance layer so that the central section and outer peripheral section of the magnetic substance layer are equalized.例文帳に追加

また磁性体層に短冊状のスリットを複数個、磁性体層中央部と外周部とが均一になるように、形成することで磁性体層外周部付近での渦電流の発生を大幅に抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a conduction separating portion of a transparent conductive oxide film in which a decrease in power generation efficiency can be suppressed by dividing an intermediate contact layer without affecting a base layer and suppressing a current leak from the intermediate contact layer.例文帳に追加

下地層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できる透明導電酸化膜の導電分離部形成方法を提供する。 - 特許庁

Owing to the resistance value R2 of the base high resistance layer 22 having the relationship with the resistance value R1 of the heat generating resistor layer 23 of 'R2≥R1×0', only the thin heat generating resistor layer 23 generates heat with little flow of the current so as to provide satisfactory heat generating efficiency.例文帳に追加

下地高抵抗層２２の抵抗値Ｒ２は発熱抵抗層２３の抵抗値Ｒ１と「Ｒ２≧Ｒ１×１０」の関係にあり電流は殆ど流れず、薄い発熱抵抗層２３のみが発熱するので発熱効率がよい。 - 特許庁

Therefore, many of the hydrogen atoms are supplied to the layer 1 to terminate the dangling bond of silicon, whereby a leakage current from the layer 1 can be reduced to a substantially constant value, and hence variations in the resistance value of the layer 1 can be suppressed.例文帳に追加

従って、水素原子の多くがポリシリコン層１に供給されてシリコンのダングリングボンドを終端化するので、ポリシリコン層１のリーク電流を減少させて略一定にでき、ポリシリコン層１の抵抗値のばらつきを抑える。 - 特許庁

To provide a conductive liquid crystal element, where a liquid crystal layer is formed as an oriented and satisfactory carrier transport layer by forming a liquid-crystalline carrier transport layer on the electrode in a laminated structure, and thereby a current value flowing through the element is increased.例文帳に追加

電極上に液晶性キャリア輸送層を積層構造で形成することにより、液晶層を配向させた良好なキャリア輸送層として形成し、素子を流れる電流値を増加した導電性液晶素子を提供する。 - 特許庁

Here, the film thickness of the current block layer 105 formed on the second clad layer 104 is made different on right and left slopes of the mesa-shaped stripes to make a light distribution and a carrier distribution in the active layer nearly symmetrical between right and left parts.例文帳に追加

ここで、第二クラッド層１０４上に形成された電流ブロック層１０５の膜厚を、メサ状ストライプの左右の斜面上で異ならせて活性層内の光分布及びキャリア分布をほぼ左右対称としている。 - 特許庁

Wiring portions connected to the small current electrodes are positioned just above the small current electrodes, have first pads formed of a conductor pattern connected to the small current electrodes and includes a plurality of first pads positioned just above the adjacent small current electrodes and on the same layer as the first pads.例文帳に追加

小電流電極に接続された配線部は、小電流電極の直上にそれぞれ位置するとともに、小電流電極と接続された導体パターンからなる第１パッドを有し、該第１パッドとして、隣り合う小電流電極の直上であって同一層に位置する複数の第１パッドを含む。 - 特許庁

At least one or a plurality of current-carrying tabs 11-16 are bonded to the electrode layer, and an alternating voltage or an alternating current is applied between one current-carrying tab (11 and 12) and an electrode tab bonded to a collector of the electrode or between the plurality of current-carrying tabs 13-16.例文帳に追加

そして、少なくとも一つ若しくは複数の通電タブ１１〜１６を電極層に接合し、一つの通電タブ１１、１２と当該電極の集電体に接合されている電極タブとの間、若しくは、複数の通電タブ１３〜１６同士の間に、交流電圧若しくは交流電流を印加する。 - 特許庁

A multilayer film constituted of a lower clad layer, an active layer and an upper clad layer is formed on the substrate 1, and a current injection layer which is stretched to the primary surface regions 1b on both sides of the worked region 1a is formed on the multilayer film, in a state of crossing the worked region 1a.例文帳に追加

基板１上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、この多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａの両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層を形成する。 - 特許庁

The material of a hole injection layer constituting the organic electroluminescent device is formed of a main chain conjugated high-molecular derivative having a crosslinked mesh structure, and the organic electroluminescent device can be made longer in service life by suppressing a deterioration in the hole injection layer due to application of a current to the layer and diffusion of a decomposition product into an organic layer.例文帳に追加

有機電界発光素子を構成する正孔注入層の材料が、架橋した網目構造を有する主鎖共役系高分子誘導体からなり、正孔注入層への通電による劣化、分解物の有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 - 特許庁

Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加

そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

The semiconductor laser is configured by a first clad layer 20, active layer 30, current-blocking part 40, second clad layer 50, contact layer 60, first ohmic electrode 70, second ohmic electrode 76, insulating film 64, first contact electrode 80, penetration electrode 90 and second contact electrode 86.例文帳に追加

第１クラッド層２０、活性層３０、電流ブロック部４０、第２クラッド層５０、コンタクト層６０、第１オーミック電極７０、第２オーミック電極７６、絶縁膜６４、第１コンタクト電極８０、貫通電極９０及び第２コンタクト電極８６を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which a transparent conductive oxide layer is formed on a light emitting layer constituted of a compound semiconductor and a current can be made to flow satisfactorily between the transparent conductive oxide layer and the light emitting layer.例文帳に追加

化合物半導体により構成された発光層部上に透明導電性酸化物層が形成されている発光素子において、透明導電性酸化物層と発光層部との間で電流の導通を良好に行うことができる発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode for the electric double layer capacitor is obtained by forming an electrode composition layer including an electrode activation substance, a conductive material, a binder, and a polydibasic acid on a current collector and the electrode for the electric double layer capacitor is used for the electric double layer capacitor.例文帳に追加

電極活物質、導電材、結着剤およびポリ二塩基酸を含んでなる電極組成物層が集電体上に形成されてなる電気二重層キャパシタ用電極、並びに電気二重層キャパシタ用電極を用いることを特徴とする電気二重層キャパシタ。 - 特許庁

The ring laser of a ridge shape waveguide comprises a multilayer film having an active layer 3, and a semiconductor layer 6 containing Al in an upper part and/or a lower part of the active layer so that the layer 6 of the film is selectively oxidized from its side face to become a current constriction structure.例文帳に追加

多層膜からなるリッジ形状導波路のリングレーザであって、該多層膜は活性層３、及び該活性層の上部及び／又は下部にAlを含む半導体層６を含み、該多層膜の内該半導体層６が選択的に側面から酸化されており、電流狭窄構造となっている。 - 特許庁

Further, the amount of the electric charges implanted into the interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1 at this time, so the current between the drain electrode 3 and source electrode 4 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1.例文帳に追加

しかも、このときゲート絶縁層１に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層１に印加される圧力に応じてドレイン電極３及びソース電極４間の電流が変化する。 - 特許庁

In the state of forming an inversion layer 33 and a depletion layer 35 by electrodes 32 and 34, a current generated by the re-coupling of charges at the localized level existing in the area of the depletion layer 35 flows through the inversion layer 33 between the electrode 36 and the electrode 31e.例文帳に追加

電極３２，３４によって反転層３３及び空乏層３５を形成した状態において、空乏層３５の領域に存在する局在準位における電荷の再結合によって生じる電流は、電極３６と電極３１ｅとの間の反転層３３を流れる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層された構造を有し、このｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極６を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

When switching is performed, if the coercive force of the transparent ZnO magnetic layer is reduced by additionally irradiating the transparent ZnO magnetic layer with a laser beam, making the magnetic layer absorb the laser beam and heating the magnetic layer, magnetization change can be generated by using less current and power-saving, miniaturization and lightweight can be achieved.例文帳に追加

スイッチングに際しては、付加的にレーザー光を照射して透明ＺｎＯ磁性層に吸収させ加熱することによって透明ＺｎＯ磁性層の保磁力を低下させれば、より少ない電流で磁化変化を起こすことにより、省電力化、小型化、軽量化がはかれる。 - 特許庁

The magnetic film thickness of a second free magnetic layer 25c is set larger than the magnetic film thickness of a first free magnetic layer 25a, and torques to be applied to the magnetization of the second free magnetic layer 25c and to the magnetization of the first free magnetic layer 25a are set so as to be mutually canceled when a sense current magnetic field is generated.例文帳に追加

第２フリー磁性層２５ｃの磁気的膜厚を第１フリー磁性層２５ａの磁気的膜厚よりも大きくし、センス電流磁界が発生したときの第２フリー磁性層２５ｃの磁化にかかるトルクと第１フリー磁性層２５ａの磁化にかかるトルクを互いに打ち消しあうようにする。 - 特許庁

The negative electrode for lithium secondary battery is obtained by forming a tin or tin alloy covering layer on the surface of a current collector made of copper, and forming the alloy of the tin or tin alloy covering layer and copper, and applying a heat treatment turning the covering layer into a layer in which phase of tin does not substantially exist.例文帳に追加

銅からなる集電体表面に錫又は錫合金被覆層を形成し、錫又は錫合金被覆層と銅とを合金化し、錫の相が実質的に存在しない被覆層へ変化させる熱処理を施してリチウム二次電池用の負極を得ること。 - 特許庁

Basically, in this invention, an end region film layer is formed at the end of a conductive layer forming an electrode, and the film layer is partly charged during the time intervals determined by the change of an applied voltage, for example, in AC current intervals, the film layer has a feature that it is only partly charged.例文帳に追加

基本的に、この発明は、電極を構成する導体層の端に端領域被膜層が存在し、その被膜層は印加される電圧の変化によって決まる時間間隔、例えば交流電流の周期において、部分的にしか帯電しないということに特徴がある。 - 特許庁

The semiconductor optical device is provided with an active layer that has an optical amplification function and a light emitting function by current injection, and the active layer includes a quantum dot active layer 4, wherein the deformation quantity of the quantum dot varies depending on its position in the active layer 4.例文帳に追加

電流注入による光増幅機能及び発光機能を有する活性層を備えた半導体光素子において、前記活性層は量子ドット活性層４を有し、前記量子ドットは活性層４内の位置により歪量が変化していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide down-sizing of a device and simplification of a manufacturing process by continuously film-forming with an identical mask in formation of total five layers from a lower electrode current collector layer to an upper electrode current collector layer in the manufacturing process of a thin film solid lithium secondary battery.例文帳に追加

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、下部電極集電体層から上部電極集電体層までの計５層の形成において、同一マスクで連続的に成膜することにより、装置の小型化及び製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁

This organic EL element has a first electrode 20, an organic compound layer 22 and a second electrode 24, all provided in a luminescent area on a substrate, with a current supplied from a source of current to the organic compound layer 22 via the first and second electrodes 20, 24.例文帳に追加

発光領域において基板上には第１電極２０、有機化合物層２２、第２電極と２４を備え、第１及び第２電極２０、２４を介して有機化合物層２２に電流源からの電流を供給する有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The battery includes a battery element comprising a positive electrode 21 having a positive electrode active material layer 21B arranged on a strip-shaped positive electrode current collector 21A and a negative electrode 22 having a negative electrode active material layer 22B arranged on a strip-shaped negative electrode current collector 22A laminated with a separator interposed.例文帳に追加

帯状の正極集電体２１Ａ上に正極活物質層２１Ｂが設けられた正極２１と、帯状の負極集電体２２Ａ上に負極活物質層２２Ｂを有する負極２２とがセパレータを介して積層された電池素子を備える。 - 特許庁

A current detection printed board 1 used for current detection uses coil-shaped wiring 10 formed by connecting alternately a front surface layer and a backside layer of the board, while penetrating the board along a through-hole 101 provided in the board.例文帳に追加

電流検出に用いる電流検出用プリント基板１は、基板に設けられた貫通穴１０１に沿って、基板を貫通しながら基板の表面層と裏面層とを交互に接続することによって形成されたコイル状の配線１０を用いたものである。 - 特許庁

When a direct current voltage is applied between the light receiving part 32 and the light-emitting part 33, while incident light 29 is irradiated on the light receiving part 32, the electrons generated by the photo current multiplying layer 22 are injected to the light-emitting layer 24, to obtain amplified emitted light 30.例文帳に追加

受光部３２と発光部３３の間に直流電圧を印加しつつ受光部３２に入射光２９を照射すると、光電流増倍層２２で生成された電子が発光層２４に注入され、増幅された出射光３０が得られる。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

This electrode for the battery has a current collector and an active material layer, containing the active materials formed at the surface of the current collector, and problems can be solved by the electrode for the battery where the active material layer contains an adhesive material.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記活物質層が粘着材料を含むことを特徴とする電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁

The bipolar battery has a sealing layer surrounding the circumference of the unit cell and installed between current collectors, the sealing layer is extruded to the outside of a current collector in a plan view of the bipolar battery, and adjacent sealing layers are stuck to each other.例文帳に追加

単電池の周囲を取り囲み、集電体の間に設けられたシール層を有し、バイポーラ電池の平面図において前記シール層が前記集電体の外部へ突出し、さらに隣接する前記シール層が互いに接着してなる、バイポーラ電池である。 - 特許庁

After a positive electrode mixture slurry including a positive electrode active material is coated and dried on a positive electrode current collector 4A and a positive electrode mixture layer 4B is formed on the positive electrode current collector 4A, the positive electrode 4 in which the positive electrode mixture layer 4B is formed is rolled out.例文帳に追加

正極集電体４Ａ上に正極活物質を含む正極合剤スラリーを塗布・乾燥させて、正極集電体４Ａ上に正極合剤層４Ｂを形成した後、正極合剤層４Ｂが形成された正極４を圧延する。 - 特許庁

An alumina plug (9) having a thickness of 30 nm or less is arranged between the first current collector (2) and the metal layer (8), and an electrode in contact with the first current collector (2) is electrically insulated from the metal layer (8) by the alumina plug (9).例文帳に追加

３０ｎｍ未満の厚さをもつアルミナプラグ（９）が第１の電流集電体（２）と金属層（８）との間に配設され、第１の電流集電体（２）と接触している電極はアルミナプラグ（９）によって金属層（８）から電気的に絶縁されている。 - 特許庁