「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal foil equipped with a high-molecular conductive material layer 3 formed on its one side is used as a current collector 2, and a polarizable electrode 4 is formed by binding active carbon particles whose maximum particle diameter is smaller than the thickness of the polarizable electrode 4 together with conductive high-molecular material.例文帳に追加

集電体２として、片面に導電性を付与した高分子材料層３を形成した金属箔を用い、分極性電極４を、最大粒径が分極性電極４の厚さよりも小さい活性炭を、導電性を付与した高分子材料で結合した構成とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a substrate with a high density and high reliability, by forming a resist pattern through coating of a photosensitive material on an electroless copper plating layer, exposure to light and development, and then preparing a bump pad by pulse plating and direct current plating of the resist pattern.例文帳に追加

無電解銅鍍金層に感光材を塗布した後に露光現像してレジストパターンを形成してパルス鍍金と直流鍍金をしてバンプパッドを形成させることにより高密度で高信頼性の基板を製造するフリップチップバンプパッド形成方法及びその構造に関する。 - 特許庁

The temperature management device includes thermoelectric cooling elements 14 used for cooling or heating the electric double layer capacitor 10, and a means 15 which controls the electric energy supplied to the cooling elements 14 and the flowing direction of an electric current so as to maintain the temperature of the capacitor 10 at an appropriate level.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１０を冷却または加熱するための熱電冷却素子１４と、電気二重層キャパシタ１０の温度を適正レベルに維持するように熱電冷却素子１４への電力量および電流の流れ方向を制御する手段１５と、を備える。 - 特許庁

When the heating resistor element 30 in an element group 42 far from the electrode pad 20 is energized, the electric current is supplied thereto from a block 214 through a connection section 52 by passing through a connection section 50 and a second common electrode layer 410 from the electrode pad 20.例文帳に追加

これに対し、電極パッド２０から遠い素子群４２の発熱抵抗素子３０に通電する場合は、電極パッド２０から接続部５０介して第２共通電極層４１０を経由した後、接続部５２を介してブロック２１４から発熱抵抗素子３０に通電する。 - 特許庁

Remaining ions (cores of mist generated by charged particles of natural radiations or the like) inside the observation vessel 2 are removed by a direct-current high voltage applied between a heater 26 provided in an observation window plate 25 comprising double-layer type film glass for blocking the upper part of an observation box 1, and a bottom plate 3.例文帳に追加

観察ボックス１の上部を閉塞する２層式フィルムガラスから成る観察窓板２５内に設けたヒーター２６と底部プレート３との間に印加した直流高電圧で観察槽２内部に残存するイオン（自然放射線等の荷電粒子によって生じた霧滴の核）を除去する。 - 特許庁

To suppress the generation of a leakage current accompanying the deterioration of crystallinity on respective layer interfaces of a collector and a base and an emitter and the base in a semiconductor multilayer film, for instance the semiconductor multilayer film for which respective semiconductor layers to be used for the collector, the base and the emitter are continuously formed by epitaxial growth.例文帳に追加

半導体多層膜、例えば、コレクタ、ベース、エミッタに供する各半導体層をエピタキシャル成長により連続して形成する半導体多層膜において、上記コレクタ／ベース及びエミッタ／ベースの各層界面での、結晶性の悪化に伴うリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the illuminance of a liquid crystal layer by maintaining the constitution of a thin type without increasing the thickness of a light transmission plate and well maintaining light emission efficiency in the state of suppressing the increase in electric power consumption without increasing the supply current to fluorescent tubes when the device is provided with an edge type backlight.例文帳に追加

エッジ型バックライトを設けた場合に、導光板を厚くすることをせずに薄型の構成を維持し、蛍光管への供給電流を増加させず消費電力の増大を抑えた状態で発光効率を良好に維持して、液晶層の照度の向上を図る。 - 特許庁

The resistance change film 11 is arranged in a lower part of a first contact hole 17 formed by penetrating a first interlayer insulation film 16, and the current suppression layer 13 is arranged in an upper part of the first contact hole 17 and in a position facing the resistance change film 11.例文帳に追加

そして、抵抗変化膜１１は、第１の層間絶縁膜１６を貫通して形成された第１のコンタクトホール１７の下部に配置され、電流抑制層１３は第１のコンタクトホール１７の上部で、かつ抵抗変化膜１１に対向する位置に配置されている。 - 特許庁

As shown in figure 1 (c), anode electrodes 4a and 4b are pressed and hit with the tips of a pair of probes PI and P2 so that a pulse current is applied between the anode electrodes 4a and 4b, forming an ohmic junction at the junction interface between a P-type semiconductor layer 3 and the anode electrodes 4a and 4b.例文帳に追加

図１(c)に示すように、アノード電極４ａ，４ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、アノード電極４ａ，４ｂ間にパルス電流が印加されることにより、Ｐ型半導体層３およびアノード電極４ａ，４ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

The composite-plated layer is formed on the inner peripheral surface of the cylinder bore of the cylinder W by supplying the composite-plating liquid in the cylinder bore of the cylinder W through a feed pump 38 from a composite-plating liquid storage tank 36 and applying DC current between the cylinder W and an electrode rod 24.例文帳に追加

複合めっき液貯留槽３６から供給ポンプ３８を介してシリンダＷのシリンダボア内に複合めっき液が供給され、シリンダＷと電極棒２４との間に直流電源を供給してこのシリンダＷのシリンダボア内周面に複合めっき層が形成される。 - 特許庁

In each of contact and non-contact states, power from a motor driving circuit 45 to the motor 40 is detected by a current/voltage detection circuit 52, the two states are compared by a sampling circuit 53, a memory circuit 54, a comparison circuit 55, or the like, and the surface state of the protection coating layer 13 is detected.例文帳に追加

その各々の状態でのモータ駆動回路４５からモータ４０への電力を電流/電圧検出回路５２で検出し、サンプリング回路５３やメモリ回路５４、比較回路５５等により２つの状態を比較し、保護コーティング層１３の表面状態を検知する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is superior in high-frequency characteristics, wherein the alignment deviation between a conductive layer used as a gate electrode and a source/drain is not present, irregurality in source resistance and gate capacitance can be prevented, the gate resistance is reduced, and irregularity in the source-drain current is small.例文帳に追加

ゲート電極に用いられる導電層とソース／ドレイン領域との合わせずれがないため、ソース抵抗とゲート容量のバラツキを防ぐことができ、ゲート抵抗を小さし、ソース−ドレイン電流のバラツキが小さい高周波特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the production of this surface-treated copper foil, there is employed, for example, a process comprising subjecting a glossy surface of copper foil to electrolysis in a black cobalt plating solution containing cobalt sulfate (heptahydrate) at a current density of 2A/dm^2 or higher so as to form a rustproof treated layer and thereafter carrying out water washing and drying.例文帳に追加

また、当該表面処理銅箔の製造は、銅箔の光沢面上に、硫酸コバルト（７水和物）を含む黒色コバルトメッキ液を用いて、２Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hermetically sealed package of an optical semiconductor wherein heat generation of a metallized wiring layer installed at a ceramic terminal member is reduced, a larger current than that of the conventional packages is allowed to flow with reduced power consumption and output of the package is stabilized, and to provide an optical semiconductor module using the same.例文帳に追加

セラミックス端子部材に設けられたメタライズ配線層の発熱を小さくし、消費電力も小さく抑えつつ従来以上の大電流が流せ、その出力も安定した光半導体気密封止容器およびそれを用いた光半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

This probe for detecting the flaw in a test body 10 has plural excitation coils 22a-22h generating an AC magnetic field to generate an eddy current in the test body 10, and plural thin film-like detection coils 21a-21h overlapped in an upper-and-lower double-layer state and arranged in a line.例文帳に追加

交流磁場を発生させて試験体１０に渦電流を発生させる複数の励磁コイル２２ａ〜２２ｈと、上下二層に重ねられて一列に並べられた複数の薄膜状の検出コイル２１ａ〜２１ｈとをそなえ、試験体１０上の傷を検出する。 - 特許庁

In this structure, the current constriction to the active layer 24 and light loss caused by free carrier absorption in the embedded InP layers 40 can be reduced markedly; consequently, the luminous efficiency and luminous output of this semiconductor laser are improved, and in addition, this laser can well be coupled optically even with an SMF.例文帳に追加

このような構造においては、活性層への電流狭窄とＦｅドープＩｎＰ埋め込み層４０中でのフリーキャリア吸収による光損失が格段に低減でき、大きな発光効率および発光出力を有し、かつＳＭＦにも良好に光結合することができる。 - 特許庁

Furthermore, Al composition of AlGaInP current block layers 107 and 108 is almost equal to the Al composition of a second conductivity-type AlGaInP clad layer 110, so that the Al composition is not increased and that the optical damage level of a laser resonator end surface also will not increase.例文帳に追加

さらに、ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層１０７，１０８のＡｌ組成が第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１０のＡｌ組成と略等しくなっており、Ａｌ組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。 - 特許庁

The integrated semiconductor laser element is equipped with a purple-blue laser element 110 comprising a light emitting region 13 and a ridge unit 8, and a red laser element 120 comprising another light emitting region 34 and the opening 30a of an n-type current block layer 30.例文帳に追加

この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。 - 特許庁

When the thin part 5 is damaged along with the insulating film 8, by making a leakage current flow in from the power source 16, to the thin part 5 via the resistor 18, the conductor layer 9, etc., lowering the voltage of the diagnostic terminal 19, and the damage to the thin part 5 is detected by this voltage lowering.例文帳に追加

そして、薄肉部５が絶縁膜８と共に損傷したときには、電源１６から抵抗体１８、導体層９等を介して薄肉部５にリーク電流が流れることにより、故障診断端子１９の電圧を低下させ、この電圧の低下により薄肉部５の損傷を検出する。 - 特許庁

To prevent leakage current of a semiconductor device by using a film which consists of a refractory metal, an alloy consisting of a refractory metal, silicide of a refractory metal, and a nitride of a Ti, Ta, W, and Ti-W alloy in a contact barrier layer, a gate electrode, or the like, for obtaining the semiconductor device with high reliability.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

To increase the space factor of soft magnetic powder to improve the magnetic flux density, completely form an electric insulation layer on the surface of the soft magnetic powder to reduce the eddy current loss We, and to reduce the hysteresis loss Wh due to residual compression stress to lower the iron loss.例文帳に追加

軟磁性粉末の占積率を高めて磁束密度を向上させるとともに、軟磁性粉末表面に電気絶縁層を完全に形成して渦電流損Ｗeを小さく抑えつつ、かつ圧縮残留応力によるヒステリシス損Ｗhを低減して鉄損Ｗを低下させる。 - 特許庁

Negative electrode slurry is prepared by dispersing a negative mix containing a magnetic material in a solvent, uniformly applied to both surfaces of a negative current collector, a magnetic field is applied to the coated negative slurry in one direction, and the negative slurry is dried and pressed to form a negative active material layer.例文帳に追加

磁性体を添加した負極合剤を溶媒に分散させて負極スラリーを得て、この負極スラリーを負極集電体の両面に均一に塗布し、塗布された負極スラリーに対して一方向に磁場を印加し、負極スラリーを乾燥させてプレスして負極活物質層を形成する。 - 特許庁

Even when the position of an EB bonding part 33 is fluctuated, since the EB bonding part 33 is located in one part of the upper SiGe layer 18b, the fluctuation of the Ge content in the EB bonding part 33 can be suppressed so that the high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加

ＥＢ接合部３３の位置が変動しても、ＥＢ接合部３３がＳｉＧｅ上部層１８ｂ中の一部位にあるので、ＥＢ接合部３３におけるＧｅ含有率の変動を抑制することができ、高い電流増幅率を安定して得ることができる。 - 特許庁

To cope with this problem, the end side face is taper shaped with two stages unlike a conventional single face taper shape and the end side faces of p and n layers in the photoelectric conversion layer are not placed on the same surface, resulting in leak current reduction in the photoelectric conversion element.例文帳に追加

そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しない構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 - 特許庁

The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.例文帳に追加

導電体１０あるいは導電体１６をビット線３２とし、第１電極部１２をワード線３３とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層１４に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部１の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁

To optimize an element structure, to realize mass production, to make capacity, a function and reliability to be high and to prolong a life by a simple and inexpensive manufacturing method in a plane emission-type semiconductor light emitting element forming a current constricting layer by lateral oxidation.例文帳に追加

横方向酸化により電流狭窄層を形成する面発光型半導体発光素子において、素子構造の最適化を図り、簡便かつ低コストな作製方法により量産化、高性能化、高機能化、高信頼性化、長寿命化を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor in which a leakage current property and electrical characteristics as a thin-film transistor can be improved by reducing the amount of a metal catalyst remaining in a semiconductor layer, to provide a manufacturing method thereof, and to provide an organic electroluminescent display equipped with the thin-film transistor.例文帳に追加

半導体層に残存する金属触媒の量を減少させて、漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させることができる薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance element, a reproducing head, and a record reproduction system which have proper values for S/N and bit error rate, in comparison to conventional structures, and allow sensing current to flow accurately, as well as longitudinal bias to be applied accurately to a free layer.例文帳に追加

従来構造と比較して再生出力、Ｓ／Ｎ、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。 - 特許庁

The semiconductor device for a load drive 100 comprises a detection resistor 30 for detecting output current Io formed by use of a part of metal wiring of a metal wiring layer in the semiconductor device for the load drive 100, and resistance-measuring pads PAD1 and PAD2 for measuring a resistance value R1 of the detection resistor.例文帳に追加

負荷駆動用半導体装置１００の金属配線層の一部の金属配線を用いて、出力電流Ｉｏを検出するための検出抵抗３０を形成し、この検出抵抗の抵抗値Ｒ１を測定するための抵抗測定用パッドＰＡＤ１、ＰＡＤ２を備える。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

When a coil member 160 to which AC power is applied generates a high frequency magnetic flux, a substrate supporting member 110 composed of an electrically conductive material is heat-generated by the guidance of an eddy current, thus a layer film is formed on the surface of an objective substrate CB heated by this.例文帳に追加

交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

To shorten redundancy switching time when a fault occurs and to realize a default gateway redundant system and a layer 2 redundant system by using a common protocol as to a node which functions as a current system or a standby system by being combined with another node and is capable of connecting first and second networks.例文帳に追加

他のノードと組み合わされて現用系又は予備系として機能し、第１ネットワークと第２ネットワークを接続するノードに関し、障害発生時の冗長化切り替え時間を短縮すること、また、デフォルト・ゲートウェイ冗長化方式とレイヤ２冗長化方式を共通のプロトコルで実現する。 - 特許庁

To realize excellent magnetic signal read out characteristics by preventing to sustain an injury in processing of facing surface of a medium by making resistance of a conductive layer of a magnetroresistive (MR) effect element small enough to pass a current for detection of a magnetic signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流すための導電層の抵抗を十分小さくしながら、媒体対向面の加工の際に導電層が損傷を受けることを防止して、良好な磁気的信号読み出し特性を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, along with its manufacturing method, capable of eliminating the effect of degradation of crystal that occurs in an epitaxial layer by a simple method, for improved throughput as well as stable characteristics such as threshold value current, slope efficiency, and element life.例文帳に追加

簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The method includes a stage of judging an RB state of the user equipment; and a stage of switching the current operating frequency of the user equipment to an MBMS necessary frequency selected preferentially by a higher-layer protocol when the RB state of the user equipment becomes a signal transmission state.例文帳に追加

方法は、ユーザー端末のＲＢ状態を判断する段階と、ユーザー端末のＲＢ状態が信号伝送状態となった場合に、ユーザー端末の現動作周波数を上位層プロトコルにより優先に選定されたＭＢＭＳ所要周波数に切り替える段階とを含む。 - 特許庁

This battery pack has two or more batteries each comprising a current collector 40, a positive electrode 50, an electrolyte layer 60 and a negative electrode 70 formed on a substrate by using an ink jet system and a conductor 20 electrically connecting the batteries formed by using the ink jet system.例文帳に追加

インクジェット方式を用いて基板上に形成された、集電体４０、正極５０、電解質層６０、負極７０からなる２以上の電池と、インクジェット方式を用いて形成された、前記電池を電気的に接続する導体部２０とを有する組電池である。 - 特許庁

Therefore, silicon oxide is used, in place of a bulk of silicon dioxide, which is usually used as the material for the formation of a gate dielectric layer, and a semiconductor device capable of reducing leakage current is provided, while an input FET capacitance is made to increase.例文帳に追加

よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力ＦＥＴキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。 - 特許庁

A paste-form band electrode 1 for winding is structured so that an active material mix layer 2 is formed on at least one of the main surfaces of a current collector, and grooves 3 orthogonal in the longitudinal direction are provided by laser processing at least at the start side end about the longitudinal direction.例文帳に追加

集電体の少なくとも一主面に活物質合剤層２が形成されて成る捲回型ペースト式帯状電極１であって、長手方向の少なくとも巻き始め側端縁部に、レーザー加工により長手方向に直交する溝３が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor which is originally durable in charging/discharging cycle, long in service life, and operable for large-current charging/discharging, and can keep wide operating temperature range and increase electrostatic capacity per unit volume or unit weight of capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ本来の充放電サイクルにおける耐久性が強く、長寿命であり、大電流の充放電が可能であり、使用温度範囲が広いなどの特長を維持しながら、コンデンサ単位体積あたりあるいは単位重量あたりの静電容量を増大する。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

To enable a semiconductor device, which consists of a III-V nitride semiconductor and has a via hole structure, to prevent occurrence of leakage current between a substrate and a semiconductor layer and to obtain high frequency characteristics, high output characteristics and high power characteristics by facilitating via hole formation.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。 - 特許庁

In the electrode for secondary battery, an electrode mixture in which an active material layer containing an active material is formed on the surface of a current collector is pinched by a pair of peeling prevention films, and at least a part of the peripheral part of the peeling prevention film is jointed to the other peeling prevention film opposed to it.例文帳に追加

本発明の二次電池用電極は、集電体の表面に活物質を含む活物質層が形成されてなる電極合材が、一対の剥離防止膜で挟持され、剥離防止膜の周縁部の少なくとも一部が、対向する他方の剥離防止膜と接合されてなる。 - 特許庁