「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that an anode activator layer 13B contains Sn and first elements (Al, Zn, Ag, In, Sb, Pb or the like) excluding Sn capable of reacting with Li as constituent, and further contains second elements (Mn, Fe, Co, Ni, Cr or the like) not electrochemically reacting with Li which are outside of constituent of anode current collector 11.例文帳に追加

負極活物質層１３Ｂは、構成元素として、Ｓｎと、Ｓｎ以外でＬｉと電気化学的に反応可能な第１元素（Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｐｂなど）とを含んでおり、更に負極集電体１１の構成元素以外でＬｉと電気化学的に反応しない第２元素（Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒなど）とを含んでいることが好ましい。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

The magnet-resistive element includes a underlayer, a magnetization fixing layer having a ferromagnetic film whose magnetization direction is substantially fixed in one direction, a non-magnetic intermediate layer, and a free layer consisting of a ferromagnetic film whose magnetization direction is changed in accordance with an external magnetic field and can apply a current to the film surfaces of these layers in the vertical direction.例文帳に追加

本発明では、下地層と、磁化の方向が実質的に一方の方向に固定された強磁性膜を有する磁化固定層と、非磁性中間層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜よりなる磁化自由層とを含み、これらの層の膜面に対して垂直方向に通電可能な磁気抵抗効果素子であって、当該磁化固定層が、当該下地層に接して設けられた硬質磁性材料と絶縁材料を含むグラニュラー層からなる第一の強磁性層と、非磁性結合層と、軟磁性材料からなる第二の強磁性層と、からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子を構成している。 - 特許庁

A negative electrode for the secondary battery is manufactured by forming an active material layer containing an inorganic composite containing: silicon oxide acting as a negative active material; and metal M not absorbing and releasing lithium on a current collector, and the content of zero valent metal atom out of metal atoms constituting the metal M is 80 atomic percent or more.例文帳に追加

負極活物質としてのケイ素酸化物と、リチウムを吸蔵・放出しない金属Ｍと、を含有する無機複合物を含む活物質層が集電体上に形成されてなり、前記金属Ｍを構成する金属原子のうち、０価の金属原子が８０原子％以上であることを特徴とする二次電池用負極を用いる。 - 特許庁

The positive electrode plate for the nonaqueous electrolyte secondary battery is constituted by containing a metal oxide in an electrode active material layer as a binder for fixing electrode active material particles onto a current collector, and using the electrode active material particles having 4.2 V or more of the average discharge potential to lithium as the electrode active material particles.例文帳に追加

集電体上に電極活物質粒子を固着させるための結着材として、金属酸化物を電極活物質層中に含有させるとともに、上記電極活物質粒子として、リチウムに対する平均放電電位が４．２Ｖ以上の電極活物質粒子を用い、非水電解液二次電池用正極板を構成する。 - 特許庁

METHOD OF LINING UP TWO- OR THREE-LAYER STRUCTURE OF CURRENT PASSING BODIES VERTICALLY IN PROPER POSITIONS WITHIN CONTAINER IN PROPER SHAPE AND SIZE, AND HOT-SETTING FLAME-RETARDANT, HEAT-RESISTANT, AND INSULATION- RESISTANT THERMOSETTING RESIN OR MIXTURE THEREOF AND FILLER例文帳に追加

二層あるいは三層構造の通電体を適切な形状・大きさの容器（型）内の適正な位置に垂直に整列させ、難燃・耐熱・耐絶縁熱硬化性樹脂、あるいは難燃・耐熱・耐絶縁熱硬化性樹脂とフィラー（ＳｉＯ２、ＡｌＯ２、ＺｒＯ２等）を適正比率に配合した混合体を、容器（型）内に流し込み、加熱硬化等させる方法による電子用基板の製造方法 - 特許庁

To provide an electro-optical device and electronic apparatus having a configuration capable of surely preventing light from coming into a channel area of a semiconductor layer of a transistor, and also surely preventing the transistor from malfunctioning to cause off-leakage current which causes the occurrence of display unevenness, cross-talk, and flickers and further causes the occurrence of fall-off of contrast in display.例文帳に追加

トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

A high reliability npn transistor insusceptible to the effect of charges on an LOCOS oxide film 9 or to the effect of a voltage being applied to an interconnect line on the LOCOS oxide film 9 and having a low leak current with no variation can be fabricated by forming an anti-inversion region B on the surface layer of the p base region 6 of the npn transistor.例文帳に追加

ｎｐｎトランジスタのｐベース領域６の表面層に反転防止領域Ｂを形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の電荷の影響や、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のｎｐｎトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

A trapping level is introduced by density of 5×10^12/cm^2 or more into a source region 8 and a drain region 9 on the surface on the light shielding film 3 side of the active layer 7 by passing electric current and applying electric stress in an insulation film 4 between the light shielding film 3 and a source electrode 15 or a drain electrode 16.例文帳に追加

活性層７の遮光膜３側の表面部分のうち、ソース領域８及びドレイン領域９には、ソース電極１５及びドレイン電極１６と遮光膜３との間の絶縁膜４中に電流を流して電気的ストレスを印加することで、５×１０^12／ｃｍ^2以上の密度で捕獲準位が導入される。 - 特許庁

In addition, a current path is formed between an emitter wiring (wiring 22D) and the substrate 1 via a conductor layer 18 formed by embedding a conductive film in a groove 17 which penetrates through an insulating film 16, oxide silicon films 12, 9, a semiconductor area 7P and separation areas 5, 3 to the substrate 1 so that impedance between the emitter wiring and the substrate 1 can be reduced.例文帳に追加

また、絶縁膜１６、酸化シリコン膜１２、９、半導体領域７Ｐおよび分離領域５、３を貫通し基板１に達する溝１７内に導電性膜を埋め込んで形成した導電体層１８によってエミッタ配線（配線２２Ｄ）と基板１との間の電流経路を形成し、エミッタ配線と基板１との間のインピーダンスを低減する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes: an oxide of fluorite structure including cerium and a metal element which can be trivalent differing from cerium; and a recording layer in which transition is made possible between a plurality of states having mutually different resistances according to at least either voltage to be applied or current to be energized.例文帳に追加

セリウムと、３価を取り得る金属元素であってセリウムとは異なる金属元素と、を含む蛍石型構造の酸化物を含み、印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって互いに異なる抵抗を有する複数の状態の間を遷移可能な記録層を備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子が提供される。 - 特許庁

The equipment thereby uniforms plated film thickness on the treated surface of the substance, because the electrical resistance of the plating liquid and electrolysis diaphragm between a surface of the anode electrode and each part of the conductive layer of the substance to be treated, is higher, and the passing current is lower, as the site is nearer to circumference of the substance.例文帳に追加

これにより、アノード電極表面から被処理体の導電層各部位表面までのメッキ液および電解隔膜の電気抵抗は、被処理体の周縁に近いものほど大きくなり、被処理体の周縁に近いほど流れる電流を減少させ、結果として、被処理体の処理面に形成されるメッキ形成膜厚を均一化させる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element exhibiting high photoelectric conversion efficiency (high sensitivity) and low dark current and having high light selectivity (an absorption maximum wavelength in a thin film absorption spectrum of a photoelectric conversion layer is within a range between 400-520 nm) relative to B light for exhibiting a low color mixture rate, an image pickup device, and a method for driving the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

The electrolytic electrode material made of an alloy, which is composed of platinum and silver in which the concentration of silver is in the range of 1 wt.% to 50 wt.%, is used as a surface layer formed on the surface of a base, thereby efficiently producing active oxygen species such as ozone and OH radical at a low current density in the electrodialysis using the electrolytic electrode.例文帳に追加

白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやＯＨラジカル等の活性酸素種を生成する。 - 特許庁

The conductive sheet layer provided at the unit cell for the lithium ion secondary battery plays a role of either conducting the current quickly with the outside at short circuiting due to physical or electric shock on the battery, or reducing a heating volume of a metal sheet below that of an anode electrode and a cathode electrode at non-existence of the metal sheet.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池用単位セルに備えられた導電性シート層は、電池に対する物理的、電気的な衝撃などによる短絡の発生時、電流を速く外側に通電させるか、または金属シートの発熱量が、金属シートが無い場合の陽極電極及び陰極電極の発熱量よりも減少させる役割を行う。 - 特許庁

An excessive electric current cutting implement includes a first electrode connected to a positive output terminal of the pulse power supply, a second electrode connected to the positive electrode, and a semiconductor laminated structure interposed between the first electrode and the second electrode and generating a depletion layer inside when applied with an electric field directed from the first electrode to the second electrode.例文帳に追加

過電流カット器は、前記パルス電源の正出力端に接続される第１の電極と、前記陽極に接続される第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれ前記第１の電極から前記第２の電極へ向かう電界が印加されると内部に空乏層が発生する半導体積層構造と、を備える。 - 特許庁

A light intensity control part 109 controls the light intensity of the optical beam outputted by the light source 108 by adjusting the superimposed amount of the high frequency signal onto the driving current according to a specific recording layer wherein a yield strength against reproduction is the lowest in the optical disc 101, taking the opportunity of the detection of servo deviation while the data is reproduced.例文帳に追加

光強度制御部１０９は、データが再生されている間にサーボ外れが検出されたことを契機に、光ディスク１０１における再生耐力が最も低い特定の記録層に応じて、駆動電流における高周波信号の重畳量を調整し、光源１０８が出力する光ビームの光強度を制御する。 - 特許庁

In an electric double layer capacitor 13 which is used as an initial exciting power supply for a self-excited synchronous machine 1, the capacity is decided so that a field voltage may be a specified value required for initial excitation after passage of a specified time since it starts initial excitation with a specified number of turns and the product of the field current and the rotational speed may be a specified value.例文帳に追加

自励式の同期機１の初期励磁電源として用いられる電気二重層キャパシタ１３は、所定回転数で初期励磁を開始してから所定時間経過後に界磁電圧が初期励磁に必要な所定値になり、かつ、界磁電流と回転速度との積が所定値となるように容量が決定されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.例文帳に追加

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。 - 特許庁

An at least a metal layer (19b) connected to an extraction electrode (14) serving as a negative electrode out of the metal layers (19b, 20b) is formed to be not conductive each other along a film longitudinal direction, and includes a plurality of division electrode parts (19c) connected directly to the extraction electrode (14), without providing a fuse mechanism fused by the short-circuiting current.例文帳に追加

金属層（19b,20b）のうち、少なくとも負極となる引出電極（14）に接続される金属層（19b）は、フィルム長手方向に互いに導通しないように形成され、且つ、短絡電流によって溶断するヒューズ機構を設けることなく上記引出電極（14）に対して直接、接続される複数の分割電極部（19c）を有する構成とする。 - 特許庁

One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加

層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより１つ又はより多くの不動態化層１８、２０を除去し、ゲート端子３８と半導体デバイス層１４間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁

A resin material 2 is arranged on a current collector 1, a part of the resin material 2 is cured to form resin 9 into which cured states are dotted with islands, and an active material layer 14 storing or releasing lithium ions in a state that the resin 9 into which the cured states are dotted with islands is mixed with the resin material 2 is formed by a vacuum process.例文帳に追加

集電体１上に樹脂材料２を配置し、しかるのちに前記樹脂材料２の一部を硬化状態とすることにより、点在する硬化状態の樹脂９を形成し、さらに点在する硬化状態の樹脂９と樹脂材料２が混在する状態でリチウムイオンを吸蔵または放出する活物質層１４を真空プロセスで付与する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery provided with a positive electrode having a transition metal oxide as the positive electrode active material, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, a three-layer structure sheet comprising metal M/aluminum/metal M is used in a current collector of the positive electrode, where the metal M contains at least one kind selected from a group comprising nickel, titanium and stainless steel.例文帳に追加

正極活物質として遷移金属酸化物を有する正極と、負極と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極の集電体に金属Ｍ／アルミニウム／金属Ｍからなる三層構造シートを用い、金属Ｍはニッケル、チタン、ステンレス鋼からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする。 - 特許庁

An antenna 112 for supplying a current to an IC chip 111 which information is written to and read from is provided with a disconnection part 115, and an area opposed to the disconnection part 115 is provided with a conductive pattern 131 for establishing conduction across the disconnection part 115 with a gap as thick as an intermediate layer 120a to the disconnection part 115.例文帳に追加

情報の書き込みや読み出しが行われるＩＣチップ１１１に電流を供給するアンテナ１１２に断線部１１５を設け、この断線部１１５と対向する領域に、断線部１１５を導通させるための導通パターン１３１を断線部１１５に対して中間層１２０ａの厚さ分の空隙を介して設ける。 - 特許庁

The electric double layer capacitor comprises an electrode group 2 formed by alternatively laminating electrodes 3, 4 for sandwiching a current collector electrode 7, and a separator 5 between the polarization electrodes 6 having a hole 13 or a slit 14 penetrated in a laminating direction; and a pair of terminals 10, 11 communicating with the electrode 7 of the same polarity.例文帳に追加

積層方向に貫通した孔１３またはスリット１４を有する分極電極６間に集電極７を狭持した電極体３、４とセパレータ５とを交互に積層することにより形成された電極群２と、同極の集電極７に連通している一対の端子１０、１１とから電気二重層キャパシタ構成する。 - 特許庁

This ceramic heater 11 is so structured that a heating element 2 containing platinum as a main constituent and containing alumina, and lead parts 3 connected to the heating element 2 for supplying a current to the heating element 2 are embedded in a ceramic insulation layer 1 containing alumina as a main constituent; and the heating element 2 contains 1-20 vol.% of alumina in crystal particles of platinum.例文帳に追加

白金を主成分としアルミナを含有する発熱体２と、該発熱体２に電流を供給するために発熱体２に接続されたリード部３とが、アルミナを主成分とするセラミック絶縁層１中に埋設され、発熱体２が白金の結晶粒子内に１〜２０体積％のアルミナを含有するセラミックヒータ１１である。 - 特許庁

A positive electrode current collector 10 for a battery is composed of an aluminum or aluminum alloy conductive base material 12, and a fluorine ion implantation layer 14 formed by ion-implanting fluorine has on the surface 16 of the base material 12.例文帳に追加

本発明によって提供される電池用の正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の導電性基材１２から構成された正極集電体１０であって、基材１２の表面１６にフッ素がイオン注入されたフッ素イオン注入層１４が形成されていることを特徴とする、正極集電体１０である。 - 特許庁

To provide such a semiconductor laser in a normal mesa ridge buried waveguide semiconductor laser that can reduce a resistance in elements on the top of the normal mesa ridge pinched by current block layers and realize a high output, by ensuring the stability in the horizontal mode by reducing a width of the bottom of the normal mesa ridge and by eliminating optical absorption loss by ensuring enough thickness of a clad layer.例文帳に追加

順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To enhance strength and current collecting capability in an electrode to improve a charge-discharge cycle characteristic, in a lithium secondary battery obtained by installing, on a surface of a collector formed of conductive metal foil, an active material layer containing active material particles containing silicon and/or a silicon alloy, and a binder, and thereafter sintering it in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子とバインダーとを含む活物質層を導電性金属箔からなる集電体の表面上に設置した後、これを非酸化性雰囲気下に焼結して得られるリチウム二次電池用負極において、電極内の強度及び集電性を高め、充放電サイクル特性を向上させる。 - 特許庁

On a wiring substrate 100, a wiring layer 12 and a flip-chip connection terminal 13 are formed on an insulating base material 11, and the flip-chip connection terminal 13 is formed by forming a 1 μm or more thick silver film on the copper metal and furthermore, the silver film is formed by electrolytic silver plating with a current density of 1 to 50 A/dm2.例文帳に追加

本発明の配線基板１００は、絶縁基材１１上に配線層１２及びフリップチップ接続用端子１３が形成されており、フリップチップ接続用端子１３は銅金属上に膜厚１μｍ以上の銀膜が形成されたもので、さらに、銀膜が１〜５０Ａ／ｄｍ^2の電流密度で電解銀めっきにて形成されたものである。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

This lithium secondary battery is provided with: the negative electrode in which a mixture layer containing silicon and/or a silicon alloy, a binder, and lithium oxide is arranged on a current collector and sintered; a positive electrode; and a nonaqueous electrolyte, and it is preferable that carbon dioxide is dissolved in the nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子とバインダーと酸化リチウムとを含む合剤層を集電体上に配置して焼成した負極と、正極と、非水電解質とを備えることを特徴としており、好ましくは、非水電解質中に二酸化炭素が溶解されていることを特徴としているリチウム二次電池。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

A portion of a substrate power supply wiring line 120 is exposed by forming a power supply wiring line 110 in a U shape at a substrate power supply cell 100, and then a connection portion 140 to the upper-layer wiring line is disposed at the boundary portion of the substrate power supply cell 100, thereby reducing the leakage current without degrading signal wiring efficiency.例文帳に追加

基板電源供給セル１００にて電源配線１１０をコの字状に形成することにより基板電源配線１２０の一部を露出させ、以て上層配線への接続部１４０を基板電源供給セル１００の境界部に配置することにより、信号配線効率を低下させないでリーク電流を削減する。 - 特許庁

A current cut-off device 7 is provided between the power conversion device 4 in which the DC power is supplied from a main power source 1 to control a traveling motor 5 (a motor for driving a vehicle), and an electric double layer capacitor 8 for temporarily storing the generative power generated by the power conversion device 4 when a vehicle affects a regenerative brake.例文帳に追加

主たる電源１から直流電力が供給されて走行用電動機（車両駆動用電動機）５を制御する電力変換装置４と、車両が回生ブレーキを作用させたときに、電力変換装置４が発生する回生電力を一時的に貯蔵する電気二重層キャパシタ８と間に電流遮断装置７を設置する。 - 特許庁

Relating to a vortex formed in a wall surface boundary layer of a current flowing in a pipe, based on hydro dynamic characteristic time of the vortex defined by a vortex diameter and a rotational speed of the vortex or a product dp0×D of a pressure loss dp0 generated by a flow and its represented length D, fluid friction is evaluated or estimated.例文帳に追加

管内を流れる流れの壁面境界層内に形成される渦に関して、前記渦の渦径と回転速度で定義される渦の流体力学的特性時間、あるいは流れにより発生する圧力損失ｄｐ０と流れの代表長さＤの積ｄｐ０×Ｄに基づいて、流体摩擦の評価あるいは予測をおこなう。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the positive electrode current collector in which a felt-formed base material consisting of carbon fiber or graphite fiber, and a cloth-formed material or cotton-formed material made of glass fiber is stacked, and the high-resistant layer is formed by driving the cloth-formed material or cotton-formed material into the base material by means of a needle punch.例文帳に追加

炭素繊維又はグラファイト繊維からなるフェルト状の基材を用意し、基材の一方の表面に、ガラス繊維からなる布状体若しくは綿状体を積重し、布状体若しくは綿状体をニードルパンチにより基材に打ち込むことにより高抵抗層を形成する正極集電体の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery that restrains an inhibition of cell reaction and that improves self-discharge property and cycle property by suppressing the corrosion of copper foil which is a negative electrode current collector and the invasion of eluted Cu into SEI on the negative electrode surface, so that copper SEI layer will be restrained to be generated on the surface of negative electrode active material.例文帳に追加

負極集電体である銅箔の腐食、及び溶出したＣｕを負極表面上のＳＥＩに進入することを抑制することで、負極活物質表面上に銅ＳＥＩ層が生成することを抑制することにより、電池反応の阻害を抑制し、自己放電特性とサイクル特性を改善したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The heating belt 10 in use has the conductive layer 12 formed of a metal material of ≤2.7×10-8 Ωm in resistivity with a thickness of 2 to 10 μm and an AC current applied from an AC power source 45 to an exciting coil 41 is set within a range of 20 to 40 kHz in frequency.例文帳に追加

加熱用ベルト１０として、２．７×１０^-8Ωｍ以下の抵抗率を有する金属材料からなる厚さ２〜１０μｍの導電層１２を形成したものを使用し、かつ、交流電源４５から励磁コイル４１に印加する交流電流として周波数２０〜４０ｋＨｚの範囲内に設定された交流電流を印加するように構成した。 - 特許庁

The nitride light-emitting device that is manufactured by the method for enhancing the wire bonding efficiency and the yield of packaging of flip chip light-emitting device as characteristics of the ohmic contact with the p-type clad layer is improved, enhanced light emission efficiency because of low specific contact resistance and current/voltage characteristics, and longer life time of the device.例文帳に追加

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁

The electrochemical cell 1 is provided with a first electrode 3, second electrodes 7A, 7B, a solid electrolyte layer 6 fitted between the first electrode 3 and the second electrodes 7A, 7B, a current collecting part 8 electrically connected with the first electrode, and low-resistance parts 9A, 9B fitted inside the first electrode 3.例文帳に追加

電気化学セル１は、第一の電極３、第二の電極７Ａ、７Ｂ、第一の電極３と第二の電極７Ａ、７Ｂとの間に設けられている固体電解質層６、第一の電極に対して電気的に接続されている集電部８、および第一の電極３内に設けられている低抵抗部９Ａ、９Ｂを備えている。 - 特許庁