「deep uv」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a deep ultraviolet-transmissive adhesive capable of improving durability against UV rays and transmissivity in the deep UV region while avoiding liquid leakage, and a substrate using the deep UV-transmissive adhesive.例文帳に追加

液漏れを回避すると共に、紫外線に対する耐久性を向上させ、深紫外域での透過率を向上させることができる深紫外線透過接着剤と、その深紫外線透過接着剤を使用した基板を提供する。 - 特許庁

DETECTION OF MATERIAL BASED ON RAMAN SCATTERING AND LASER-INDUCED FLUORESCENCE BY DEEP UV EXCITATION例文帳に追加

深いＵＶ励起によるラマン散乱およびレーザ誘起蛍光に基づく物質の検出 - 特許庁

The polymer exhibits a light transparent property with respect to a deep UV wavelength, and is useful for an application to a high resolution photolithography.例文帳に追加

このポリマーは深ＵＶ波長に対し光透明性の性質を示し、高解像度光平板法への応用に有用である。 - 特許庁

To provide a polarizing element with which sufficient performance can be obtained even in a deep UV region (≤200 nm) and a method for manufacturing the polarizing element.例文帳に追加

深紫外領域（２００ｎｍ以下）でも十分な性能が得られる偏光素子及び偏光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁

To provide a high resolution photoresist composition used under deep UV and usable together with an aqueous developing solution having high basicity.例文帳に追加

深紫外線で使用され、高い塩基強度の水性現像液と共に使用可能な高解像度のされたフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern with relatively large thickness and high resolution by using the light with short wavelength such as deep UV rays as an exposure source.例文帳に追加

ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A single wavelength UV-ray of faint light is taken out from continuous wavelength UV-rays emitted from a nitride deep ultraviolet semiconductor light emitting element 119 by optical filters 200-208 and influences of re-ozonization of ozone and active oxygen are eliminated, thereby, an UV ray absorption type ozone concentration measurement can be correctly carried out.例文帳に追加

窒化物系深紫外半導体発光素子１１９から発する紫外線の連続波長から光学フィルタ２００〜２０８で微弱光の紫外線の単一波長を取り出し、オゾンの再オゾン化、活性酸素の影響を無くす事によって正しい紫外線吸収式オゾン濃度測定が可能になる。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

The method is for forming the image of the deep ultraviolet photoresist by using: a top coat composition for a deep uv immersion lithography including a polymer with at least one ionizable group having a pKa ranging from about -9 to about 11; and top coat.例文帳に追加

約−９〜約１１の範囲のｐＫａを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含む、深紫外線（ｄｅｅｐ ｕｖ）液浸リソグラフィ用トップコート組成物及び該トップコートを利用して深紫外線フォトレジストを像形成する方法。 - 特許庁

To provide light absorbing composition, which can be used as antireflection covering composition which is useful when deep UV use is contained, especially a flattened covering layer is required.例文帳に追加

ディープＵＶ用途を含む、特に、平坦化被覆層が要求される場合に有用である反射防止被覆組成物として使用することができる新規な光吸収組成物を提供する。 - 特許庁

The microscope system, which comprises a catadioptric lens group and a zooming tube lens group, has high optical resolution in the deep UV wavelengths, continuously adjustable magnification, and a high numerical aperture.例文帳に追加

カタディオプトリックレンズ群及びズーミングチューブレンズ群を含む顕微鏡システムは、極ＵＶ波長で高光学解像度と、連続的に調整可能な倍率と、高開口数とを有する。 - 特許庁

The microscope system, which comprises a catadioptric lens group and a zooming tube lens group, has high optical resolution in the deep UV wavelengths, continuously adjustable magnification, and a high numerical aperture.例文帳に追加

カタディオプトリックレンズ群及びズーミングチューブレンズ群を含む顕微鏡システムは、極ＵＶ波長で高光学解像度と、連続的に調整可能な倍率と、高開口数とを有する。 - 特許庁

A foundation part which is subjected to pattern formation for the purpose of forming an orifice plate flat is composed of the same material as an orifice plate constituting material (CR), avoiding a Deep-UV type resist (ODUR).例文帳に追加

オリフィスプレートを平坦に形成する目的でパターン形成する土台部を、Ｄｅｅｐ−ＵＶ型レジスト（ＯＤＵＲ）ではなく、オリフィスプレート構成材料（ＣＲ）と同一の材料にて構成する。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

To provide a simple and easy method by which pattern edges can be sharply exposed at a user's request in a patterning technique by photolithography in the vacuum deep UV region, therefore a fine pattern can be accurately formed.例文帳に追加

真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、パターン端が所望通りに綺麗に露光でき、もって微細なパターンを正確に描画できる簡便な手法の確立が課題である。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in residual film ratio and resist profile and not causing the problem of development defects even when deep UV, particularly ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition which does not cause the problem of development defects and has excellent line edge roughness, resist shape, sensitivity and resolving power when deep UV, particularly ArF excimer laser light, is used as the light source for exposure.例文帳に追加

露光光源として、深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、ラインエッジラフネス、レジスト形状、感度、解像力が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

As a result, the UV rays with which the photocatalyst filter element 3 is irradiated may be irregularly reflected by the light reflection materials 6 and may be effectively made to reach the photocatalysts 5 existing in the deep parts of the photocatalyst filter element 3.例文帳に追加

これにより、光触媒濾過エレメント３に照射された紫外線を光反射材６で乱反射し、光触媒濾過エレメント３の深部に存在する光触媒５に紫外線を有効に届かせることができるようになった。 - 特許庁

To make it possible to enhance the deodorization effect of a photocatalyst filter element by allowing light, more particularly UV rays, to effectively reach the photocatalysts existing in the deep parts of the photocatalyst filter element.例文帳に追加

光触媒濾過エレメント３の深部に存在する光触媒５に光、特に紫外線を有効に届かせることで、光触媒濾過エレメント３の脱臭効果を高めることのできる光触媒脱臭フィルターを提供する。 - 特許庁

The composition is substantially transparent to deep UV, that is, radiation of <250 nm wavelength, e.g. radiation of 157 nm, 193 nm and 248 nm and has high sensitivity and resolution.例文帳に追加

好ましい実施形態においてその組成物は、深紫外線、すなわち波長２５０ｎｍ未満の放射線、例えば１５７ｎｍ、１９３ｎｍおよび２４８ｎｍの放射線に対して実質的に透過性であり、高い感度および解像度を有する。 - 特許庁

To provide a photo-curing composition excellent in photo-curing properties with not only UV ray but also especially with visible light irradiation which cures sufficiently with relatively small amount of light and which has a short gelation time and a deep photo-curing depth.例文帳に追加

紫外線だけでなく、特に可視光照射による光硬化特性に優れ、比較的に低い光量で充分に硬化が進行すると共に、硬化に至るまでのゲルタイムが短く、また光硬化深度も深い光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

Upon curing a sealing material 31 by irradiating the sealing material 31 with UV rays through a first light transmitting substrate 10, even when the sealing material 31 partly intrudes as a sealing material 31' deep between the substrates, the sealing material 31' can be irradiated with UV rays without blocked by the light reflecting electrode 41 and the sealing material 31' can be reliably cured.例文帳に追加

従って、第１の透光性基板１０の側から封止材３１に紫外光を照射して封止材３１を硬化させる際、封止材３１の一部が封止材３１'として基板間の奥まで入り込んいても、このような封止材３１'にも、紫外光は、光反射性電極４１で遮られることなく十分に届くため、封止材３１'を確実に硬化させることができる。 - 特許庁

When a short wavelength cut filter 27 is attached to the irradiation optical system 20, the light emitted from a high voltage mercury lamp 21 passes through the short wavelength cut filter 27 and the light in a deep UV ray region in the range of 270 to 333 nm except for g-line, h-line and i-line rays is cut.例文帳に追加

このとき、照射光学系２０に短波長カットフィルター２７が装着されている場合には、超高圧水銀灯２１から出射された光は、短波長カットフィルター２７を通過し、ｇ線、ｈ線及びｉ線を残して、２７０〜３３３ｎｍの範囲にある深紫外線域の光がカットされる。 - 特許庁