| 例文 |
dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
NON-RADIOACTIVE DIELECTRIC LINE, MULTILAYER SUBSTRATE CIRCUIT USING THE SAME, AND TUNING METHOD THEREFOR例文帳に追加
非放射性誘電体線路及びそれを用いた多層基板回路、並びにこれらのチューニング方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING STORAGE CAPACITOR PROVIDED WITH DIELECTRIC CONTAINING STRONTIUM BISMUTH TANTALATE AS PRINCIPAL COMPONENT例文帳に追加
タンタル酸ストロンチウム・ビスマスを主成分とする誘電体を備えた記憶キャパシタの製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC THIN FILM OF ABOx TYPE PEROVSKITE CRYSTAL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING UNIT例文帳に追加
ABOx型ペロブスカイト結晶構造の誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric sheet and a multilayer ceramic substrate of high reliability.例文帳に追加
信頼性の高い誘電体シート及び多層セラミック基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
IRIDIUM OXIDE FILM, ELECTRODE, DIELECTRIC CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加
イリジウム酸化膜、電極、誘電体キャパシタ、及び半導体装置、並びにこれらの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING HIGH QUALITY SILICON DIELECTRIC FILM ON GERMANIUM BY HIGH-QUALITY INTERFACE例文帳に追加
高品質インタフェースによってゲルマニウム上に高品質シリコン誘電膜を堆積するための方法 - 特許庁
To provide a method for forming a dual damascene feature in a porous low k dielectric layer.例文帳に追加
多孔質低k誘電体層内にデュアルダマシン特徴を形成する方法が提供される。 - 特許庁
METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE例文帳に追加
ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法 - 特許庁
FORMING METHOD FOR SILICON GROUP DIELECTRIC FILM AND MANUFACTURE OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
シリコン系誘電体膜の形成方法および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
To provide a method for forming a smooth silicon base material/gate dielectric boundary at an atom level.例文帳に追加
原子レベルで平滑なシリコン基材/ゲート誘電体界面を作るための方法を提供する。 - 特許庁
The method for curing low dielectric constant materials in a process chamber during semiconductor processing is given.例文帳に追加
低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。 - 特許庁
CERAMIC POWDER AND DIELECTRIC PASTE USING THE SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
セラミック粉末及びこれを用いた誘電体ペースト、積層セラミック電子部品、その製造方法 - 特許庁
To provide a method of etching high-k dielectric materials in a plasma etching reactor without producing residues.例文帳に追加
残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高k誘電材料をエッチングする方法の提供。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR FORMING OF DIELECTRIC THIN FILM OF ABOx TYPE PEROVSKITE CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加
ABOx型ペロブスカイト結晶構造の誘電体薄膜の製造方法及びその装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC LAYER HAVING UNEVEN PATTERN, DIELECTRIC LAYER, BARRIER RIB, PLASMA DISPLAY PANEL, AND ELEMENT例文帳に追加
凹凸パターンを有する無機物層の製造法、誘電体層、バリアリブ及び、プラズマディスプレイパネル、エレメント - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR FORMING DIELECTRIC THIN FILM OF ABOx TYPE PEROVSKITE CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加
ABOx型ペロブスカイト結晶構造の誘電体薄膜の形成装置及び形成方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING DOUBLE LAYER LOW DIELECTRIC BARRIER FOR INTERCONNECTION AND DEVICE WHEREIN THE BARRIER IS FORMED例文帳に追加
相互接続用の2重層低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置 - 特許庁
DIELECTRIC CERAMIC POWDER, CERAMIC GREEN SHEET, AND LAMINATED CERAMIC CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
誘電体セラミック粉体及びセラミックグリーンシート並びに積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - 特許庁
DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, LAMINATED CERAMIC CAPACITOR USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THAT CAPACITOR例文帳に追加
誘電体セラミック組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシター並びにその製造方法 - 特許庁
To provide a multilayer interconnection structure using a LCP dielectric layer and a method for forming the structure.例文帳に追加
LCP誘電体層による多層相互接続構造およびその形成方法を提供する。 - 特許庁
HIGH-FREQUENCY DIELECTRIC HEATER FOR THERMOSETTING PLASTIC MATERIAL, AND METHOD OF MOLDING THERMOSETTING PLASTIC例文帳に追加
熱硬化性プラスチック材料の高周波誘電加熱装置、及び熱硬化性プラスチックの成形方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MULTI-LAYER CAPACITOR, PHOTOGRAVURE FOR DIELECTRIC LAYER, AND PHOTOGRAVURE FOR INTERNAL ELECTRODE LAYER例文帳に追加
積層コンデンサの製造方法,誘電体層用グラビア版及び内部電極層用グラビア版 - 特許庁
DIELECTRIC FILTER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ANTENNA MULTICOUPLER AND COMMUNICATION APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加
誘電体フィルタおよびその製造方法ならびにそれを用いたアンテナ共用器および通信機器 - 特許庁
RELIEF PATTERN, BUFFER COAT FILM FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING INTERLAYER DIELECTRIC FILM OF MULTILAYER WIRING BOARD例文帳に追加
レリーフパターン、半導体用バッファコート膜及び多層配線板の層間絶縁膜の製造法 - 特許庁
To provide a method for providing a low dielectric constant material on a substrate such as a printed wiring board.例文帳に追加
印刷配線板等の基板の上に低誘電率材料を設ける方法を提供する。 - 特許庁
GLASS COMPOSITION AND DIELECTRIC, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND WIRING BOARD USING THE SAME例文帳に追加
ガラス組成物、誘電体およびそれらの製造方法ならびにそれらを用いた配線基板 - 特許庁
The method and apparatus for generating air gaps in a dielectric material of an interconnect structure.例文帳に追加
相互接続構造体の誘電体材料にエアギャップを生成するための方法及び装置。 - 特許庁
To provide a method of forming a high-quality high-dielectric-constant gate insulating film.例文帳に追加
本発明は、良質な高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a dielectric ceramic block with uniform green density.例文帳に追加
均一な生密度を有する誘電体磁器ブロックの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
SEMI-COAXIAL RESONATOR TYPE MEASURING FIXTURE, AND METHOD FOR MEASURING ELECTRICALLY PHYSICAL PROPERTY OF DIELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
半同軸共振器型測定治具及び誘電体薄膜の電気的物性値測定方法 - 特許庁
A dielectric thin film, that forms a thin film capacitor is formed of oxide dielectric which is represented by a general formula, ABO3 as the chemical formula, the oxide dielectric is manufactured through an ECR sputtering method, and the dielectric thin film has a composition that satisfies the expression 0.82≤A/B≤0.97.例文帳に追加
薄膜キャパシタを構成する誘電体薄膜を、一般式ABO_3の化学式で表される酸化物誘電体で構成し、かつこの酸化物誘電体をECRスパッタリング法を用いて作製し、かつこの誘電体薄膜は0.82≦A/B≦0.97を満たす膜組成を有している。 - 特許庁
The method for manufacturing a transistor gate structure is disclosed, roughness of a high dielectric constant dielectric layer is decreased by forming a nucleation acceleration layer (120) on a substrate (104) or an arbitrary intentional interface layer, and a high dielectric constant dielectric (130) is formed on the nucleation acceleration layer (120).例文帳に追加
トランジスタゲート構造を製造する方法が開示され、高誘電率誘電体層の粗さが、核形成促進層(120)を基板(104)又は任意の意図的な界面層の上に形成することによって低減され、高誘電率誘電体(130)が核形成促進層(120)の上に形成される。 - 特許庁
To provide such a radiation sensitive composition with a variable dielectric constant that the dielectric constant of the material can be varied by an easy method, the difference in the varied dielectric constant is sufficiently large, and a stable dielectric pattern or an optical material can be obtained without depending on the use conditions in the succeeding process.例文帳に追加
材料の誘電率変化を簡易な方法で行うとともに、その変化した誘電率差が十分大きな値となり、しかもその後の使用条件によらずに安定な誘電率パターンや光学材料を与えることができる感放射線性、誘電率変化性組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a low dielectric sheet for two-dimensional communication having unprecedentedly low dielectric constant and dielectric loss tangent and usable for a sheet structure for two-dimensional communication, a production method therefor, and a structure for two-dimensional communication using the low dielectric sheet for two-dimensional communication.例文帳に追加
2次元通信用シート構造体に用いることができる、誘電率及び誘電正接がこれまでになく低い2次元通信用低誘電シート、およびその製造方法、またこの2次元通信用誘電シートを用いた2次元通信用構造体を提供すること。 - 特許庁
To provide a composite material composition of high dielectric constant and low dielectric dissipation factor, good in processability having a dielectric constant of ≥15 and a dielectric dissipation factor of ≤0.05 in the frequency range from 100 MHz to 80 GHz, to provide a curable film, to provide a cured product, and to provide a method for producing the cured product.例文帳に追加
本発明は、誘電率が15以上、100MHzから80GHzの周波数領域で誘電制接が0.05 以下の加工性の良好な高誘電率低誘電正接複合材料,硬化性フィルム,硬化物及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To obtain a thin film dielectric and a thin film dielectric element employing BT, ST or BST as a dielectric material and exhibiting stabilized characteristics while satisfying both a high dielectric constant and a low leak current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
BT、STやBSTを誘電体材料として薄膜化した薄膜誘電体素子において高誘電率と低リーク電流を両立させつつ、安定な特性の薄膜誘電体及び薄膜誘電体素子を得ること、並びにその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide an electrical physical property value measurement method and a measuring tool for measuring the electrical physical property value of a dielectric substrate having a high dielectric constant and a thick dielectric substrate at a frequency band to be measured, and for greatly improving the measurement precision of the physical property value of the dielectric substrate.例文帳に追加
比誘電率の高い誘電体基板や厚い誘電体基板の電気的物性値を、測定したい周波数帯で測定できるとともに、誘電体基板の物性値の測定精度を大きく向上できる電気的物性値測定法及び測定用冶具を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric laminate structure which can manufacture a dielectric laminate structure having improved reliability, to provide the dielectric laminate structure having improved reliability, and to provide a wiring board equipped with this dielectric laminate structure.例文帳に追加
歩留まりを向上させることが可能であり、信頼性が向上した誘電体積層構造体を製造することが可能な誘電体積層構造体の製造方法、信頼性が向上した誘電体積層構造体、及びこのような誘電体積層構造体を備えた配線基板を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing thermal sensing elements measures temperatures in a monitoring region, based on the dielectric constant of a dielectric material, and comprises a heating step S101 of heating the dielectric material to the Curie-point temperature of the dielectric material or higher and a cooling step S102 of cooling the dielectric material to a temperature lower than the Curie-point temperature.例文帳に追加
監視領域内の温度を誘電性物質の誘電率に基づいて測定する熱感知素子の製造方法であって、誘電性物質を、当該誘電性物質のキュリー点温度以上に加温する加温ステップS101と、誘電性物質をキュリー点温度を下回る温度に冷却する冷却ステップS102とを含む。 - 特許庁
The first method includes the steps of: (1) forming a dielectric layer including a trench on a substrate; and (2) forming a cladding region in the dielectric layer by forming a plurality of air gaps in the dielectric layer along at least one of a sidewall and a bottom of the trench so as to reduce an effective dielectric constant of the dielectric.例文帳に追加
第1の方法は、(1)基板上のトレンチを含む誘電体層を形成するステップと、(2)誘電体の実効誘電率を減少させるために、トレンチの側壁および底部のうちの少なくとも一方に沿って、誘電体層内に複数の空隙を形成することにより、誘電体層内にクラッディング領域を形成するステップとを含む。 - 特許庁
To make it possible to carry out a precise measuring evaluation of a dielectric characteristic of a dielectric in a high frequency band in a minute thin-film capacitance element used for measuring the dielectric characteristic of the thin-film dielectric and a thin-film dielectric characteristic measuring evaluation method.例文帳に追加
薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子及び薄膜誘電特性測定評価方法であって、高周波数帯域における誘電体の誘電特性を高精度に測定評価することのできる微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a low dielectric constant film having a low dielectric constant, excellent resistance to chemicals such as acid, alkali, etc., a silicon-based composition for forming such a low dielectric constant film, a semiconductor integrated circuit with a device having a high speed of response using such a low dielectric constant film and to provide a method for producing such a low dielectric constant film.例文帳に追加
誘電率が小さく、酸やアルカリなどの耐薬品性および耐湿性にも優れた低誘電率膜、このような低誘電率膜を形成するためのシリコン系組成物、このような低誘電率膜を使用したデバイスの応答速度が速い半導体集積回路、およびこのような低誘電率膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element to which a gate dielectric film is applied, capable of increase the dielectric constant of the gate dielectric film applied to a high speed and high density logic element using a high dielectric material as the gate dielectric film and an very-high integrated element of 1G DRAM or larger and capable to improving leakage current characteristics.例文帳に追加
高誘電体物質をゲート誘電体膜として使用する高速高密度論理素子及び1G DRAM級以上の超高集積素子に適用するゲート誘電体膜の誘電率を高めると共に漏洩電流特性を改善することのできる、ゲート誘電体膜が適用される半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a dielectric film having improved quality even if it is formed under a low temperature environment, a forming method thereof, a semiconductor device using the dielectric film, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
低温環境下での形成においても品質が改善された誘電体膜およびその形成方法ならびに誘電体膜を用いた半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a dielectric composition for a dielectric film of a plasma display panel, which improves contrast characteristics of the plasma display panel using a simple manufacturing process, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
単純な製造工程によりプラズマディスプレイパネルのコントラストを向上できるプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic material which has small particle size, high crystallinity and little variation in the particle size and is suited for forming a thin dielectric layer.例文帳に追加
粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a low dielectric constant interlayer insulating film, suppressing peeling during an assembly process and a CMP process, and to provide a semiconductor device using the low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加
組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an element isolation film that has a low relative dielectric constant and can maintain the low relative dielectric constant for a long period, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
比誘電率が低く、この低比誘電率を長期にわたって維持することができる素子分離膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|