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dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加
本発明は、層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、CMPプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a solution for forming an insulating thin film that can be applied at low temperature, has high insulation and dielectric constant properties, and allows surface processing, the insulating thin film formed using the same, a field effect transistor having superior performance using the insulating thin film as a gate insulating layer and a method of manufacturing the same, and an image display device.例文帳に追加
低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加
本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加
高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを1本のイリジウムX線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光X線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a pasty resin composition containing functional inorganic powder and an organic binder, which is excellent in coating, molding and sintering, and a manufacturing method of a sintered compact having functions such as a dielectric, ferroelectric, semiconductor, body with high toughness, etc.例文帳に追加
成形体が、誘電体、強誘電体、半導体又は強靱体等の機能を発揮する焼結成形体であって、その機能性無機粉体と有機バインダーとを含有するペースト状の樹脂組成物が、塗布性、形体賦形性、焼結性に優れた焼結成形用のペースト状樹脂組成物及び機能性焼結体の製造方法を提供することである。 - 特許庁
This invention relates to the method of manufacturing the vertical CMOS sensor, where the quality and reliability of the vertical CMOS image sensor are ensured by selectively applying a high-temperature double-annealing process and other additional passivation nitride films so that circular defects causing cracks in dielectric substance are reduced and dark leakage characteristics are improved.例文帳に追加
暗漏れ特性(dark leakage characteristics)の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥(circular defect)も改善するために、高温ダブルアニール(double−anneal)工程と追加的な他の保護窒化膜(passivation nitride)を選択的に適用し、垂直型CMOSイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 - 特許庁
The present manufacturing method of CMOS integrated circuit device comprises forming a titanium nitride film for adjusting electrical characteristics of a high dielectric gate insulation film before forming a gate electrode film at an N channel region and a P channel region, the titanium nitride film being composed of a lower film containing relatively rich titanium and an upper film containing relatively rich nitrogen.例文帳に追加
本願発明は、CMOS集積回路デバイスの製造方法において、Nチャネル領域およびPチャネル領域において、ゲート電極膜形成前の高誘電率ゲート絶縁膜の電気的特性を調整するためのチタン系窒化物膜を下方のチタンを比較的多く含む膜と、上方の窒素を比較的多く含む膜を含む構成とするものである。 - 特許庁
To provide a radiation sensitive resin composition which exhibits excellent uniformity in film thickness and has high radiation sensitivity even if a slit coating method is adopted as a coating method, and has such a development margin that a favorable pattern shape can be formed even if an optimal developing time has elapsed passed in a developing step, and an interlayer insulating film having various excellent performance such as high heat and solvent resistance, high transmittance and a low dielectric constant.例文帳に追加
塗布方法としてスリット塗布法を採用した場合であっても、優れた膜厚均一性を示し、且つ高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成しうる現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物ならびに高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率、低誘電率等の諸性能に優れる層間絶縁膜を提供すること。 - 特許庁
By varying an area of a pressure sensor, without making the distance between two electrodes constituting a capacitor by inputs change, whereby the output for an input is changed linearly; in addition, by using hafnium oxide having a high dielectric constant and superior insulation properties as the insulating material of the capacitor, a method with the electrostatic capacitance and sensitivity enhanced is provided.An electrostatic capacitance sensor that is manufactured using this method is provided.例文帳に追加
入力によってキャパシタを構成する二つの電極間の距離を変化させずに、圧力センサの面積を変化させることで、入力に対する出力が線形的に変化するとともに、キャパシタの絶縁物質として、高い誘電常数及び優れた絶縁性を有するハフニウム酸化物を用いることで、静電容量及び感度を高められる静電容量型圧力センサの製造方法、及びこれによって製造された静電容量型圧力センサを提供する。 - 特許庁
Also, according to the method, the insulating layer is not formed as a single layer but as a laminated layer made by laminating semi-set thermosetting resin layers on both surfaces of a full-set thermosetting resin layer, so that formability in the manufacturing method for the parallel multilayer printed circuit board is improved, and the circuit board is provided with a higher dielectric constant to improve impedance balance.例文帳に追加
本発明によれば、多層印刷回路基板の製造方法において、絶縁層の形成時に絶縁層を単層にせず、完全硬化状態の熱硬化性樹脂層の両面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層を積層した形態の絶縁層を使用することにより、本発明に係る並列的多層印刷回路基板の製造方法における成形性を良くし、絶縁層により高い比誘電率を提供し、それによりインピーダンス均衡性を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a method for producing a silicone resin, which allows easy molecular weight control in radical polymerization using a polyfunctional monomer and is improved in reproducibility and excellent in mechanical characteristics, heat resistance and a low dielectric constant, to provide a composition containing the produced silicone resin for forming a film, and to provide an insulating film produced from the composition.例文帳に追加
本発明は、多官能モノマーを用いてラジカル重合を行う際に、分子量制御が容易で、かつ再現性よく、機械的特性、耐熱性、低誘電率などに優れたシリコーン樹脂を製造することができるシリコーン樹脂の製造方法、製造されたシリコーン樹脂を含む膜形成用組成物、および組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a capacitance element made of high dielectric oxide having a perovskite structure, a capacitance element made of nitride and a resistance element made of high-resistive metallic material are integrated on the same compound semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same, wherein characteristics of the elements are not deteriorated and a process cost can be reduced.例文帳に追加
特に、ペロブスカイト構造の高誘電体酸化物による容量素子と窒化物による容量素子と高抵抗金属材料による抵抗素子とを同一化合物半導体基板上に集積化した半導体装置およびその製造方法に関し、素子の特性を損ねることなく、プロセスコストの低減を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a method of manufacturing a gate insulating film 20, which is interposed between a semiconductor substrate 4 and a gate electrode 22, nitrogen 12-containing ions are implanted in a region, which is formed with the gate insulating film, on the substrate 4 and an insulating film 18 consisting of a high-dielectric constant material is formed within the region implanted with ions to contrive to manufacture the film 20.例文帳に追加
半導体基板4とゲート電極22の間に介在するゲート絶縁膜20を製造する方法において、ゲート絶縁膜を形成する半導体基板の領域に窒素元素12を含むイオンを注入し、イオンを注入した注入領域内に高誘電率材料からなる絶縁膜18を形成してゲート絶縁膜20を製造することとした。 - 特許庁
The method for making a superconducting circuit comprises a step for writing a circuit pattern by coating one side or both sides of a dielectric substrate or an insulator substrate directly with coating solution for forming a superconducting film using an ink jet printer or a bubble jet (R) printer, a step for calcining the circuit pattern thus written, and a step for firing the calcined circuit pattern.例文帳に追加
誘電体基板もしくは絶縁体基板の片面又は両面上に、超電導膜形成用の塗布溶液をインクジェットプリンター又はバブルジェットプリンターで直接塗布して回路パターンを描画する工程と、該描画された回路パターンを仮焼する工程と、前記仮焼した後本焼する工程とを有することを特徴とする超電導回路作製方法である。 - 特許庁
To provide an organic photoreceptor which is used in an image forming apparatus which adopts a contact charging system, prevents dielectric breakdown and image defects, such as, black spots from occurring, and enables stable obtaining of a proper electrophotographic image over a long period of time, and to provide an image forming method, an image forming apparatus and an image forming unit.例文帳に追加
本発明の目的は、接触帯電方式の画像形成装置に用いられる有機感光体の前記した課題を解決することであり、より詳しくは、絶縁破壊や黒ポチ等の画像欠陥の発生を防止し、良好な電子写真画像を長期的に安定して得ることができる有機感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成ユニットを提供することである。 - 特許庁
To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost.例文帳に追加
コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁
To provide a polishing pad for forming a flat surface on glass, a semiconductor, a dielectric/metal complex and an integrated circuit chip or the like in which a polishing state can be well observed optically, and to provide polishing equipment using the same and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加
ガラス、半導体、誘電/金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッド及び本研磨パッドを備えた研磨装置及び本研磨装置を用いた半導体デバイスの製造方法において、研磨中に研磨状態を光学的に良好に測定できる研磨パッド及び研磨装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
Crystal having characteristics (dielectric loss tangent: tan δ) better than that of fluororesin, LTCC or the like used conventionally as a substrate of a resonance part 1 and on which a fine metal film pattern can be formed by a photolithographic method is used as a crystal substrate 10, and a conductive line is formed on the crystal substrate 10 to form an inductance element 11 in the resonance part 1.例文帳に追加
従来から共振部1の基板として用いられているフッ素樹脂やLTCCなどよりも良好な特性(静電正接:tanδ)を持ち、しかもフォトリソグラフィ法により微細な金属膜のパターンを形成できる水晶を水晶基板10として用いて、この水晶基板10上に導電線路を形成して共振部1のインダクタンス素子11を構成する。 - 特許庁
The method is used for manufacturing the plasma display panel, including: a coating step of coating a solvent including microcrystal of components of a dielectric protective film on a front plate; a drying step of drying the front plate; a pressing step of pressing unevenness on a surface of a film including the microcrystal via a liquid using a roller after being dried; and a burning step of burning the film including the microcrystal.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体保護膜の構成材料の微結晶を含む溶媒を前面板に塗布する塗布ステップと、前記前面板を乾燥する乾燥ステップと、乾燥後、ローラを用いて、前記微結晶を含む膜の表面の凹凸に液体を介して圧力をかける加圧ステップと、前記微結晶を含む膜を焼成する焼成ステップと、を備える。 - 特許庁
To provide a plasmon excitation sensor which allows an analyte in a specimen to be more efficiently coupled therewith by providing a porous dielectric layer having a function as a flow path on a surface thereof and allows high-sensitivity measurement by the synergistic effect of this efficient coupling and an improved electric field enhancement effect, and to provide a detection method employing the plasmon excitation sensor.例文帳に追加
本発明は、プラズモン励起センサ表面上に流路としての機能を有する多孔質誘電体層を設けることにより、検体中のアナライトをより効率的にセンサに結合させることができ、さらに、向上した電場増強効果との相乗効果によって高感度な測定を可能とする、プラズモン励起センサおよびこれを用いた検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the method for producing the sintered compact for the transparent conductive film by sintering using electromagnetic wave heating, the sintered compact for the transparent conductive film having high density is produced in high yield while the occurrence of firing crack is reduced by using the raw material powder having the specific surface area of 5 to <15 m^2/g and dielectric loss factor of ≥0.5 at 2.45 Hz frequency.例文帳に追加
電磁波加熱によって焼結する透明導電膜用焼結体の製造において、比表面積が5m^2/g以上、15m^2/g未満であり、かつ、周波数2.45GHzでの誘電損率が0.5以上である原料粉末を使用することにより、焼成割れが低減され、歩留まり良く高密度な透明導電膜用焼結体を製造することができる。 - 特許庁
To provide a method for packaging an electrolytic capacitor capable of repeating unsealing/resealing comparatively simply even by a user having no sealing means such as a heat sealing device when the electrolytic capacitor, in which a capacitor element with an anode member with a dielectric film thereon, is impregnated with a liquid or solid cathode member, is housed in an aluminum laminated bag and forwarded and/or stored.例文帳に追加
誘電体皮膜が形成された陽極部材を備えるコンデンサ素子に、液体又は固体の陰極部材を含浸した電解コンデンサを、アルミラミネート袋に収納して出荷及び/又は保管するに当たり、熱シール装置等の密封手段を持ち合わせていないユーザでも、比較的簡単に開封/再密封を繰り返すことができるような、電解コンデンサの包装方法を提供する。 - 特許庁
In the control method for drying wherein the amorphous refractory is put in the metallic surrounding to effect dielectric body heating by a micro wave while utilizing a space in the surrounding as a cavity resonator, the temperature of either one or more than two among the atmosphere in a furnace, surface of a refractory and the inside of the refractory is measured by employing an optical fiber type temperature sensor.例文帳に追加
不定形耐火物を金属製の囲い内部に載置し、該囲い内部の空間を空洞共振器としてマイクロ波による誘電体加熱を行う乾燥制御方法において、乾燥中の炉内雰囲気、耐火物表面、耐火物内部のいずれか1又は2以上の温度を光ファイバー式温度センサーを用いて測定することを特徴とする不定形耐火物の乾燥制御方法。 - 特許庁
The discharge device driving method which drives a discharge device 40 by applying a periodic voltage pulse to the discharge device 40 having a pair of electrodes X and Y, a dielectric 12 and discharge gas 31 with a drive circuit 50 switches the drive circuit to a high-impedance state until the discharge device starts to discharge after the voltage pulse is applied to the discharge device.例文帳に追加
一対の電極X、Y、誘電体12及び放電ガス31を有する放電装置40に、駆動回路50が周期的な電圧パルスを印加して該放電装置を駆動する放電装置の駆動方法であって、 前記電圧パルスを印加してから前記放電装置の放電が開始するまでの間に、前記駆動回路をハイインピーダンス状態に切り替えることを特徴とする。 - 特許庁
The harmful treatment method using the reactor includes a step for providing the reactor to a harmful gas treatment apparatus, a step for applying AC voltage of AC frequency to the respective flat plate electrodes of the reactor to generate low temperature plasma and dielectric heat, a step for supplying harmful gas into the reactor and a step for performing plasma reaction and catalytic reaction to the harmful gas at the same time.例文帳に追加
この反応器を用いる有害ガス処理方法は、反応器を有害ガス処理装置に設けるステップと;反応器のそれぞれの平板電極に交流周波数の交流電圧を印加し、低温プラズマ及び誘電熱を発生させるステップと;反応器の内部に有害ガスを供給するステップと;有害ガスに対するプラズマ反応及び触媒反応を同時に行うステップとを含む。 - 特許庁
This miniaturized surface plasmon resonance sensing chip mainly manufactures a plane light source by a dielectric light emission method using the organic photoelectric material, induces a surface plasmon resonance wave, observes signal variation caused by a joint state of surface bio-molecules on the sensing chip surface, associates a fine flow channel, and provides a more accurate and miniaturized inspection/measurement component.例文帳に追加
主に小型化表面プラズマ共振感知チップはその有機光電材料を利用し誘電発光の方式により平面光源を製作し、表面プラズマ共振波を誘発し、感知チップ表面の表面生物分子の結合状況が引き起こす信号変動を観察し、微流道を対応させ、より精確で小型化された検査測定部品を提供する。 - 特許庁
This method for the hydrophilization treatment of the polyimide base material comprises treatment of the polyimide base material in an atmosphere of ≥45% relative humidity under a pressure of nearly atmospheric pressure with a glow discharge plasma, especially treatment with the glow discharge plasma generated by impressing a pulse-shaped electric field between counter electrodes in which at least one of opposite sides is covered with a solid dielectric substance.例文帳に追加
大気圧の近傍の圧力下、相対湿度45%以上の雰囲気下でポリイミド基材をグロー放電プラズマによる処理、特に、電極対向面の少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間にパルス状電界を印加して発生するグロー放電プラズマによる処理を行うことを特徴とするポリイミド基材の親水化処理方法。 - 特許庁
In the plasma treatment method by which a part of metal in at least one electrode of two or more electrodes for applying voltage is exposed, and the sample is arranged at the metal exposed part in the electrode, thereby applying the plasma treatment to the sample, a dielectric substance is inserted into a space between the sample and the metal exposed part in the electrode where the sample is arranged.例文帳に追加
電圧を印加する2つ以上の電極のうち、少なくとも1つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入するプラズマ処理方法。 - 特許庁
In a manufacturing method, a process for inspecting leakage current is installed after a process for sealing a capacitor element by an armor material, at the manufacturing of the solid electrolytic capacitor holding chemical polymerized conductive polymer between the electrode foils of the anode and the cathode of the capacitor element, where the anode foil and the cathode foil, in which dielectric oxidation films are formed, are wound through a separator.例文帳に追加
誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子の陽極と陰極の電極箔間に化学重合性導電性高分子を保持する固体電解コンデンサを製造する際に、コンデンサ素子を外装材で封止する工程の後に、漏れ電流の検査を行う工程を設けた製造方法としたものである。 - 特許庁
The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加
半導体基板上にアンドープト第1ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第1ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第2ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第2ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第1ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁
As one embodiment, the method for removing the masking material from the substrate comprises the steps of: providing the substrate having the exposed low-dielectric-constant material and the masking material; exposing the masking material to a first plasma formed from the reduction chemical reaction material, during the first period; and exposing the masking material to a second plasma formed from the oxidation chemical reaction, during the second period.例文帳に追加
一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第1の期間、還元化学反応物質から形成された第1のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第2の期間、酸化化学反応物質から形成される第2のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。 - 特許庁
In the manufacturing method of the solid-state electrolytic capacitor formed of a dielectric film and a chemical oxidation polymerization conductive polymer layer laminated sequentially on a valve action metal; at least one compound selected from a group consisting of amide, sulfoxide and imido is added during the chemical polymerization reaction as the polymerization controlling agent of the chemical oxidation polymerization.例文帳に追加
弁作用金属上に順次、誘電体皮膜、化学酸化重合導電性高分子層が形成された固体電解コンデンサの製造方法において、化学酸化重合の重合制御剤として、アミド類、スルホキシド類及びイミド類からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物が、化学重合反応中に添加されることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法 - 特許庁
In the method, a solid dielectric is fitted to at least one of facing electrodes of a pair under atmospheric pressure in an atmosphere containing at least 4 vol.% of oxygen, and the glass substrate is brought into contact with discharge plasma generated by applying a pulse electric field between the electrodes.例文帳に追加
大気圧近傍の圧力下で、酸素を4体積%以上含有する雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間にパルス化された電界を印加することにより発生させた放電プラズマを液晶用ガラス基板に接触させることを特徴とする液晶用ガラス基板の洗浄方法。 - 特許庁
This plasma reactor and plasma reaction method has such a constitution that electrodes of high potential side and low potential side are arranged in the reactor, inorganic dielectric material having a structure which allows the gas to flow between the electrodes is charged, the discharge is generated between the electrodes and the gas which exists between the electrodes is made plasma and is constituted so as to enable temperature control in the reactor.例文帳に追加
リアクター内に高電位側と低電位側の電極が配され、該電極間に気体が流れることが可能な構造を有する無機誘電体が充填された構成を備え、該電極間に放電を発生させて該電極間に存在する気体をプラズマ化するプラズマ反応装置または方法であって、前記リアクター内の温度調節ができるように構成する。 - 特許庁
In this semi-rigid cable, a brass wire 1 having a silver-plated layer 2 formed by plating silver high conductivity, a dielectric 3 made of a fluorine resin, a polymer film 4 with a film 5 of a good conductor (inner external conductor) stuck by a deposition method, and a metal pipe 6 of an outer external conductor having a small thermal conductivity are respectively coaxially formed.例文帳に追加
本発明に係るセミリジッドケーブルは、高い導電性を有する銀のメッキにより形成された銀メッキ層2をもつ真鍮製ワイヤ1と、フッ素樹脂で作製される誘電体3と、蒸着法により良導体の膜(内側の外部導体)5を付着させた高分子フィルム4と、外側の外部導体である熱伝導率の低い金属パイプ6と、をそれぞれ同軸に設けている。 - 特許庁
In the discharge plasma treatment device and the treatment method using the device, a discharge flow passage surrounded by a solid dielectric body longer than an electrode is provided between a pair of electrodes facing each other, a treatment gas is passed through the discharge flow passage, and a work is treated by guiding the discharge plasma of the treatment gas obtained by applying an electric field between the electrodes.例文帳に追加
一対の対向電極間に電極長より長い固体誘電体で囲まれる放電流路を設け、当該放電流路に処理ガスを流通させ、電極間に電界を印加することにより得られる処理ガスの放電プラズマを被処理基材に誘導して被処理基材を処理することを特徴とする放電プラズマ処理装置及び該装置を用いた処理方法。 - 特許庁
The method of manufacturing a solid-state electrolytic capacitor includes a step of providing a cathode by forming a solid-state electrolyte layer on part of an anode base which is formed with a dielectric oxide film on the surface thereof, and performs masking treatment using a masking material which has an initial viscosity of 3,000 cP or less as measured by a B-type viscometer.例文帳に追加
表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体の一部に固体電解質層を形成し陰極部とする工程を含む固体電解コンデンサ素子の製造方法において、B型粘度計で測定した初期粘度が3000cP以下であるマスキング材料を使用してマスキング処理を行なうことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。 - 特許庁
To provide an image forming method capable of preventing the occurrence of dielectric breakdown in a surface of a photoreceptor in a magnetic monocomponent developing system using a thin layer amorphous silicon photoreceptor as a latent image carrier and using a cleaning blade as a means of cleaning a surface of the photoreceptor, and to provide a magnetic monocomponent toner for developing an electrostatic latent image.例文帳に追加
潜像保持体として薄層のアモルファスシリコン感光体を用い、この感光体表面をクリーニングする手段としてグリーニングブレードを用いる磁性1成分現像方式による現像システムにおいて、感光体表面で絶縁破壊が生じるのを防止することができる画像形成方法および静電潜像現像用磁性1成分トナーを提供することである。 - 特許庁
The method for fabricating the capacitor comprises steps for forming an interlayer insulation film pattern on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, for forming a silicide pattern on the exposed semiconductor substrate, for forming a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed, and for forming a dielectric film and an upper electrode film sequentially thereon.例文帳に追加
このキャパシタの製造方法は、半導体基板上に半導体基板を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターンを形成し、露出された半導体基板にシリサイドパターンを形成し、シリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を形成した後に、その結果物上に誘電膜及び上部電極膜を順次に形成する段階を含む。 - 特許庁
In an integrated circuit, a method of forming the layer of the high-κ dielectric material includes a step of preparing a silicon substrate, a step of depositing a first metal oxide layer by an ALD which uses a metal nitrate precursor, a step of depositing another metal oxide layer by an ALD which uses a metal chloride precursor, and a step of completing the integrated circuit.例文帳に追加
集積回路において、高κ誘電材料の層を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、硝酸金属前駆物質を用いるALDを用いて第1の金属酸化物の層を堆積する工程と、塩化金属前駆物質を用いるALDを用いて他の金属酸化物の層を堆積する工程と、集積回路を完成させる工程とを含む。 - 特許庁
The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).例文帳に追加
本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第1の電極を堆積させる工程と、第1の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第2の電極を堆積させる工程と、基板(200)の底面から材料を除去して基板(200)の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁
With the device 1 and the method for treating the inner surface of the plastic bottle, a thin rod member made of a conductor provided inside a supply pipe body made of a dielectric forming a gas supply space 2 forms a surface wave plasma with microwaves irradiated in 360° directions from a ring-shaped resonator 6 via a slit 61, using the inside of the plastic bottle B as an excellent resonance system.例文帳に追加
本発明に係るプラスチックボトル内面の処理装置1及び処理方法は、ガス供給間2を構成する、誘電体からなる供給管本体の内部に設けられた導電体の細棒部材が、プラスチックボトルBの内部を優れた共振系として、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により表面波プラズマを形成する。 - 特許庁
To provide a high performance optical integrated semiconductor element and a method of manufacturing the same wherein an optical integrated circuit using semiconductor crystal of Si, GaAs, InP or the like may be manufactured easily, high speed modulation can be realized using a dielectric material waveguide modulator, and the waveguide and light receiving element/light emitting element may be allocated through higher optical coupling efficiency.例文帳に追加
Si、GaAs、InP等の半導体結晶を用いた光集積回路において、製造が容易であり、誘電体導波路変調器を使用し高速変調が可能で、なおかつ導波路と受光素子・発光素子を高い光結合効率で配置することで高性能な光集積型半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
This manufacturing method for the laminated ceramic electronic component has a burning process for burning an element main body having dielectric layers and internal electrode layers containing base metal arrayed by turns; and the burning process has a temperature raising process for raising the temperature up to burning temperature and hydrogen is introduced from halfway in the temperature raising process.例文帳に追加
誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とが交互に複数配置された焼成前素子本体を焼成する焼成工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記焼成工程が、焼成温度まで昇温させる昇温工程を有し、前記昇温工程の途中から水素を導入することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁
To provide an organophotoreceptor which prevents occurrence of dielectric breakdown and image defects, such as black spots, liable to occur during repetitive use and can perform stable image formation with good sharpness over a prolonged period of time, with respect to an organophotoreceptor used in an image forming apparatus using a contact charging system, and to provide a process cartridge, an image forming apparatus and an image forming method.例文帳に追加
本発明の目的は、接触帯電方式の画像形成装置に用いられる有機感光体において、繰り返し使用中に発生しやすい絶縁破壊や黒ポチ等の画像欠陥の発生を防止し、鮮鋭性が良好な長期的に安定した画像形成を行うことが出来る有機感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法を提供することである。 - 特許庁
The method for increasing the thickness of the electrically conductive pattern on the dielectric substrate comprises the steps of: immersing the substrate with the electrically conductive pattern present thereon in an electrolytic bath; electrolytically contacting in the electrolytic bath a negatively charged electrode with the pattern during immersion of the substrate; and effecting contacting movement in the electrolytic bath of the electrode and the pattern relative to each other during immersion of the substrate.例文帳に追加
導電性パターンを有する基材を電解液に浸漬するステップと、電解液中に基材が浸漬されている間に、負に帯電した電極を導電性パターンと電解液中で電気的に接触させるステップと、電解液中に基材が浸漬されている間に電解液中で電極と導電性パターン間の接触相対移動を行なわせるステップを有する。 - 特許庁
A manufacturing method of an actuator includes: a first process for forming a sheet body 1 by alternately overlapping a plurality of dielectric elastomer layers 5 and a plurality of conductive rubber layers 6 (6a and 6b) in a thickness direction; and a second process for making the sheet body 1 in a spirally wound state by winding the sheet body 1 formed by the first process around a core material 9.例文帳に追加
アクチュエータの製造方法には、複数の誘電エラストマー層5と複数の導電ゴム層6(6a,6b)とをそれらの厚さ方向に交互に重ねることでシート体1を形成する第1工程と、同第1工程により形成されたシート体1を芯材9の周りに巻き付けることによりシート体1を渦巻き状に巻かれた状態にする第2工程と、が含まれる。 - 特許庁
To provide an aqueous dispersant for chemical mechanical polishing which can efficiently remove barrier metal layers and cap layers by polishing and, at the same time, with which a chemical mechanical polishing process that can reduce the damages given to the material of an underlaying insulating film having a low dielectric constant, and to provide a method for chemical mechanical polishing which uses the aqueous dispersant.例文帳に追加
バリアメタル層及びキャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁
To increase the generated quantity of ozone with respect to charged power energy and to facilitate a cooling method in an ozone generating device having a high voltage electrode and an earth electrode, which are oppositely arranged with a space part and a dielectric and for generating ozone in a gaseous starting material flowing in the space part by applying high voltage between the electrodes.例文帳に追加
空隙部および誘電体4を介して対向配設された高電圧電極1および接地電極2を有し、前記電極1と2の間に高電圧を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾンを発生させるオゾン発生装置において、投入電力量に対するオゾン発生量を増加させるとともに、冷却方法を容易ならしめる。 - 特許庁
This inspection method comprises the steps of: facing a probe to a thin film transistor active matrix substrate; supplying a dielectric fluid between the substrate and the probe; supplying power supply to a closed circuit containing the substrate and probe; and detecting signals flowing through the closed circuit by the power supply.例文帳に追加
上記課題は、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板にプローブを対向させる工程と、前記基板と前記プローブの間に誘電性流体を供給する工程と、前記基板と前記プローブとを含む閉回路に電源を供給する工程と、前記電源により前記閉回路に流れる信号を検出する工程を有する前記基板を検査する検査方法により解決される。 - 特許庁
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