「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the combustion speed difference of an organic binder by uniformizing the deposition of the organic binder of a first electrode layer to glass frit in a method of manufacturing a plasma display by baking a dielectric layer simultaneously with an electrode having the first electrode layer and a second electrode layer.例文帳に追加

第一の電極層と第二の電極層を有する電極と誘電体層を同時に焼成するプラズマディスプレイの製造方法において、第一の電極層の有機バインダーのガラスフリットへの付着を均一にして、有機バインダーの燃焼速度差を少なくする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal gate CMOS device capable of easily and efficiently controlling WF and a threshold voltage of each transistor type metallic gate electrode, and independent of the geometry and/or dimensions of the transistor or of the gate dielectric used.例文帳に追加

各々のトランジスタータイプの金属ゲート電極のＷＦと閾値電圧とを簡単かつ能率的にコントロールでき、使用されるトランジスタ又はゲート絶縁体のジオメトリ及び／または大きさから独立した、金属ゲートＣＭＯＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of a display panel member capable of reducing mixing between a dielectric formation material layer and a barrier rib formation material layer, and simplifying a process, and a transfer film capable of forming a member excelling in an aspect ratio and a pattern shape.例文帳に追加

誘電体形成材料層と隔壁形成材料層との間のミキシングを低減させ、かつ、工程を簡略化することができるディスプレイパネル部材の形成方法、並びにアスペクト比及びパターン形状に優れた部材を形成可能な転写フィルムの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory device forming a large-capacity capacitor, by forming an upper part electrode over the entire surface of a dielectric layer in a groove, without reducing the grain size of an HSG-Si layer nor closing the opening part of the groove that forms a cylinder-type capacitor with HSG-Si.例文帳に追加

HSG−Si層のグレインサイズを縮小せず、シリンダ型のキャパシタを形成する溝の開口部をHSG-Siで閉塞させず、溝内の誘電体層の全面に上部電極を形成し、大容量キャパシタを形成する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low k insulating film which has high film strength and prevents increase of a dielectric constant caused by moisture absorption, to provide a multilayered wiring device which prevents delay of device response speed and deterioration of a reliability of the device, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

膜強度が高く、吸湿による誘電率上昇を防止できる低誘電率絶縁膜、寄生容量増大によるデバイス応答速度の遅延および信頼性の低下を防止できる多層配線装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of preparing a benzoxazole compound comprises carrying out a ring closure reaction of the reaction substrate of a benzoxazole compound by heating the same up to a temperature of 120 to 170°C in the presence of a copper catalyst in an ambience containing a solvent of a relative dielectric constant of 1 to 15 and oxygen.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール化合物の製造方法は、ベンゾオキサゾール化合物の反応基質を、比誘電率が１〜１５である溶媒及び酸素を含有する雰囲気中にて、銅触媒の存在下に１２０〜１７０℃に加熱して閉環反応を行うものである。 - 特許庁

This method comprises both a sensor platform based on at least two planar, independent, and inorganic dielectric waveguide regions on a common substrate and a means for exciting in parallel and dissipatively, and detecting luminescence of the same or different analytes.例文帳に追加

共通の基板上にある少なくとも２つの平面状、独立、無機質の誘電体導波領域を基礎としたセンサプラットホームと、同一または異なる分析対象物質のルミネセンスの並列的、消散的な励起および検出するための手段を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process of mixing a soft magnetic powder with an insulative resin having thermal resistance against an organic solvent and heating the powder, and a process of molding under pressure and thermally processing the soft magnetic powder being dielectric-coated with the resin in the former process.例文帳に追加

軟質磁性粉末に有機溶剤の耐熱性を有する絶縁性の樹脂を混合し、かつ過熱する工程と、この工程によって、表面が樹脂によって絶縁被膜された軟質磁性粉末を加圧成形し、熱処理する工程とを備えた構成とした。 - 特許庁

To provide a method of preventing a deterioration in a grinding rate and in-plane uniformity of a ground wafer in slicing a ground material to be used to form a flat surface on a glass, a semiconductor, a dielectric/metallic compound, an integrated circuit or the like.例文帳に追加

本発明は、ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用材料のスライスにおいて、研磨レートと研磨されたウエハの面内均一性の低下を改善する方法を提供せんとするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.例文帳に追加

このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁

A method include: a step (d) of removing the second barrier metal film (Ru film) formed on the first barrier metal on the upper surface of an interlayer dielectric; and a step (e) of depositing a seed copper (Cu) film on the first and second barrier metal film after the step (d).例文帳に追加

層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。 - 特許庁

To provide an electrostrictive polymeric material with superior dielectric strength which can obtain a desired strain amount by application of a low electric field, suppress an increase in remanent polarization, and obtain large force when strain is generated and to attain a method of producing the same, and an electronic component.例文帳に追加

低電界の印加で所望の歪み量を得ることができ、残留分極の増加も抑制でき、かつ歪みが発生した場合に大きな力を得ることができ、絶縁耐力にも優れた電歪高分子材料とその製造方法、及び電子部品を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a device including a ferroelectric layer or a piezoelectric layer having an arbitrary planar shape more precisely at a lower cost in a short tact time, and to provide a device such as a dielectric element or a piezoelectric element thus manufactured.例文帳に追加

任意の平面形状を有する強誘電体層や圧電体層を有するデバイスを、より精度よく、しかも低コスト、短タクトタイムで形成できるようにした製造方法と、これによって得られる、強誘電体素子や圧電体素子等のデバイスを提供する。 - 特許庁

One embodiment provides a method of making the MEMS display device comprising depositing the material (23) over at least a portion of a transparent substrate (20), depositing a dielectric layer (24) over the layer of the material, forming a sacificial layer over the dielectric, depositing an electrically conductive layer (14) on the sacificial layer, and forming a cavity (19) by removing at least a portion of the sacificial layer.例文帳に追加

一実施形態は、この物質（２３）を透明基板（２０）の少なくとも一部の上に堆積させる段階と、この物質の層の上に誘電体層（２４）を堆積させる段階と、この誘電体の上に犠牲層を形成する段階と、この犠牲層の上に導電性層（１４）を堆積させる段階と、犠牲層の少なくとも一部を除去することによってキャビティ（１９）を形成する段階とを備えたＭＥＭＳディスプレイ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加

本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing wiring includes a step of ejecting locally a composition containing a conductive material on a first pattern so as to form a conductor functioning as a pillar, a step of forming a dielectric so as to cover the conductor, a step of etching the dielectric so as to expose a part of the conductor, and a step of forming a second pattern on the exposed conductor.例文帳に追加

本発明の配線の作製方法は、第１のパターン上に導電性材料を含む組成物を局所的に吐出してピラーとして機能する導電体を形成するステップと、前記導電体が覆われるように絶縁体を形成するステップと、前記導電体の一部が露出するように前記絶縁体をエッチングするステップと、露出した前記導電体上に第２のパターンを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a constituent used for forming a porous interlayer dielectric that contains a solvent for dissolving a saccharide or a derivative for the same, an organic or inorganic matrix precursor which is thermally stable, and the saccharide or derivative for the same and/or an organic or inorganic matrix precursor, and to provide a method of manufacturing a porous semiconductor interlayer dielectric having small pores each with a size of 50Å or below using the same.例文帳に追加

糖類またはその誘導体；熱的に安定な有機または無機マトリックス前駆体；および、前記糖類若しくはその誘導体および／または有機若しくは無機マトリックス前駆体を溶解させる溶媒を含有する多孔性層間絶縁膜の形成に用いられる組成物およびこれを用いて気孔の大きさが５０Å以下の水準とごく小さい多孔性半導体層間絶縁膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In this method, a lower layer of a photosensitive conductor paste 24 is a second dielectric layer 20 obtained by exposing and curing the photosensitive dielectric paste 10 in development processing for cleaning out an unexposed portion in the photosensitive paste 24.例文帳に追加

感光性導体ペースト２４のうちの未露光部分を洗い流す現像処理に際して、感光性導体ペースト２４の下層が、感光性誘電体ペースト１０が露光硬化された第２誘電体層２０であるため、残査の発生が大幅に抑制されているので、感光性導体ペースト２４の樹脂成分を１０wt％以下に少なくしても、露光・現像に影響がなく、乾燥密度ρ_D が従来の導体ペーストと同様に５ｇ／ｃｍ^3 以上となり十分に得られる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

To provide a method for preparing a new thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring structure excellent in low dielectric characteristics, and to provide a thermosetting resin obtained by the above method, a thermosetting composition containing the thermosetting resin, a molded body and a cured body obtained from the thermosetting composition, and electronic equipment containing the thermosetting resin or the like.例文帳に追加

本発明は、低誘電特性に優れる、新規な、ジヒドロベンゾキサジン環構造を有する熱硬化性樹脂の製造方法、該製造方法により得られる熱硬化性樹脂、該熱硬化性樹脂を含む熱硬化性組成物、及び該熱硬化性組成物から得られる成形体及び硬化体、並びに該熱硬化性樹脂等を含む電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multilayer circuit board that can surely eliminate smears in a desmear process without decreasing the productivity of the multilayer circuit board, prevent a reduction in adhesive strength between an interlayer dielectric and a wiring, and manufacture a highly reliable multilayer circuit board, and to provide a multilayer circuit board manufactured by the method, a board with semiconductor chips mounted thereon, and a semiconductor package using the board.例文帳に追加

多層回路基板の生産性を低下させることなく、デスミア工程でスミアを確実に除去可能で、層間絶縁層と配線の接着強度の低下を防ぎ、、信頼性の高い多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide an electronic part such as a laminated ceramic capacitor in which even in the case thickness of an internal electrode layer is especially thin-layered, without affecting composition of a dielectric material, superior metallization performance is held, and as a result, an electrode covering rate and reliability are improved, a method of manufacturing the same, and a paste composition used for the method of manufacturing the same.例文帳に追加

特に内部電極層の厚みを薄層化した場合であっても、誘電体材料の組成に影響を与えることなく、良好なメタライズ性を有し、その結果、電極被覆率や信頼性が向上された積層セラミックコンデンサなどの電子部品、その製造方法、その製造方法に用いられるペースト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of chemical-mechanical polishing a semiconductor substrate for substantially reducing the occurrence of scratch and separation at the outer periphery and having an excellent polishing rate of a metal film which is a wiring material even though the film is a low dielectric insulating film with low mechanical strength, and to provide an aqueous dispersing fluid for chemical-mechanical polishing used for the method.例文帳に追加

機械的強度が小さい低誘電絶縁膜であっても、スクラッチの発生や外周部における剥がれを大幅に低減可能であり、かつ配線材料たる金属膜の研磨速度に優れた半導体基板の化学機械研磨方法およびそのために用いられる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single layer consisting of densely packed two-color rotating particles in which first and second portions having different colors and different charging characteristics in a dielectric liquid come into contact with each other at boundaries to form spherical shapes and which contain magnetic materials in at least portions thereof, and to provide a method for manufacturing a rotating particle type display device using the same.例文帳に追加

色および誘電性液体中における帯電特性がともに異なる第１および第２の部分が境界面で接して球状形状を形成し、少なくともその一部分に磁性体を含有する二色回転粒子が密につまった単層の製造方法およびこれを用いた回転粒子型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a manufacturing method and assembling method thereof, capable of preventing the breakage of a semiconductor chip element surface, especially that of a low dielectric constant insulating film arranged directly above a solder material, by minimizing a thermal stress from reflow of the solder material used for connecting a semiconductor chip to a substrate.例文帳に追加

半導体チップと基板との接続に用いられる半田材料のリフローによる熱応力を最小限にし、半導体チップ素子面の破壊、特に半田材料の直上に配置された低誘電率絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置、半導体装置の製造方法及び組立方法を提供する。 - 特許庁

To uniformize of induced voltage caused by the material difference between a glass substrate and a fixture in sputtering, and to provide a method for manufacturing a glass optical element capable of forming a dielectric multilayered film having uniform film thickness and the fixture for manufacturing the glass optical element.例文帳に追加

スパッタ作用時にガラス基材と固定治具の材質の違いに起因した誘起電位の不均一さを解消して、膜厚が均一な誘電体多層膜の形成を可能にするガラス製光学素子の製造方法及びガラス製光学素子の製造用固定治具を提供する。 - 特許庁

To readily obtain a capacitor with a high capacitance and superior characteristics by a manufacturing method, wherein an anode foil and a cathode foil and separaters 7 and 8 which are provided between the anode and cathode foils are wound to compose a capacitor element, and a conductive polymer layer made of polyethylene dioxythiophene is formed on the dielectric layer of the capacitor element.例文帳に追加

陽極箔５と陰極箔６にセパレータ７、８を介在させて捲回したコンデンサ素子の誘電体層上にポリエチレンジオキシチオフェンからなる導電性高分子層を形成したコンデンサの製法において、高容量で特性の優れたコンデンサを容易に得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition which is free of lead and can be fired at normal pressure, and more distinguished than ever before in at least one of features characteristic in a piezoelectric ceramic composition, such as the piezoelectric d_31 constant, and a method of producing the same, a piezoelectric element and a dielectric element using the same.例文帳に追加

鉛を含まず、常圧にて焼成が可能であり、圧電ｄ_31定数等の圧電磁器組成物特有の特性のうち少なくとも１つが従来より優れた圧電磁器組成物及びその製造方法、並びに該圧電磁器組成物を利用した圧電素子及び誘電素子を提供すること。 - 特許庁

The Al_xGa_1-xN single crystal 2 (0<x≤1) grown under suitable conditions by preferably a sublimation method has dielectric loss tangent of not more than 5×10^-3 when at least any one high-frequency signal of 1 MHz and 1 GHz is applied under an atmosphere temperature of 25°C.例文帳に追加

好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶２は、２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。 - 特許庁

This method includes steps of: forming a barrier rib material on a lower plate, on which address electrodes and a dielectric are provided; forming a photosensitive black top material on the barrier rib material; and forming barrier ribs and black tops by treating the barrier rib material and the black top material.例文帳に追加

アドレス電極と誘電体が備えられた下板上に、隔壁材料を形成する段階と、前記隔壁材料上に、感光性ブラックトップ材料を形成する段階と、前記隔壁材料及びブラックトップ材料を処理して隔壁及びブラックトップを形成する段階と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron nitride film by which film quality is improved by suppressing an impurity, adhesiveness to a substrate is improved, and further, characteristics of a specific dielectric constant, a metal spread preventing function and mechanical strength are balanced at a high level.例文帳に追加

不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electrostatic motor by which concentrating of an electric field on a side edge of the electrode is prevented or controlled, a threshold voltage causing dielectric breakdown is made higher, and a high output and a long service life are obtained, and to provide the electrode for the electrostatic motor and the electrostatic motor.例文帳に追加

電極のサイドエッジに電界が集中することを防止ないしは抑制し、絶縁破壊の生じる限界電圧を高くすることができ、高出力で長寿命を得ることができる静電モータ用電極の製造方法、静電モータ用電極及び静電モータを提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is developable in an alkaline aqueous solution, having high sensitivity and capable of easily forming a patterned thin film superior in low dielectric property as well as in various characteristics such as insulation performance, flatness, heat and solvent resistances and transparency and to provide a processing method for the composition.例文帳に追加

アルカリ性水溶液で現像でき、高感度であり、絶縁性、平坦性、耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸特性に優れるとともに、低誘電特性の優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感光性樹脂組成物及びその処理方法を提供すること。 - 特許庁

As the front dielectric layer and the separation wall are colored by utilizing a complementary color relation by a subtraction mixing method so as to reduce the outdoor daylight reflection, contrast can be improved by reducing the outdoor daylight reflection brightness without forming a black stripe in a non-discharge region.例文帳に追加

前面誘電体層と隔壁とは、外光反射を低減させるために共に減算混合法による補色関係を利用して着色したので、非放電領域にブラックストリップを形成しなくとも外光反射輝度を低減させてコントラストを向上させうる。 - 特許庁

To prepare an inorganic material membrane having low dielectric constant and a highly precise fine structure, to provide an inorganic material membrane structure and, a method for manufacturing the same, and to prepare a transfer film easily formed, closely stuck to a substrate and having a photosensitive composition having excellent developing property.例文帳に追加

低誘電率であって、しかも高精度で微細な構造を有した無機材料膜、無機材料膜構造物、およびその製造方法並びにその製造が容易で、かつ基板に良好に密着し、また現像性も良好な感光性組成物を有する転写フィルムを提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing the low dielectric constant insulating film composed of the porous silica film includes: the step of coating porous silica film forming raw material on a substrate; and the gas phase processing step of exposing the substrate coated with the porous silica film forming raw material into an organic amine vapor atmosphere to which water is not added.例文帳に追加

基板上に多孔質シリカ膜形成用原料を塗布する工程と、多孔質シリカ膜形成用原料が塗布された基板を水を添加しない有機アミン蒸気雰囲気中に暴露する気相処理工程と、を含む多孔質シリカ膜からなる低誘電率絶縁膜の作製方法。 - 特許庁

To provide a foamable resin composition capable of producing a foam-insulated material having a uniform foaming degree, high foaming degree, small pore diameter and low dielectric constant, a method for producing the same and a foam-insulated electric cable having a mechanical strength enduring bending etc., by using the same.例文帳に追加

発泡度が均一で発泡度が高く、気泡径が小さく低誘電率である、発泡絶縁体を製造可能な発泡樹脂組成物及びその製造方法、並びにこれを用いた屈曲等に耐える機械的強度を有する発泡絶縁電線を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board mounted with an antenna in which thickness itself of the board can be contributed to an antenna characteristic in a Z direction, the antenna characteristic in the Z direction can be improved while whole thickness can be suppressed and the occurrence of dielectric loss can be prevented and to provide a manufacturing method therefor and portable terminal equipment.例文帳に追加

基板の厚み自体もＺ方向のアンテナ特性に寄与させることができ、全体の厚みを抑えつつＺ方向のアンテナ特性を改善し得、且つ誘電損失の発生をも防止し得るアンテナを実装した回路基板及びその製造方法、並びに携帯端末機器を提供する。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which can store information by accumulating charges in a charge accumulation layer consisting of an insulation layer in order to assure dielectric strength between a source and a drain even when the effective channel length is short and also provide a method of manufacturing the same non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、実効的なチャネル長が短くてもソース−ドレイン間の耐圧を確保しうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁