「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which reduces defects in inter-cell insulation film to divide the block insulation film of a cell part without lowering the dielectric constant of the block insulation film of a cell part, thereby restraining electric charge retention characteristics from deteriorating, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

セル部のブロック絶縁膜の誘電率を低下させることなく、セル部のブロック絶縁膜を分断するセル間における絶縁膜中の欠陥を低減し、電荷保持特性の劣化を抑制する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a porous film wherein dielectric characteristic, adhesion, uniformity of coating film, and mechanical strength are superior and moisture absorption is reduced, the porous film and its manufacturing method, and a semiconductor device with high performance and reliability wherein the porous film is incorporated.例文帳に追加

誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、薄膜形成が容易な多孔質膜を形成し得る膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal dripping method is used for the liquid crystal display device, and a nematic liquid crystal composition in which an organic compound whose relative dielectric constant is ≥2.0 and ≤5.0 is mixed is dripped onto a substrate in a liquid crystal dripping step.例文帳に追加

液晶滴下法を用いた液晶表示装置であって、液晶滴下工程において比誘電率が２.０以上５.０以下の有機化合物が混入したネマチック液晶組成物を基板上に滴下することを特徴とする液晶表示装置およびその製造方法。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the dielectric material comprises a first process for heating amorphous fine-particle powder in air at the temperature of ≥230°C and <530°C to obtain an intermediate product; and a second process of heating the intermediate product obtained in the first process under reduced pressure at 700-1,000°C.例文帳に追加

下記の無定形微粒子粉末を空気中２３０℃以上５３０℃未満で加熱して中間生成物を得る第１の工程と、第１の工程で得られた中間生成物を、減圧下７００℃以上１０００℃以下で加熱する第２の工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dielectric thin film thickness evaluation method of a semiconductor element end surface, which measures with sufficient precision the reflection factor of the semiconductor element end surface, and at the same time, based on a measured value, makes it possible to obtain the semiconductor element of which the reflection factor of the semiconductor element end surface is made closer to a design value.例文帳に追加

半導体素子端面の反射率を精度よく測定するとともに、測定値に基づいて該半導体素子端面の反射率をより設計値に近づけた半導体素子を得ることを可能とする半導体素子端面の誘電体薄膜膜厚評価方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, with a photo resist film 25c as a mask; a multilayer insulation film 24c consisting of a stopper insulation film 21c, the low dielectric constant insulation film 22c, and a cap insulation film 23c is dry etched including the stopper insulation film 21c to form a wiring groove 32 in the multilayer insulation film 24c.例文帳に追加

まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nitride film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) suitable for a plastic LCD substrate such that a nitride film of high quality having good stability and excellent dielectric characteristics can be formed on a LCD substrate at a low temperature (less than 225°C).例文帳に追加

良好な安定性および優秀な誘電特性を持つ高品質の窒化膜を低温（２２５℃未満の温度）でＬＣＤ基板上に成膜することができ、プラスチックＬＣＤ基板に適した、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いた窒化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the textile printing method for directly printing toner particles containing a colorant dispersed in a carrier liquid having such a high resistance as a volume resistivity of ≥10^9 Ω cm and a low dielectric constant by an electrophotographic system on printing cloth, a solvent is applied or sprayed on transfer cloth before transfer.例文帳に追加

体積抵抗１０^９Ω・ｃｍ以上高抵抗低誘電率の担体液中に、着色剤を分散させたトナー粒子を電子写真方式により、捺染布に直接捺染する捺染方法において、転写前に転写布に溶媒を塗布又は吹き付けることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device with which a dielectric film of a capacitive element can be made thinner than a gate insulating film of a TFT without increasing manufacturing step, and to provide a thin film semiconductor device, an electrooptical device, and an electronic device having the electrooptical device.例文帳に追加

製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing a nonreducing dielectric material, which includes A consisting of at least either of Mg or Mn, and B consisting of at least either of W and Mo as constituent elements, at least one of B acid salt of A is used as a starting material.例文帳に追加

構成元素にＭｇ及びＭｎの内の少なくとも一種からなるＡと、Ｗ及びＭｏの内の少なくとも一種からなるＢとを含む非還元性誘電体材料の製造方法において、ＡのＢ酸塩の内の少なくとも１種を出発原料として用いる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition developable with an alkaline aqueous solution, having high sensitivity and capable of easily forming a patterned thin film excellent in low dielectric property as well as in various characteristics such as insulating property, flatness, heat and solvent resistances and transparency and a processing method for the composition.例文帳に追加

アルカリ性水溶液で現像でき、高感度であり、絶縁性、平坦性、耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸特性に優れるとともに、低誘電特性の優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感光性樹脂組成物及びその処理方法を提供すること。 - 特許庁

The method is provided with the step I of providing the silicon base material provided with the upper surface, the step II of forming the amorphous region on the upper surface by exposing the upper surface to halogen species, and the step III of forming the dielectric layer on the amorphous region.例文帳に追加

本方法は、Ｉ 上表面を備えたシリコン基材を設けるステップ、ＩＩ 上表面をハロゲン種（ｈａｌｏｇｅｎ ｓｐｅｃｉｅｓ）に被曝させることによって、上表面においてアモルファス領域を形成するステップ、及びＩＩＩ アモルファス領域上に誘電体層を形成するステップを含む。 - 特許庁

The method for depositing a film of low dielectric constant comprises a step for generating plasma in a film deposition chamber and a step for causing reaction of a nitrogen atom with boron and carbon in the film deposition chamber to deposit a boron carbon nitrogen film on a substrate and then irradiating the film with light.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electric physical property value measuring method capable of measuring a conductor layer having a certain degree of optional size in a millimeter wave band, having measuring precision equivalent to that in the prior art, and capable of measuring easily an interface conductivity between the conductor layer and a dielectric substance.例文帳に追加

ミリ波帯において、ミリ波帯において、ある程度任意の大きさの導体層に対して測定でき、また、従来と同等の測定精度を持ち、簡易に導体層と誘電体の界面導電率を測定することができる電気的物性値測定法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the perovskite-type dielectric oxide-reduced phase photocatalyst comprises the steps of: mixing the metal oxide having the perovskite-type structure with a carbon precursor; and firing the obtained mixture in an inert gas atmosphere to impart the oxygen defect to the metal oxide and keep the metal oxide in the reduced state.例文帳に追加

及びペロブスカイト型構造を有する金属酸化物と炭素前駆体を混合し、不活性ガス雰囲気下で焼成して該金属酸化物に酸素欠陥与え還元状態にすることを特徴とするペロブスカイト型誘電体酸化物還元相光触媒の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device adapted to join a dielectric substratum and a resin covering member firmly to make complete sealing of a semiconductor element using the resin covering member to enable a long-term stable operation of the semiconductor element, and also to provide a method of fabricating the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁基体と樹脂製被覆材とを強固に接合させ、樹脂製被覆材による半導体素子の封止を完全なものとして半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a high performance capacitor insulating film excellent in specific dielectric constant, heat resistance, and current leaking characteristics by adsorbing a silicon atom layer, an oxygen atom layer, and a metal atom layer or the like using an atom layer deposition method to form a metal silicate layer and nitriding and oxidizing the silicate layer.例文帳に追加

原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device of a glass substrate for a plasma display panel with high productivity capable of sucking and removing dielectrics deposited in a notch running in parallel with the running direction of a dielectric sheet without stopping the manufacturing device.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の製造装置を停止させることなく、また誘電体シートの走行方向と平行な方向の切り込みの間の誘電体の吸引除去も可能で生産効率の高いプラズマディスプレイパネル用ガラス基板の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board and its manufacturing method capable of fully acquiring the adhesiveness between the via conductor where penetration formation is carried out to the dielectric layer used as a wiring laminating section and the conductive pad of a ceramic sub-core, when forming the wiring laminating section on the core board which accommodates the ceramic sub-core.例文帳に追加

セラミック副コアを収容したコア基板上に配線積層部を形成する際に、配線積層部となる誘電体層及びそれに貫通形成されるビア導体とセラミック副コアの導体パッドとの密着性が十分に得られる配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and a method of manufacturing the same which can improve the adhesion of a material interface to obtain a reliable microcircuit without changing a surface roughness, and obtain a low dielectric constant and a low loss factor by forming a fluororesin layer.例文帳に追加

表面粗度の変化なしに資材界面密着力を向上させることができて高信頼性で微細回路を実現することができるうえ、フッ素系樹脂層の形成により低誘電率と低損失係数を得ることができる、プリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method has a step for injecting and supplying powdery barrier rib material 34b onto a board 31 formed with address electrodes 32 and a dielectric layer 33, a step for melting the barrier rib material 34b with a laser beam, and a step for solidifying the molten barrier rib material 34b to complete a barrier rib 34a.例文帳に追加

アドレス電極32と誘電体層33が形成された基板31上に粉末状の隔壁材料34bを噴射して供給する段階と、前記隔壁材料34bをレーザービームで溶融する段階と、溶融された隔壁材料34bを凝固させて隔壁34aを完成する段階とを含む。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a silicon wafer from a regeneratable wafer with a multilayer film/pattern which is subjected to miscellaneous film deposition such as deposition of a metal film, a non-metal film, a Low-k film, an organic film and another film or a multilayer film aiming at conductivity, insulation, dielectric or resistance.例文帳に追加

導電性、絶縁性、誘電性、抵抗性等を目的としたメタル膜、ノンメタル膜や、Ｌｏｗ−ｋ膜、有機膜、その他の膜や多層膜等の、多種多用な成膜が施されており、これらの再生可能な多層膜・パターン付きウェーハからシリコンウェーハを再生するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation-sensitive composition that forms an interlayer insulating film of low relative dielectric constant and forms a good pattern of a few standing waves even on a ground substrate of high reflexibility of a reflectance of 1.0% or higher, and to provide a curing pattern and a forming method of the pattern.例文帳に追加

比誘電率の低い層間絶縁膜の形成が可能であり、反射率１．０％以上の高反射性の下地基板上においても、定在波の少ない良好なパターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、硬化パターン及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including an MISFET that contains a gate insulating film of high dielectric constant, capable of controlling a threshold voltage to a shallow value with ease, based on the relation between the work function of a metal gate material and that of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of constituting the metal material includes a step of preparing the substrate including a region formed from a first semiconductor material, and a second material containing germanium separated by a pattern formed from a dielectric material, a step of performing deposition (F2) of a metal layer, and a step of performing a first thermal process (F3).例文帳に追加

第１半導体材料から作られた領域と、誘電体材料から作られたパターンによって分離されたゲルマニウムを含む第２半導体材料から作られた領域と、を含む基板を準備し、金属層を堆積し（Ｆ２）、第１熱処理（Ｆ３）を行うことを含む。 - 特許庁

To provide an adamantane derivative excellent in optical characteristics such as long period light resistance, transparency, and refractive index, electric characteristics such as dielectric constant, and mechanical properties such as long period heat resistance, to provide a method for producing the same, to provide a composition containing the derivative, and to provide a cured product using the derivative.例文帳に追加

長期耐光性、透明性、屈折率などの光学特性、誘電率などの電気特性、更には長期耐熱性などの機械物性に優れたアダマンタン誘導体、その製造方法、当該誘導体を含む組成物及び当該誘導体を使用する硬化物を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oscillator that is configured by providing an opening at the backside of a dielectric substrate and trimming an inductor exposed at the opening with a laser beam and has a structure not modulating the frequency even after trimming is applied to the inductor, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

前記誘電体基板の裏面側の開口部を設けて、その開口部に露出しているインダクタをレーザー光でトリミングするように構成した発振器が、インダクタにトリミングを施した後においても、周波数の変調をもたらすことのない構造の発振器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma display panel with high picture quality is obtained by simultaneously sintering an electrode 122 containing silver as a main component, and a dielectric substance 123 covering the electrode 122 which are formed on a substrate by the float method, while preventing a glass from discoloring to yellow caused by the silver.例文帳に追加

フロート法によって製造された基板上に形成された銀を主成分とする電極１２２と電極１２２を被覆する誘電体１２３を同時に焼成することで、銀によるガラスの黄変や変色を防止しかつ、高画質のプラズマディスプレイパネルを得ることが出来る。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device by forming a first gate insulation film of SiO2 and a second gate insulation film of high dielectric constant metal oxide on a single crystal silicon substrate in which the second gate insulation film is etched without damaging the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、ＳｉＯ_2を材料とする第１のゲート絶縁膜と、高誘電率の金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜を形成する半導体装置において、基板にダメージを与えることなく第２のゲート絶縁膜をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer ceramic capacitor, which prevents the oxidation of an electrode layer at baking by applying a Cu external electrode on the multilayer ceramic capacitor where the internal electrode is Ni and the dielectric ceramic is barium titanate, and which does not cause nonconformity in a plating process.例文帳に追加

内部電極がＮｉで誘電体セラミックがチタン酸バリウムである積層セラミックコンデンサにＣｕ外部電極を塗布し、焼き付ける際の電極層の酸化を防止するとともに、めっき工程においても不具合を生じない積層セラミックコンデンサの製造方法を得る。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal wafer which has extremely low defect density throughout the whole surface region of the crystal and particularly from which small pits are eliminated and which has excellent oxide film dielectric strength characteristics, under high-rate production conditions having wide control width and easy controllability, while maintaining high productivity, by using a CZ(Czochraliski) method.例文帳に追加

高速下に制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、結晶の全面の領域において極低欠陥密度で、特に小ピットを排除した、酸化膜耐圧特性に優れたＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを高生産性を維持して製造する。 - 特許庁

To provide a method with which silicon carbide monocrystal which is excellent in dielectric breakdown property, heat resistance and radiation resistance, etc., is suitable for electronic and optical device, etc., is free from the contamination of polycrystal and polymorphism and the defect such as micropipe and is high quality can be efficiently manufactured in the form of large diameter in the state having no breakage, etc.例文帳に追加

絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を割れ等がない状態で大口径に効率よく製造し得る方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a Bi system ferroelectric thin film in which phenomena such as surface roughening and clouding are not caused to the surface of a coating film after a coating step and a ferroelectric thin film having high dielectric strength and uniformity of electrical characteristics in the surface of a substrate can be formed on the substrate.例文帳に追加

塗布工程後の塗布膜表面に、表面荒れや白濁などの現象を起こさず、耐電圧が高く、電気特性が基板面内において均一な強誘電体薄膜を形成するができるＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inorganic barrier rib layer for a large size plasma display panel with no cracking in various patterns in the barrier rib or dielectrics, nor any variation in linear width or thickness of film after calcination, low dielectric constant and provided with the barrier rib with high luminance, highness in height and high aspect ratio; and to provide its method of manufacture.例文帳に追加

焼成後の隔壁や誘電体の各種パターンにひび割れがなく、かつ線幅や膜厚の変化がほとんどない、しかも低誘電率、高輝度かつ高さの高い高アスペクト比の隔壁を有した大サイズのＰＤＰ用無機隔壁層、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of subsequently forming a second insulating film on the first insulating film and the conductive layer, then forming a second opening in the second insulating film, exposing a part of the lower barrier layer, then forming a first electrode in the second opening, and forming a dielectric layer on the second film and a first opening.例文帳に追加

続いて、第１絶縁膜及び導電層上に第２絶縁膜を形成したら、第２絶縁膜内に第２開口を形成して下方のバリア層の一部を露出させ、次に、第２開口内に第１電極を形成し、第２絶縁膜及び第１開口上に誘電層を形成する。 - 特許庁

To provide an anti-fuse improving operation reliability by causing stable breakdown in a gate dielectric layer of the anti-fuse comprised of a metal-oxide semiconductor (MOS) transistor to improve a data sensing margin during a reading operation, and to provide a fabrication method therefor and a unit cell of a nonvolatile memory device with the same.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタから成るアンチヒューズのゲート絶縁膜を安定的に破壊させて、読み取り動作時のデータセンスマージンを改善させ、動作の信頼性を向上させることができるアンチヒューズおよびその形成方法、そしてこれを備えた不揮発性メモリ素子の単位セルを提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film material with excellent characteristics such as electric characteristics, thermal characteristics, and mechanical characteristics, for providing a low dielectric constant, whereby the insulating film whose porous size is finner than that of a conventional technology can be formed, and to provide a manufacturing method thereof and the insulating film obtained by the insulating film material.例文帳に追加

電気特性、熱特性、機械特性などに優れ、かつ低誘電率化を可能とするとともに、孔のサイズが、従来技術より、微細である絶縁膜を形成できる絶縁膜用材料とその製造方法並びにそれら絶縁膜用材料により得られる絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for removing a conductor by using a charged particle beam that can remove a conductor layer without generating dishing or the like, and can be applied also to a low-dielectric material as an insulation film material since no high pressure is applied to the insulation film on the lower of the conductor layer.例文帳に追加

ディッシングなどが生じることなく導電体層を除去することができ、導電体層下層の絶縁膜に高い圧力を印加しないので絶縁膜材料として低誘電率材料も適用可能な荷電粒子による導電体の除去方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer having a fluorine-containing alicyclic structure combinedly having low dielectric constant, low absorption property, high heat resistance, resistance to pyrolysis, chemical resistance and colorless and transparent optical properties and to provide a method for producing the polymer and to provide a composition and a molded product each containing the polymer.例文帳に追加

低誘電率、低吸水性、高耐熱性、耐熱分解性、耐薬品性、および無色透明性な光学特性を兼ね備えたフッ素含有脂環式構造重合体およびその製造方法、並びに該重合体を含有してなる組成物および成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁