「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the carbon nanotube comprises heating the substrate by means of heating which is noncontact with the substrate, such as high-frequency induction heating, high-frequency dielectric heating and laser heating in a reactor containing the substrate having a catalyst supported on its surface or a catalyst and a liquid organic compound.例文帳に追加

触媒を表面に有する基体または触媒と液状有機化合物を含む反応器において、高周波誘導加熱、高周波誘電加熱、レーザ加熱といった基体に非接触な加熱手段で基体を加熱させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

To provide an exhaust gas cleaning apparatus and an exhaust gas cleaning method capable of heating a nitrogen oxide decomposition catalyst by indirect heating apparatuses such as for an induction heating or a dielectric heating at a high energy efficiency at the time of regeneration of the catalyst and restoring the activity which the catalyst has lost.例文帳に追加

窒素酸化物分解触媒の再生に際して、誘導加熱若しくは誘電加熱等の間接型加熱装置によりエネルギー効率よく触媒を加熱でき、触媒の失われた活性を回復することができる排ガス浄化装置及び排ガス浄化方法を提供する。 - 特許庁

To provide an internal electrode material and a method for manufacturing the same capable of thinning an interlayer clearance while not having defects such as delamination, cracks or the like, even platinum or palladium is used for the internal electrode material, when manufacturing a laminated dielectric element.例文帳に追加

積層型誘電体素子を製造するに際して白金又はパラジウムを内部電極材料として用いても、その積層間隔を薄層化することが可能で、かつ、デラミネーションやクラック等の不具合が発生することがない内部電極材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor using a high dielectric film having easy control of capacitor characteristic and excellent characteristic capable of reducing leak current and to provide the manufacturing method of the semiconductor device having voltage resistance and reducing the existence of a deteriorating reaction layer.例文帳に追加

リーク電流の低減ができるなどキャパシタ特性の制御が容易で良好な特性を有する高誘電率誘電体膜用いたキャパシタを有する半導体装置及び耐圧が大きく劣化する反応層の存在を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for simultaneously preparing the trench capacitor 47 and the contact structure 45 includes a step for forming two trench openings 51, 53, a step for forming a dielectric liner on one of the trench openings 51, 53, and a step for filling the trench openings respectively with a semiconductor substance.例文帳に追加

トレンチキャパシタ４７と接触構造４５を同時に作成する方法は、２つのトレンチ開口５１，５３を形成するステップ、トレンチ開口５１，５３の一方に誘電体ライナーを形成するステップ、および、トレンチ開口のそれぞれに半導体物質を充填するステップを含む。 - 特許庁

The method also includes steps of: flowing a silicon-containing precursor into the processing chamber housing the substrate; flowing an oxidizing gas into the chamber; and causing a reaction between the silicon-precursor, the oxidizing gas and the water vapor to form the dielectric material in the trench.例文帳に追加

また、この方法は、シリコン含有前駆物質を、基板を収容する処理チャンバ内に流すステップと、酸化ガスを前記チャンバ内に流すステップと、シリコン含有前駆物質、酸化ガス及び水蒸気の間の反応を起こし、トレンチ内に誘電体材料を形成させるステップと、を含む。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection device and method, which detects conductive foreign matters in a molded article made of resin or dielectric, and also accurately detects the existence of metal foreign matters made of light metal such as aluminum.例文帳に追加

樹脂または誘電体からなる成型品中の導電性異物を検出する非破壊検査装置および非破壊検査方法であって、アルミニウムなどの軽金属からなる金属異物の有無を正確に検知することが可能な非破壊検査装置および非破壊検査方法を提供する。 - 特許庁

The method for adjusting a work function of a silicide gate electrode includes steps of providing at least one semiconductor material containing lanthanide, Si, and G or SiGe and a layer including metal on a gate dielectric substance and converting the layer into a silicide gate electrode.例文帳に追加

本発明のシリサイド化されたゲート電極の仕事関数の調節方法は、少なくとも１つのランタニドと、Ｓｉ、Ｇ、またはＳｉＧｅを含む半導体材料と、金属を含む層をゲート誘電体上に設けるステップと、前記層をシリサイド化されたゲート電極に変換するステップとを含む。 - 特許庁

When a metal interconnection is formed by using a damascine method in a layer insulating film comprising a low dielectric film, determination of a semiconductor substrate is carried out based on waiting time among processes and humidity of storage environment, and fraction defective is managed by promoting only a semiconductor substrate determined as non-defective to a next process.例文帳に追加

低誘電率膜を含む層間絶縁膜にダマシン法を用いてメタル配線を形成する際、工程間の待ち時間および保管環境の湿度に基づいて半導体基板の判定を行い、良と判定された半導体基板のみを次工程に進めることで不良率を管理する。 - 特許庁

To provide a capacitor device capable of obtaining excellent high-frequency characteristics due to the reduction of the inductance and obtaining excellent insulating property, even when a current is supplied in either one of two directions in the capacitor device employing a dielectric film formed through anodic oxidation method.例文帳に追加

陽極酸化法で形成された誘電体膜を使用するキャパシタ装置において、インダクタンスが低減されて良好な高周波特性が得られると共に、双方向のいずれから電流を供給しても良好な絶縁性が得られるキャパシタ装置を提供する。 - 特許庁

To prevent breakdown of symmetry of a horizontal far-field image of a laser even if a center of an opening does not match with that of a ridge when the opening is formed in a dielectric on an upper surface of the ridge in a method of manufacturing the ridge stripe type gallium nitride semiconductor laser.例文帳に追加

リッジストライプ型窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法で、リッジ上面において誘電体に開口部を設ける際に、開口部のセンターをリッジのセンターが一致していなくとも、レーザの水平遠視野像の対称性が崩れることがないようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of PDP members in which component members of a PDP superior in pattern shape (for example, barrier rib, electrode, resistor, dielectric layer, phosphor, color filter, black matrix) or component members of a PDP having complicated shape can be formed suitably.例文帳に追加

パターン形状に優れたＰＤＰの構成部材（たとえば、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス）や、あるいは複雑な形状を有するＰＤＰの構成部材を好適に形成することができるＰＤＰ部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base material on which patterns are formed which can reduce surface reflection without forming any dielectric film and prevent a pickup function from decreasing and its metal mold, an optical pickup device, an electron beam lithography, a base material drawn thereon by the method, and an electron beam lithographic device.例文帳に追加

本発明は、誘電体膜を形成することなく表面反射の低減を図ることができ、ピックアップ機能の低下を防止することのできる被描画基材、その金型、光ピックアップ装置、電子ビーム描画方法、その方法にて描画された基材、及び電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a dielectric thin film of material containing porous silica being made on a semiconductor substrate capable of preventing or reducing the formation of a microtrench at etching on condition that it keeps high etching speed and seiectivity, and besides capable of controlling the taper angle accurately.例文帳に追加

高いエッチング速度及び選択性を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できしかもテーパー角を精度良くコントロールすることができる半導体基板上に形成されるポーラスシリカを含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加

第２実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming etching stop films 102 and 104 made of materials having a low dielectric constant at the upper part of a semiconductor substrate 101 in which a predetermined structure is formed, and a step of forming interlayer dielectrics 103 and 105.例文帳に追加

及び、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier.例文帳に追加

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a semiconductor device which is improves in adhesion or the strength near an interface between a layer insulating film formed using a low dielectric constant film and other insulating film provided by being directly or indirectly laminated thereon.例文帳に追加

低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for this multilayered ceramic substrate bakes a resistor 14 and a capacitor 18 with a ceramic core substrate 11 at a same time, or adjusts a resistance value/a capacitance value thereof by trimming after printing to bake the resistor 14 and the dielectric 15 and electrodes 16 of the capacitor 18 to a baked ceramic core substrate 11 by post-attaching.例文帳に追加

抵抗体１４やコンデンサ１８をセラミックコア基板１１と同時焼成するか又は焼成済みのセラミックコア基板１１に後付けで抵抗体１４やコンデンサ１８の誘電体１５・電極１６を印刷して焼成した後、その抵抗値・容量値をトリミングにより調整する。 - 特許庁

To provide a water-resistant insulating film for a semiconductor device with the characteristics of a low dielectric constant, a low leakage current and high mechanical strength, in which change with time of the characteristics is little, to provide a manufacturing apparatus of the insulating film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device using the insulating film for the semiconductor device.例文帳に追加

低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition which does not so much deteriorate excellent specific dielectric constant ε_r, electromechanical coupling coefficient K_p and limited vibration speed V_max, has less characteristics change with temperature and also is capable of burning at a low temperature in a PZT-PMS-based material, and to provide a method for production of piezoelectric ceramics.例文帳に追加

ＰＺＴ−ＰＭＳ系材料において、優れた比誘電率ε_r、電気機械結合係数Ｋ_p、限界振動速度Ｖ_maxをあまり劣化させることなく、しかも特性の温度変化が少なく、低温焼成が可能な圧電磁器組成物及び圧電磁器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitor to be built into a circuit board having a large electrode area even when the size is small is manufactured by using a dielectric material sheet having the lands therein, providing a hole having the bottom boring toward the land from both sides of the sheet with the laser boring method, and then forming a part of the capacitor electrode by filling the hole with a conductive material.例文帳に追加

内部にランドを有する誘電体シートを用い、その両側からランドに向かってレーザー穿孔により非貫通孔を設け、これを導電性物質で充填してコンデンサ電極の一部とすることにより、小型でも電極面積の大きい基板内蔵型コンデンサを製造する。 - 特許庁

To provide a negative-type radiation-sensitive composition that has a high resolution, has a wide depth of focus (DOF), provides a proper pattern shape, and forms a curing pattern of a low-relative dielectric constant, and to provide a curing pattern that uses the pattern and a forming method of the curing pattern.例文帳に追加

高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the light emitting diode includes a step of removing the area provided for forming the antennas 2 by etching the surface electrodes 3 and surface semiconductor layer 4 of the chip 1, and a step of forming the antennas 2 by packing a dielectric substance in the etched-off portions.例文帳に追加

発光ダイオードの製造方法は、発光チップ１の表面電極３と表面半導体層４をエッチングして、誘電体アンテナ２を設ける領域を除去する工程と、エッチングして除去された部分に誘電体を充填して誘電体アンテナ２を設ける工程とからなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the integrated optical element having the three or more optical element portions integrated in a manner of connecting them one after another by using the butt joint technique twice or more, a dielectric mask pattern used for the second butt joint process is shaped such that a tip portion is made thinner.例文帳に追加

２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, including an interlayer insulating layer having a dielectric constant of about 1, which is capable of realizing at least one of formation of a proper shape of lines and the prevention of deterioration in the lines, even after the formation of air gaps.例文帳に追加

比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置において、配線を良好な形状で形成すること、及びエアギャップ形成後においても配線の変質を抑制することの少なくともいずれか一方を実現できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method manufacturing a hydroxyalkyl(meth)acrylate by a reaction of a (meth)acrylic acid and an alkylene oxide in the presence of a catalyst, (1) the reaction of the (meth)acrylic acid and the alkylene oxide or (2) distillation of the hydroxyalkyl(meth) acrylate is carried out in the presence of a liquid having a dielectric constant ≥20 at 25°C.例文帳に追加

触媒の存在下、（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドの反応によりヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造する方法において、（１）（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドの反応、あるいは、（２）ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの蒸留を、２５℃における比誘電率が２０以上の液体の共存下で行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide film which secures a dielectric coefficient of 4 or less, stable film stress even when the film is left in the atmosphere, a small leak current, extremely slow dry etching velocity which is lower than that of the silicon oxide film including carbon, and may be used as an etching stop film of copper wiring.例文帳に追加

誘電率が４以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。 - 特許庁

To provide a spinning assembly enabling a polymeric fiber containing a piezoelectric material (mainly, e.g. piezoelectric or dielectric, inorganic particles, metallic particles, ceramic particles, or the like as a pyroelectric) to be spun steadily and continuously, further more finely than conventional cases, and to provide a melt spinning method using the spinning assembly.例文帳に追加

圧電材（主として圧電体や誘電体、焦電材たる無機粒子、金属粒子及びセラミックス粒子など）を含有した高分子繊維を、定常的且つ連続的、更には従来よりも細径に紡糸できる紡糸装置及びこれを用いた溶融紡糸方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an abrasive composition easily improving film thickness uniformity of, for example, silicon oxide after polishing according to CMP technique which planarizes an interlayer dielectric insulating film, a BPSG film, an insulating film for shallow trench separation; and to provide a method for polishing a substrate using the same.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨後の膜厚均一性向上を容易に行うことができる、研磨剤組成物及びこの研磨剤組成物を用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring the conductivity of the interface between the metal layer and a dielectric board of a sample having the metal layer formed in the board or the surface of the layer by suppressing the warp of the sample in the measurement of the conductivity of the layer.例文帳に追加

金属層界面の導電率測定において、試料の反りの発生を抑制し、同時に誘電体基板の内部に金属層が形成された試料における金属層の誘電体基板との界面や金属層の表面における導電率の測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor which performs electrolytic polymerization by turning on electricity between a positive electrode lead-out wire and a negative electrode plate without making flange-like burrs to be formed, and without causing a large leakage current to occur in a dielectric oxide film formed in a positive electrode body.例文帳に追加

フランジ状のバリを形成させることなく、また、陽極体に形成された誘電体酸化被膜に大きな漏れ電流を発生させることなく、陽極引出線と陰極板の間に通電して電解重合を行う固体電解コンデンサの製造方法に関する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a metal oxide film on a silicon substrate, and forming a silicate film by inducing a solid phase reaction between the metal oxide film and the silicon substrate by heat treatment; and a step of forming a high dielectric constant insulating film on the silicate film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に金属酸化膜を形成し、この金属酸化膜と前記シリコン基板とを熱処理により固相反応させることでシリケート膜を形成する工程と、このシリケート膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board capable of easily obtaining the wiring board having no core board and with a dielectric layer and a conductive layer comprising a polymer material alternately laminated, and capable of realizing a higher density metal-terminal-pad at a connection side of a semiconductor chip; and to provide the wiring board obtained by it.例文帳に追加

コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板が容易に得られ、かつ半導体チップ接続側の金属端子パッドを更に高密度化できる配線基板の製造方法と、それにより得られる配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a fin-type FET and either an electric fuse having a path where a dielectric breakdown easily occurs or a nonvolatile memory can be formed on a bulk silicon substrate without largely increasing the number of processes compared with the case where only a fin-type FET is formed.例文帳に追加

フィン型ＦＥＴのみを製造する工程に比べて大幅に工程数を増やすことなく、フィン型ＦＥＴと絶縁破壊の容易な経路を持つ電気ヒューズあるいは不揮発性メモリとをバルクシリコン基板上に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a stacked capacitor wherein a noble metal such as platinum is worked with ease even if it is adopted as a lower electrode, and the stacked capacitor wherein generation of a chemical reaction between a dielectric film or a sidewall lower electrode and a conductive plug is suppressed.例文帳に追加

白金等の貴金属を下部電極に採用する場合であっても加工が容易なスタックトキャパシタの製造方法、および誘電体膜またはサイドウォール下部電極と導電性プラグとの間での化学反応の発生を抑制することができるスタックトキャパシタを実現する。 - 特許庁

To provide a substrate with a reduced step to eliminate a defect of an upper layer caused by the step of an edge of an insulation layer when the insulation layer such as an dielectric layer on the substrate and various layers are formed thereon; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に誘電体層等の絶縁層を設け、その上に種々の層を形成する際に、絶縁層のエッジの段差に起因して生じる上層の欠陥の解消を図り、段差を少なくした基板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a new, efficient and highly cost-effective method of introducing fluorine into Hf-based dielectric gate stacks of planar or multi-gate devices (MuGFET), resulting in a significant improvement in negative bias temperature instability (NBTI), and positive bias temperature instability (PBTI).例文帳に追加

プレーナ装置またはマルチゲート装置（ＭｕＧＦＥＴ）のＨｆベースの誘電体ゲートスタックに、フッ素を導入し、負バイアス温度安定性および正バイアス温度安定性（ＮＢＴＩおよびＰＢＴＩ）を大幅に改良する、新規で、効果的で、費用対効果の高い方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable capacitor without deterioration in characteristics for a long time in high-temperature high-humidity atmosphere, when a dielectric layer made of polymer film is formed on a surface of valve acting metal in an electrodeposition method and a conductive layer is formed thereon.例文帳に追加

弁金属表面上に電着法により高分子膜の誘電体層を形成し、その表面上に導電体層を形成させたコンデンサにおいて、高温・高湿の雰囲気中に長時間さらしてもコンデンサの特性が劣化しない、信頼性の優れたコンデンサを得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing and recycling method of a ceramic semiconductor manufacture part for improving corrosion and polymer vapor deposition, which occur in the existent ceramic semiconductor manufacture part, through the reforming of the dielectric surface of a part having insulation characteristics, and recycling the part, after its use.例文帳に追加

絶縁特性を有する部品の誘電体表面の改質を通じて既存のセラミック半導体製造用部品で発生する侵食及びポリマー蒸着を改善して使用後にリサイクル可能にしたセラミック半導体製造用部品の製造及びリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the forming method of the back-face substrate of the plasma display panel is that adhering the above heat-resistant fibers and the glass substrate forms the partition walls, after arranging a large number of heat-resistant fibers, which has an approximately polygon-like cross-section, in parallel on this glass substrate surface, before the electrodes and the dielectric layers 16 are formed.例文帳に追加

また、プラズマデイスプレイパネルの背面基板の成形方法が、電極と誘電体層が形成される前に、断面形状が略多角形の耐熱繊維を多数ガラス基板表面上に平行に配設した後、前記耐熱繊維とガラス基板とを接着して隔壁を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming, between a silicon germanium layer and a layer connected to the silicon germanium layer, such as a CMOS metal layer or other silicon germanium layer, a low resistance contact passing through an opening in a dielectric layer stack for separating these two layers in an MEMS device.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。 - 特許庁

The method includes the steps of inserting the thin antenna module 24 into a gap with a dielectric radome 26 located on a metal roof of a vehicle, and connecting at least one antenna element disposed on the high impedance surface to a receiver in the vehicle.例文帳に追加

この方法は、車両の金属ルーフ１２の上に位置される誘電体レドーム２６との間にこの薄いアンテナモジュール２４を挿入するステップと、この高インピーダンス表面上に配置された少なくとも一つのアンテナ素子を車両の受信機に接続するステップと、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a large-area aluminum oxide of an anode for high voltage electrolytic capacitors whereby the capacitance of the electrolytic capacitor can be increased by enabling the manufacture of a dielectric oxide film having a uniform thickness and wide surface characteristics.例文帳に追加

均一な厚さと広い表面的の特性を有する誘電体酸化被膜を製造できるようになって電解蓄電池の静電容量を増大させることができる高電圧電解蓄電池用電極の高面積アルミニウム酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for flat panel display which is further improved in effect of sealing against outside air and further improved in dielectric strength characteristics of a joint part between a substrate and a sealing member and capable of sealing utilizing glass frit in an ambient condition, and to provide the flat panel display and a panel of the flat panel display.例文帳に追加

外気から密閉する効果をさらに向上させ、基板と密封部材との接合部での耐圧特性をさらに向上させ、大気状態でガラスフリットを利用して密封可能にする平板表示装置の製造方法、平板表示装置、及び平板表示装置のパネルを提供する。 - 特許庁