「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polyaminobismaleimide prepolymer which has good solvent solubility and does not require a long time and high temperature for curing and a method for producing the same, and to provide a polyaminobismaleimide resin having higher heat resistance and the same or lower dielectric constant than those of conventional resins.例文帳に追加

溶剤溶解性が良好で、硬化に長時間、高温度を必要としないプレポリマーおよびその製造方法と、従来の樹脂に比べて、耐熱性が高く、且つ、誘電率は同等か又は低いポリアミノビスマレイミド樹脂とを提供することを目的としている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor dielectric layer which is performed in the deep trench of the semiconductor substrate, a washing process is first performed and thereafter a silicon nitride deposition process is performed to form an SiN layer on the side wall and the bottom of the deep trench.例文帳に追加

本発明は、半導体基板のディープトレンチで実施されるキャパシタ誘電層の製作方法に関わり、この製作方法では先ず、プレ洗浄工程が実施され、その後窒化シリコン堆積工程が実施されて、ディープトレンチの側壁と底部にＳｉＮ層が形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the plasma display panel according to the embodiment of the invention includes the steps of: forming the barrier rib by which the discharge space is defined between the upper substrate and the lower substrate; and forming the oxide film of a low dielectric constant on the barrier rib.例文帳に追加

本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上下部基板の間に放電空間を設ける隔壁を形成する段階と、前記隔壁に低誘電率を有する酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This extraction method for the metal-including fullerene is characterized in that the mixture of the objective and empty fullerenes is extracted by using the mixture of a solvent in which the number of donors is ≥25 and another solvent in which that number is <25 and has a dielectric constant of >10.例文帳に追加

金属内包フラーレン及び空フラーレンを含む混合物を、ドナー数が２５以上である溶媒とドナー数が２５未満で、かつ誘電率が１０より大きな溶媒との混合溶媒で抽出することを特徴とする金属内包フラーレンの抽出法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a high dielectric film is usable as a gate insulating film without causing deterioration in element characteristics in the case where MOS (metal oxide semiconductor) structures, each having a different film thickness, material or the like from the others, are mixedly present, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

膜厚、材料等の異なるゲート絶縁膜を有するＭＯＳ構造が混在する場合に、素子特性の劣化を招くことなく高誘電率膜をゲート絶縁膜として用いうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide ceramics having large dielectric loss, excellent strength, toughness, thermal shock resistance and heat resistance and applicable such as a diesel particulate filter (DPF) capable of regenerating particulate matter (PM) by heating with microwave, heating source for sintering, the irradiation with microwave and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

誘電損失が大きく、しかも、強度、靱性、熱衝撃性、耐熱性に優れていて、マイクロ波加熱、焼結の加熱源、マイクロ波の照射によりＰＭを再生できるＤＰＦ等への応用が可能であるセラミックス及びその製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for uniformly and efficiently heating a food packaged in a container by high-frequency dielectric heating while preventing a spark-induced damage of the container to lose the sterilized sealing and provide an apparatus for the heating of the packaged food.例文帳に追加

容器に包装された食品を高周波誘電加熱によって効率よく且つムラなく加熱し、且つスパークに起因して殺菌密封を反故にしてしまう損傷が容器に生じるのを防止することができる包装食品の加熱方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The electrostatic attraction device comprises a base material, an insulation layer made of ceramic provided on the base material by a spraying method, an electrode layer provided on the insulation layer, and a dielectric layer 4 made of the ceramic provided so as to cover the electrode layer for mounting the glass substrate.例文帳に追加

静電吸着装置は、基材と、基材上に溶射法により設けられたセラミック製の絶縁層と、絶縁層上に設けられた電極層と、電極層を被覆するように設けられ、ガラス基板が載置されるセラミック製の誘電体層４とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method has the steps of: selectively forming a glass layer 14 on a ceramic substrate 20 by printing; baking the glass layer; and forming the capacitor comprising a lower electrode 41, a dielectric layer 42 and an upper electrode 43 on the baked glass layer.例文帳に追加

セラミック基板２０上にガラス層１４を印刷により選択的に形成する工程と、ガラス層を焼成する工程と、焼成したガラス層上に下部電極４１、誘電体層４２、及び上部電極４３からなるキャパシタを形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an optical information recording medium by which a semitransmission reflection film formed by dispersing transparent dielectric particles in a metal film having high thermal conductivity and having excellent heat radiation characteristics and high transmittance can be stably film-deposited with high working efficiency.例文帳に追加

高い熱伝導率を有する金属膜中に透明誘電体粒子を分散させた優れた放熱特性と高い透過率を有する半透過反射膜を、安定かつ高い作業効率で成膜可能な光情報記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively.例文帳に追加

本発明のＥＬ素子の製造方法は，任意の固体基板上に，ＩＴＯ薄膜等の第一電極１２，酸化アルミニウム等の絶縁薄膜１３，高誘電体層１４，ＭＧ金属薄膜を順次積層する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a substrate incorporating a semiconductor element for suppressing the influence of a dielectric to a semiconductor element composed, by including a distributed constant circuit and protecting the semiconductor element from a load applied to the semiconductor element, and to provide a method of manufacturing the substrate which incorporates the semiconductor element.例文帳に追加

分布定数回路を含んで構成された半導体素子への誘電体の影響を抑制し、かつ半導体素子に掛かる荷重から半導体素子を保護できる半導体素子内蔵基板及び半導体素子内蔵基板の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a standard sample for a scanning probe microscope and a carrier concentration measurement method, capable of finding the correlations between the carrier concentrations and the local electrical characteristics (including the characteristics of spreading resistance, capacitance and nonlinear dielectric constant) more accurately than conventionally.例文帳に追加

キャリア濃度と局所的電気特性（広がり抵抗、静電容量特性及び非線形誘電率特性を含む）との相関を従来よりも正確に求めることができる走査プローブ顕微鏡用標準試料及びキャリア濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a precursor composition capable of reducing the number of multilayering processes in the case of manufacturing a porous interlayer dielectric, and to provide a porous film obtained by using the precursor composition, a method for manufacturing the porous film, and a semiconductor device using the porous film.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a high dielectric constant film 106, and a fist cap film 107 and a hard mask 108, made of aluminum are formed in order on a semiconductor substrate 101 having a p-type semiconductor region 10A and an n-type semiconductor region 10B.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ｐ型半導体領域１０Ａ及びｎ型半導体領域１０Ｂを有する半導体基板１０１の上に、高誘電率膜１０６、アルミニウムからなる第１のキャップ膜１０７及びハードマスク１０８を順次形成する。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing phenolic compound and fluorine- containing biphenyl ether compound useful as a raw material for a halogen- containing aromatic tetracarboxylic acid dianhydride having excellent heat- resistance, chemical resistance and water repellency and low dielectric constant and provide a method for the production of these compounds.例文帳に追加

耐熱性、耐薬品性、撥水性及び低誘電性に優れる含ハロゲン芳香族テトラカルボン酸二無水物の原料として有用であるフッ素含有フェノール化合物及びフッ素含有ビフェニルエーテル化合物ならびにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method capable of improving the adhesion on an interlayer dielectric of the wiring of a narrow wiring width, preventing the falling and peeling of the wiring and performing manufacture at a low cost.例文帳に追加

本発明の課題は、配線幅の細い配線の層間絶縁膜上での密着性を向上させ、配線の倒れ及び剥がれを防止すると共に、低コストで製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for domain observation of ferroelectric for eliminating use of a laser light, observing domains of the reflective ferroelectric and the transmissive ferroelectric by using an ordinary lamp light and expanding an observable range to general dielectric.例文帳に追加

レーザー光を必要とせず、通常のランプ光で観察が可能であり、また反射型、透過型いずれにおいても強誘電体のドメインの観察が可能であり、観察可能範囲を誘電体全般に広げることができる誘電体のドメイン観察方法を提供する。 - 特許庁

This image forming method developing an electrostatic latent image on a latent image carrier 1 by a liquid developer in which toner 3 is dispersed in a dielectric carrier liquid, has a cleaning means 5 for cleaning the liquid developer staying on the cleaning blade 2.例文帳に追加

誘電性キャリア液中にトナー３を分散した液体現像剤による潜像担持体１上の静電潜像を現像する画像形成方法において、クリーニングブレード２に溜まる液体現像剤を清掃する清掃手段５を有する画像形成方法とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a copper oxide is sufficiently removed from copper wiring and an insulating film for preventing the diffusion of a water content and Cu can be made of a low-dielectric-constant insulating material, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plasma electrode capable of easily manufacturing a plasma electrode having a complicated shape by fragile dielectric material, and capable of suppressing breakage of a member of the manufactured electrode.例文帳に追加

割れやすい誘電体材料によって複雑な形状を有するプラズマ電極を容易に製作することを可能とするとともに、製作された電極において部材の割れを抑制することのできるプラズマ電極の製作方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can prevent a formed film from containing nitrogen while keeping the function of a low-dielectric-constant film and suppress the content of nitrogen to such a degree that it does not affect the bridging reaction of resist.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜の機能を維持しつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a dielectric resonator and filter manufacturing method capable of adjusting many characteristics at one time, adjusting characteristics without damaging the appearance of parts and adjusting characteristics even of parts having no adjustment margin in shape.例文帳に追加

一度に大量の特性の調整が可能であり、部品外観に傷が付くことがなく特性の調整が行え、形状的に調整余裕がない部品でも特性の調整を行うことができる誘電体共振器やフィルタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device and its manufacturing method hardly obstructing high integration even if a dummy capacitor is provided in order to prevent a process of a memory capacitor of a memory cell from being deteriorated, and preventing a smoothing capacitor from undergoing temporal dielectric breakdown of a smoothing capacitor as much as possible.例文帳に追加

メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a composite substrate preventing a light emission abnormal point by processing only a part of a defect caused by foreign matter such as dust or dirt involved by dielectric printing or the like after baking, and having a high yield; and to provide the composite substrate and an EL element.例文帳に追加

誘電体印刷などにより巻込まれた塵、埃等の異物により生じた欠陥を、焼成後にその部分だけ処理することによって、発光異常点を防ぎ、歩留まりのよい複合基板の製造方法、複合基板、およびＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer which can form a film which is usable as, e.g., an interlayer insulation film in a semiconductor element or the like, has a low dielectric constant, is excellent in mechanical strength and adhesiveness, and has a homogeneous quality; and a method for producing the polymer.例文帳に追加

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる、膜の比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ均一な膜質が得られるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, when embedded wiring is formed in an interlayer insulating film using a SiOC based material, a dielectric constant of the interlayer insulating film is suppressed lower while a watermark can be prevented from being formed on the surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metallic member having a high surge resistance film for the main constituting member, which protects other devices from a surge by utilizing a dielectric breakdown phenomenon of the high surge resistance film on the metallic surface, i.e., a counter-surge protecting device.例文帳に追加

本発明は、金属表面の高抵抗被膜の絶縁破壊現象を利用し、サージから他の装置を防御するための装置、即ち対サージ防御装置の主構成部材である高抵抗被膜を有する金属部材を作製する方法に関する。 - 特許庁

To obtain a polymer suitably used for film formation; to provide a production method for the polymer; and to obtain a composition for film formation which contains the polymer and can give a coating film which can be baked in a short time, is excellent in heat resistance, hardness, and crack resistance, and has low dielectric properties.例文帳に追加

膜形成に好適に用いられる重合体及びその製造方法、この重合体を含有し、短時間焼成が可能であり、耐熱性、硬度及びクラック耐性に優れ、低誘電性の塗膜を得ることができる膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an increase in series resistance being suppressed while wiring reliability is secured by avoiding damage to a low-dielectric-constant film surface exposed after a CMP process of a trench constituting copper multi-layered wiring having a damascene structure.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a DPF made of silicon nitride ceramics having an increased dielectric loss by dispersing a prescribed amount of iron silicide (FexSiy) in a matrix phase comprising silicon nitride (Si_3 N_4) ceramics superior in strength, tenacity, thermal shock and heat-resisting properties and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

強度、靱性、熱衝撃性、耐熱性に優れる窒化ケイ素（Ｓｉ_3 Ｎ_4 ）系セラミックスの母相中に鉄ケイ化物（ＦｅｘＳｉｙ）を所定量分散させて、誘電損失を大きくした窒化ケイ素系セラミックス製のＤＰＦ及びその製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a highly reliable, high capacity high insulation multilayer ceramic capacitor, and its manufacturing method, in which a defect, e.g. cracking or delamination, can be prevented from occurring in the multilayer ceramic capacitor even when the number of layers is increased by making the dielectric layers and the inner electrode layers thin.例文帳に追加

誘電体層および内部電極層を薄層化して高積層化した場合にも、積層セラミックコンデンサに発生するクラックやデラミネーション等の欠陥を防止でき、高容量、高絶縁性、高信頼性の積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for simply producing a fluorine-containing alicy clic diamine compound useful in fields of an electronic material e.g. a low dielectric packaging material or a base substrate material for a semiconductor, and an optical material e.g. an optical wave-guide or optical part.例文帳に追加

電子材料として例えば半導体用の低誘電性パッケージ材料や基板材料、あるいは光学材料として例えば光導波路や光部品などの分野に有用な含フッ素脂環式ジアミン化合物を、簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor, which ensures adhesion between a metal thin film and its foundation insulation layer and is superior in capacitor characteristics, wherein a metal thin film is formed and a dielectric is formed by anode oxidation of it, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

金属薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、金属薄膜とその下地絶縁層との密着性を確保し、かつコンデンサ特性の良好な薄膜コンデンサ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Furthermore, the memory cell can be more lessened in operating voltage by a method wherein a pull-up electrode is provided above the gate electrode 8 close to it through the intermediary of a dielectric film, a pull-up gate bias circuit through which a prescribed voltage is applied to the pull-up gate is provided, and the gate electrode 8 is raised up in voltage by capacitive coupling.例文帳に追加

さらに低電圧化するには、例えばゲート電極８上方に誘電膜を介して近接するプルアップ電極と、これに所定電圧を印加するプルアップゲートバイアス回路とを設け、容量結合によりゲート電極８を昇圧するとよい。 - 特許庁

In the method, barium titanate particles having an average particle diameter of 70-150 nm and a relative dielectric constant of 3,500-18,000 can be obtained by setting the heating temperature within the range of 900-1,000°C, especially, in the second process.例文帳に追加

特に、本発明によれば、第２工程において、加熱温度を９００〜１０００℃の範囲の温度とすることによって、平均粒径が７０〜１５０ｎｍの範囲にあり、比誘電率が３５００〜１８０００の範囲にあるチタン酸バリウム粒子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a hafnium silicide target having reduced generation of particles and rich embrittlement resistance, and suitable for forming a HfO_2-SiO_2 film that may be used as a high dielectric gate insulation film having a characteristic alternative to that of a SiO_2 film, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、パーティクルの発生のすくない耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided to generate a capacitative value rule table having the capacitative value data of wiring according to a parameter including an inter-adjacent wiring distance in a multi-layer wiring structure equipped with multi-layer wiring in a plurality of insulating film structures having different dielectric constants.例文帳に追加

異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing PDP by which components of PDP excellent in pattern profile (such as a dielectric layer, barrier ribs, electrodes, a resistive element, a phosphor, color filters and a black matrix) can be suitably formed with excellent workability, and to provide a transfer film.例文帳に追加

作業性に優れ、かつパターン形状に優れたＰＤＰの構成要素（例えば、誘電体層、隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス）を好適に形成することができるＰＤＰの製造方法および転写フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of accurately and efficiently forming a large number of through holes, in producing a slab type two-dimensional photonic crystal structure having a slab composed of a dielectric single crystal and a grid row formed by the through holes.例文帳に追加

誘電体単結晶からなるスラブと、貫通孔によって形成されている格子列とを備えているスラブ型２次元フォトニック結晶構造を製造するのに際して、多数の貫通孔を精度良く高効率で形成できる方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated ceramic electronic component such as a laminated ceramic capacitor which can suppress deterioration, while making it hard for a structure defect such as shape anisotropy to occur and improving electric characteristics even when a dielectric layer is made thinner and more multi-layered.例文帳に追加

誘電体層の薄層化や多層化が進んでも、形状異方性などの構造欠陥を生じにくく、しかも電気特性を向上させつつその劣化を抑制できる積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for improving the delay characteristics of the signal transmission speed and leakage current characteristics of wiring formed in an interlayer insulating film by restoring the characteristics of the interlayer insulating film made of a low dielectric-constant material.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁