「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method which can manufacture an elastic surface acoustic wave device which comprises an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate and a dielectric layer formed to cover the IDT electrode, which has at least one of the distribution line and the pad connected to the IDT electrode formed to be thicker than the electrode finger of the IDT electrode, and which has a flat surface of the dielectric layer.例文帳に追加

圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている誘電体層とを備え、ＩＤＴ電極に接続されている配線及びパッドのうちの少なくとも一方がＩＤＴ電極の電極指よりも厚く形成されている弾性表面波装置であって、誘電体層の表面が平坦な弾性表面波装置を製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the low dielectric constant insulating film includes the steps of: irradiating a film-formed substrate placed in an atmosphere of material gas with a neutral particle beam; dissociating and polymerizing the material gas adsorbed to the surface of the film-formed substrate; and forming the low dielectric constant insulating film, wherein the irradiation of the film-formed substrate with the neutral particle beam is performed intermittently with a period no longer than 1 ms.例文帳に追加

原料ガス雰囲気に置かれた被成膜基板に中性粒子ビームを照射し、前記被成膜基板表面に吸着した原料ガスを解離して重合させ、低誘電率膜を成膜する工程を具備する低誘電率膜の形成方法において、前記被成膜基板への中性粒子ビームの照射を、１ｍ秒未満の周期で間歇的に行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極２６を形成するステップと、前記下部電極上に第１誘電体としてＳＴＯ薄膜２７を形成するステップと、前記ＳＴＯ薄膜上に前記ＳＴＯ薄膜をシード層にして第２誘電体としてＢＳＴ薄膜２８を形成するステップと、前記ＢＳＴ薄膜上に上部電極２９を形成するステップとを含む。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a dielectric film partially on a substrate, forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of the substrate to sandwich the dielectric film, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface.例文帳に追加

本発明は、基板上に部分的に誘電体膜を形成する工程と、該誘電体膜を挟んで基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体１０の上方に下部電極２０を形成する工程と、下部電極２０の上方に層状部３１１ａを形成する第１工程、および、層状部３１１ａを化学的機械研磨により薄くする第２工程の組を１または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region.例文帳に追加

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 - 特許庁

The method of incorporating the capacitor in a multilayer substrate comprises processes of: executing a roughening processing to at least one of the surfaces of metal foil which is a first conductor; forming a dielectric film by thermal spraying on the roughened surface of the first conductor to which the roughening processing is executed; forming a second conductor on the dielectric film and forming a capacitor part; and incorporating the capacitor in the substrate.例文帳に追加

第１の導体である金属箔の表面を少なくとも片面に粗面化処理する工程と、前記粗面化処理した第１の導体の粗面化面上に溶射により誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、第２の導体を形成してコンデンサ部を形成する工程と、前記コンデンサを基板に内蔵する工程を有することを特徴とする多層基板のコンデンサ内蔵方法である。 - 特許庁

Related to the method for conditioning the capacity of a capacitor constituted by forming a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode over an insulating substrate in this order, the dielectric film comprises an oxide, and a protective film consisting of a material transmitting a laser is further formed on the upper electrode, and the laser is irradiated from upper side of the protective film toward the upper electrode, to partially oxidize the upper electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に下部電極、誘電体膜及び上部電極が順に形成されたコンデンサの容量を調節する方法において、誘電体膜が酸化物からなり、上部電極の上に更にレーザを透過する材料からなる保護膜を形成し、その保護膜の上方から上部電極に向かって前記レーザを照射することにより、上部電極を部分的に酸化させることを特徴とする。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a dielectric resonator, an oscillator, filter, high frequency module and method of adjusting a resonant frequency of the dielectric resonator in which a dedicated step for forming a member for resonant frequency adjustment is not required, further, the resonant frequency can be precisely adjusted and also greatly changed in a short time and moreover, the resonant frequency can be adjusted in both directions to be decreased and increased.例文帳に追加

共振周波数調整用部材を形成するための専用の工程を必要とせず、しかも、共振周波数を微調整することができるだけでなく、短時間で大きく変化させることができ、さらに、共振周波数を下げる方向と上げる方向との両方向に調整可能な誘電体共振器，発振器，フィルタ，高周波モジュール及び誘電体共振器の共振周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a semiconductor device without lowering the dielectric breakdown strength of an insulating layer of an oxide film and without lowering long period reliability by preventing oxygen deficiency of the oxide film while forming a conductive layer by a CVD method on the oxide film provided as the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層として設けられた酸化膜厚上にＣＶＤ法で導電層を形成しながらも、酸化膜の酸素欠損を防止して、酸化膜の絶縁層としての絶縁破壊耐圧を低下させず、長期信頼性の低下を招くことがないようにした半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a novel thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring structure excellent in low dielectric properties, a thermosetting resin produced by the manufacturing method, a thermosetting resin composition comprising the thermosetting resin, a molded product formed from the thermosetting resin composition, and electronic equipment containing the thermosetting resin and the like.例文帳に追加

低誘電特性に優れる、新規な、ジヒドロベンゾキサジン環構造を有する熱硬化性樹脂の製造方法、該製造方法により得られる熱硬化性樹脂、該熱硬化性樹脂を含む熱硬化性組成物、及び該熱硬化性組成物から得られる成形体及び硬化体、並びに該熱硬化性樹脂等を含む電子機器の提供。 - 特許庁

Concerning the method for producing the ceramic electronic component having electrode layers 6 and 8 containing base metals and a dielectric layer 4, this producing method for ceramic electronic component has a process for debinding a green chip to become the ceramic electronic component under atmospheric gas containing H2O, and a process for burning the debound green chip.例文帳に追加

卑金属を含む電極層６，８と誘電体層４とを有するセラミック電子部品を製造する方法であって、セラミック電子部品となるグリーンチップを、Ｈ_２ Ｏを含む雰囲気ガス下で脱バインダ処理する工程と、脱バインダ処理されたグリーンチップを焼成処理する工程とを有するセラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a composition for forming a ferroelectric thin film suitable for the application to a thin film capacitor of high capacitance density, which can remarkably improve a relative dielectric constant compared with the case of the conventional ferroelectric thin film by a simple means, a method for forming the ferroelectric thin film, and a ferroelectric thin film formed by the method.例文帳に追加

簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a metallic foil-laminated plate, which dispenses with punching, can offer a connecting structure for conductively connecting wiring layers together in a simple process and can lower the dielectric constant of an insulating layer, the metallic foil-laminated plate which can be obtained by the manufacturing method, and a wiring board using the same.例文帳に追加

穴開け加工の必要がなく、簡易な工程で配線層間を導電接続するための接続構造が得られ、しかも絶縁層の低誘電率化が図れる金属箔積層板の製造方法、及びその製造方法で得られる金属箔積層板、並びにこれを用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of electric property between a storage electrode and a lower electrode connected to the electrode or the like in the process of annealing for crystallization and oxidation treatment of a capacitor dielectric film and its manufacturing method, in a semiconductor device having a DRAM storage element and its manufacturing method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ型の記憶素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ誘電体膜の結晶化アニールや酸化処理の工程における蓄積電極とこれに接続される下部電極等との間の電気特性の劣化を防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

To provide a polymer capable of forming an electrical insulation film with low water-adsorbing tendency and dielectric constant, high etching resistance and chemical liquid resistance and high mechanical strength; to provide a method for producing the polymer; to provide an electrical insulation film-forming composition containing the polymer; to provide a method for producing such electrical insulation film; and to provide silica-based electrical insulation film.例文帳に追加

水吸着性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention film which can effectively suppress the permeation of hydrogen and which is superior in a hydrogen barrier property, to provide a method of manufacturing the diffusion preventive film, to provide a semiconductor memory element which is equipped with a capacitor comprising a stable ferreoelectric characteristic or a high dielectric characteristic and whose yield is satisfactory, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory element.例文帳に追加

水素の透過を効果的に抑制でき、水素バリア性の優れた拡散防止膜およびその製造方法を提供すると共に、安定した強誘電体特性または高誘電体特性を有するキャパシタを備えた歩留まりのよい半導体記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a melt-spinning method of particle material-containing polymeric fiber capable of stably and efficiently spinning a polymeric fiber containing a particle material such as inorganic particles, metal particles or ceramic particles as a piezoelectric material, a dielectric material, a current- collecting material, and a spinning apparatus used for the above spinning method.例文帳に追加

圧電体や誘電体、集電材などとして無機粒子、金属粒子、セラミック粒子などの粒子材を含有した高分子繊維を安定かつ効率的に紡糸することができる粒子材含有高分子繊維の溶融紡糸方法と、このような紡糸方法に用いる紡糸装置を提供する。 - 特許庁

This method for producing a III group metal nitride thin film comprises carrying out chemical vapor deposition of activated nitrogen atom, especially activated nitrogen atom generated by dielectric barrier discharge and one or more kinds of organometallic compounds of III group metals on a substrate heated to 700°C to 1,000 which is a temperature lower than that in conventional MOCVS method.例文帳に追加

化学蒸着反応器内で、活性化窒素原子、特に誘電体障壁放電により発生させた活性化窒素原子およびIII族金属の有機金属化合物１種以上を、従来のＭＯＣＶＤ法におけるよりも低温の７００℃〜１，０００℃に加熱した基板上に化学蒸着させる製造方法である。 - 特許庁

Since the modified low density silicon oxide film is selectively removed by a hydrofluoric acid, etc., the reliability of the wiring is raised by using this method, and a parasitic capacity between the wirings by the low dielectric constant insulating film can be reduced, and the method of manufacturing the semiconductor can be provided in which the rapidity is assured.例文帳に追加

改質された低密度シリコン酸化膜は弗酸等により選択的に除去されるため、この方法を用いることにより、配線の信頼性を高め、かつ、低誘電率絶縁膜による配線間の寄生容量の低減化ができ、高速性を確保した半導体装置の製造方法が提供可能になる。 - 特許庁

To provide a novel dielectric constant-variable composite structure excellent in thermal, physical and chemical impact resistances and capable of directly forming conductor lines, and the like, by an evaporation method, or the like, without being restricted by the shape of a phase-shifting vessel, a structure, an assembling process, and the like, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

熱的、物理的、化学的な衝撃に対する耐性に優れ、蒸着法などによって直接に、導体線路などを形成することが可能で、移相器の形状、構造や組み立てる際の手順などが制限されない新規な誘電率可変複合構造体と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

In the coil structure, a material having low dielectric loss as characteristics is used as a core, a coil formed by a plating method is wound around the core, and a layer effective as seed in plating is provided between the core and the coil.例文帳に追加

低誘電損失を特性として有する材料を芯材とし、前記芯材の周囲にメッキ法により形成されたコイルが巻き回されており、前記芯材と前記コイルとの間に、メッキ時におけるシードとして作用する層を有するコイル構造とする。 - 特許庁

To provide an etching method of a thin dielectric film of material containing organic silicon compound formed on a semiconductor substrate which can prevent or reduce formation of a microtrench, at the time of etching in the state that an etching rate is maintained while a low pressure is kept as it is.例文帳に追加

低圧のまま、エッチング速度を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できる半導体基板上に形成される有機珪素化合物を含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic complex capable of forming films which exhibit sufficiently low dielectric constants, even when non-cross-linked sites in the films are reduced, to provide a film comprising the organic-inorganic complex, and to provide a method for producing a semiconductor device using the film.例文帳に追加

膜中の非架橋部位が低減されて十分に低い誘電率を呈する膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a new thin film transistor for a liquid crystal display device, where an electric discharge is prevented from occurring between isolated conductive patterns to cause a dielectric breakdown to damage a device in a stage in which ions are implanted.例文帳に追加

イオン注入段階での隔離された導電パターンの間で放電が発生し、絶縁破壊が起こって素子機能を遂行することができないことを防ぐ液晶表示装置のための新たな薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a winding annular by using a machine for forming a meandering annular winding coil in which a coil covered with a nonadhesive coating is formed such that dielectric breakdown due to tear does not take place between the coil wires.例文帳に追加

本発明の課題は、蛇行環状巻線コイルの成形機を用いての巻線コイルの成形において、破れによるコイル線同士の絶縁破壊が生じないような、非密着性被膜で被覆されたコイルの成形法を提示することにある。 - 特許庁

To provide a silicide target which is excellent in embrittlement resistance and suitable for depositing a ZrO_2-SiO_2 or HfO_2-SiO_2 film that can be used as a high dielectric gate insulating film having properties to substitute a SiO_2 film; and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２又はＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon oxide film which is superior in characteristics aspects such as dielectric strength and step-coverage, etc., for improved yield of TFT, causes no problem in handling or in cost, and is used for both a gate oxide film and interlayer insulating film.例文帳に追加

絶縁耐圧やステップカバレッジ等の特性面に優れ、ＴＦＴの歩留まりの向上が図れるとともに、取り扱いやコストの面でも問題なく、ゲート酸化膜にも層間絶縁膜にも使用できるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The barrier rib of the PDP is made of a bar-like glass member prepared by a redrawing method, the barrier rib is fixed by a dielectric layer installed on the rear panel glass substrate, and phosphor is formed on the side faces of the barrier rib.例文帳に追加

ＰＤＰの隔壁がリドロー法により作製された棒状のガラス部材からなり、隔壁が背面パネルガラス基板上に設けられた誘電体層により固定され、隔壁の側面に蛍光体が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a practical piezoelectric material which has satisfactory piezoelectric properties in spite of no incorporation of harmful metals such as lead, and with which circuit designing can easily be performed because of its low dielectric constant, and to provide a method for easily producing the material at a low cost in a short period of time.例文帳に追加

鉛などの有害な金属を含まないで、良好な圧電特性を有し、低誘電率であるため回路設計が容易である実用的な圧電体材料及びその低コストかつ短時間で容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide armature winding for a rotating-electric machine which minimizes a drop by reinforcing dielectric strength even if transformation arises remarkably at the coil end of a coil conductor, and a method of taping the coil conductor in the armature winding of the rotating-electric machine.例文帳に追加

コイル導体のコイルエンド部に著しく変形が生じる場合でも絶縁耐力を強化してその低下を小さく抑える回転電機の電機子巻線および回転電機の電機子巻線におけるコイル導体のテーピング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board which is excellent in each of reliability, durability and product stability without lowering flexibility by remarkably raising adherence performance and adherence strength between an interlayer dielectric and a conductor layer.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層との間の密着性能及び接着強度を飛躍的に高め、屈曲性能を低下させることなく、信頼性、耐久性、及び製品安定性のいずれにも優れたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing black toner is prepared by a wet granulation method and has 2.6 to 3.2 dielectric constant ε', ≥1.2 image reflection density (RD) at the deposition amount of 4 g/m^2, and 3 to 7 μm volume average particle size.例文帳に追加

湿式造粒法により調製され、誘電率ε’が２．６〜３．２、付着量４ｇ／ｍ^２のときの画像反射濃度（ＲＤ）が１．２以上、体積平均粒径が３〜７μｍであることを特徴とする静電荷像現像用ブラックトナー。 - 特許庁

In this method, a removing process is added to remove a silver compound such as silver sulfide (Ag_2S) and silver sulfite (Ag_2SO_3) or the like containing sulfur generated on an electrode surface by the reaction with a sulfur compound in the atmosphere before a dielectric film 9 is formed.例文帳に追加

誘電体膜９が形成される前に、大気中の硫黄化合物と反応して電極表面に生成した硫黄を含有する硫化銀（Ａｇ_2Ｓ）や亜硫酸銀（Ａｇ_2ＳＯ_3）などの銀化合物を除去する除去工程を加える。 - 特許庁

This manufacturing method comprises adsorbing an organic pigment derivative having a basic functional group or a triazine derivative having a basic functional group on the surface of an organic pigment, in an organic solvent having a dielectric constant of 15 or more and in the presence of an acid, and then dispersion-treating thereof.例文帳に追加

誘電率が１５以上の有機溶剤中、酸の存在下で塩基性官能基を有する有機色素誘導体または塩基性官能基を有するトリアジン誘導体を有機顔料表面に吸着させ、分散処理する。 - 特許庁

A manufacturing method of the diode begins by depositing an Al_xGa_1-xN nucleation layer on a SiC substrate, then an n+GaN buffer layer, an n-GaN layer, an Al_xGa_1-xN barrier layer, and an SiO_2 dielectric layer are deposited.例文帳に追加

ダイオードを製造する方法は、ＳｉＣ基板上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ核生成層を付着させることによって開始され、次いでｎ＋ＧａＮ緩衝層、ｎ−ＧａＮ層、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ障壁層およびＳｉＯ_2誘電体層を付着させる。 - 特許庁

To provide a polishing solution capable of polishing a wiring metal, a barrier metal, and an insulating film material with a low dielectric constant at a proper polishing selection ratio in a polishing process when embedded wiring is formed, and to provide a semiconductor device manufacturing method using the solution.例文帳に追加

埋め込み配線形成時の研磨工程において、配線金属、バリアメタルおよび該低誘電率の絶縁膜材料を適切な研磨選択比で研磨することの出来る研磨液及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The fabric mainly comprises the polylactic acid fiber, contains ≥0.1wt.% of an electroconductive fiber in the fabric and has ≤3.0kV initial frictional dielectric strength value measured by JIS L-1094 frictional electricity attenuation measurement method.例文帳に追加

主としてポリ乳酸繊維からなる布帛であって、布帛中に導電性繊維を０．１ｗｔ％以上含み、ＪＩＳ Ｌ−１０９４摩擦帯電減衰測定法にて測定した初期摩擦耐電圧値が３．０ｋＶ以下である事を特徴とする布帛。 - 特許庁

The dielectric film for amorphous phase change optical disk is formed on the substrate by a spattering method by using a film forming device equipped with a spattering power source constituted so as to superimpose and impress frequencies of 50-400 KHz to the target.例文帳に追加

該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a maintenance method of an oil-immersed transformer using a mineral oil as an insulation oil in which dielectric strength can be maintained by removing moisture of the insulation oil used in the transformer body thereby suppressing deterioration of the insulators.例文帳に追加

絶縁油として鉱油を使用した油入変圧器の変圧器本体に使用されている絶縁物の水分を除去し、絶縁物の劣化を抑制し絶縁耐力を維持できる油入変圧器の保守方法を提供することである。 - 特許庁