「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem that conventionally in a photoresist forming process, reflection of active rays during exposure of photoresists and poisoning of photoresists with dielectric layers are harmful in forming fine structures, and to provide provide a method of forming fine structures by reducing the variation of the line width of photoresists, etc.例文帳に追加

フォトレジスト加工プロセスにおいて、フォトレジストの露光の間における活性放射線の反射、および誘電体層によるフォトレジストの「ポイズニング」は、微細な構造の形成のために有害である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the generation of a fence between via-holes and a level difference in a via-hole even in the case of using a film of a low dielectric constant for an interlayer insulating film in a dual damascene.例文帳に追加

デュアルダマシンにおいて層間絶縁膜に低誘電率膜を使用した場合であっても、ビア間のフェンス及びビア内の段差の発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic part such as a chip condenser and the like superior in anti-reduction property at burning, capacity-temperature property after burning, having higher dielectric constant and higher quality level.例文帳に追加

焼成時の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量温度特性を有し、しかも誘電率を高くでき、しかも品質レベルが高められたチップコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity/dense alumina ceramic sintered compact having low dielectric loss useful for a semiconductor production apparatus and a liquid crystal producing apparatus, etc., requiring electrical insulating properties in a high high-frequency electric field.例文帳に追加

高周波電界での電気絶縁性を要求される半導体製造装置や液晶製造装置などに用いられる高純度・緻密で低誘電損のアルミナ質セラミックス焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming the diffusion barrier for the copper wiring includes steps for supplying a semiconductor, forming a dielectric layer over the semiconductor, forming a trench in the dielectric layer, forming the diffusion barrier including a TiNSi in the trench using a chemical vapor deposition method (CVD), and forming an (α-Ta) layer having a body-centered cubic structure on the diffusion barriers.例文帳に追加

銅線用拡散バリアを形成する方法であって、 半導体を供給すること、 前記半導体上に誘電体層を形成すること、 前記誘電体層中にトレンチを形成すること、 化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて前記トレンチ中に窒化チタンケイ素を含む拡散バリアを形成すること、及び 前記拡散バリア上に体心立方構造をもつアルファ相タンタル（α‐Ｔａ）層を形成することを含む方法が提供される。 - 特許庁

The method for detecting a specific organism in a sample comprises mixing a biopolymer 4 to be specifically bonded to the organism 3 with a high dielectric substance 5 being a substance having a dielectric constant higher than that of the organism or the biopolymer and the sample or a specifically treated sample to form a complex M composed of the organism 3, the biopolymer 4 and the high dielectric 5 and measuring impedance to detect the organism 3.例文帳に追加

試料中の特定の生体を検出する方法であって、該生体３と特異的に結合する生体高分子４、および前記生体あるいは生体高分子よりも高い誘電率を有する物質である高誘電体５を、前記試料あるいは所定の処理を行った試料に混合して、生体３と生体高分子４および高誘電体５とからなる複合体Ｍを形成し、インピーダンスを測定することによって、前記生体３の検出を行うことを特徴とする生体検出方法。 - 特許庁

To provide an improved process gas distribution method and a device for surely and uniformly distributing dopant seeds through the surface of a substrate, so as to deposit a dielectric layer loaded with impurities of high stability on the substrate, by a method where dopant seeds are injected at a position nearer to the surface of the substrate than usual.例文帳に追加

これまでよりも基板表面に近い位置でドーパント種を注入することにより、確実に基板表面にわたってドーパント種をほぼ均一に分配し、安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させる改良形プロセスガス分配方法および装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a surface emitting laser including a surface relief structure provided on laminated semiconductor layers, includes a step of transferring, to a first dielectric film, a first pattern for defining a mesa structure and a second pattern for defining the surface relief structure in the same method.例文帳に追加

積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備えた面発光レーザであって、第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により転写する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for surface-treating a developer carrier used for developing an electrostatic latent image formed on an electrostatic latent image carrier such as an electrophotographic photoreceptor or an electrostatic recording dielectric, thereby rendering the latent image visible, and to provide a developer carrier and developing device that use the surface treating method.例文帳に追加

電子写真感光体或いは静電記録誘電体の如き静電潜像保持体上に形成された静電潜像を現像して顕像化する際に用いられる現像剤担持体の表面処理方法、その表面処理方法を用いた現像剤担持体及び現像装置。 - 特許庁

To provide an optical recording medium where the higher density and the higher sensitivity can be realized by forming a recording layer and a dielectric layer through the application of colloidal nanoparticles by a spin coating method or a web coating method, in a high-density optical recording medium for performing recording, reproduction and erasure, using a laser beam.例文帳に追加

レーザー光での記録、再生、消去を行なう高密度光記録媒体において、記録層および誘電体層をナノ粒子コロイドをスピンコートまたはウエッブ塗布して形成することによりさらに高密度化と高感度化を可能とする光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film for a semiconductor device which has characteristics of a low dielectric constant, a low leakage current, and high mechanical strength, small temporal variation of the characteristics, and superior water resistance, a method and a device for manufacturing the insulating film for the semiconductor device, and the semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an electrical insulation film capable of forming electrical insulation film with low hygroscopicity and dielectric constant, high etching resistance and chemical liquid resistance and high mechanical strength; to provide a polymer related thereto and a method for producing the polymer; to provide a method for producing such electrical insulation film; and to provide silica-based electrical insulation film.例文帳に追加

吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a photosensitive resin film with which a silica-based coating film usable as an interlayer dielectric is relatively easily formed and which is excellent in process margin and makes a formed silica-based film excellent in resolution and heat resistance, and to provide a method of forming a silica-based coating film using the same.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、プロセスマージンに優れ、形成されるシリカ系被膜が解像性及び耐熱性に優れる感光性樹脂膜の形成方法及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provided a method with which small thermal shrinking and high dimensional accuracy can be obtained at the time of forming fine ruggedness structure on the surface of an optical element by molding and to provide an optical element with dielectric multilayered film which is manufactured using this method and which has high heat resistance and a desired property and durability.例文帳に追加

光学素子表面に微細凹凸構造を成形によって形成する際、熱収縮が小さく寸法精度の高い方法を提供し、これを用いて耐熱性が高く、所望の特性および耐久性を有する誘電体多層膜付き光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous film for a wiring substrate capable of reducing a dielectric dissipation factor as compared with a polyimide porous film obtained by a conventional wet coagulation method and capable of also enhancing mechanical strength, and the porous film for the wiring substrate obtained thereby.例文帳に追加

従来の湿式凝固法により得られるポリイミド多孔質膜より、誘電正接を低減でき、しかも機械的強度も向上させることができる配線基板用多孔質膜の製造方法、及びその製造方法により得られる配線基板用多孔質膜を提供する。 - 特許庁

In the formation method for the dielectric thin film which is formed on a substrate layer 4 after the substrate layer 4 is laminated on an SiO2 layer 2, the SiO2 layer 2 is formed by using a mixed gas of tetraethoxysilane and O2 by a plasma CVD method and by setting a gas pressure at 0.4 Torr or less.例文帳に追加

ＳｉＯ_2層２上に下地層４を積層した後、この下地層４上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、ＳｉＯ_2層２をプラズマＣＶＤ法により、テトラエトキシシランとＯ_2との混合ガスを用い、ガス圧を０．４Ｔｏｒｒ以下にして形成する。 - 特許庁

To provided a method for molding a fine ruggedness structure on the surface of an optical element with a small thermal shrinkage and a high dimensional accuracy, and to provide the optical element with dielectric multilayered film which is manufactured by using this method and has high heat resustance and desired characteristics and durability.例文帳に追加

光学素子表面に微細凹凸構造を成形によって形成する際、熱収縮が小さく寸法精度の高い方法を提供し、これを用いて耐熱性が高く、所望の特性および耐久性を有する誘電体多層膜付き光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing display devices for realizing compatibility between measures against dielectric breakdown of the display device and circuit inspection on a processed substrate without decreasing productivity, when forming the plurality of display devices on the processed substrate by a step and repeat exposure method.例文帳に追加

ステップ・アンド・リピート露光方法により加工基板上に複数の表示装置を形成する際、生産性を低下することなく加工基板上の表示装置の静電破壊防止対策と回路検査との両立を実現する表示装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE INCLUDING INTERCONNECTED CONDUCTIVE WIRING AND VIAS SPACED APART BY COMBINATION OF SOLID AND GASEOUS DIELECTRIC, AND MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE CONTAINING AIR-GAPS (MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE CONTAINING AIR GAPS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME)例文帳に追加

固体及び気体誘電体の組み合わせによって離間された相互接続した導電性配線及びビアを含む多層相互接続構造を形成する方法、及び、空隙を含む複数レベルの相互接続構造（空隙を含む多層相互接続構造及びその製造方法） - 特許庁

To provide a method with small thermal shrinkage, high dimensional accuracy in the case of forming minute uneven structure on the surface of an optical element by forming and to provide the optical element with dielectric multilayer film having high heat resistance, desired characteristics and durability by using the method.例文帳に追加

光学素子表面に微細凹凸構造を成形によって形成する際、熱収縮が小さく寸法精度の高い方法を提供し、これを用いて耐熱性が高く、所望の特性および耐久性を有する誘電体多層膜付き光学素子を提供する。 - 特許庁

This invention relates to a manufacturing method of a display panel, which is formed with a front substrate which is disposed with a first electrode and a dielectric glass layer covering the first electrode and a protective layer covering the dielectric glass layer, and a rear substrate arranged facing the front substrate, which is disposed with a second electrode and a phosphor layer.例文帳に追加

本発明は、第１の電極と当該第１の電極を覆う誘電体ガラス層と当該誘電体ガラス層を覆う保護層を配した表面基板と、第２の電極と蛍光体層とを配した背面基板とが対向してなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層の焼成時に、前記保護層の少なくとも一部を覆い焼成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition containing a polyimide resin and an epoxy resin and capable of obtaining a cured form having excellent heat resistance, a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, advantageous mechanical strength such as tensile strength and tensile elongation, and a small linear expansion coefficient; and a production method of a polyimide resin composition used in this thermosetting resin composition.例文帳に追加

ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物であって、耐熱性に優れ、誘電率と誘電正接が低く、しかも、引張強度、引張伸度等の機械物性の良好で、線膨張係数の小さい硬化物が得られる熱硬化性ポリイミド樹脂組成物、及び、この熱硬化性樹脂組成物に用いるポリイミド樹脂組成物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for a dielectric ceramics whose dielectric loss in a high frequency band is decreased and whose baking temperature is lowered, so that nonprecious metal and carbon are available for an electrode, and to provide a manufacturing method for a ceramic capacitor using the compo sition.例文帳に追加

高周波数帯域における誘電体損失が小さく、しかも、安定した特性を有し、さらに、低温での焼成を実現することで卑金属や炭素系物質を電極材料に用いることができ、その結果、製造コストの大幅な低下、すなわち製品のコストダウンを図ることができる誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor includes the steps of: preparing an anode body (S10); forming a dielectric film on a surface of the anode body (S20); obtaining a capacitive element by forming a solid electrolyte layer comprising a conductive polymer on a surface of the dielectric film (S30); and cleaning the capacitive element using a cleaning solution containing a saccharide (S40).例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、陽極体を準備する工程（Ｓ１０）と、陽極体の表面に誘電体皮膜を形成する工程（Ｓ２０）と、誘電体皮膜の表面に、導電性高分子からなる固体電解質層を形成することによりコンデンサ素子を得る工程（Ｓ３０）と、コンデンサ素子を、糖を含有する洗浄液を用いて洗浄する工程（Ｓ４０）とを備えている。 - 特許庁

To provide a transmission line forming method for forming a transmission line having three elements comprising a central conductor 2 penetrating a front and rear of a semiconductor substrate 1, a dielectric 4 annually surrounding an outer periphery of this conductor, and an annular conductor 3 surrounding an outer periphery of this dielectric in the semiconductor substrate 1, wherein a process time period is short and a mass-production is excellent.例文帳に追加

半導体基板１に、この半導体基板１の表裏を貫通する中心導電体２と、この導電体の外周を環状に取り囲む誘電体４と、さらにこの誘電体の外周を取り囲む環状導電体３との三要素を有する伝送線路を形成する伝送線路形成方法であって、プロセス時間が短く、量産性に優れたものを提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic component 10 comprises steps of: laminating ceramic green sheets 2 containing binder resin, forming through holes 15 and 16 in the laminating direction by irradiating a dielectric block 1 with a laser beam having a wavelength of 400 nm or shorter, the dielectric block 1 having internal electrodes 3 and 4 disposed between the ceramic green sheets 2, and filling the through holes 15 and 16 with conductive paste.例文帳に追加

本発明の電子部品１０の製造方法は、バインダ樹脂を含むセラミックグリーンシート２を積層するとともに、セラミックグリーンシート２間に内部電極３、４を配置した誘電体ブロック１に４００ｎｍ以下の波長のレーザ光を照射することによって積層方向に貫通する貫通孔１５、１６を形成し、且つ貫通孔１５、１６に導電性ペーストを充填してなる。 - 特許庁

A manufacturing method includes a step of forming a dielectric layer 3 on a positive electrode 1, a step of polymerizing a conductive polymeric monomer under the coexistence of oxidant and a silane coupling agent having a basic group and forming a conductive polymer layer 4a on the dielectric layer 3, and a step of forming a negative electrode layer 7 on a conductive polymer layer 4.例文帳に追加

陽極１上に誘電体層３を形成する工程と、塩基性基を有するシランカップリング剤と酸化剤の共存下に、導電性高分子モノマーを重合させて、誘電体層３の上に導電性高分子層４ａを形成する工程と、導電性高分子層４の上に、陰極層７を形成する工程とを備えることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing for the solid electrolytic capacitor 1 includes an anode forming step of forming a dielectric oxide film layer 9 on the surface of a sintered body 8 formed of valve-action metal powder to form a capacitor anode 7, and a cathode layer forming step of forming a cathode layer 10 formed of a conductive polymer on the surface of the dielectric oxide film layer 9.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１の製造工程は、弁作用金属粉末によって形成された焼結体８の表面に、誘電体酸化皮膜層９を形成して、コンデンサ陽極体７を作製するコンデンサ陽極体作製工程と、誘電体酸化皮膜層９の表面に、導電性高分子からなる陰極層１０を形成する陰極層形成工程とを備えている。 - 特許庁

A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.例文帳に追加

インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

The dielectric break down preventive method at irradiation with a charged particles is that for the irradiation of a material of low conductivity with the charged particle, the particle is made as a group of ≥2 particles, as the specific surface phenomena the surface electrified potential is restricted by the irradiation with the particle group, the dielectric break down of the surface of the material under the irradiation is prevented.例文帳に追加

荷電粒子を電気伝導性の低い物質に照射する際に、その粒子を２個以上の粒子からなる粒子団として照射し、粒子団照射による特異的な表面現象により物質の表面帯電電位を抑えることにより被照射物質表面における絶縁破壊を防ぐことからなる荷電粒子照射時の絶縁破壊防止方法。 - 特許庁

On the manufacturing method of the plasma display panel 1 having a dielectric layer 7 covering a plurality of display electrodes 6 composed of scanning electrodes 4 and sustaining electrodes 5, the dielectric layer 7 is formed by baking a precursor material thereof in an atmosphere of including oxygen by 40 vol.% or more.例文帳に追加

走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６を複数形成し、その表示電極６を覆って誘電体層７を形成した前面板２を有するプラズマディスプレイパネル１の製造方法において、誘電体層７は、その前駆体材料を４０ｖｏｌ％以上の酸素雰囲気中にて焼成して形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for fabricating the capacitor of a semiconductor element comprises a step for forming a lower electrode on a substrate where various element constituting a semiconductor element are formed, a step for forming a Ta2O5 dielectric film on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode of TaN film on the Ta2O5 dielectric film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のキャパシタ製造方法は、半導体素子を形成するためのいろいろな要素が形成された基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にＴａ_2Ｏ_5誘電体膜を形成する段階と、前記Ｔａ_2Ｏ_5誘電体膜上にＴａＮ膜からなる上部電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer.例文帳に追加

本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for forming the memory cell array comprises the step of forming a first floating gate region 42 between isolation regions 45 in a semiconductor substrate, the step of selectively forming a second floating gate region 48 only on the first floating gate region 42, the step of forming a dielectric layer 51 on at least the second floating gate region 48, and the step of forming a control gate layer 52 on the dielectric layer 51.例文帳に追加

アレイの形成方法は、半導体基板内のアイソレーション領域45間に、第1浮遊ゲート領域42を形成するステップと、第1浮遊ゲート領域42上のみに、第2浮遊ゲート領域48を選択的に形成するステップと、少なくとも第2浮遊ゲート領域48上に誘電層51を形成するステップと、誘電層51上に制御ゲート層52を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a printed wiring board in which a high accuracy transmission line suitable for a high speed signal and a high frequency circuit can be formed, by making uniform the distribution of resin and fibers of an insulation basic material in order to make uniform the dielectric constant of a dielectric layer, i.e., the compositional material of the printed wiring board, thereby stabilizing the characteristic impedance.例文帳に追加

プリント配線板の構成材料である誘電体層の比誘電率を均一にさせるために絶縁基材の樹脂と繊維の分布を均一にすることで、特性インピーダンスを安定させ高速信号および高周波回路に適する高精度の伝送線路が形成できるというプリント配線板の製造方法を提供するということを目的とするものである。 - 特許庁

In this near-field light detection method and the device thereof, by vibrating an electroconductive probe applied with a voltage wherein a DC and an AC are superimposed, and detecting and conrolling an electrostatic force between electric potential of the probe and electric potential of a dielectric surface, the near-field light generated when irradiating the dielectric surface with an electromagnetic wave is detected.例文帳に追加

本発明による近接場光検出方法およびその装置は、直流と交流の重畳する電圧が印加された導電性探針を振動させ、該探針電位と誘電体表面電位の間の静電気力を検知・制御することにより、誘電体表面に電磁波を照射したときに発生する近接場光を検出することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the plasma display panel has a front face plate including a display electrode formed on a front face substrate, a dielectric layer formed to cover the display electrode, and the protection layer formed to cover the dielectric layer, and the front face plate is put under a moisture-less atmosphere, only in a period when a front face plate temperature is 400°C or less, after forming the protection layer.例文帳に追加

前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後、前面板温度が４００℃以下である期間のみ、水分レス雰囲気下とすることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the low dielectric insulating film comprises a siloxane resin film formation process for forming a siloxane resin film by applying a low dielectric insulating film formation material containing a siloxane resin on a substrate, a surface treatment process for making the surface of the siloxane resin film hydrophilic by means of surface treatment liquid and a baking process for baking the siloxane resin film which is subjected to surface treatment.例文帳に追加

シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成するシロキサン樹脂被膜形成工程と、該シロキサン樹脂被膜の表面を表面処理液で親水性化する表面処理工程と、該表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する焼成工程とを含む低誘電率絶縁膜の製造方法である。 - 特許庁

The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature.例文帳に追加

本発明の面発光レーザの誘電体ＤＢＲミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にＳｉを含む誘電体ＤＢＲを温度１５０℃以上３００℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。 - 特許庁

To provide a dielectric formation glass paste for a plasma display panel capable of providing a baked film hardly leaving a trace of a screen mesh even when dried and baked immediately after forming a coating film by a screen printing method, having a smooth and uniform film thickness, and hardly including remaining foam, and capable of forming a dielectric layer high in transparency and withstand voltage.例文帳に追加

スクリーン印刷法により、塗付膜を形成後、直ちに乾燥、焼成しても、スクリーンメッシュの跡が残り難く平滑で均一な膜厚を有し、しかも、残存する泡が殆どない焼成膜を得ることができ、透明性及び耐電圧の高い誘電体層を形成することが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストを提供することである。 - 特許庁

The method of manufacturing a capacitor comprises a stage wherein a lower electrode is formed on a lower structure of a semiconductor substrate, a stage wherein, after forming an amorphous TaON thin film on the lower electrode, a heat treatment is conducted in an NH3 atmosphere to form a Ta3N5 dielectric film, and a stage wherein an upper electrode is formed on the Ta3N5 dielectric film.例文帳に追加

半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH_3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa_3N_5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta_3N_5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device, when a bit line 31A is formed of a W film, a second interlayer dielectric 20 underlying the W film is formed of a P-TEOS oxide film and then annealing is performed at 700-800°C for 1-30 min in nitrogen atmosphere in order to desorb an oxygen containing gas contained in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、Ｗ膜から成るビット線３１Ａを形成する場合、Ｗ膜の下地となるＰ−ＴＥＯＳ酸化膜から成る第２の層間絶縁膜２０を形成した後に、窒素雰囲気内で、７００〜８００℃で、１〜３０分間アニール処理を施して、第２の層間絶縁膜２０内に含まれている酸素を含むガスを脱離させる。 - 特許庁

A solution containing pro-oxidant is used for impregnating in a manufacturing method of a solid electrolytic capacitor, which includes a step to form dielectric layers 3 in a porous conductive material 20, and immersing the porous conductive material 20 having dielectric layers 3 in the solution, then heating the porous conductive material 20 to form a solid electrolytic layer 4.例文帳に追加

多孔質導体２０に誘電体層３を形成する工程と、誘電体層３を形成した多孔質導体２０を含浸液に浸漬した後に当該多孔質導体２０を加熱して酸化物層として固体電解質層４を形成する工程と、を含む固体電解コンデンサ１の製造方法において、含浸液として、酸化促進剤を含むものを使用する。 - 特許庁