「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for easily obtaining a wiring board, in which a dielectric layer made of a polymer material and a conductive layer are alternately laminated, without having core materials.例文帳に追加

本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The porous interlayer dielectric film 1 is deposited by a plasma CVD method using a mixed material gas containing the cyclic siloxane and an organic compound containing at least one oxygen atom.例文帳に追加

なお、この多孔質層間絶縁膜１は、環状シロキサンと、少なくとも１つの酸素原子を含む有機化合物と、を含む混合原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜している。 - 特許庁

To provide a new ferroelectric electron ray source and an electron ray formation method in which electron ray is formed sufficiently even in the case the dielectric constant of the ferroelectric is small and voltage resistance is high.例文帳に追加

強誘電体の誘電率が小さく、抗電圧が高い場合においても十分に電子線を生成することができる新規な強誘電体電子線源及び電子線生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of purification reducing an amount of Cl which is an impurity in a gallium alkoxide useful as a raw material for forming a dielectric containing gallium oxide or a raw material for synthesizing a compound for photoelectron.例文帳に追加

酸化ガリウムを含む誘電体の形成原料や光電子用化合物の合成原料として、有用なガリウムアルコキシド中の不純物Ｃｌ量を低減する精製方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming a silicone polymer insulation film having a low dielectric constant, a high heat resistance, a high humidity resistance and a high oxygen plasma resistance on a semiconductor substrate 4 is applied to a plasma CVD apparatus.例文帳に追加

半導体基板上に，低い比誘電率，高い耐熱性，耐吸湿性及び高い酸素プラズマ抵抗を有するシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法がプラズマCVD装置に適用される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate structure for a PDP capable of uniformly forming a magnesium oxide crystalline body layer on a dielectric layer covering display electrodes formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に酸化マグネシウム結晶体層を均一に形成することができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small-size capacitor having improved capacity density, increased selectivity of electrode metals and dielectric materials and simplified manufacturing processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

小型でありながら、容量密度の向上と、電極金属及び誘電体材料の選択性の向上，製造プロセスの簡略化を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of opening a carbon-based hardmask layer 18 composed of amorphous carbon containing preferably at least 60% carbon and between 10-40% hydrogen, and lying on a dielectric layer 16.例文帳に追加

好ましくは少なくとも６０％の炭素及び１０から４０％の水素を含むアモルファス炭素で構成され且つ誘電体層１６の上に横たわる炭素系ハードマスク層（１８）を開く方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is easily manufactured and can make its loss little while keeping a high dielectric strength, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element by which the occurrence of poisoned via holes can be suppressed at the time of ashing a resist provided with an interlayer insulating film including a film having a low dielectric constant as a base layer.例文帳に追加

下地層として低誘電率膜を含む層間絶縁膜を設けたレジストをアッシングするとき、ポイズンドビアの発生を抑制する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and an equipment increasing design latitude of radio frequency circuit, that is, furthermore, which optimize a dielectric circuit board material for improving performance in a single port resonant line.例文帳に追加

ＲＦ回路の設計自由度を増加し、より具体的には、シングルポート共振線路における性能を向上する為に誘電体回路基板材料を最適化する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash EEPROM cell wherein growth of an oxide film in a dielectric film is restrained, a number of effective channel structure can be increased and reliability of an element can be improved.例文帳に追加

誘電体膜の酸化膜成長を抑制し、有効チャネル局も増加させることができて、素子の信頼性を向上させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin ceramic plate which is applicable also for the manufacture of a thin ceramic plate having about ≤100 μm thickness, free from the occurrence of crack and used for electronic components such as a dielectric or a piezoelectric body.例文帳に追加

約１００μｍ以下の薄肉セラミック板にも適用可能なクラックの発生のない、誘電体や圧電体等の電子部品に使用される薄肉セラミック板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a low-dielectric constant interlayer insulating film, which is good in moisture absorption-resisting property and heat resistance properties, a semiconductor processing device for forming the interlayer insulating film and a semiconductor device using the processing device.例文帳に追加

耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、それを形成する半導体製造装置、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plasma display panel in which a calcining process in forming an electrode and dielectric layer can be simplified, and moreover, an inspection and rectification of the electrode can be done suitably.例文帳に追加

電極および誘電体層の形成工程における焼成工程を簡略化でき、かつ、電極の検査および修正を好適に実施できるＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recording method utilizing the reaction diffusion, in which a phase change method and/or magneto-optical method as recorded by causing reaction diffusion of a dielectric layer and a recording layer by a laser beam, and to provide a recording medium utilizing this recording method and a recording and reproducing apparatus for recording information on the recording medium and reproducing recorded information.例文帳に追加

レーザービームによって誘電体層と記録層との反応拡散を発生させて相変化方法及び/又は光磁気方法の記録ができる反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生することができる記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the alignment film of the present invention includes a first stage of forming a pattern substrate 30 having a plurality of columnar bodies 31 slanting at a specified angle and a second stage of obtaining the alignment film made of a light-transmissive inorganic dielectric material by transferring shapes of the columnar bodies 31 to a film 41 made of a light-transmissive inorganic dielectric material by using a nanoimprint method.例文帳に追加

本発明の配向膜の製造方法は、所定角度で傾斜してなる複数の柱状物３１を具備した型基板３０を作成する第１工程と、前記柱状物３１の形状を透光性の無機誘電体材料からなる膜４１にナノインプリント法を用いて転写し、当該透光性の無機誘電体材料からなる配向膜を得る第２工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

In the apparatus and the method for depositing the film on the base material by the microwave plasma CVD method by introducing the microwave into the discharge space via the dielectric window, a plurality of thin plate-like members are disposed on the discharge space side of the dielectric window so as to form a space partitioned across the direction of the electric field by the plurality of thin plate-like members.例文帳に追加

誘電体窓を介して放電空間内にマイクロ波を導入し、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置または方法において、前記誘電体窓の前記放電空間側に複数の薄板状部材を有し、該複数の薄板状部材によって電界方向を横切る向きに仕切られた空間が形成されるように構成する。 - 特許庁

The method for measuring adaptive response reaction of the plant body to external stress is to detect adaptive response to the stress loaded to the plant body 2 by irradiating microwaves to the plant body 2, obtain a complex dielectric constant ε of the plant body 2 measured from a signal reflected from the plant body 2 and using frequency characteristics of the complex dielectric constant.例文帳に追加

植物体２に対してマイクロウェーブを照射し、植物体２から反射される信号から測定される植物体２の複素誘電率εを求め、この複素誘電率εの周波数特性から植物体２に加わったストレス適応応答を検出することを特徴とする植物体の外的ストレス適応応答反応の測定方法。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid for cleaning a substrate in a production process of a semiconductor device and affording sufficient cleaning effects even when a low dielectric constant film containing carbon is used as an interlayer dielectric and to provide a method for producing the semiconductor device including a step of cleaning the substrate using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において基板を洗浄する洗浄液であって、層間絶縁膜として炭素を含む低誘電率膜を使用した場合であっても十分な洗浄効果を得ることができる洗浄液、及びこの洗浄液を使用した基板洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a dielectric ceramics whose dielectric loss in a high frequency band is decreased and whose baking temperature is lowered, so that nonprecious metal and carbon are available for an electrode, and to provide a manufacturing method for a ceramic capacitor using the composition.例文帳に追加

高い周波数帯域における誘電体損失が小さく、しかも安定した特性を有し、さらに低温での焼成を実現することで電極材料にＣｕ、Ｗ等の卑金属やカーボンを用いることができ、その結果、製造コストを大幅に低下させることができる誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a diffraction grating structure for coupling light into or out of the high refractive index dielectric film on a substrate, a high refractive index dielectric film and/or a substrate is irradiated with UV laser beams that are subjected to simultaneous, spatially periodic intensity modulation and, moreover, the period of intensity modulation is selected in accordance with a desired grating period.例文帳に追加

基板上の高屈折率の誘電皮膜に光を結合及び解離するための回折格子構造を製造する方法において、高屈折率の誘電皮膜及び／又は基板に、同時空間的に周期的に強度変調した紫外レーザー光を照射し、しかも強度変調の周期を所望の格子周期に対応して選択する。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing the plasma display panel in which a dielectric layer 9 is formed to cover scanning electrodes 5 and sustain electrodes 6 both formed on a front-face substrate 4, and a protective layer 10 is formed on the dielectric layer 9, a process for forming the protective layer 10 is a film-forming process using magnesium oxide containing silicon carbide.例文帳に追加

前面基板４上に形成した走査電極５および維持電極６を覆うように誘電体層９を形成し、その誘電体層９上に保護層１０を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法において、保護層１０を形成する工程が炭化珪素を含む酸化マグネシウムを用いた成膜工程である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device which can prevent the aggravation of solder wettability in the die bond of a semiconductor laser device and can prevent the degradation of properties of the semiconductor device by removing a dielectric film on the electrode of the epitaxial growth surface side after performing dielectric film deposition to the light emission end face of the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザバーの光出射端面への誘電体膜成膜を行った後、エピタキシャル成長面側の電極上の誘電体膜を除去することにより、半導体レーザ素子のダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止し、半導体レーザ素子の特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A production method includes: a step of forming a metallic layer on one main face of a transparent substrate regarding a visible light region; a step of forming a grid-shaped dielectric layer into a linear grid shape at intervals narrower than the wavelength of incident light on a metallic layer; and a step of etching the metallic layer with the dielectric layer as an etching mask.例文帳に追加

可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、誘電体層をエッチングマスクとして金属層をエッチングする工程と、を含む製造方法とする。 - 特許庁

The fabrication method for the packaging substrate includes: mutually stacking two metal layers; encapsulating the two metal layers with dielectric layers; forming built-up structures on both sides of the dielectric layers, respectively; and lastly separating the built-up structures along the interface between the two metal layers so as to form two packaging substrates.例文帳に追加

本発明に係るパッケージ基板の製造方法は、先ず、二つの金属層を相互にラミネートし、誘電体層で二つの金属層を覆い、次に、誘電体層の両側にビルドアップ構造をそれぞれ形成し、最後に二つの金属層の界面に沿って両側のビルドアップ構造を分離させることにより、二つのパッケージ基板を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the plasma display panel comprises a step of forming the first electrode and the second electrode on the substrate, a step of forming a dielectric layer on the first electrode and the second electrode, and a step of forming at least one channel in the dielectric layer between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, a dielectric film is formed on a film formation metal, a polyaniline film is formed on the dielectric film, an aqueous solution of phenol-sulfonic acid novolac resin is brought into contact with the polyaniline film, and the polyaniline is doped with the phenol-sulfonic acid novolac resin.例文帳に追加

また、本発明によれば、皮膜形成金属上に誘電体皮膜を形成した後、この誘電体皮膜上にポリアニリン膜を形成し、次いで、このポリアニリン膜にフェノールスルホン酸ノボラック樹脂の水溶液を接触させて、このフェノールスルホン酸ノボラック樹脂にて上記ポリアニリンをドーピングすることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a transfer film for forming a PDP dielectric layer, forming the dielectric layer, covering an electrode group formed on a glass panel and serving as a capacitor storing electric charge, on a sheet-shaped base member from the transfer film by a sheet transfer method, prevented from a change of softness and adhesiveness or the like with the passage of time during preservation.例文帳に追加

ＰＤＰにおいて、ガラス基板上に形成した電極群を覆い、コンデンサとして電荷をためる誘電体層を、誘電体層形成用転写フィルムからシート転写法によりシート状基材上に形成する場合、その誘電体層形成用転写フィルムの柔軟性・粘着性等について保存中に経時変化が生じないようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition having a relatively low dielectric constant, high thermal stability, high mechanical strength and high glass transition temperature, preferably being applied by spin coating and forming a good interlayer insulation film by using a polymer dielectric material enabling to fill the gaps of a surface becoming flat and also patternized, and a method for forming the film.例文帳に追加

比較的低い誘電率、高い熱安定性、高い機械強度及び高いガラス転移温度を与え、好ましくはスピンコーティングにより適用し、平坦になりかつパターン化された表面の間隙を満たすことを可能にするポリマー誘電体を用い良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物及び膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of forming a conductive film pattern 27A used for a lower electrode, a step of forming a nanotube 28 like whiskers on the surface of the conductive film pattern 27A without using any catalysts, a step of forming a dielectric film 29 on the conductive pattern 27A including the nanotube 28, and a step of forming an upper electrode 30 on the dielectric film 29.例文帳に追加

下部電極に用いられる導電膜パターン２７Ａを形成するステップと、導電膜パターン２７Ａの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ２８を形成するステップと、ナノチューブ２８を含む導電膜パターン２７Ａ上に誘電膜２９を形成するステップと、誘電膜２９上に上部電極３０を形成するステップとを含む。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加

この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method of forming an electronic device such as a MOS transistor and the like includes the steps of forming a plurality of semiconductor islands 31, 35 on a substrate 10, printing a first dielectric layer 60 on or over a first subset 31 of the semiconductor islands, and optionally printing a second dielectric layer 65 on or over a second subset 35 of the semiconductor islands.例文帳に追加

基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a dielectric film 18 on the semiconductor layer 16 so as to expose a part of region of the semiconductor layer 16, depositing an adhesive film 21 so as to cover the dielectric film 18, heat treating the adhesive film 21, and forming an electrode 19 on the semiconductor layer 16 and the adhesive film 21.例文帳に追加

半導体層１６上に、半導体層１６上の一部の領域を露出させるように誘電体膜１８を形成し、誘電体膜１８を被覆するように密着膜２１を積層し、密着膜２１を熱処理した後、半導体層１６上及び密着膜２１上に電極１９を形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In a dielectric filter manufacturing method for coating a conductor film on interior walls of a plurality of through holes composing a resonator, a tubular attachment is arranged on an opening surface of the through hole of a dielectric block, a conductor paste is filled inside of the attachment, the conductor paste is imported into the through hole by sucking it from a surface side opposite to the surface.例文帳に追加

共振器を構成する複数の貫通孔の内壁に導体膜を塗布する誘電体フィルタの製造方法において、誘電体ブロックの貫通孔の開口する表面に筒状の冶具を配置し、その冶具の内側に導体ペーストを充填し、当該表面に対向する表面側から吸引して導体ペーストを貫通孔内に導入する。 - 特許庁

This method of manufacturing a thin-film electronic component is provided with a process of providing a dielectric layer 16 on a base material 10; a process of providing a first conductive layer 31 covering at least one part of the dielectric layer and having a first opening 50; and a process of forming a first through hole 52 piercing the base material and communicating with the first opening.例文帳に追加

本発明に係る薄膜電子部品の製造方法は、基材１０上に誘電体層１６を設ける工程と、誘電体層の少なくとも一部を覆い、第１の開口５０を有する第１の導電層３１を設ける工程と、基材を貫通して第１の開口に連通する第１の貫通孔５２を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To obtain silicon oxide-based porous oxide particles freed of surface hydroxy groups and adsorbed water and having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and a method for removing hydroxy groups and adsorbed water on porous oxide particles by which surface hydroxy groups and adsorbed water can be thoroughly removed.例文帳に追加

酸化ケイ素を主成分とし、表面に存在する水酸基及び吸着水が十分に除去された低誘電率性、低誘電正接性の多孔質酸化物粒子を得るとともに、表面に存在する水酸基及び吸着水を十分に除去することができる多孔質酸化物粒子の水酸基及び吸着水の除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide an excellent solid electrolytic capacitor and its manufacturing method by preventing dielectric breakdown which is caused by the attachment of particles constituting a cathode to defective parts made on a dielectric layer, and thus reducing a current leakage without allowing the particles to permeate into an electrolyte layer.例文帳に追加

陰極体を構成する粒子が電解質層に浸透することを妨げることなく、誘電体層上に生じた欠陥部に前記陰極体を構成する粒子が付着することによって起こる絶縁破壊を未然に防ぐことで漏れ電流の低減を実現し、良好な固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for preparing a semiconductor substrate SUB, and a step for forming a first metal electrode LEL1 having an aluminum layer AC1 on one main surface of the semiconductor substrate SUB, a dielectric layer DEC on the first metal electrode LEL1, and a second metal electrode UEL on the dielectric layer DEC.例文帳に追加

本製造方法は、半導体基板ＳＵＢを準備する工程と、半導体基板ＳＵＢの一方の主表面上に、アルミニウム層ＡＣ１を有する第１の金属電極ＬＥＬ１と、第１の金属電極ＬＥＬ１上の誘電体層ＤＥＣと、誘電体層ＤＥＣ上の第２の金属電極ＵＥＬとを形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the optical recording medium 101 having at least dielectric layers 13 and 15 and a recording layer 14 on a base material 11, the dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are composed of materials which can be formed by a DC sputtering method using a DC power source or a pulse DC power source.例文帳に追加

基材１１上に少なくとも誘電体層１３、１５と記録層１４とを有する光記録媒体１０１であって、誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣ電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により形成できる材料からなる光記録媒体１０１により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for fabricating a capacitor comprises a step for forming a platinum alloy film as a lower electrode 28 on a semiconductor substrate 21, a step for forming a conductive oxide film 29 by oxidizing the platinum alloy film, a step for forming a dielectric thin film 30 on the conductive oxide film, and a step for forming an upper electrode 31 on the dielectric thin film.例文帳に追加

半導体基板２１上に下部電極２８として白金合金膜を形成するステップと、前記白金合金膜を酸化処理して導電性酸化膜２９を形成するステップと、前記導電性酸化物膜上に誘電体薄膜３０を形成するステップと、前記誘電体薄膜に上部電極３１を形成するステップとを含む。 - 特許庁