「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor surface treatment agent along with a manufacturing method of a semiconductor device using the same, capable of selectively and efficiently etching the insulating material of high dielectric ratio which is used in a transistor formation process in manufacturing a semiconductor device, and also capable of easily etching, in a short time, such insulating material of high dielectric ratio as is difficult to be etched.例文帳に追加

半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられる高誘電率絶縁材料を選択的に、かつ効率よくエッチングし、さらにエッチングが困難である高誘電率絶縁材料に対しても短時間で容易にエッチングできる半導体表面処理剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An architecture and method of fabrication for an integrated circuit having a reinforced bond pad 241 comprises at least one portion of the integrated circuit disposed under the bond pad 241; and this at least one circuit portion comprises at least one dielectric layer and a patterned electrically conductive reinforcing structure disposed in this at least one dielectric layer.例文帳に追加

補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises steps of: forming a dielectric layer by depositing an oxide film on the surface of a valve metal substrate; forming an electrolyte layer on the dielectric layer by immersing the valve metal substrate into polymerization liquid containing a monomer and an oxidizing agent; and forming a conductor layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、弁金属基体の表面に酸化皮膜を生じさせて誘電体層を形成する工程、この弁金属基体を、モノマー及び酸化剤を含む重合液中に浸漬して、誘電体層上に電解質層を形成する工程、及び、この電解質層上に導体層を形成する工程を有している。 - 特許庁

To provide a curable resin composition which has both excellent heat resistance and low dielectric constant and a low dissipation factor and furthermore which attains a good solvent dissolvability; a cured product of the same; a printed wiring substrate which has both heat resistance and a low dielectric constant and low dissipation factor; an ester compound to give these performance; and an ester-based resin and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

優れた耐熱性と低誘電率・低誘電正接とを兼備し、さらに良好な溶剤溶解性を実現する硬化性樹脂組成物、その硬化物、耐熱性と低誘電率・低誘電正接とを兼備したプリント配線基板、これらの性能を与えるエステル化合物、エステル系樹脂、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film material whose dielectric constant is low, whose heat resistance is high and which is superior in barrier property against the diffusion of CU on an organic insulating film material, the manufacturing method, the forming method of an organic insulating film, and a semiconductor device where the organic insulating film is installed.例文帳に追加

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Ｃｕの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming high polymer material coat and a method of manufacturing optical connecting component, disposing a refractive index matching body (a high polymer material coat) with good reproducibility only at the end face of an optical transmission medium (a fibrous dielectric), and lowering the cost.例文帳に追加

光伝送媒体（ファイバ状誘電体）の端面にのみ屈折率整合体（高分子材料被膜）を再現性よく設けると共にコストダウンを図ることができる高分子材料被膜の形成方法及び光学接続部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an affected layer on an insulating layer and metal wiring after a wiring metal is removed by CMP method, inhibits a rise of wiring resistance and leakage between wiring, and improves a dielectric break-down resistance.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法による配線金属除去後の絶縁膜および金属配線上の変質層を除去し配線抵抗の上昇、配線間リークを抑制し、絶縁破壊耐性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can realize rapid operation by a simple method by reducing interlayer capacitance in a wiring layer and the inter-wiring capacitance on the same layer by forming a low dielectric interlayer insulation film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a hydrophobic porous membrane having a low dielectric constant, a low refractive index, and high mechanical strength, its manufacturing method, a porous membrane precursor composition for manufacturing this porous membrane, its preparing method, and a semiconductor device utilizing this porous membrane.例文帳に追加

低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a system and a method for depositing a film, by which the brightness property of a dielectric film deposited on the whole surface of a substrate is made uniform when a MgO film is deposited by an ion plating method using a plurality of sheet-like plasma flows while moving the substrate.例文帳に追加

基板を移動させながら複数のシート状プラズマ流を利用するイオンプレーティング法によってＭｇＯ膜を形成するとき、基板の面全体における誘電体膜の輝度特性を均質に作製する成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device and a method therefor capable of suppressing the abnormal growth of polysilicon and a gate leakage current, with respect to the semiconductor device and its manufacturing method comprising a MIS transistor having a gate insulating film including a high dielectric constant film.例文帳に追加

高誘電率膜を含むゲート絶縁膜を有するＭＩＳトランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ポリシリコンの異常成長やゲートリーク電流を抑制しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the chemical vapor deposition method, a dielectric material is formed in a trench formed on a substrate, where the method includes a step of generating water vapor by bringing hydrogen gas and oxygen gas into contact with a water vapor generation catalyst, and providing the water vapor to a processing chamber.例文帳に追加

基板上に形成されたトレンチ内に誘電体材料を形成する化学気相堆積法であって、水素ガス及び酸素ガスを水蒸気生成触媒と接触させることにより水蒸気を生成して、水蒸気を処理チャンバに提供するステップを含む。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the abnormal growth of polysilicon and a gate leakage current, with respect to the semiconductor device and its manufacturing method comprising a MIS transistor having a gate insulating film including a high dielectric constant film.例文帳に追加

高誘電率膜を含むゲート絶縁膜を有するＭＩＳトランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ポリシリコンの異常成長やゲートリーク電流を抑制しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a purification method for obtaining a polyarylene that contains little of metal impurities and can be used for forming an interlayer insulation film excellent in relative dielectric constant characteristics and low leak current characteristics, and to provide a composition for forming a film, a film forming method and an organic film.例文帳に追加

金属不純物の含有量が少なく、かつ、比誘電率特性及び低リーク電流特性に優れた層間絶縁膜の形成に使用することができるポリアリーレンの精製方法、膜形成用組成物、膜の形成方法、ならびに有機膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of cracks and junction failures of an interlayer insulating film at a metal pad lower layer, as the inconvenience causing problems, when a low dielectric interlayer insulating film is employed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を使用したときに問題となる金属パッド下層で発生する層間絶縁膜のクラックや接合不良を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper-clad laminated substrate which has a predetermined thickness and a predetermined precision of thickness obtainable in an easy way without generating a bubble and shows an excellent dielectric property and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

簡易な方法で気泡を生じさせることなく所定の厚さや厚さ精度を得ることができ、基板として優れた誘電特性を得ることができる銅張積層基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

In one embodiment, this method of fabricating an interconnect structure with a bi-layer metal cap includes the steps of: forming an interconnect structure portion in a dielectric material layer; and forming a bi-layer metallic cap on the top surface of an interconnect structure portion.例文帳に追加

１つの実施形態において、本方法は、誘電体材料層内に相互接続構造部を形成するステップ、及び、相互接続構造部の上面に２層金属キャップを形成するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method of calculating a value of a surface charge density unknown easily when values of an in-film charge density, a film thickness and a relative dielectric constant, of an insulating film formed on a principal plane of a semiconductor substrate are known.例文帳に追加

半導体基板の主面上に形成された絶縁膜の膜内電荷密度、膜厚および比誘電率の値が既知である場合に、値が未知である表面電荷密度の値を容易に求める方法の提供。 - 特許庁

To provide an optical multilayer filter prevented from optical distortion by reducing a warpage of a substrate caused by the stress of the dielectric thin films stacked on the transparent substrate, and also to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

透明基板に積層された誘電体の薄膜の応力による基板の反り幅をより低減することにより、光学的歪を防止した光学多層膜フィルタ及び光学多層膜フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer film which has high sensitivity and superior workability and by which a barrier rib of a PDP and a dielectric layer having excellent dimensional accuracy can be preferably formed, and to provide a method for manufacturing the PDP using it.例文帳に追加

高感度で作業性に優れ、寸法精度に優れたＰＤＰの隔壁および誘電体層が好適に形成できる転写フィルムおよびそれを用いたＰＤＰの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gate pattern of semiconductor device which can improve embedding capability of an inter-layer dielectric to be embedded between gate patterns, and improve embedding capability of a landing plug forming material, and to provide a method of forming it.例文帳に追加

ゲートパターン間に埋め込まれる層間絶縁膜の埋め込み性及びランディングプラグ形成物質の埋め込み性を向上させることができる半導体素子のゲートパターン及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a discharging apparatus and a discharging method which generate a discharge in a gas phase between a liquid phase and a dielectric body (a solid phase) to enable cleaning and reforming of the gas phase, the liquid phase or the solid phase.例文帳に追加

簡易な構成で液相と誘電体（固相）との間の気相で放電を発生させて、気相、液相、又は固相の浄化や改質を可能とした放電装置及び放電方法を提供する。 - 特許庁

The metal oxide-based film having a high dielectric constant such as a TiO_2 film or a ZrO_2 film having an amorphous structure is deposited on a silicon substrate using a plasma chemical vapor deposition method, and this film is used as the gate insulation film.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長法を用いてシリコン基板上にアモルファス構造のＴｉＯ_2膜またはＺｒＯ_2膜などの金属酸化物系高誘電体膜を堆積し、これをゲート絶縁膜として用いる。 - 特許庁

To obtain a coating fluid for silica-based film forming useful as a flattening film, an interlayer insulating film or the like used in a production of a semiconductor element and having low dielectric constant and to provide a method for efficiently producing the coating fluid.例文帳に追加

半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な比誘電率の低いシリカ系被膜形成用塗布液及びこのものを効率よく製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide an insulating film material can be satisfactorily used for forming an insulating film having a low dielectric constant, excellent in damage resistances such as an etching resistance, a chemical resistance, or the like, and to provide a multilayer wiring and its efficient manufacturing method.例文帳に追加

低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a chemical-vapor deposition method for fabricating a low-dielectric-constant organic silicate (OSG) having improved mechanical characteristics by adjusting the quantity of an organic radical, for example, a methyl radical etc., in a mixture.例文帳に追加

機械的特性の向上した低誘電率有機ケイ酸塩（ＯＳＧ）を、混合物中の例えばメチル基等の有機基の量を調整することにより製造するための化学気相成長法を開示する。 - 特許庁

To provide a silica resin nano composite material which can realize a low dielectric constant and a low refractive index without needing the introduction of a special structure in the insulated resin, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は、絶縁樹脂において特殊な構造の導入を必要とせず、低誘電率，低屈折率を実現可能なシリカ樹脂ナノコンポジット材料とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a ceramic green sheet capable of suppressing the lowering of a short rate and an insulating withstand voltage even if a dielectric layer is thinned, a laminated ceramic electronic part using the ceramic green sheet, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

誘電体層を薄層化してもショート率・絶縁耐圧の低下を抑制できるセラミックグリーンシートとそれを用いた積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method by which a wiring board that has no core substrate and is formed by alternately laminating dielectric layers composed of a polymer material and conductor layers upon another can be manufactured easily, and to provide a wiring board obtained by the same.例文帳に追加

コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と、それにより得られる配線基板を提供する。 - 特許庁

The residence time of the material gas can be elongated by reducing a sum of flow of the reaction gas using a method for forming a silicon-compound film having continuously-porous structure with low dielectric-constant.例文帳に追加

材料ガスの滞留時間は、低比誘電率を伴う連続多孔質構造を有するシリコン重合体膜を形成するような方法で、反応ガスの総流量を減少させることによって延長される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, wherein dielectric strength and adhesive strength with high reliability are secured where after an electronic component is soldered to a printed board, they are resin-sealed while flux residue is left as is without cleaning.例文帳に追加

プリント基板に電子部品を半田付け実装した後に、フラックス残渣を無洗浄のまま樹脂封止を施して信頼性の高い接着強度，および絶縁耐力が確保できるような製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of joining electrode of solid electrolytic capacitor by which aluminum foil and a palladium-plated anode terminal, both of which are not formed of valve metals, can be ultrasonically joined directly to each other without removing a dielectric coating film on anode foil.例文帳に追加

陽極箔上の誘電体皮膜を除去することなく、また弁金属同志ではないアルミニウム箔とパラジウムメッキされた陽極端子とを直接超音波接合できる電極接合方法を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method, an electrode film 50A, a dielectric film 50b and an electrode film 50C each having a shape the same as that of each slit 46 formed on a pattern sheet 38 are deposited on a substrate 12 by sputtering.例文帳に追加

本発明に係る成膜方法においては、パターン板３８に形成されたスリット４６と同一形状の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び電極膜５０Ｃが、基板１２上にスパッタ成膜される。 - 特許庁

To provide a method for joining a capillary for fiber and optical components composed of a green lens and dielectric multilayered film which is effective in stabilization of optical characteristics and mechanical strength characteristics of the optical parts of an optical multiplexer/demultiplexer or the like.例文帳に追加

光合分波器などの光部品の光学特性および機械的強度特性の安定化に有効な、グリンレンズと誘電体多層膜からなる光部品とファイバ用キャピラリを接合する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子間酸素濃度またはＯＳＦ密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a trench gate MOS element by which a physical damage of a trench gate oxide is prevented to improve characteristics of leakage current and dielectric breakdown of an element.例文帳に追加

本発明は、トレンチゲート酸化膜（trench gate oxide）の物理的な損傷を防止して素子の絶縁破壊及び漏洩電流の特性を向上させることができるトレンチゲートＭＯＳ素子の製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

To provide a composition for an inorganic filler which can easily obtain homogeneous molten glass, has a low dielectric constant and a low linear thermal expansion coefficient, and can be economically efficiently produced, to provide an inorganic filler, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

均質な熔融ガラスを得易く、低誘電率、低線熱膨張係数を有し、経済的に効率よく製造できる無機充填材用組成物と無機充填材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a gate insulating film containing a high-dielectric-constant material and a gate electrode containing high-melting-point metal etc., and achieves reduction in power consumption and high-speed operation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高誘電率材料を含むゲート絶縁膜と、高融点金属等を含むゲート電極とを備え、消費電力の低減と高速動作化とが図られた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.例文帳に追加

比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass substrate with metal electrodes, in which the reliability of a plasma display panel is not deteriorated even though linear silver electrodes are covered with a dielectric layer comprising B_2O_3-containing glass with low-melting.例文帳に追加

Ｂ_2Ｏ_3含有低融点ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプレイパネルの信頼性が低下しない金属電極付きガラス基板の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and related devices for a sensor system, using an electromechanical dielectric (EMD) film having a spread similar to at least a part of the surface of communications equipment.例文帳に追加

本発明によれば、通信装置の表面の少なくとも一部と同一の拡がりを有する電気機械誘電体（ＥＭＤ）膜を用いるセンサシステムのための方法および関連装置が提供することができる。 - 特許庁

To provide a device and a method for film formation by which an abnormal discharging does not occur and a formed film is not destroyed when laminating a metal film and a dielectric film on an insulated substrate at least.例文帳に追加

絶縁性の基板上に少なくとも金属膜および誘電体膜を積層形成する際に、異常放電が発生せずに形成した膜の破壊が発生しない成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁