「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a coating liquid for forming a porous film which can easily form a thin film having an arbitrarily controlled thickness by a method used in a usual semiconductor process and gives a porous film exhibiting excellent dielectric characteristics and mechanical characteristics.例文帳に追加

通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、優れた誘電特性及び機械的特性有する多孔質膜形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of then dry etching under the condition in which an etching velocity of the dielectric 2 with respect to that of the sidewall 9a becomes about 10, thereby obtaining the through hole 10 having a tapered shape of an optimal slope.例文帳に追加

その後、サイドウォール９ａのエッチング速度に対する層間絶縁膜２のエッチング速度が約１０になるような条件でドライエッチングをすることにより、最適な傾斜のテーパ形状を有するスルーホール１０を得ることができる。 - 特許庁

To provide a dielectric lens and its manufacturing method having superior antenna characteristics, capable of being molded into any shape by keeping the conductivity of the skin and the interior fixed, and coping with even to zoning with high accuracy of dimensions and with a complex shape.例文帳に追加

表皮と内部の比誘電率を一定にして、任意の形状に成型でき、かつ、寸法制度が高く複雑な形状のゾーニングにも対応でき、アンテナ特性の優れた誘電体レンズおよびその製造方法をを提供する。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To provide a CaO-SrO-Li_2O-Re_2O_3-TiO_2 based dielectric ceramic containing bleaching powder as a reaction raw material, obtained by combustion synthesis and having excellent sintering characteristics and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

さらし粉を反応原料として含む燃焼合成法により得られ、優れた焼結体特性を有するＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ_2Ｏ−Ｒｅ_2Ｏ_3−ＴｉＯ_2系の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the pattern is to irradiate laser beams to the polymer composition (or its molding) constituted of a polysilane and form the pattern by generating changes in optical characteristics (color, transparency, refractive index, reflection index, dielectric constant, and the like) on a surface of the inside of the same.例文帳に追加

ポリシランで構成されたポリマー組成物（又は成形体）に、レーザ光を照射し、表面又は内部に光学的特性（色彩、透明性、屈折率、反射率、誘電率など）の変化を生じさせ、パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a vertical power MOSFET whose cell spacings can be made to shrink fully, whose drain dielectric strength can be improved without sacrificing the ON-resistance, and which uses trench side surfaces as channels, and to provide a method of manufacturing a MOSFET.例文帳に追加

セルピッチの間隔を十分シュリンクさせるとともにオン抵抗を犠牲にすることなくドレイン耐圧を向上させることができるトレンチ側面をチャネルとする縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plasma display panel having a high-yield, in which an edge curl is suppressed from occurring at an electrode having a laminated and formed layer, and furthermore, breakage and peeling-off of the electrode, and dielectric breakdown are suppressed.例文帳に追加

積層して形成された層を有する電極にエッジカールが発生することを抑制し、さらに電極の欠け・剥れおよび誘電体絶縁破壊を抑制し、高歩留まりとなるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate associating a silicon-based region with a GaAs-based material region, in a thin layer of the SOI substrate including a silicon support object supporting a dielectric layer and a silicon thin layer.例文帳に追加

本発明は、誘電体層及びシリコン薄層を支持するシリコン支持体を備えるＳＯＩ基板の薄層において、シリコンベース領域及びＧａＡｓベース材料領域を関連付けるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cleaning method of the substrate for the semiconductor device comprises the step of cleaning the substrate for the semiconductor device after chemical mechanical polishing treatment which is provided with a Cu film and a low dielectric constant insulating film on a surface thereof, by using this cleaning liquid for the substrate for the semiconductor device.例文帳に追加

この半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、表面にＣｕ膜と低誘電率絶縁膜とを有し、かつ、ＣＭＰ処理後の半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。 - 特許庁

To provide a polymer/ceramic composite paste for an embedded capacitor capable of forming a dielectric layer of a capacitor with a uniform thickness only at a part of a necessary region and to provide a manufacturing method of the embedded capacitor using the paste.例文帳に追加

キャパシターの誘電体層を均一な厚さで必要とする領域の部分にのみ形成することができる内蔵型キャパシター用ポリマー/セラミック複合ペースト及びこれを利用した内蔵型キャパシターの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the plasma etching method, treatment gas containing fluorocarbon, etc., is introduced from a gas inlet port 11C into a treatment vessel 11, and an organic and low dielectric constant film on a silicon nitride film in a substrate W to be etched is plasma-etched.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理容器１１内に、フロロカーボン等を含有する処理ガスをガス導入口１１Ｃから導入し、被エッチング基板Ｗ中の、シリコン窒化膜上の有機低誘電体膜を、プラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a capacitor in which excellent leak current characteristics can be attained by restricting the passage to diffuse oxygen component of a high dielectric or ferroelectric thin film in a high temperature process.例文帳に追加

キャパシタの製造方法における、高温工程の時、高誘電体または強誘電体の薄膜の酸素成分が拡散される経路を抑制して、優れた漏れ電流特性を得ることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method thereof wherein there are used low-dielectric-constant films and such Cu wirings as to prevent the wiring-connection faultiness of inter-wiring shortings, etc. which is caused by film discrepancy and film peeling between insulating films.例文帳に追加

絶縁膜−絶縁膜間の膜ずれや膜剥がれにより引き起こされる配線間ショート等の配線接続不良を防止するＣｕ配線及び低誘電率膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing compound and a polishing method which can control such phenomena as scratching, thinning, dishing, erosion, and the like, over a long term in polishing of an insulating film (Low-k film) having a relative dielectric constant of 3.0 or less.例文帳に追加

比誘電率が３．０以下の絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）の研磨において、長期にわたって上記現象（スクラッチ、シニング、ディッシング、及びエロージョン等）を抑制することができる、研磨用組成物、及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board formed with a wiring conductor configuring on the surface a transmission path whose transmission delay is prevented, and characterized by preventing the deterioration of insulating property, the increase of a dielectric loss and the change of a color, and to provide a method of manufacturing the wiring board.例文帳に追加

伝送遅延の抑制された伝送線路を構成する配線導体を表面に備え、絶縁性の低下、誘電損失の増大および変色が抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic part packaging structure including electronic parts embedded in an interlayer dielectric on a wiring board therein, which eliminates bumps due to thickness of the electronic parts to flatten it.例文帳に追加

電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造の製造方法において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化できる方法を提供する。 - 特許庁

The film for the speaker diaphragm is provided with a resin coating layer in which the dielectric loss tangent (tanδ, at a frequency of 1Hz, by the tension method) at room temperature of 23°C of which is greater than that of a polyetherimide, located on one side or both sides of a polyetherimide film base.例文帳に追加

ポリエーテルイミドフィルム基材の片面または両面に、室温２３℃での損失正接（ｔａｎδ 周波数１Ｈｚ、引張法）がポリエーテルイミドよりも高い樹脂樹脂被覆層を設けてなるスピーカ振動板用フィルム。 - 特許庁

The method of producing friction material composed mainly of fibrous substrates, binders and fillers, comprises preheating the charged material in a mold by high frequency dielectric heating and then performing thermal compression molding.例文帳に追加

繊維基材、結合材、充填材を主成分とする摩擦材の製造方法において、成形型への投入物を高周波誘電加熱により予備加熱し、その後、加熱加圧成形をおこなうことを特徴とする摩擦材の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device preventing damage to other films and film peeling while forming an interlayer insulating film having a dielectric constant of 2.5 or less, in a state that film strength is maintained without deteriorating wiring characteristics.例文帳に追加

他の膜へのダメージや膜剥がれを防ぐとともに、配線特性を劣化させることなく、膜強度を維持した状態で、誘電率２．５以下の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent adhesion of foreign matters to the side surfaces of a gate insulating film of an n-channel transistor, in a method of manufacturing a semiconductor device that has the n-channel transistor and a p-channel transistor each having a high-dielectric constant insulating film.例文帳に追加

高誘電率の絶縁膜を有するｎチャネル型トランジスタやｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置の製造方法において、ｎチャネル型トランジスタのゲート絶縁膜の側面への異物の付着を抑制する。 - 特許庁

To provide a resin film for printed wiring boards capable of imparting good dielectric characteristics in a high frequency region to the printed wiring board, while sufficiently securing the compatibility of a resin component, and to provide a method for manufacturing the resin film for printed wiring boards.例文帳に追加

樹脂成分の相容性を十分に確保しつつ、高周波領域における良好な誘電特性を印刷配線板に付与することが可能な印刷配線板用樹脂フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a solid electrolytic capacitor which has high capacitance appearance ratio and low ESR, even when a positive electrode having a dielectric layer containing diniobium pentaoxide on its surface is used.例文帳に追加

五酸化二ニオブを含有する誘電体層を表面に有する陽極体を用いた場合であっても、高い容量出現率と低いＥＳＲとを両立させた固体電解コンデンサを得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor of a metal film/dielectric film/ metal film structure which can reduce fluctuation of capacitance and form large capacitance with a smaller area than usual, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

容量ばらつきを低減させることができ、かつ、従来よりも小さな面積で大容量とすることができるメタル膜／誘電体膜／メタル膜構造のキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when a high dielectric constant material with which reaction on an electrode interface easily occurs or a filming method with which it is difficult to form a uniform interface on a large area substrate is used, excellent linearity to the impressed voltage may be then secured.例文帳に追加

電極界面での反応が起こり易い高誘電率材料や大面積基板上での均一な界面形成が困難なような成膜方法を用いても、印加電圧に対する良好な線形性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass substrate with metal electrodes, in which the fear that the reliability of a plasma display panel is deteriorated is lowered even though linear silver electrodes are covered with a dielectric layer comprising B_2O_3-containing glass with a low melting point.例文帳に追加

Ｂ_2Ｏ_3を含有する低融点ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプレイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付きガラス基板の製造方法の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing the binder resin for dielectric paste is carried out by polymerizing a monomer consisting essentially of (meth)acrylic ester monomer with a polymerization initiator and α-methyl styrene dimer as a chain transfer agent.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸エステル単量体を必須成分とする単量体を、重合開始剤及び連鎖移動剤としてα‐メチルスチレンダイマーを用いて重合することを特徴とする誘電体ペースト用バインダー樹脂の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dielectric material thin film capacitor which is formed on a substrate having wiring conductors such as via holes and does not generate problems resulting from oxidation of wiring conductor and diffused barrier layer.例文帳に追加

ビアホール等の配線導体を有する基板上に形成される誘電体薄膜キャパシタであって、配線導体や拡散バリヤ層の酸化に伴う諸問題が生じない誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method 1300 of manufacturing an integrated circuit 100, 900 provides a substrate 102 having a semiconductor element 300, and includes a step of forming an intermetal dielectric layer 112 over the substrate 102 and the semiconductor element 300.例文帳に追加

集積回路［１００］［９００］を製造する方法［１３００］は、半導体素子［３００］を有する基板［１０２］を提供し、基板［１０２］および半導体素子［３００］にわたって金属間誘電層［１１２］を形成するステップを含む。 - 特許庁

To provide an automatic designing method for designing a semiconductor integrated circuit even using a low dielectric constant insulating film, which is improved in mechanical strength, downsizing, and density, and also to provide the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜を用いた半導体集積回路においても機械的強度を高くでき、微細化及び高密度化が可能な半導体集積回路を設計可能な自動設計方法及び半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a magnesium oxide vapor-deposition material advantageously usable for forming a magnesium oxide film useful as a protective for the dielectric layer of an alternating current plasma display panel by an electron beam vapor-deposition process.例文帳に追加

交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an inexpensive polyarylene sulfide oxide paper capable of solving problems of conventional technology, significantly improving process complications and dielectric breakdown strength and withstanding use under a high voltage, and to provide a polyarylene sulfide oxide paper.例文帳に追加

従来技術の問題点を解消し、工程の煩雑さ、絶縁破壊強さが大幅に改善され高電圧下での使用に耐える安価なポリアリーレンスルフィド酸化物紙の製造方法およびポリアリーレンスルフィド酸化物紙を提供する。 - 特許庁

To provide ceramic electronic parts and its manufacturing method for improving the continuity of an internal electrode layer while suppressing the lowering of the adhesiveness between a dielectric layer and the internal electrode layer and the deterioration of a function of the internal electrode layer.例文帳に追加

誘電体層と内部電極層との密着性の低下及び内部電極層の機能劣化を抑制しつつ、内部電極層の連続性の向上が図られたセラミック電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a liquid crystal display panel 120, the liquid crystal display panel 120 is manufactured by injecting a liquid crystal having negative dielectric anisotropy into the inside of an empty cell 105.例文帳に追加

本発明にかかる液晶表示パネル１２０の製造方法は、液晶表示パネル１２０製造用の空セル１０５の内部に負の誘電率異方性を有する液晶を注入して液晶表示パネル１２０を製造する方法である。 - 特許庁

In this method, the high dielectric film is formed by oxidizing a metal film by supplying oxidizing gas to the film after the film is formed on the semiconductor substrate by supplying raw material gas containing a metal but no oxygen.例文帳に追加

金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成した後、酸化性ガスを供給することにより金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can surely prevent a capacity insulation film, made of ferroelectric or high dielectric in a capacitor from being deteriorated by hydrogen generating from a hydrogen barrier film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide surface-treating nickel powder which is excellent in oxidation prevention property and heat resistance of nickel during binder removal and is suitable for manufacturing of a compact multilayer lamination ceramic capacitor of thin ceramic dielectric and inner electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

脱バインダー時のニッケルの酸化防止性及び耐熱性に優れる、セラミック誘電体及び内部電極の厚みの薄い小型多層の積層セラミックコンデンサ製造に適した表面処理ニッケル粉及びその製造方法を提供する - 特許庁

In this method, the thin film capacitor formed on a foil is made by forming an integrally complete top electrode having a minimum thickness of at least 1 micron onto a thin film dielectric in a single deposition operation.例文帳に追加

少なくとも１ミクロンの最小限の厚さを有する、一体的に完成された上部電極を、１回の堆積操作で薄膜誘電体上に形成することによって、箔上に形成された薄膜コンデンサを作製する方法。 - 特許庁

The method of feeding a plurality of arranged array antennas 2 through their respective cables changes the dielectric constants of the dielectrics in the cables according to their respective cable lengths to adjust the phase of each array antenna 2.例文帳に追加

配列されている複数のアレーアンテナ２に対してそれぞれケーブルを介して給電する方法において、それぞれのケーブル長に応じて該ケーブル内の誘電体の誘電率を変化させることにより、各アレーアンテナ２の位相を調整する。 - 特許庁

Plasma of a high electron density is generated by a method such as diluting with a rare gas or raising the frequency of a power supply, and a high-quality dielectric film is formed by generating oxygen atoms or nitrogen atoms in a high density.例文帳に追加

希ガス希釈または電源周波数を上げる等の方法により高電子密度のプラズマを生じさせ、高密度の酸素原子または窒素原子を生じさせることにより高品質の誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a micro condenser microphone, which can achieve an electret process of a dielectric film of a MEMS microphone chip by using inexpensive manufacturing facilities of simple structure and can improve productivity.例文帳に追加

安価で構造も簡単な製造設備を用いてＭＥＭＳマイクチップの誘電体膜のエレクトレット化工程を実現することができ、生産性を向上させることができる微小コンデンサマイクロホンの製造方法を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric film 11b made of Pb(ZrTi)O3 is formed on the surface of conductive powder 11a of titanium or a titanium alloy or a titanium compound through electroless hydrothermal synthesis method, and a dielectric powder 11 is formed.例文帳に追加

チタン，チタン合金またはチタン化合物の導電性粉末１１ａの表面上に無電解式の水熱合成法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ_3 からなる強誘電体膜１１ｂを形成して誘電体粉末１１を作る。 - 特許庁

The driving method is for a plasma address display in which display cells having column shaped signal electrodes and plasma cells having row shaped discharging channels that have exposed electrodes and electrodes covered by dielectric material are overlapped.例文帳に追加

列状の信号電極を備えた表示セルと、露出電極及び誘電体で覆われた被覆電極を有する行状の放電チャンネルを備えたプラズマセルとが重ね合わされてなるプラズマアドレス表示装置の駆動方法である。 - 特許庁

To prevent generation of a crack of a dielectric material board and resonance between input and output lines and also improve the heat radiating characteristic of a semiconductor circuit chip in a radio frequency package module where the semiconductor circuit chip is mounted on the basis of the flip-chip mounting method.例文帳に追加

半導体回路チップをフリップチップ実装した高周波パッケージモジュールに関し、誘電体基板のクラック発生と入出力ライン間の共振発生とを防止し、且つ半導体回路チップの放熱特性を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a capacitor having an MIM structure which can be reduced in leakage current and can be suppressed with a farther decrease in dielectric constant than ever before while securing the reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

従来に比べて、リーク電流を低減でき、しかも信頼性を確保しつつ、誘電率の低下を抑制できる効果を有するＭＩＭ構造のキャパシタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁