「dislocation effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce a threading dislocation density and the surface roughness in a process for producing a semiconductor substrate and a process for fabricating a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタおよび製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

To provide a side drain in which an independently exchangeable sheet packing can be used without fear of dislocation and dropping out and which can stably exert a muffling effect.例文帳に追加

単独での交換可能なシートパッキングを使用しつつも、その位置ズレ脱落するおそれがなく、消音効果の安定性に富む道路用側溝を提供する。 - 特許庁

Dislocation of individual components of an assembly machine which is caused by thermal effect can be corrected without performing a permanent corrective procedure.例文帳に追加

熱的な影響によって生じるアセンブリマシンの個別の構成要素の位置のずれは、永続的補正手順を実行する必要なく補正することができる。 - 特許庁

To obtain a high quality SiGe layer with low threading dislocation density in a semiconductor substrate, a field effect transistor, and their manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度が低く良質なＳｉＧｅ層を得ること。 - 特許庁

To provide a diode having a structure capable of reducing the effect of the layout of a core section having a high threading dislocation density and increasing an element area.例文帳に追加

高い貫通転位密度を有するコア部の配置の影響を低減することができ素子面積を大きくできる構造のダイオードを提供する。 - 特許庁

To reduce through dislocation density in a semiconductor substrate, field-effect transistor, and a method of forming SiGe layer, method of forming strained Si layer using the same, and to provide method of manufacturing a field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

To form a SiGe layer which has through dislocation density and low surface roughness on an SOI structure as to a semiconductor device and a field effect transistor, and a manufacturing method for them.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、ＳＯＩ構造上に貫通転位密度が低く、表面ラフネスが低いＳｉＧｅ層を有すること。 - 特許庁

Lengthwise directional dislocation of the weatherstrip body 10 and the extension-contraction preventive wire 11 is prevented by an anchoring effect of an extruded material entering all the way into the recess-projection 11a of the wire 11.例文帳に追加

ウエザーストリップ本体１０と伸縮防止線材１１の長手方向のずれは線材１１の凹凸１１ａに回り込む押出し材料の投錨効果によって防止する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which yields a large effect to reduce dislocation density, can reduce the twin development probability, and has high qualities and a high single crystallization ratio.例文帳に追加

転位密度低減効果が大きく、双晶発生確率を低減することができる、高品質で単結晶化率が高い化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a blanket that has an effect for preventing slippage when the blanket is used in combination with a futon (Japanese bedding) and can prevent the dislocation between the bedding and the blanket and the projection of the blanket, and a blanket and futon cover set.例文帳に追加

布団と組み合わせ使用した場合に滑り止め効果があって、布団と毛布のずれや毛布のはみ出しを防止できる毛布およびこれと布団カバーのセットを提供する。 - 特許庁

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal and a method for producing the same in which even a large-diameter silicon single crystal can be separated without dislocation without harmful effect on crystal characteristics in a short time.例文帳に追加

大口径シリコン単結晶においても、短時間でしかも結晶特性に悪影響せず無転位のまま切り離すことが可能である、シリコン単結晶とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

To provide a rotor core structure for a motor, capable of minimizing an effect of core axial dislocation upon the inside diameter of a fitting hole and restraining a shaft from being damaged in pressing-into a core.例文帳に追加

コストアップすることなく安価な方法で、コアの軸ずれが嵌合孔の内径に与える影響を小さくすると共に、コアの圧入時にシャフトが傷付くことを抑制可能なモータのロータコア構造を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a phase shifting mask in which dislocation of a resist pattern due to the waveguide effect of a Levenson phase shifting mask is suppressed and high alignment accuracy can be attained and to provide a method therefor and a pattern forming method.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To form an SiGe layer capable of obtaining a sufficient distortion effect with a small penetrating dislocation density on an SOI substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、ＳＯＩ基板上に貫通転位密度が少なくかつ十分な歪み効果を得ることが可能なＳｉＧｅ層を形成すること。 - 特許庁

To provide a video sensing device capable of eliminating brightness difference caused by changes in incident main optical angle as well as optical cross talk effect caused by the problem of incident main optical angle dislocation, and capable of solving the problem of unevenness in photosensing element distribution.例文帳に追加

入射主光角の変異によりもたらされた輝度差及び入射主光角変位の課題によりもたらされた光学混線効果を解除すると共に、感光素子分布の不均一の問題を解決可能な映像感装置を提供する。 - 特許庁

To provide a skin for skin-integrated foam molding which produces an enough seal effect and does not cause the deterioration of a foamed molding by the stretch and dislocation of the skin and a method for producing a skin- integrated foamed molding.例文帳に追加

シール効果が十分に得られ、かつ表皮が引っ張られたりずれ込んだりすることによる発泡成形品の品質下落もない表皮一体発泡成形用表皮および表皮一体発泡成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of expanding the width of selectivity of a usable material, excellent in antistatic effect, having high sensitivity, and capable of efficiently forming a high-resolution fine resist pattern free of pattern defects and dislocation in a simple and easy way at a low cost.例文帳に追加

使用可能な材料の選択性の幅を広くすることができ、帯電防止効果に優れ高感度であり、パターン欠落や位置ずれ等がなく、高解像度で微細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。 - 特許庁

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element.例文帳に追加

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加

主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁