「dof」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve a contrast and a DOF when a pattern in an arbitrary shape is formed.例文帳に追加

任意形状のパターンの形成においてコントラスト及びＤＯＦを向上させる。 - 特許庁

To provide a colored curable composition having a wide DOF margin (a large depth of a focus).例文帳に追加

広いＤＯＦマージン（深い焦点深度）を有する着色硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

LENS WITH DOF CURVED BY FIELD CURVATURE, AND METHOD OF USING THE SAME例文帳に追加

像面湾曲を利用し被写界深度を湾曲させたレンズ及びその利用方法 - 特許庁

To provide a resist material that can enlarge depth of focus (DoF) that is the focus margin.例文帳に追加

フォーカスマージン（ＤｏＦ）の拡大を可能とするレジスト材料を提供する。 - 特許庁

In this way, an improvement of exposure latitude may be obtained without reduction of DOF.例文帳に追加

この方法で、ＤＯＦを短くせずに露光寛容度の改良を達成することができる。 - 特許庁

To improve contrast and DOF (depth of focus), in forming a pattern of arbitrary shape.例文帳に追加

任意形状のパターンの形成においてコントラスト及びＤＯＦを向上させる。 - 特許庁

The transgenic plant is obtained by transducing a gene encoding a DNA-binding protein in Dof family and contains an increased amount of amino acids in comparison with the same natural plant that is cultivated under the same conditions and seeds thereof are also provided.例文帳に追加

Dofファミリーに属するDNA結合タンパク質をコードする遺伝子が導入され、かつ、同一条件で栽培された天然の同種の植物と比較して遊離アミノ酸の含量が増大した形質転換植物およびその種子。 - 特許庁

Each disc is configured to rotate with at least one degree of freedom or 1 DOF with respect to neighboring disks or the end member segment.例文帳に追加

各円板は、隣接する円板または末端部材に対して、少なくとも１自由度すなわち１ＤＯＦで回転するように構成される。 - 特許庁

To provide a method of improving the imaging of patterns having a small exposure latitude and/or improving exposure latitude without detriment to DOF (depth of focus).例文帳に追加

ＤＯＦを損なわずに、小さい露光寛容度を有するパターンの結像を改良する、及び／又は露光寛容度を改良する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new system for improving present valid focal depth DOF, and for improving a future lithograph technique.例文帳に追加

現在の有効焦点深さＤＯＦを改善し、さらに将来のリソグラフ技術を改善するような新たなシステムを提供すること。 - 特許庁

A memory circuit 16 and a CPU 17 generate digital gain correction data Dgain and digital offset correction data Dof.例文帳に追加

メモリ回路１６とＣＰＵ１７によりディジタルゲイン補正データＤgainとディジタルオフセット補正データＤofを生成する。 - 特許庁

The fine hole patterns which are high in the depth of focus(DOF) of both of the isolated and dense patterns are formed.例文帳に追加

これによって孤立、密パターンともに焦点深度（ＤＯＦ）の高い微細ホールパターンが形成される。 - 特許庁

The special purpose solid finite element comprises only corner nodes with each node having six degrees-of-freedom (DOF), three translational and three rotational.例文帳に追加

特別目的ソリッド有限要素は、それぞれが３つの並進および３つの回転の、６つの自由度（ＤＯＦ）を有しているコーナーノードのみを備える。 - 特許庁

To provide a photolithography system for manufacturing a semiconductor and a method therefor capable of reducing proximity effect and increasing DOF (Depth of Field).例文帳に追加

近接効果を低減させるとともにＤＯＦを増大させることができる半導体製造のフォトリソグラフィシステム及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which excels in a mask error factor (MEF) and a focus margin (DOF) in pattern forming.例文帳に追加

パターンを形成する際のマスクエラーファクター（ＭＥＦ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer for a resist composition excellent in exposure margin (EL) and focus margin (DOF) on forming a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを形成する際の露光マージン（ＥＬ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れるレジスト組成物用の重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which forms a pattern having an excellent shape and DOF.例文帳に追加

優れた形状及びＤＯＦを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in depth of field (DOF) characteristics, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

焦点深度幅（ＤＯＦ）特性に優れたポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition, forming a pattern having excellent shape, focus margin (DOF) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた形状、ＤＯＦ及びＭＥＦを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition not only having sufficient basic characteristics such as sensitivity and resolution but having sufficient DOF performance.例文帳に追加

感度、解像性といった基本特性だけでなく、ＤＯＦ性能も満足する感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a resist composition which sufficiently satisfies a focus margin(DOF) in producing a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）を十分に満足するレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To efficiently evaluate a state of transferring a mask defect to a wafer, and dimension and DOF of a mask on the wafer with SMO applied.例文帳に追加

マスク欠陥のウェハ転写性を効率良く評価し、ＳＭＯが適用されているマスクのウェハ上の寸法やＤＯＦを効率良く評価する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in depth-of-focus (DOF) characteristics and a resist pattern forming method.例文帳に追加

焦点深度幅（ＤＯＦ）特性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having a wide depth-of-focus range (DOF) and a method for formation of a resist pattern.例文帳に追加

焦点深度幅（ＤＯＦ）特性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When a gene encoding a DNA-binding protein in Dof family is transduced and expressed in the plant, a transgenic plant is created that has a higher amino acid content than that in the same natural plant that is cultivated under the same conditions.例文帳に追加

Dofファミリーに属するDNA結合タンパク質をコードする遺伝子を植物に導入し、その遺伝子を植物体内で発現させることを特徴とする、同一条件で栽培された天然の同種の植物と比較して遊離アミノ酸の含量が増大した形質転換植物を作製する方法。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative development excellent in line width variation (LWR), exposure latitude (EL) and focal depth allowance (DOF) in order to stably form a high accuracy fine pattern for the manufacture of a highly integrated and high accuracy electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The potatoes increased in tuber harvest obtained per plant body compared to nontransformed potatoes cultivated under the identical conditions are such as to be transferred with a gene encoding a DNA binding protein belonging to Dof family.例文帳に追加

Dofファミリーに属するDNA結合タンパク質をコードする遺伝子が導入されたことを特徴とする、同一条件で栽培した非形質転換バレイショと比べて植物体あたり得られる塊茎の収穫量が増加したバレイショを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative-tone development, of which variation of line width (LWR), exposure latitude (EL), and degree of focal margin (DOF) are excellent, in order to more stably form a highly precise fine pattern for manufacturing a highly integrated and highly precise electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copolymer having excellent lithographic characteristics such as development contrast and DOF in semiconductor lithography and provide a composition containing the copolymer and a thiol compound to give the copolymer.例文帳に追加

半導体リソグラフィーにおいて、現像コントラストやＤＯＦ等のリソグラフィー特性の優れた共重合体と該共重合体を含む組成物及び該共重合体を与えるチオール化合物を提供する - 特許庁

To prevent the deterioration in depth of focus(DOF) as some of the layouts of fine hole patterns make the arrangement of auxiliary patterns infeasible in forming the fine hole patterns by using a photoresist and a mask arranged with the auxiliary patterns.例文帳に追加

ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度（ＤＯＦ）が劣化する。 - 特許庁

A height H of the fuse element 20 is larger than a depth of focus DOF of a laser beam to be given, and the diameter D of the fuse element 20 is smaller than a diffraction limit DL of the laser beam.例文帳に追加

ヒューズ素子２０の高さＨは、照射するレーザビームの焦点深度ＤＯＦよりも大きく、ヒューズ素子２０の径Ｄは、レーザビームの回折限界ＤＬよりも小さい。 - 特許庁

To improve DOF of both a fine dense pattern and an isolated space pattern, while avoiding generation of a side lobe in a photo mask and a pattern formation method with the photo mask.例文帳に追加

フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法において、サイドローブの発生を避けつつ微細な密集パターン及び孤立スペースパターンの両方のＤＯＦを向上する。 - 特許庁

To provide a salt for an acid-generating agent of a resist composition which can form patterns having excellent resolution, focus margin (DOF) and line edge roughness (LER).例文帳に追加

優れた解像度、フォーカスマージン（ＤＯＦ）及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。 - 特許庁

To provide a salt for an acid generator of a resist composition which can form a pattern having an outstanding line edge roughness (LER) and a focus margin (DOF).例文帳に追加

優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition for acquiring a pattern having a high focus margin (DOF), CD uniformity (CDU), and a mask error factor (MEF), and a forming method of a resist pattern using the resist composition.例文帳に追加

優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pattern forming method with the excellent exposure latitude (EL) and focus margin (DOF) capable of reducing the line width irregularity (LWR) and residual defect, a chemically amplified resist composition and a resist film.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which shows high resolution, good configuration, a depth of focus (DOF), a good mask error factor (MEF) and good CD uniformity (CDU).例文帳に追加

高い解像度；良好な形状、フォーカスマージン（ＤＯＦ）、マスクエラーファクター（ＭＥＦ）及びＣＤ均一性（ＣＤＵ）を示すレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a pattern having excellent exposure latitude (EL) and a large depth of focus (DOF), and a resist composition.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）及びデフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れたパターンを形成可能とするパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which improves LWR, development defects and DOF and is adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＬＷＲ、現像欠陥及びＤＯＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition with superior LWR, pattern collapse property and DOF, and to provide a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

ＬＷＲ、パターン倒れ性能及びＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which enable formation of a pattern which is superior in the depth of focus (DOF) and in roughness characteristics and having few bridge defects and few chips.例文帳に追加

フォーカス余裕度（ＤＯＦ）及びラフネス特性に優れ且つブリッジ欠陥及び欠けの少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法並びに感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition as a material for a resist film with which a resist pattern having a small LWR (line width roughness) and a wide DOF (depth of focus) can be formed.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、ＤＯＦの広いレジストパターンを形成可能なレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an excellent resist composition for liquid immersion exposure free from deterioration in DOF and in profile even when applied to liquid immersion exposure, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

液浸露光に適用した場合でもＤＯＦ及びプロファイルの劣化が無く優れた液浸露光用レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist excelling particularly in depth of focus (DOF) and capability of substantially decreasing development defects, while maintaining excellent basic performance as a resist.例文帳に追加

レジストとしての十分な基本性能を維持しつつ、特に、焦点深度（ＤＯＦ）に優れ、かつ現像欠陥が著しく低減された化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁