「dry etching system」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING OF HALF-TONE PHASE SHIFTED FILM, HALF-TONE PHASE SHIFTED PHOTOMASK AND MANUFACTURE THEREOF, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ハーフトーン位相シフト膜のドライエッチング方法および装置、ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 - 特許庁

Since unnecessary silicon is not left in the chamber of a dry etching system, the labor required for removing unnecessary silicon from the chamber for each wafer is saved and an ink channel substrate can be formed without lowering the work efficiency.例文帳に追加

その結果、不用なシリコンがドライエッチング装置のチャンバ内に残存することがなくなり、ウェハ毎にチャンバ内の不用なシリコンを除去する手間が省け、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成できる。 - 特許庁

To provide a wafer processing system, in which a wafer can be dried surely, after removing reaction products originating from a resist and produced through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the total gas exhaust amount reaches a reference level, the exhaust amount monitoring means 8 delivers an exhaust amount reaching signal 20 to the dry etching system 102.例文帳に追加

排出量監視手段８は、このガス総排出量が基準値に到達したとき排出量到達信号２０をドライエッチング装置１０２に出力する。 - 特許庁

The mixture gas is supplied onto the Si wafer W in the chamber 12 using the system 10 to generate plasma in the chamber 12 and anisotropic dry etching is performed.例文帳に追加

本発明によるドライエッチング方法では、この装置１０を用い、チャンバ１２内のＳｉウェハＷ上に上述の混合ガスを供給し、チャンバ１２内にプラズマを形成させて異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

In the dry etching system 10, a chamber 12 for containing an Si wafer W is coupled with supply sources 32, 38, 40 and 42 of SF6 gas, N2 gas, CF4 gas and O2 gas through a gas mixing chamber 30.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０は、ＳｉウェハＷが収容されるチャンバ１２に、ガス混合室３０を介して、それぞれＳＦ_6ガス、Ｎ_2ガス、ＣＦ_4ガス及びＯ_2ガスの供給源３２，３８，４０，４２が接続されたものである。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method.例文帳に追加

ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。 - 特許庁

The residue processing system comprises a processing tank 12 for processing residue in a trench produced through dry etching of an insulating film, a unit 16 for measuring the amount of features of resist stripper, and a control unit 10 calculating the processing time required for removing residue from the measurement of the amount of features by using correlation of the etching rate of the insulating film and the amount of features.例文帳に追加

絶縁膜のドライエッチングで形成されるトレンチの中に生成される残渣を剥離液で処理する処理槽１２と、剥離液の特徴量を測定する測定ユニット１６と、絶縁膜のエッチング速度と特徴量との相関を用いて特徴量の測定値から残渣を除去する処理時間を算出する制御ユニット１０とを備える。 - 特許庁

To provide an upper electrode, and a dry etching system using it, having no possibility of being contaminated with impurities in which not only highly accurate parallelism is kept with respect to a lower electrode but also the etching characteristics are enhanced, and the yield of silicon wafer is increased through good thermal conduction between an electrode plate and a base.例文帳に追加

不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間で高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座との良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるという上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser light, high sensitivity and high resolution, and high affinity with an alkali and giving a pattern with a preferable pattern profile and preferable dry etching durability and adhesion property by a paddle development system.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光に対する透明性が高く、高感度で高解像度、アルカリに対して高い親和性、パドル現像によりパターン形状、耐ドライエッチング性、密着性の良好なパターンが得られるポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In removing the wafer peripheral edge part by the dry etching, the wafer is not pressed from above by using a clamp to fix, but the wafer is mounted on a stage of an electrostatic absorption system and is absorbed and held from a rear surface, and the silicon nitride film on the wafer peripheral edge part is completely removed.例文帳に追加

ウエハ周縁部をドライエッチングで除去する際には、ウエハを固定するためにクランプを用いて上方から押さえるのではなく、ウエハを静電吸着方式のステージ上に搭載して裏面から吸着保持することにより、ウエハの周縁部上の窒化シリコン膜を完全に除去する。 - 特許庁

To provide a composite ring for mounting a silicon wafer in which the trend of increasing diameter of silicon wafer can be dealt with, contamination with impurities is prevented while using an inexpensive material, thermal strain is prevented by enhancing the cooling efficiency and the yield of silicon wafer is enhanced, and to provide a dry etching system comprising it.例文帳に追加

シリコンウェハーの大口径化に対応でき、安価な材料を用いながら、不純物汚染を防止し、冷却効率がよく、熱歪が生じなく、シリコンウェハーの歩留まりが向上するという、シリコンウェハー搭載用複合リング及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁

To provide a fixture for a CVD system having excellent corrosion resistance to various metals, particularly, Al, Cr, Fe, Co, Ni Cu or gases such as ClF, ClF_3, ClF_5, HCl, and having etching resistance to gases used upon dry cleaning.例文帳に追加

各種金属、特にＡｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ或いは、ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ_５、ＨＣｌ等のガスに対して耐食性に優れ、乾式洗浄の時に使用されるガスに対して耐エッチング性に優れているＣＶＤ装置用冶具を提供する。 - 特許庁

The dry etching method and system comprises (1) stages divided integrally into some regions by a partition 25, (2) a mechanism 27 for setting up and maintaining the stage temperature respectively for the divided stage, and (3) a mechanism 28 for setting up and maintaining the quantity of gas flow and pressure for heat conduction and pressure respectively for the divided stages.例文帳に追加

１）仕切り２５によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、２）分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構２７、３）分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構２８を具備すること。 - 特許庁

The dry etching apparatus includes: the vacuum treatment chamber including an exhaust system and a gas introduction system; a gate valve provided at a carry-in/carry-out opening of the vacuum treatment chamber; a case for discharging residual gas provided while surrounding the gate valve outside the gate valve; and an exhaust pipe connected to the case for discharging residual gas.例文帳に追加

本ドライエッチング装置は、排気系及びガス導入系を備えた真空処理室と、真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブと、ゲートバルブの外側に、ゲートバルブを囲んで設けた残留ガス排出用ケースと、残留ガス排出用ケースに接続された排気管とで構成される。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

In the upper electrode for a dry etching system comprising a silicon electrode plate and a base supporting it, (a) the base is composed of graphite, and (b) the silicon electrode plate and the base are bonded through organic adhesive containing a filler having Young's modulus of 6×109 to 68×109 N/m2.例文帳に追加

シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電極において、 （ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ （ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッチング装置用上部電極を提供。 - 特許庁