「"dry etching system"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DRY ETCHING SYSTEM AND ETCHING METHOD例文帳に追加

ドライエッチング装置及びエッチング方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD USING DRY ETCHING SYSTEM例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いる製造方法 - 特許庁

To exhaust gas in a dry etching system efficiently.例文帳に追加

ドライエッチング装置などの排気を効率よく行う。 - 特許庁

DRY ETCHING SYSTEM HAVING FUNCTION OF INTERMEDIATE LENGTH MEASUREMENT例文帳に追加

中間測長機能を備えたドライエッチングシステム - 特許庁

DRY-ETCHING SYSTEM, METHOD OF CLEANING DRY-ETCHING SYSTEM, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTIC DEVICE例文帳に追加

ドライエッチング装置、ドライエッチング装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法 - 特許庁

DRY ETCHING SYSTEM AND ITS PLASMA CLEANING METHOD例文帳に追加

ドライエッチング装置およびそのプラズマクリーニング方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE OF DETECTING END POINT OF ETCHING AND DRY ETCHING SYSTEM例文帳に追加

エッチング終点検出方法及び装置並びにドライエッチング装置 - 特許庁

DRY ETCHING SYSTEM AND DRY ETCHING METHOD USING SAME例文帳に追加

ドライエッチング装置及び該装置を用いたドライエッチング方法 - 特許庁

DRY ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING END POINT OF DRY ETCHING例文帳に追加

ドライエッチング装置およびドライエッチングの終点検出方法 - 特許庁

PLASMA ETCHING ELECTRODE HAVING IMPROVED HEAT RESISTANCE AND DRY ETCHING SYSTEM EQUIPPED WITH IT例文帳に追加

耐熱性に優れたプラズマエッチング電極及びそれを装着したドライエッチング装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT OF ETCHING AND DRY ETCHING SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME APPARATUS例文帳に追加

エッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置 - 特許庁

To provide a dry etching system which can accomplish plasma etching with smaller power consumption.例文帳に追加

より低消費電力でプラズマエッチングが達成できるドライエッチング装置を提供する - 特許庁

GLASSY CARBON-GRAPHITE COMPOSITE RING FOR MOUNTING SILICON WAFER AND DRY ETCHING SYSTEM COMPRISING IT例文帳に追加

シリコンウェハー搭載用ガラス状カーボン−グラファイト複合リング及びそれを装着したドライエッチング装置 - 特許庁

To provide a dry etching method which enables dry etching at lower temperatures, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

より低い基板温度においてドライエッチングを可能にするドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The nozzle-wafer relative velocity to be given to the dry etching system as a command value is calculated by using these data.例文帳に追加

このデータを用いてドライエッチング装置に指令値として与えるためのノズル・ウェハ相対速度を計算する。 - 特許庁

METHOD OF CLEANING DRY-ETCHING SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTIC DEVICE, AND PROGRAM FOR REALIZING THE MANUFACTURING METHOD WITH COMPUTER例文帳に追加

ドライエッチング装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造方法およびそれをコンピュータで実現するためのプログラム - 特許庁

To provide a dry etching system and a dry etching method by which a damage to a lower layer can be eliminated and the yield of elements can be improved.例文帳に追加

下層のダメージを軽減し、素子の歩留りを向上することのできるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Since unnecessary silicon is not left in the chamber of a dry etching system, the labor required for removing unnecessary silicon from the chamber for each wafer is saved and an ink channel substrate can be formed without lowering the work efficiency.例文帳に追加

その結果、不用なシリコンがドライエッチング装置のチャンバ内に残存することがなくなり、ウェハ毎にチャンバ内の不用なシリコンを除去する手間が省け、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成できる。 - 特許庁

To provide a dry etching system having a function of intermediate length measurement for producing a photomask in which the pattern line width of a dry-etched metal film always satisfies dimensional specifications.例文帳に追加

ドライエッチングした金属膜のパターン線幅が常に寸法規格を満たしたフォトマスクを作製する中間測長機能を備えたドライエッチングシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a dry etching system without destroying a membrane and lowering etching characteristics at the time of the dry etching of membranes, such as an EB mask.例文帳に追加

ＥＢマスクなどのメンブレンのドライエッチングの際に、メンブレンを破壊することなく、且つエッチング特性を低下することないドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method of detecting the end point of etching which can detect the end point of etching with good accuracy and a device for the same and a dry etching system having this device.例文帳に追加

エッチング終点を精度よく検出することができるエッチング終点検出方法及びその装置、並びに同装置を有するドライエッチング装置を得ること。 - 特許庁

To introduce exhaust gas for processing exhaust gas from a dry etching system, containing a sublimational substance into an exhaust gas processing system, without depositing the sublimational substance in the exhaust gas passage.例文帳に追加

ドライエッチング装置から排出される昇華性物質を含む排ガスを、昇華性物質を排ガス通路内に析出させることなく、この排ガスを処理するための排ガス処理装置に導入する。 - 特許庁

To provide a dry etching system capable of surely detecting the end point of etching by detecting minute changes in emission intensity of plasma.例文帳に追加

プラズマの微小な発光強度の変化の検出によるエッチングの終点の検知を確実に行うことができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for detecting the end point of etching by which the end point of etching can be detected with high precision and to provide a dry etching system provided with the same apparatus.例文帳に追加

エッチング終点を精度よく検出できるエッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which dimensional conversion difference of an etching pattern can be controlled over a wide range by taking a measure other than the resizing of a photomask, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

フォトマスクのリサイズ以外の方策で対処すべく、大きい範囲で寸法変換差を制御し得る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A dry etching system (MERIE system) allows dry etching to a chromic half-tone phase shift film.例文帳に追加

金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

When the total gas exhaust amount reaches a reference level, the exhaust amount monitoring means 8 delivers an exhaust amount reaching signal 20 to the dry etching system 102.例文帳に追加

排出量監視手段８は、このガス総排出量が基準値に到達したとき排出量到達信号２０をドライエッチング装置１０２に出力する。 - 特許庁

In the dry etching system 10, a chamber 12 for containing an Si wafer W is coupled with supply sources 32, 38, 40 and 42 of SF6 gas, N2 gas, CF4 gas and O2 gas through a gas mixing chamber 30.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０は、ＳｉウェハＷが収容されるチャンバ１２に、ガス混合室３０を介して、それぞれＳＦ_6ガス、Ｎ_2ガス、ＣＦ_4ガス及びＯ_2ガスの供給源３２，３８，４０，４２が接続されたものである。 - 特許庁

To provide a composite ring for mounting a silicon wafer in which the trend of increasing diameter of silicon wafer can be dealt with, contamination with impurities is prevented while using an inexpensive material, thermal strain is prevented by enhancing the cooling efficiency and the yield of silicon wafer is enhanced, and to provide a dry etching system comprising it.例文帳に追加

シリコンウェハーの大口径化に対応でき、安価な材料を用いながら、不純物汚染を防止し、冷却効率がよく、熱歪が生じなく、シリコンウェハーの歩留まりが向上するという、シリコンウェハー搭載用複合リング及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁

To prevent the etching rate at the outer periphery of a wafer from becoming faster than that on the inside of the outer periphery in a dry etching system, even when no such a means is used that arranges an outer peripheral ring made of the same material as that of the wafer to be etched.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０１において、ウェーハ５の外周辺りが内部に比較してエッチング速度が速くなるのを、被エッチング物と同じ材料でできた外周リングを配置するような手段を用いなくても防止出来るようにする。 - 特許庁

In the dry etching system 102, a reaction chamber 106 is evacuated by means of a dry pump 112 upon finishing dry etching and a vacuum pressure gauge 108 delivers a measurement start command signal 18 when the pressure drops below a reference level.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０２では、ドライエッチング終了後、ドライポンプ１１２による反応チャンバー１０６の真空引きが行われ、真空圧力計１０８は、圧力が基準値を下回ったとき計測開始指令信号１８を出力する。 - 特許庁

It is important for a dry etching condition, which can form the needlelike projection 501 on the polyimide resin 201, not to use fluorine system gas for a reactant gas of a dry etching system, and to make a ratio of argon gas flowing rate with respect to that of oxygen gas be 20% or less.例文帳に追加

このポリイミド樹脂２０１上に針状突起物５０１を形成できるドライエッチング条件は、ドライエッチング装置の反応ガスにフッ素系ガスを使用しないことおよび、酸素ガス流量に対するアルゴンガス流量比を２０％以下にすることが重要である。 - 特許庁

The dry etching system comprises, on the wall surface of an etching chamber 1 in which plasma is kept, a transmission window 9 of light transmissive material for detecting the end point of etching, and a detector 11 which measures the light intensity of specific wavelength emitted from plasma through the transmission window 9.例文帳に追加

本発明のドライエッチング装置は、プラズマが維持されるエッチング室１の壁面に、透光性材料からなるエッチング終点検知用の透過窓９と、プラズマから放射される特定波長の光強度を、透過窓９を通じて計測する検出器１１とを備える。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

In the upper electrode for a dry etching system comprising a silicon electrode plate and a base supporting it, (a) the base is composed of graphite, and (b) the silicon electrode plate and the base are bonded through organic adhesive containing a filler having Young's modulus of 6×109 to 68×109 N/m2.例文帳に追加

シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電極において、 （ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ （ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッチング装置用上部電極を提供。 - 特許庁

To provide an upper electrode, and a dry etching system using it, having no possibility of being contaminated with impurities in which not only highly accurate parallelism is kept with respect to a lower electrode but also the etching characteristics are enhanced, and the yield of silicon wafer is increased through good thermal conduction between an electrode plate and a base.例文帳に追加

不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間で高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座との良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるという上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。 - 特許庁