「duv」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SPATIAL LIGHT MODULATOR AS SOURCE MODULE TO DUV WAVEFRONT SENSOR例文帳に追加

ＤＵＶ波面センサに対するソースモジュールとしての空間光変調器 - 特許庁

To provide a high electric power gas discharge laser system for a DUV light source.例文帳に追加

ＤＵＶ光源のための高電力ガス放電レーザシステムを提供する。 - 特許庁

To constitute an illuminating device for a DUV microscope so that it can supply a DUV wavelength band having the maximum transmittance and a small half value width.例文帳に追加

ＤＵＶ顕微鏡用の照明装置が、最大の透過率と小さい半値幅を有するＤＵＶ波長バンドを供給するように構成すること。 - 特許庁

OBJECTIVE LENS FOR PARFOCAL IR FOCUS TYPE MICROSCOPE CAPABLE OF BEING USED FOR DUV例文帳に追加

ＤＵＶに使用可能な同焦点ＩＲフォーカス形顕微鏡対物レンズ - 特許庁

The plastic sealing portion may be resistant to degradation through exposure to DUV radiation.例文帳に追加

塑性被覆部は、ＤＵＶ放射への曝露による崩壊に対する耐性があってもよい。 - 特許庁

To protect at least a part of the surface of a lithographic apparatus from the effect of DUV radiation.例文帳に追加

リソグラフィ装置の表面の少なくとも一部をＤＵＶ放射の効果から保護することである。 - 特許庁

The telescope 205 is especially useful for far ultraviolet rays (DUV) by wave length being shorter than about 250 nm.例文帳に追加

テレスコープ２０５は、約250nmよりも短い波長で遠紫外（ＤＵＶ）用途に関して特に有用である。 - 特許庁

Such objectives can operate through a wide spectral bandwidth of radiation, including deep ultraviolet (DUV) radiation.例文帳に追加

このような対物系は、深紫外線（ＤＵＶ）放射を含む放射の広いスペクトルバンド幅で作用することができる。 - 特許庁

The light source(extreme ultraviolet (EUV) light source 201) irradiates any of the EUV light, the deep ultraviolet (DUV) light or the vacuum ultraviolet (VUV) light.例文帳に追加

光源（ＥＵＶ光源２０１）は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光又はＶＵＶ光のいずれかの光を照射する。 - 特許庁

To provide a light source device which efficiently generates DUV (Deep Ultra-Violet) beam, an inspection device, and a coherent beam generation method.例文帳に追加

効率よくＤＵＶ光を発生させる光源装置、検査装置、及びコヒーレント光発生方法を提供する。 - 特許庁

The linear parts 52 are subjected to electron beam transfer exposure, while the corners parts 51 are subjected to light exposure by ultraviolet radiation DUV.例文帳に追加

そして、コーナー部５１を紫外光ＤＵＶで光露光する一方、直線部５２を電子線転写露光する。 - 特許庁

Each of the field facet mirrors is changed so as to scatter unwanted DUV (deep ultraviolet) radiation into a large range of directions.例文帳に追加

各フィールドファセットミラーは、不所望のＤＵＶ（深紫外）放射を広範囲の方向に散乱するように変更される。 - 特許庁

To restrain the irradiation time of DUV beam with respect to a sample to a minimum and to restrain damages to the sample to a minimum.例文帳に追加

標本に対してＤＵＶ光の照射時間を最小限にして標本に対するダメージを最小限にする。 - 特許庁

In yet another integrated circuit fabrication process, a multilayer amorphous carbon anti-reflective coating is used for DUV lithography.例文帳に追加

さらに別の集積回路製造工程では、多層アモルファスカーボン反射防止膜がＤＵＶリソグラフィのために用いられる。 - 特許庁

To provide a control method for optical illumination system for DUV (deep ultraviolet) laser microscope, by which highly accurate image observation or image measurement can be performed by easily removing luminosity non- uniformity inside an illumination field to occur in a DUV laser microscope.例文帳に追加

ＤＵＶレーザ顕微鏡において発生する照野内の輝度ムラを簡便に取り除き、高精度の画像観察や画像計測を行うことが可能ななＤＵＶレーザ顕微鏡の照明光学系の調整方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the other process for manufacturing an integrated circuit, an anti- reflective coating film of multi-layered amorphous carbon is used for DUV lithography.例文帳に追加

さらに別の集積回路製造工程では、多層アモルファスカーボン反射防止膜がＤＵＶリソグラフィのために用いられる。 - 特許庁

To form a color filter having excellent color characteristics, in particular, high transparency, and therefore, high lightness, and to obtain a color filter having favorable color characteristics, that is, having equivalent color temperature duv and high lightness of a white color.例文帳に追加

色特性に優れ、特に透過度が高く、したがって明度の高いカラーフィルタを形成し得るようにする。 - 特許庁

To provide synthetic quartz glass having excellent resistance to high density DUV radiation of excimer laser and excellent engineering uniformity.例文帳に追加

エキシマレーザーの高密度ＤＵＶ光に対する耐性および工学的均一性に優れた合成石英ガラスを提供する。 - 特許庁

In another process for manufacturing an integrated circuit, the amorphous carbon film is an anti-reflective coating film (ARC) for deep ultraviolet(DUV) lithography.例文帳に追加

別の集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜は深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィのための反射防止膜（ＡＲＣ）である。 - 特許庁

To provide a polymer for resist generating little line edge roughness and forming little defect in DUV excimer laser lithography, etc.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等において、ラインエッジラフネスが小さく、ディフェクトの生成も少ないレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

The laser beams of plural wavelengths from a DUV area to a VUV area are lit in order to solve the purpose hereinbefore.例文帳に追加

上記した課題を解決するために、ＤＵＶからＶＵＶ領域の複数の波長のレーザ光を照明する構成とした。 - 特許庁

The filter is a multi-layer structure formed by alternating layers which reflect or absorb DUV while the EUV radiation is transmitted.例文帳に追加

フィルタはＥＵＶ放射が透過する間にＤＵＶを反射または吸収するように交番層が多層構造をなす構成である。 - 特許庁

A component of an immersion system of a lithographic apparatus having a superhydrophobic surface which is not exposed to DUV radiation in use is disclosed.例文帳に追加

使用時にＤＵＶ放射に曝露されない超疎水性表面を有するリソグラフィ装置の液浸システムのコンポーネントが開示される。 - 特許庁

In another manufacturing process of an integrated circuit, the above silicon carbide layer is used as an anti-reflection coating(ARC) for DUV lithography.例文帳に追加

別の集積回路の製造処理では、上記炭化ケイ素層がＤＵＶリソグラフィ用に反射防止コーティング（ＡＲＣ）として使用される。 - 特許庁

To provide a mask inspection light source capable of supplying a DUV laser beam at a sufficient power to be used as a mask inspection light source.例文帳に追加

マスク検査光源に利用できるような十分なパワーのＤＵＶレーザ光を供給できるマスク検査光源を提供すること。 - 特許庁

In the case that the resist material is condensed, resistance to etching is improved and insufficiency of a resist etching mask due to reduction of thickness of the resist pattern which occurs in the slimming process can be compensated for.例文帳に追加

レジストパターンを形成した後、所望の部分にDUVあるいは電子線を照射して選択的にレジストをスリミングする。 - 特許庁

To provide a high pressure discharge lamp in which color temperature is optimized easily by forming a visible selective absorbing film, color rendering performance and appearance are improved, and appearance of red as the main is improved by adjusting duv in one direction.例文帳に追加

可視光選択吸収性膜を形成することによって簡単に色温度を最適化するとともに演色性や見え方を改善し、かつduvを−方向に調整することによってより赤を中心とする見え方を改善した高圧放電ランプを提供することを目的とする。 - 特許庁

This microscope is equipped with an ultraviolet-ray intercept means 23a for intercepting the radiation of the DUV beam to the sample 29 by giving a command to a driving circuit 22 for driving a motor M4 and closing a shutter 13, when the radiation time of the DUV beam irradiated to the sample 29 reaches an arbitrary set time.例文帳に追加

標本２９に照射しているＤＵＶ光の照射時間が任意の設定時間に達すると、駆動回路２２に指令を発してモータＭ_４を駆動し、シャッター１３を閉じて、ＤＵＶ光の標本２９への照射を遮蔽する紫外光遮蔽手段２３ａを備えた。 - 特許庁

To provide a (co)polymer for a resist giving high sensitivity and/or resolution, when used in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography or the like.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体の提供。 - 特許庁

Because the distance between mirrors is much greater than the width of an individual pupil facet mirror, the excellent DUV suppression can be achieved with only a narrow scattering angle.例文帳に追加

ミラー間の距離が個々の瞳ファセットミラーの幅よりもかなり大きいので、良好なＤＵＶ抑制が、狭い散乱角だけで達成することができる。 - 特許庁

The reflecting type exposure mask comprises the mask pattern (5) formed on a multilayer film (2) having a relatively high reflectivity for a DUV light and having a relatively low reflectivity than that of the DUV light and formed of a tantalum oxide, an oxide of a tantalum alloy or an oxide of a nitrogen tantalum formed only on its surface vicinity part or entirely formed intentionally.例文帳に追加

ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されている。 - 特許庁

Since light of a wavelength of around 535 nm is absorbed by the gold particles of the visible selective absorbing film 15, it becomes possible to adjust a size of the light-emitting peak of thallium (Tl) which is a light-emitting metal, color rendering performance and appearance are improved, duv becomes adjustable from 0 to one direction, and the appearance of red can be improved.例文帳に追加

可視選択吸収性被膜１５の金粒子によって波長約535nmの光が吸収されて発光金属であるタリウム（Tl）の発光ピークの大きさを調整することが可能となり、演色性や見え方を改善し、かつduvを0から−方向に調整可能となり、より赤を中心とする見え方を改善することができる。 - 特許庁

By irradiating the layer 20 with light having exposure energy such as deep ultra violet rays, the layer is partially photosensitized, and the photosensitive resin is partially changed in quality.例文帳に追加

感光性樹脂層に例えば遠紫外線（Deep Ultra Violet: DUV)などの露光エネルギーを有する光を照射し，部分的に感光させて，感光性樹脂層を部分的に変質させる。 - 特許庁

A photoresist composition includes a sensitizer which works in combination with a DUV photoresist including a PAC, to sensitize the photoresist to G-line, H-line or I-line imaging.例文帳に追加

フォトレジスト組成物が、フォトレジストをＧ線、Ｈ線、又はＩ線撮像に増感させるようＰＡＣを含むＤＵＶフォトレジストと組み合わせて機能する増感剤を含む。 - 特許庁

To provide a (co)polymer for a resist which ensures high sensitivity and/or resolution, when it is used in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer having high sensitivity and high resolution and causing little defect in development when it is used for a resist composition in DUV excimer laser lithography and the like.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等においてレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトが少ない重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a lithograph projector being employed effectively in both DUV and EUV lithographs and having a means for controlling molecular contamination in situ.例文帳に追加

ＤＵＶ及びＥＵＶリトグラフの両方で効果的に用いることができる、分子汚染のその場での制御を行う手段を有するリトグラフ投影装置を提供する。 - 特許庁

The majority of DUV falls onto neighboring pupil facet mirrors in the pupil mirrors, so that the amount of EUV radiation reaching target E is suppressed in comparison to the wanted EUV radiation.例文帳に追加

ＤＵＶの大部分は、瞳ミラー内の隣接する瞳ファセットミラーに当たり、それにより、ターゲットＥに到達するＥＵＶ放射の量は、所望のＥＵＶ放射に比べて抑制される。 - 特許庁

To provide a method for analyzing the distribution of a copolymer composition of a copolymer for a resist rapidly, simply and accurately in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等において、迅速、簡便、正確になレジスト用共重合体の共重合組成分布分析方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

According to this invention, incident angle α≤30° is established, the DUV wavelength band is provided with the half value width of 20nm maximum and a peak having a peak value S of ≥90% of the incident light intensity.例文帳に追加

本発明によれば、入射角α≦３０゜であり、ＤＵＶ波長バンドは最大２０ｎｍの半値幅と、入射される光強度の９０％以上のピーク値Ｓを備えたピークを有する。 - 特許庁

In particular, the lithographic apparatus is designed to be used with radiation having a wavelength in the Deep Ultra-Violet (DUV), and radially polarized light is used to enhance the image contrast.例文帳に追加

特に、本発明は、遠紫外線（ＤＵＶ）の波長を有する放射線で使用するように設計され、半径方向に偏光した光を使用して像のコントラストを向上させるリソグラフィ装置に関する。 - 特許庁

After forming a resist pattern, DUV or electron beam is irradiated on the desired portion of the resist pattern to carry out selective slimming of the resist.例文帳に追加

これを実現する従来技術に、全面スリミング法やシフタエッジ位相シフト露光法などがあるが、前者はゲートパターンと同時にゲート電極配線も細くなり、配線部分が断線しやく歩留まり低下を起こす。 - 特許庁

The lighting system 10 is provided with a light-emission part 11 emitting light in a spectral range with a skin-color desirability index PS of 80 to 100, a color deviation duv of -0.01 to 0, and a color temperature of 3,000 to 5,000K.例文帳に追加

照明装置１０は、肌色の好ましさ指数ＰＳが８０〜１００、色偏差ｄｕｖが−０．０１〜０、色温度が３０００〜５０００Ｋとなるスペクトル範囲で光を発光する発光部１１を備える。 - 特許庁

To obtain a polymer for a resist slightly forming defects and microgel and having small line edge roughness when used as a resist resin in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, etc., and a resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー、電子線リソグラフィー等においてレジスト樹脂として用いた場合に、ディフェクトおよびマイクロゲルの生成が少なく、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、レジスト組成物を提供する。 - 特許庁