「electrode method」に関連した英語例文の一覧と使い方(409ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing an optocoupler, by which an electric power is supplied to plural welding heads from a single welding power source unit without using a large-scaled change-over device and a stable welding strength is available by eliminating a difference in resistance at a lower electrode, and to provide a device for which the method is applied.例文帳に追加

下電極での抵抗により溶接強度がばらつくことを防止し、溶接ポイントの追加に容易に対応でき、高価な切替器を不要として、上電極と下電極とを一対一で対応させ、いずれか１本の上電極のみがリードフレームに接触するように制御し、位置センサで上電極が溶接位置に位置することが検出されたときに当該上電極に接続された溶接電源を駆動させて溶接することにより、下電極を最低限の大きさにして余分な電気抵抗を発生させることなく安定した溶接強度を得て、常に１本の上電極に対して１台の溶接電源を作動させて溶接ポイント数の変更を容易にし、斯かる変更を低コストで行えるようにする。 - 特許庁

Three time zones t_1, t_2, t_3 divided into three from the start of electrification are provided as to a pressurization force of an electrode and a current value of electrification, in the indirect spot welding method.例文帳に追加

インダイレクトスポット溶接法において、電極の加圧力および通電する電流値に関して、通電開始から３つの時間帯ｔ_1，ｔ_2，ｔ_3に区分し、最初の時間帯ｔ_1では、式中Ｆ_1で表される加圧力Ｆ_1(Ｎ)で加圧しかつ式中Ｃ_1で表される電流値Ｃ_1(kA)で通電したのち、次の時間帯ｔ_2では、式中Ｆ_2で表される加圧力Ｆ_2(Ｎ)で加圧しかつ式中Ｃ_2で表される電流値Ｃ_2(kA)で通電し、さらに次の時間帯ｔ_3では、式中Ｆ_3で表される加圧力Ｆ_3(Ｎ)で加圧しかつ式中Ｃ_3で表される電流値Ｃ_3(kA)で通電する。 - 特許庁

The method for carrying out an electroless plating onto a polymer electrolyte is characterized in that it comprises a swelling step as a pre-treatment step swelling the polymer electrolyte with a good solvent or a mixed solvent containing a good solvent, and the resultant swollen polymer electrode has a specific shape and a thickness 110% or more that of the polymer electrolyte in a dry state.例文帳に追加

高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して１１０％以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法を用いる。 - 特許庁

To provide a pulsed current synchronizing filler wire-feeding non-consumable electrode arc welding method which is capable of obtaining superior welding quality by preventing a large droplet from being formed during the base period Tb.例文帳に追加

ピーク電流Ｉｐ及びベース電流Ｉｂからなるパルス電流Ｉｗをアーク３に通電すると共に、ピーク電流Ｉｐが通電するピーク期間Ｔｐ中はフィラワイヤ４を所定速度Ｆfsでアーク３の方向へ前進送給し、ベース電流Ｉｂが通電するベース期間Ｔｂ中はフィラワイヤ４の送給を停止して溶接するパルス電流同期フィラワイヤ送給非消耗電極アーク溶接方法において、ベース期間Ｔｂ中にフィラワイヤ４の先端部がアーク３によって溶融して大きな溶滴が形成されるために、溶接品質が悪くなる。 - 特許庁

The manufacturing method is used for a lithium secondary battery, and the lithium secondary battery includes the electrode for the lithium secondary battery.例文帳に追加

集電体、前記集電体の少なくとも一面に形成されている第１電極混合物層、そして前記第１電極混合物層より前記集電体から遠く離れている第２電極混合物層を含み、前記第１電極混合物層及び前記第２電極混合物層は、各々、活物質及び導電材を含み、前記第１電極混合物層の導電材の含有量は前記第２電極混合物層の導電材の含有量と異なるリチウム２次電池用電極、前記リチウム２次電池用電極の製造方法、及び前記リチウム２次電池用電極を含むリチウム２次電池を提供する。 - 特許庁

In the method for evaluating a boron doped silicon wafer by measuring the breakdown voltage characteristics of an oxide film using an MOS capacitor formed therein, a state not irradiated with light and a state irradiated with light are formed at least the measuring electrode part, the breakdown voltage characteristics of the oxide film are measured under respective states and the measurements are compared thus evaluating a boron doped wafer.例文帳に追加

ボロンドープシリコンウェーハにＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記ＭＯＳキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。 - 特許庁

This method for manufacturing lithium manganate as the active material for the lithium ion secondary battery positive electrode, includes a solution generation step of generating solution to which a thickener agent distributes a lithium compound and a manganese compound, a heating step of atomizing the solution generated in the solution generation step, heating the mist of the atomized solution and producing a lithium manganate precursor, and a step of firing the lithium manganate precursor produced in the heating step and producing lithium manganate.例文帳に追加

マンガン酸リチウムによるリチウムイオン二次電池正極活物質の製造方法であって、リチウム化合物とマンガン化合物とを、増粘剤で分散させた溶液を生成する溶液生成工程と、溶液生成工程で生成された溶液を噴霧し、噴霧された溶液のミストを加熱し、マンガン酸リチウム前駆体を生成する加熱工程と、加熱工程で生成されたマンガン酸リチウム前駆体を焼成し、マンガン酸リチウムを生成する焼成工程とを含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池正極活物質の製造方法である。 - 特許庁

The method for cleaning carrying arms each having an electrostatic chuck for performing the carrying of a substrate includes a voltage applying step of applying voltage with a polarity same as the polarity of the load of foreign matters charged to each electrode of each electrostatic chuck in a state where the substrate is not mounted on the carrying arm in the case that charged foreign matters are stuck to the carrying arm, wherein the foreign matters stuck to each carrying arm are removed.例文帳に追加

基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

These processes are carried out in the order in the manufacturing method for the porous electrode base material.例文帳に追加

（Ａ）炭素短繊維とバインダー短繊維とを二次元平面内において分散し、炭素短繊維紙を作製する工程（Ｂ）フェノール樹脂組成物とポリビニルピロリドンとを溶解したメタノール溶液を前記炭素短繊維紙に含浸して前駆体シートを作製する工程（Ｃ）前記前駆体シート中のフェノール樹脂組成物とポリビニルピロリドンとを相分離させる工程（Ｄ）相分離した前駆体シート中のフェノール樹脂組成物を凝固させる工程； （Ｅ）次いで、メタノールを除去したフェノール樹脂組成物とポリビニルピロリドンとを含む前駆体シートを得る工程（Ｆ）（Ｅ）工程で得られた前駆体シートを炭素化処理して多孔質電極基材を得る工程 - 特許庁

The method comprises a step of forming a laminate of alternately laminated piezoelectric layer precursors containing piezoelectric porcelain composition particles and inner electrode layer precursors containing conductive particles, and a step of baking the laminate.例文帳に追加

圧電磁器組成物粒子を含む圧電体層前駆体と、導電粒子を含む内部電極層前駆体とが交互に積層された積層体を作製する工程と、積層体を焼成する工程と、を備え、圧電磁器組成物粒子が、式（１）で表される組成物に対して、鉛を酸化物に換算して０．０１〜２質量％の範囲内で含有すると共に、亜鉛を酸化物に換算して２質量％以下の範囲内で含有し、（Ｐｂ_a-b Ｍｅ_b ）［（Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）_x Ｔｉ_y Ｚｒ_z ］Ｏ_3 …（１）（０．９６≦ａ≦１．０３、０≦ｂ≦０．１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ＜０．１２５、０．２７５＜ｙ≦０．５、０．３７５＜ｚ≦０．６をそれぞれ満たす範囲内の値である。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 特許庁

According to the production method, since the concentrated slurry containing the transition metal hydroxide is obtained by the cross-flow filtration and direct drying, the transition metal hydroxide can be produced as a dry product with little impurity without passing through wet cake, and the transition metal hydroxide which is suitable as a raw material of a secondary battery positive electrode material can be produced at high productivity.例文帳に追加

工程（１）：遷移金属元素を含む溶液をアルカリと接触させることにより遷移金属水酸化物を主成分とする沈殿物成分を含む原液スラリーを得る工程工程（２）：クロスフローろ過によって、前記スラリー中の沈殿物成分の濃縮を行って濃縮スラリーを得る工程工程（３）：前記濃縮スラリーを直接乾燥する工程 この製造方法によると、クロスフローろ過によって遷移金属水酸化物を含む濃縮スラリーを得、これを直接乾燥するので、ウェットケークを経ることなく不純物の少ない乾燥物として遷移金属水酸化物を製造することができ、二次電池正極材の原料として好適な遷移金属水酸化物を高い生産性にて製造することが可能になる。 - 特許庁

In this molten steel level detection method for the arc furnace 1, an arc 7 is formed between at least one vertically moving electrode 6 and molten steel 5 formed by melting the molten metal such as the iron scrap to melt and heat, or refine the molten metal such as the iron scrap.例文帳に追加

少なくとも１本の昇降する電極６とスクラップ等の被溶解金属を溶解した溶鋼５との間でアーク７を形成してスクラップ等の被溶解金属を溶解加熱もしくは精錬するアーク炉１の溶鋼レベル検知方法において、電極を被溶解金属へ接触させて短絡状態にし、電流を流してから所定の電流になるように電極を上昇してアークを形成させ、炉況判定装置２８からの信号の精錬期に、電極先端高さＨｅと電極消耗割合Ｒｃと電極電力使用量ＫＷＨ２から、通電開始する際に電流検出器の電流値が０から急激に上昇した時に次の式により演算して溶鋼レベルＨｍを検出する。 - 特許庁

The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer.例文帳に追加

電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がＴｓ１（℃）である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がＴｓ２（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がＴｓ３（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。 - 特許庁