「electrode method」に関連した英語例文の一覧と使い方(401ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing an inkjet head includes a step of forming an insulation layer, which is denser than a piezoelectric member, in a region of the piezoelectric member other than a drive part for ejecting ink, and a step of forming an electrode for applying a drive voltage to the drive part by performing electroless plating of the drive part and the insulation layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドの製造方法は、圧電部材のうち、インクを吐出させる駆動部以外の領域に対して、前記圧電部材よりも緻密な絶縁層を形成し、前記駆動部および前記絶縁層に対して無電解メッキを行うことにより、前記駆動部に駆動電圧を印加するための電極を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resin sheet having a good optical property for a long period of time as various electrode substrates for use in a display such as a liquid crystal display device by decreasing a content of an impurity ion in the resin sheet, which consists at least of an epoxy resin layer, an inorganic gas barrier layer and a hard coat layer.例文帳に追加

本発明は、少なくともエポキシ樹脂層、無機ガスバリア層、ハードコート層からなる樹脂シートにおいて、樹脂シート中の不純物イオンの含有量を減少させ、液晶表示装置をはじめとするディスプレイ用途の各種電極基板として長期間にわたり光学特性が良好な樹脂シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photo-electrode for a dye-sensitized solar cell having a large area using a plastic substrate as a translucent substrate, obtaining high photoelectric conversion efficiency, and keeping the photoelectric conversion efficiency of a high level even if the amount of irradiation light is varied, and to provide its manufacturing method and a dye-sensitized solar cell.例文帳に追加

透光性基板としてプラスチック製基板を使用した大面積のものであって、高い光電変換効率が得られ、かつ照射する光量を変化させても高いレベルの光電変換効率を維持できる色素増感型太陽電池用光電極およびその製造方法、並びに色素増感型太陽電池の提供。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which allows manufacturing of a high-performance and very reliable dual gate CMOS transistor reduced in size, wherein a short channel effect is suppressed and off-state current is reduced and depletion a gate electrode is suppressed and penetration of boron through a gate insulation film is prevented, without increasing the number and the time of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程の増加及び長時間化を招くことなく、短チャネル効果を抑制し、オフ電流を低減させ、ゲート電極の空乏化を抑制し、ボロンのゲート絶縁膜突抜けを防止する高性能で高信頼性を有する微細化したデュアルゲート型ＣＭＯＳトランジスタを製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method where, using a hollow cathode type plasma gun 3, plasma-assisted vapor deposition is performed to a film substrate 9 conveyed on a vapor deposition drum 5, at a preliminary stage before a vapor deposition material is vapor-deposited on the film substrate 9, electrons are taken out from the plasma by an electron acceleration electrode 2, and the substrate 9 is electrified with the electrons.例文帳に追加

ホローカソード型プラズマガン３を使用して、蒸着ドラム５上を搬送させているフィルム基板９にプラズマアシスト蒸着を行う方法は、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段に電子加速電極２によりプラズマ中から電子を取出し、該電子でフィルム基板９を帯電させることを特徴とする。 - 特許庁

In a method for manufacturing the electronic device, the electronic part 13 and the mounting board 11 are arranged so as to make one side 13a of the electronic part 13 confront one side 11a of the mounting board 11, and the connecting electrode 14 of the electronic part 13 is electrically and mechanically joined to the conductor pattern 12 of the mounting board 11.例文帳に追加

電子装置の製造方法では、電子部品１３の一方の面１３ａが実装基板１１の一方の面１１ａに対向するように、電子部品１３と実装基板１１とを配置し、電子部品１３の接続電極１４を実装基板１１の導体パターン１２に電気的に接続し且つ機械的に接合する。 - 特許庁

To provide copper powder for conductive paste which is composed of mono-dispersed copper fine particles having a sharp particle distribution, including no coarse particles, having characteristics that shape is close to a true sphere or the like, and can make an electrode thin in film thickness while evading adverse influence on its electric properties, and to provide a method for stably producing the copper powder for conductive paste.例文帳に追加

単分散した微粒子で、粒度分布がシャープで、粗粒を含まず、形状が真球に近いなどの特性を有する銅微粒子であり、電気的特性への悪影響を回避しながら、電極の薄膜化を可能にする導電性ペースト用銅粉およびそのような導電性ペースト用銅粉を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a terminal part of an accumulator in which welding work of a bushing of lead provided at the lid of the accumulator and an electrode pole having a conductive metallic nut to be inserted in the bushing are made easy and there are no possibility of welding failure, and a forming method of the terminal part in which welding failure of the terminal part is not brought about and welding work can be made easily.例文帳に追加

蓄電池の蓋に設けた鉛製のブッシングと、該ブッシングに挿通の導電金属製ナットを有する極柱との溶接作業を容易とし、溶接不良を起すことのない蓄電池の端子部の提供と、該端子部の溶接不良を起さず、容易に溶接作業ができる端子部の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 - 特許庁

To provide a welding method between a core exposed part of an electrode body and a current collection member capable of securing stable welding quality and superbly welding between the core exposed part and the current collection member, upon welding between laminated core exposed parts forming a slant surface and the current collection member with the use of a high energy beam such as a laser beam.例文帳に追加

傾斜面を有する積層された芯体露出部と集電用部材とをレーザ光等の高エネルギー線を用いて溶接する際に、安定した溶接品質を確保することができ、良好に芯体露出部と集電用部材との間を溶接できる電極体の芯体露出部と集電用部材との溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a molded coil with reduced electric characteristic variance and good reliability in which a coil member can be easily buried in a structure of the molded coil with small terminal connection resistance and at a predetermined position by inexpensive facilities, the molded coil being connected to an external electrode on a molded coil molding side face etc., and advantageous in man-hour and material cost.例文帳に追加

工数や材料コストの面で有利なモールドコイル成型体側面等で外部電極と接続するモールドコイルにおいて、端末接続抵抗の小さなモールドコイルの構造と所定の位置にコイル部材が容易に安価な設備で埋設でき、電気特性バラツキの軽減や、信頼性の良いモールドコイルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electron source electrode, a dispersion liquid in which the carbon nanotube (CNT) is dispersed in a dispersion medium is filtered by a membrane filter, the CNT accumulated on the membrane filter is transcribed onto a substrate, the CNT is fixed to the substrate by irradiating an electron beam in a vacuum environment, and next, the CNT is napping-brushed.例文帳に追加

上記課題は、カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法によって解決される。 - 特許庁

The method of manufacturing a graphite negative electrode material for a lithium secondary battery includes a heat-treating process of a material in which a pitch raw material having a quinoline insoluble 20 mass% or less is used, a process for conglobating the heat-treated material, a calcining process of the material after the conglobation process, and a graphitizing process of the material after the calcination.例文帳に追加

キノリン不溶分が２０質量％以下のピッチ原料を材料として用いて、該材料を熱処理する工程と、熱処理後の材料を球形化処理する工程と、球形化処理後の材料を焼成する工程と、場合により焼成を終えた材料を黒鉛化する工程を含むリチウム二次電池用黒鉛負極材料の製造方法。 - 特許庁

In a method of forming a solar cell array which contains a solar cell series 101 that uses solar cells equipped with electrodes at least partially exposed to environment, solar cells 102 and 103 are additionally connected in series to the solar cell series in the state of short-circuiting the positive and negative electrode with a shorting member 104.例文帳に追加

電極の少なくとも一部が環境に対して露出している太陽電池を用いた太陽電池直列体１０１を含む太陽電池アレイの形成方法において、太陽電池直列体１０１の正負極をショート部材１０４により短絡した状態で、この直列体１０１に新たに太陽電池１０２、１０３を直列接続する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent display device of a top emission type, its manufacturing method as well as an electronic equipment equipped with this display device wherein oxidation of base film can be prevented when metal oxide is formed with regard to a transparent negative electrode technique of the electroluminescent display device having the top emission structure.例文帳に追加

本発明は、トップエミッション構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の透明陰極電極技術に関し、金属酸化物を成膜する際に下地膜の酸化を防止できるようにした、トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法並びにこの表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for forming a dye-sensitized semiconductor porous layer comprises: a process for forming the semiconductor porous layer 20 on the surface of an electrode substrate 15; and a process for immersing the substrate 15, on which the semiconductor porous layer 20 has been formed in the dye solution 30, filling the dye solution 30 inside the semiconductor porous layer 20 by the action of centrifugal force, and performing drying.例文帳に追加

電極基板１５の表面に半導体多孔質層２０を形成する工程；表面に半導体多孔質層２０が形成された基板１５を色素溶液３０に浸漬し、次いで遠心力を作用させて色素溶液３０を半導体多孔質層２０の内部に充填した後、乾燥を行なう工程；からなることを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the aluminum electrode foil for use of the electrolytic capacitor for applying AC current to the aluminum foil in an etchant to roughen the surface, the AC current has a current waveform including a first period in which a current value is constant during an initial stage and a second period subsequent to the first period, in which the maximum current value appears.例文帳に追加

エッチング液中でアルミニウム箔に交流電流を印加して表面を粗面化する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、交流電流は、初期において電流値が一定の第１の期間と、該第１の期間に続き、最大電流値が出現する第２の期間とを備えた電流波形を備えている。 - 特許庁

To provide a cathode substrate for an electron emitting element, capable of improving color purity of a screen by focusing electrons emitted from an electron emitting part, interrupting influence of an electron accelerating electrode voltage to the electron emitting part, and enhancing manufacturing efficiency, and to provide an electron emitting element equipped with it, and its manufacturing method.例文帳に追加

電子放出部から放出された電子を集束させて画面の色純度を高め，さらに電子放出部に対する電子加速電極電圧の影響力を遮断することができるとともに，製造効率を高めることができる，電子放出素子用カソード基板，これを備えた電子放出素子，及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode material for a lithium secondary battery in an industrial manner having as much discharge capacity as the maximum level discharge capacity of flaky graphite such as natural graphite or theoretical capacity determined by a graphite structure and overcoming problems on the flaky graphite, and its manufacturing method as well as the lithium secondary battery using the same.例文帳に追加

天然黒鉛等の鱗片状黒鉛の最高水準の放電容量もしくは黒鉛構造から決定される理論容量と同程度の放電容量を持つと共に、鱗片状黒鉛の問題を解決したリチウム二次電池用負極材料とその製造方法並びにこれを用いたリチウム二次電池を工業的に提供する。 - 特許庁

In the ink jet printing method for forming an image directly on a print medium based on the signal of image data, a print image is formed by a system for ejecting oil ink utilizing an electrostatic field formed by applying a voltage corresponding to a digital image signal under a state where an electrode provided in an ink head is irradiated with light.例文帳に追加

画像データの信号に基づき、印刷媒体上に、直接画像を形成するインクジェット印刷方法において、インクヘッド内に設けた電極へ光照射した状態で、デジタル画像信号に応じた電圧印加により形成される静電界を利用して油性インクを吐出させる方式で印刷画像の形成を行なう。 - 特許庁

To provide an ink jet recording head for recording ink images, a manufacturing method for the same and an ink jet recorder with the same in which high-quality printing is formed with a uniform velocity of each flow of ink supplied from an ink supply hole to an ink pressure liquid chamber and ink supply ports are easily formed from the side of a discrete electrode substrate.例文帳に追加

インク供給孔から供給されるインクのインク加圧液室までの流れの各々の速度が均一で高品質の印字が形成され、インク供給口を個別電極基板側から容易に形成されインク画像を記録するインクジェット記録ヘッド及びその製造方法並びにそれを具備するインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor which can reliably connect collecting electrodes to an electrode terminal only by ultrasonic welding without increasing the connection resistance, even if a bundle of leads of the collecting electrodes is thick or the number of the collecting electrodes increases, and can contribute to improvement of the durability in a long vibration, cold cycle and charging-discharging cycle.例文帳に追加

集電極のリード部の束が厚くなったり、集電極の枚数が多くても、超音波溶接のみで、接続抵抗を上昇させることなく確実に電極端子と接続することができるとともに、長期にわたる振動、冷熱サイクル、充放電サイクルにおける耐久性の向上に寄与することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the silicon nitride film includes the steps of heating an interior of a reduced pressure CVD device to a temperature lower than 700 degrees, introducing raw material gas containing nitrogen and silane system gas, thereby forming a silicon nitride film 60 on a metal electrode; and thereafter changing the temperature to a temperature higher than 700 degrees and forming the silicon nitride film 70 again.例文帳に追加

シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enables MISFETs to improve their operating speed by making a contact between them large enough in area so as to reduce it in contact resistance and can be restrained from deteriorating its element characteristics, by preventing an electric field from concentrating around the lower end of a gate electrode film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ間のコンタクト部の面積を十分に広く確保し、その接触抵抗を小さくすることによって、ＭＩＳＦＥＴの動作速度を向上させると共に、ゲート電極膜の周辺下端部での電界集中を防ぐことにより、素子特性の劣化を抑えた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A part of the entire of the lower electrode layer 31 is formed by a plating method.例文帳に追加

半導体基板２０上に下部電極層３１を形成する工程と、予め作製された金属酸化物微粒子３２を孔の内部の下部電極層３１上に選択的に配置する工程と、上部電極層３３を形成する工程とを有する容量素子の製造方法であって、下部電極層３１の一部あるいは全部がメッキ法により形成することを特徴とする。 - 特許庁

When the thin film is formed on an electrode being electrically connected to the transistor by the electron beam deposition method, a film formation speed is controlled to shorten time when radiations being emitted from a deposition material are emitted onto a film-formed surface while electron beams are emitted to a deposition material for forming the thin film.例文帳に追加

トランジスタと電気的に接続する電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線が成膜表面に放射される時間を短くするために、成膜速度を制御することを特徴とするものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electronics element wherein a transparent conductive membrane is formed on a substrate, next at least an organic compound layer and a counter electrode layer are formed on the transparent conductive membrane, a process is provided in which moisture amount in the substrate before forming the transparent conductive membrane is controlled.例文帳に追加

基材上に透明導電膜を形成し、次いで、該透明導電膜上に、少なくとも有機化合物層および対向電極層を形成する、有機エレクトロニクス素子の製造方法において、該透明導電膜を形成する前の基材の水分量を制御する工程を有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。 - 特許庁

A method is provided, which includes steps of: covering a first region 1As over a conductive film, forming a mask film with an opening of a second region 1Ad adjacent to the first region, implanting impurity ions into the conductive film, and forming a gate electrode GE1 in a region including a boundary between the first region and second region by selectively removing the conductive film.例文帳に追加

導電性膜上に第１領域１Ａｓを覆い、第１領域と隣接する第２領域１Ａｄを開口したマスク膜を形成し、導電性膜中に不純物イオンを注入し、導電性膜を選択的に除去することにより、第１領域と第２領域との境界を含む領域にゲート電極ＧＥ１を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that in a welding method for an Al alloy using only Ar gas as sealed gas, and performing welding by changing the polarity of the voltage supplied between an electrode and a welded member, the weld metal narrow in weld bead width and large in melting depth can not be obtained in the welding of a thick plate and the horizontal fillet welding for the Al alloy.例文帳に追加

アルゴンガスのみをシールドガスとして使用し、電極と被溶接物との間に供給する電圧の極性を切り換えて溶接するＴＩＧア−ク溶接方法では、アルミニウム合金の厚板溶接、水平隅肉溶接等において溶接ビード幅Ｗが狭く溶け込み深さＰの大きな溶接金属を得ることができない。 - 特許庁

A porous metal film 2, which has a fine structure consisting of the coupled body of, for example, tungsten film particles is provided, being connected electrically with a semiconductor substrate 1, on one electrode consisting of, for example, the semiconductor substrate, and an insulation film 5 is provided on the surface of the porous metal film 2 and on its internal surface by sol/gel method.例文帳に追加

たとえば半導体基板１からなる一方の電極上に、たとえばタングステン微粒子の連結体からなる微細構造を有する多孔質金属膜２が半導体基板１と電気的に接続して設けられており、その多孔質金属膜２の表面およびその内部表面上に、たとえばゾル・ゲル法により絶縁膜５が設けられている。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

The method for electric discharge machining includes steps of applying rotation vortex motion to a machining liquid 6 containing impurities to coagulate the impurities and make them coarse, removing the impurities by filtering, and thereafter electric-discharge-machining with the filtered machining liquid 6 placed in a gap between an electrode 7 and a workpiece W.例文帳に追加

本発明に係る放電加工方法は、不純物が含まれる加工液６に回転渦運動を与えて、前記不純物を凝集させて粗大化し、これを濾過処理により除去した後に、前記濾過処理が施された加工液６を、電極７とワークＷとの間隙に介在させて放電加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The EL element comprises a thick film dielectric layer 3 formed by a powder calcination method, a thin film dielectric layer 6, a phosphor thin layer 5 interposed between the dielectric layers 3, 6, and a buffer layer 7 made of zinc oxide (ZnO) as a main component interposed between the thin film dielectric layer 6 and a transparent electrode 8.例文帳に追加

粉体焼成法により形成された厚膜誘電体層３と、薄膜誘電体層６と、これらの誘電体層３，６間に蛍光体薄膜５を有するＥＬ素子であって、前記薄膜誘電体６と透明電極８の間に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするバッファ層７を有する構成のＥＬ素子およびその製造方法とした。 - 特許庁

In the AC pulse arc welding method, the mean value of the welding current is set by the set welding current Is, the set feed speed Fsc is operated and automatically set based on a predetermined transformation function circuit FSC with the set welding current Is and the set electrode negative current ratio Rs as the inputs.例文帳に追加

本発明は、溶接電流の平均値を溶接電流設定値Ｉｓによって設定し、この溶接電流設定値Ｉｓ及び上記の電極マイナス電流比率設定値Ｒｓを入力として予め定めた変換関数回路ＦＳＣに基づいて送給速度設定値Ｆscを演算して自動設定する交流パルスアーク溶接方法である。 - 特許庁

The electroluminescent element manufactured by the method has the substrate, a layer doped with rare earth elements and rich in silicon formed on a gate oxide layer for radiating light at a prescribed wavelength, an upper end electrode formed on a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon, and a combined CMOS IC structure manufactured there.例文帳に追加

基板、所定の波長の光を放出するためのゲート酸化物層上に形成された、希土類がドープされ且つシリコンリッチな層、上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層上に形成された上端電極、およびそこに製造された連合されたＣＭＯＳ ＩＣ構造体を有する本発明の方法によって製造されたエレクトロルミネセンス素子に関する。 - 特許庁

The CNT and FED, and their manufacturing method is characterized by including such a mask layers that a gate accumulated substance formed around a CNT emitter covers an emitter electrode around the CNT emitter; gate insulating films formed on the mask layers sequentially; gate electrodes; first silicon oxide films (SiO_x) (X<2); and focus electrodes.例文帳に追加

ＣＮＴエミッタの周りに形成されたゲート積層物が前記ＣＮＴエミッタの周りのエミッタ電極を覆うマスク層、前記マスク層上に順次に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極、第１シリコン酸化膜（ＳｉＯ_Ｘ）（Ｘ＜２）及びフォーカスゲート電極を含むことを特徴とするＣＮＴ ＦＥＤ及びその製造方法である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electrode for the solid polymer fuel cell, two or more kinds of cations of a platinum group metal are adsorbed in a cation exchange resin in a mixture of the cation exchange resin and carbon, and adsorbed cations are reduced in an atmosphere containing hydrogen gas at ≥100°C and ≤130°C.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池用電極の製造方法において、陽イオン交換樹脂とカーボンとを含む混合物中の陽イオン交換樹脂に、白金族金属の陽イオンを２種類以上吸着させた後、吸着した陽イオンを１００℃以上、１３０℃以下の水素ガスを含む雰囲気中で還元することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a capacitor for adjusting the desired capacity of a capacity for each circuit without changing the electrode area of the capacitor, due to design correction for possibly inviting fluctuation in the value of parasitic capacitance and without changing thermal oxidation conditions for changing the impurity profile of a device, and its manufacturing method.例文帳に追加

寄生容量の値の変動を招く恐れのある設計修正によるキャパシタの電極面積の変更を行うことなく、またデバイスの不純物プロファイルを変化させる熱酸化条件の変更を行うことなく、回路毎に所望のキャパシタの容量を調整することが可能なキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a vanadate glass whose whose function as an electrode material, solid electrolyte and sensor of thermistor or the like can be improved by its greatly enhanced electric conductivity and also to provide its manufacturing method which enables to easily design apparatus or circuit which use these materials and sensors by controlling its electric conductivity within a predetermined range.例文帳に追加

その電気伝導度を飛躍的に高めて電極材料や固体電解質、サーミスタ等のセンサとしての機能を向上させるとができるバナジン酸塩ガラスを提供し、電気伝導度を所定範囲に制御してこれらを用いる装置や回路の設計を容易に行うことのできるバナジン酸塩ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

This charger achieves a high efficiency in the case of applying the method of internal polarization, while preventing the electrons generated by the charge from flowing into the charger by disposing an insulation layer 7 for preventing the electric charge in the same polarity as that of a charging electrode from flowing into the charger 2 itself on a section held in contact with a photoreceptor 1 as the flowing out preventive layer.例文帳に追加

帯電極性と同じ極性の電荷が帯電器２自身に流失することを阻止する絶縁膜７を流失防止層として感光体１に接触する部分に備えることで、帯電により生じた電子が帯電器２内部に流失してしまうことがなく、内部分極型帯電方法を用いる場合の高効率化を図れる。 - 特許庁

An electrode catalyst for a fuel cell includes a nitrogen-containing carbon compound which contains 1-20 mass% of nitrogen, has a graphite structure with a distance on the d002 face measured by a powder X-ray diffraction method of 3.40-4.00 Å, and has at least three peaks in a range of 1,200-1,600 cm^-1 of a Raman shift wavenumber in a Raman spectrum.例文帳に追加

１〜２０質量％の窒素を含有し、粉末Ｘ線回折法により測定されるｄ００２面の間隔が３．４０〜４．００Åであるグラファイト構造を有し、ラマンスペクトルのラマンシフト波数の１２００〜１６００ｃｍ^−１の範囲に少なくとも３つピークを有する含窒素炭素化合物を含む燃料電池用電極触媒。 - 特許庁

In a manufacturing method for an electronic device, an electronic component 13 and a mounting board 11 are arranged so that the one side 13a of the electronic component 13 may face the one side 11a of the mounting board 11, and the connecting electrode 14 of the electronic component 13 is connected electrically and also mechanically coupled with the conductor pattern 12 of the mounting board 11.例文帳に追加

電子装置の製造方法では、電子部品１３の一方の面１３ａが実装基板１１の一方の面１１ａに対向するように、電子部品１３と実装基板１１とを配置し、電子部品１３の接続電極１４を実装基板１１の導体パターン１２に電気的に接続し且つ機械的に接合する。 - 特許庁

The method of fabricating a thin metal film electrode according to an embodiment of the present invention includes: applying a metal paste including a metal powder, an organic binder and an organic solvent onto a substrate to form a thin metal film; and subjecting the thin metal film to reduction firing in an atmosphere containing an organic acid and an aqueous solution in a ratio ranging from 10:90 to 90:10.例文帳に追加

本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が１０：９０〜９０：１０の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。 - 特許庁