「etch selectivity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an etch selectivity measuring method and an etch selectivity measuring device which can determine the etch selectivity of an etched object against an etching mask under the environment wherein the etched object is actually etched.例文帳に追加

エッチング対象物を実際にエッチングする環境下でのエッチングマスクに対するエッチング対象物のエッチング選択比を求めることができるエッチング選択比測定方法およびエッチング選択比測定装置を提供する。 - 特許庁

Depending on the etch selectivity, a lens shape is formed with sloped sidewalls.例文帳に追加

エッチングの選択性に依存して、勾配のある側壁を有するレンズ形が形成される。 - 特許庁

INCREASING ETCH SELECTIVITY OF CARBON FILMS WITH LOWER ABSORPTION CO-EFFICIENT AND STRESS例文帳に追加

吸収係数および応力を低減しつつ炭素膜のエッチング選択性を改善する方法 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

To provide a technique for attaining high etch selectivity of a silicon nitride film over a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比を達成する技術を提供する。 - 特許庁

The chlorine/oxygen-based plasmas provide good selectivity with high etch rates for Ir and PZT layers and low etch rates for the hard mask.例文帳に追加

塩素／酸素系のプラズマは、Ｉｒ及びＰＺＴ層に対して高いエッチング速度かつハードマスク(360)に対して低いエッチング速度を有する良好な選択性を提供する。 - 特許庁

From the calculated difference in height and the depth of the trench, the etch selectivity of the etched object 6 against the etching mask 5 can be derived.例文帳に追加

この差と溝の深さとに基づいて、エッチングマスク５に対するエッチング対象物６のエッチング選択比を導き出すことができる。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.例文帳に追加

ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To etch an aluminum oxide and a silicon oxide film formed thereon with the same etchant in accordance with selectivity to a wiring made of an aluminum film.例文帳に追加

アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。 - 特許庁

Compositions of the invention also can serve effectively as a hard mask layer by exhibiting a sufficient plasma etch selectivity from an undercoated layer.例文帳に追加

また、本発明の組成物は、下塗りされた層との十分なプラズマエッチング選択性を示すことによって、ハードマスク層として効果的に機能することができる。 - 特許庁

The antenna 30 generates a plasma of a high density and low energy to etch an oxygen-contained layer provided on a non-oxygen-contained layer within the chamber with a high selectivity.例文帳に追加

アンテナ３０はチャンバ内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするため高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。 - 特許庁

A high RF frequency source is employed in certain embodiments to achieve a high etch rate with high selectivity to inorganic dielectric layers.例文帳に追加

所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。 - 特許庁

An insulation layer 18 has etch selectivity with respect to at least the insulation layers 15 and 19, and is located between the insulation layers 15 and 19, except on the bottom of the interconnection recess 20.例文帳に追加

絶縁層１８は、少なくとも絶縁層１５，１９に対してエッチング選択比を有し、配線溝２０の底部を除き、絶縁層１５，１９の間に配置される。 - 特許庁

The selectivity of the etch rates of the material within the cavity relative to the material defining the walls of the cavity permits accurate control of the length of a free end of the cantilevered beam.例文帳に追加

該凹所の壁を画定する物質と相対的に該凹所を充填する物質のエッチレートの選択性が片持ち梁型ビームの自由端部の長さを正確に制御することを可能とさせる。 - 特許庁

To provide an etching method which can obtain a smooth surface and can achieve a sufficiently high etch selectivity, and to provide a very accurate inspection method of silicon wafers.例文帳に追加

平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を実現するとともに、精度の高いシリコンウェーハの検査方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for etching an oxide film which can suitably etch the oxide film on a substrate with a high selectivity ratio and can make vertical via holes in the oxide film.例文帳に追加

基板上の酸化膜を高い選択比で良好にエッチングすることができ、酸化膜に垂直形状のビアホールを形成することができる酸化膜のエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25.例文帳に追加

フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜２１のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン２５を除去する。 - 特許庁

On top faces of copper wirings are provided diffusion barriers made of a material selected among silicon nitride, silicon carbide, aluminum nitride, aluminum carbide and titanium carbide, an etch stopper film and an insulation film are provided on the diffusion barriers, and the etching selectivity of the etch stopper film to the insulation film is set to 10 or more, thereby attaining the purpose.例文帳に追加

銅配線の上面にシリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム炭化物、チタン炭化物から選ばれる拡散バリアを設け、この拡散バリア上にエッチストッパ膜と絶縁膜を設け、この絶縁膜に対するエッチストッパ膜のエッチ選択比を１０以上とすることにより達成される。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film, which can form a resist lower layer film having a function as an antireflective coating, and is improved in pattern transfer performance, etch selectivity and inter-mixing preventive effect.例文帳に追加

反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The materials of the sacrifice and target layers are selected so that the etching between two times of exposure and that of the target layer have alternate selectivity for each etching step to provide a suitable etch stop layer.例文帳に追加

適したエッチ・ストップ層を設けるために、犠牲マスク層と標的層の材料は、各エッチング・ステップについて、２回の露光の間のエッチング及び標的層のエッチングが交互の選択性を有するように選択される。 - 特許庁

When the substrate material of the silicon oxide film does not contain any fluorocarbon-based side chain, the substrate material is not etched by the argon ions and the etch selectivity of the silicon oxide film containing the fluorocarbon-base side chain is remarkably improved.例文帳に追加

下地材料にフルオロカーボン系の側鎖を含まなければ、下地材料はアルゴンイオンでエッチングされることはなく、フルオロカーボン系の側鎖を含むシリコン酸化膜のエッチング選択比が顕著に向上できる。 - 特許庁

To generate active species necessary for etching and to etch a silicon oxide film while maintaining a former selectivity, since it is anticipated that PFC (perfluorocarbon) and HFC (hydrofluorocarbon) as an etching gas of the silicon oxide film or a silicon nitride film will be limited to use or will become unavailable in the future due to environmental regulations.例文帳に追加

シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のエッチングガスである、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）は環境規制により、今後使用が制限もしくは入手が困難なことが予想される。 - 特許庁

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.例文帳に追加

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁