「film over」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To keep the tension of the film, which is trained over a suction drum, constant.例文帳に追加

サクションドラムに掛けられたフイルムのテンションを一定に保つ。 - 特許庁

CLEAR-FILM PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET FOR OVER LAMINATE AND LAMINATE THEREOF例文帳に追加

オーバーラミネート用透明フィルム粘着シートおよびそのラミネート物 - 特許庁

He had the eye of a vulture - a pale blue eye, with a film over it. 例文帳に追加

あの禿鷹のような眼、膜の張ったどんよりとしたあの眼なのでございます。 - Edgar Allan Poe『暴露させる心臓』

A second electrode film is formed over the first electrode film.例文帳に追加

また、その第１の電極膜上には、それと絶縁状態で第２の電極膜が形成される。 - 特許庁

A ferritic film 10 is deposited substantially over the entire surface of the first polyimide film 11-1.例文帳に追加

第１のポリイミド膜１１−１の上に、フェライト膜１０が略全面に渡り形成してある。 - 特許庁

The metal film may comprise a barrier metal layer and a tungsten film over it.例文帳に追加

金属膜は、バリアメタル層とその上のタングステン膜から構成しても良い。 - 特許庁

A plating seed film 18 is detached over all the surface of the second PI film 16 by sputtering.例文帳に追加

めっきシード膜１８が第二ＰＩ膜１６の全面にスパッタリング法によって被着される。 - 特許庁

The interlayer dielectric film is deposited all over from above the dielectric film sidewall and the bit line 11 is embedded.例文帳に追加

絶縁膜サイドウォールの上から全面に、層間絶縁膜を堆積して、ビット線１１を埋め込む。 - 特許庁

A second inorganic protective film 20 is provided from the dividing region B over the resinous protective film 10.例文帳に追加

分断領域Ｂから樹脂保護膜１０にかけて第二無機保護膜２０を備える。 - 特許庁

The transparent film 210 is arranged over the microlenses 109 and flattening film 108.例文帳に追加

透明膜２１０は、マイクロレンズ１０９及び平坦化膜１０８を覆うように配置されている。 - 特許庁

To manufacture a thin film heater in which a film pattern of a desired shape without over-etching has been formed.例文帳に追加

オーバーエッチングのない所望の形状の膜パターンが形成された薄膜ヒーターを製造する。 - 特許庁

After this, the protective film PL is removed, and the wiring film 7 and the barrier metal film 6 over an inter-layer insulation film 4 are removed.例文帳に追加

その後、保護膜ＰＬを除去し、層間絶縁膜４上の配線膜７及びバリアメタル膜６を除去する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus that can form an amorphous silicon film having uniform film quality over the entire film, without lowering film formation rate.例文帳に追加

製膜レートを下げることなく、膜全体に亘って膜質が均一なアモルファスシリコン膜を形成することができるＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film is formed over a gate electrode; a microcrystalline semiconductor film is formed over the gate insulating film; the microcrystalline semiconductor film is irradiated with a laser beam from the surface thereof, whereby the crystallinity of the microcrystalline semiconductor film is improved.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。 - 特許庁

After a channel protective layer is formed over an oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn, a film having n-type conductivity and a conductive film are formed, and a resist mask is formed over the conductive film.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁

The antifuse includes a first conductive layer 11, a multilayer film 20 of two or more layers in which an amorphous silicon film 13 and an insulating film 14 are alternately stacked over the first conductive layer 11, and a second conductive layer 12 over the multilayer film 20.例文帳に追加

アンチヒューズは、第１導電層１１と、第１導電層１１上に非晶質シリコン膜１３と絶縁膜１４とを交互に積層した２層以上の多層膜２０と、多層膜２０上に第２導電層１２を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first island-like reinforcement film over a substrate having flexibility; a semiconductor film including a channel formation region and an impurity region over the first island-like reinforcement film; a first conductive film over the channel formation region with a gate insulating film interposed therebetween; and a second island-like reinforcement film covering the first conductive film and the gate insulating film.例文帳に追加

可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 - 特許庁

Also, the sensitive film 2 is a film prepared by coating the dispersion liquid of the micro carbon fibers over the electrode film 4 and drying.例文帳に追加

また、感応膜２が、微細炭素繊維の分散液を電極膜４上に塗布して乾燥させた膜である。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 and a second polysilicon film 8 are formed over a metal film 6, and a resist pattern 9 is also formed thereon.例文帳に追加

金属膜６上にシリコン窒化膜７と第２のポリシリコン膜８を形成し、その上にレジストパターン９を形成する。 - 特許庁

After a silicon nitride film 42 has been formed over the entire surface of the substrate 1, a silicon oxide film 43 is formed on the silicon nitride film 42.例文帳に追加

基板１の全面にシリコン窒化膜４２を形成した後、シリコン窒化膜４２上にシリコン酸化膜４３を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer film reflector having a total film stress uniform and minimum over the entire deposited film surface.例文帳に追加

成膜面全面でトータルの膜応力が均一かつ最小となるような多層膜反射鏡を提供する。 - 特許庁

A lower electrode film 103 is formed covering over a silicon oxide film 13 from a crestal plane (a) of a plug 34 provided on the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜１３に設けられたプラグ３４の頂面ａ上からシリコン酸化膜上にわたって、下部電極膜１０３を形成する。 - 特許庁

A lower-part electrode thin film 9 is formed on a first inter-layer insulating film 8 on a silicon substrate 4, over which a ferroelectric thin film 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４上の第１層間絶縁膜膜８上に下部電極薄膜９を形成し、その上に強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

The oxide film 12 may also be irradiated with the laser beam E over a coating film formed on the film 12.例文帳に追加

また、酸化膜１２の上に被覆膜を形成してその上からエキシマレーザビームＥを照射するようにしてもよい。 - 特許庁

An a-Si film 12 is formed all over a quartz substrate 11 and a protection film 13 is formed in a region which becomes a display part on the a-Si film 12.例文帳に追加

石英基板１１全面にａ−Ｓi膜１２を形成し、そのａ−Ｓi膜膜１２上の表示部となる領域に保護膜１３を形成する。 - 特許庁

Then, a siliocn film (HSG film) 10, having an uneven surface, is formed non-selectively over the whole surface of the inner wall of the trench 5, including the collar oxide film 9.例文帳に追加

次にカラー酸化膜９を含むトレンチ５の内壁全体に表面が凹凸状のシリコン膜（ＨＳＧ膜）１０を非選択的に形成する。 - 特許庁

A first base insulating film, a second base insulating film, a semiconductor layer, and a gate insulating film are formed in this order from below over a substrate.例文帳に追加

基板上に下から第１の下地絶縁膜、第２の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Then, an insulating film 9 is made over the entire surface, and next planarizing is performed, with the stopper film 4 as a polishing deterring film in chemical and mechanical polishing.例文帳に追加

その後、全面に絶縁膜９を形成し、次いでストッパー膜４を化学的機械的研磨の研磨阻止膜として用いて平坦化を行う。 - 特許庁

To prevent bleeding-up of an insulating film inducing a conductive failure of bridge wirings mutually intersecting to wire over the insulating film via the insulating film.例文帳に追加

互いに交差し、絶縁膜を介して前記絶縁膜上を配線するブリッジ配線の導通不良の原因の絶縁膜のしみ上がりを防ぐ。 - 特許庁

To provide a curable composition improving tackiness of a coating film surface after curing of the coating film and staining on the coating film surface is little over a long period of time.例文帳に追加

塗膜硬化後の塗膜表面のタックが改善され、長期にわたって塗膜表面の汚れが少ない硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

An insulating film 105 and a cover insulating film 108 are provided over the Si substrate 120 and the field oxide film 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２０およびフィールド酸化膜１０１の上部には、絶縁膜１０５およびカバー絶縁膜１０８が設けられている。 - 特許庁

To provide a film deposition system and a film deposition method by which electric discharge to a hearth can be stabilized and film deposition can also stabilized over a long period of time.例文帳に追加

ハースへの放電を安定化させ、長時間に亘って成膜を安定化させることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。 - 特許庁

Since the Pt film 92 takes over the orientation of the Pt film 91, the Miller index of the surface of the Pt film 92 also is (111).例文帳に追加

Ｐｔ膜９２はＰｔ膜９１の配向を引き継ぐため、Ｐｔ膜９２の表面のミラー指数も（１１１）となる。 - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a thin film, by which the thin film having a uniform film thickness over the whole surface of a substrate can be formed.例文帳に追加

基板の全面にわたり膜厚を均一にした成膜が可能な薄膜作製装置及び薄膜作製方法とする。 - 特許庁

To provide a measurement system of film thickness and a measurement method of the film thickness of sheet-like measured object, in which the film thickness of sheet is measured correctly supported over the sheet support surface of sheet support members.例文帳に追加

シート支持部材のシート支持面上に支持したシート膜厚を正確に測定できるようにすること。 - 特許庁

By this constitution, the drop-like coating is sprinkled over the primary coating film to form a secondary coating film dispersed in a spot-like state on the primary coating film.例文帳に追加

これにより、一次塗膜上に滴状の塗料を散布して一次塗膜上に斑状に分散した二次塗膜を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 14 is formed with a recessed section 15, and then the multiplayer film 16 is formed over the film 14 which includes the recessed section 15.例文帳に追加

層間絶縁膜１４に凹所１５が形成され、この凹所１５の内外に多層膜１６が形成される。 - 特許庁

To simply change over use of a plurality of film rolls and to reliably hold a film tip of each film roll.例文帳に追加

複数のフィルム巻回物の使用切換えをきわめて簡単に行ない、しかも各フィルム巻回物のフィルム先端部を確実に保持できるようにする。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 9 and the silicon nitride film 10 are so patterned that they may be left over in a region where a LOCOS oxide film 14 is to be formed.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜１４を形成する領域にポリシリコン膜９及びシリコン窒化膜１０が残存するようにパターニングする。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium includes: a substrate; a perpendicular magnetic recording film disposed over the substrate; a soft magnetic film disposed between the substrate and the perpendicular magnetic recording film; a shunting film disposed under the soft magnetic film; and an isolation film disposed between the soft magnetic film and the shunting film and providing magnetic isolation between the shunting film and the other films disposed over the shunting film.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された垂直磁気記録膜と、基板と垂直磁気記録膜との間に介在された軟磁性膜と、軟磁性膜の下部に設けられたシャンティング膜と、軟磁性膜とシャンティング膜との間に介在されて、シャンティング膜とシャンティング膜の上部に位置する他の膜とを磁気的に隔離する隔離膜と、を備える垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

After the high dielectric film having a relative permittivity larger than a silicon nitride film, for example, a titanium oxide film 6 (a gate insulating film of an internal circuit) is formed on a substrate 1, a silicon nitride film 7 is deposited over the titanium oxide film 6.例文帳に追加

基板１上に窒化シリコン膜よりも比誘電率が大きい高誘電体膜、例えば酸化チタン膜６（内部回路のゲート絶縁膜）を堆積した後、酸化チタン膜６の上部に窒化シリコン膜７を堆積する。 - 特許庁

Over the whole face of a thin film main surface in the semiconductor single crystal thin film, a plurality of film thickness measurement points 211 are decided, and in each of the film thickness measurement points 211, a film thickness of the semiconductor single crystal film is measured by an FT-IR and the like.例文帳に追加

半導体単結晶薄膜の薄膜主表面の全面に渡って複数の膜厚測定点２１１を定め、個々の膜厚測定点２１１において半導体単結晶薄膜の膜厚をＦＴ−ＩＲ等により測定する。 - 特許庁

Thereafter, a dielectric film 15 is deposited all over from above the dielectric film 12 and the oxide film 13, the dielectric film 15 is etched back, and a dielectric film side wall is formed so that the dielectric film 15 covers at least a side wall of a bit line 11.例文帳に追加

その後、絶縁膜１２及び酸化膜１３の上から全面に絶縁膜１５を堆積し、絶縁膜１５をエッチバックして、絶縁膜１５が少なくともビット線１１の側壁を覆うように絶縁膜サイドウォールを形成する。 - 特許庁

Some people over-interpret that this scene implies the end of the series over the record long period and the goodbye from the director who felt this film could become his last work. 例文帳に追加

記録的な長期間に及んだシリーズの打ち止めと、遺作となる可能性を意識した監督自身の別れの挨拶と深読みする人もいる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス