「indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide indium tin oxide particles having high electrical conductivity and good dispersibility and a method for producing the same.例文帳に追加

高い導電性と良好な分散性を有するインジウム錫酸化物粒子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode (LED) with improved luminance utilizing advantages of a silicon carbide substrate and light emitting performance of indium gallium nitride.例文帳に追加

炭化珪素基板の利点と共に窒化インジウムガリウムの発光特性を利用する、改良された輝度を有する発光ダイオードを提供する - 特許庁

The reflecting layer contains an aluminum-titanium (Al/Ti) alloy layer and an indium tin oxide (ITO) bonded to the alloy layer.例文帳に追加

この反射層は、アルミニウム−チタン（Ａｌ／Ｔｉ）合金層と、該合金層に接着させたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）とを含んでいる。 - 特許庁

In the high-pressure discharge lamp, ionizable filler is made of xenon and metal: sodium, scandium, indium, and the halide of zinc.例文帳に追加

高圧放電ランプのイオン化可能な充填物が、専ら、キセノン及び金属：ナトリウム、スカンジウム、インジウム及び亜鉛のハロゲン化物からなる。 - 特許庁

The catalyst can be made by forming an iron thin film on the surface of a composite catalyst of indium oxide and tin oxide.例文帳に追加

インジウム酸化物とスズ酸化物の混合触媒と、混合触楳の表面に形成された鉄薄膜から構成してもよい。 - 特許庁

In the second period P2, the indium raw material is supplied to the growth furnace 10 without supply of the gallium raw material.例文帳に追加

第２の期間Ｐ２では、ガリウム原料を供給すること無くインジウム原料を成長炉１０に供給する。 - 特許庁

The metal oxide film 3 consists of gallium oxide, tantalum oxide, lantern oxide, indium oxide, and tin oxide or platinum oxide.例文帳に追加

酸化金属膜３は、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化インジウム、酸化錫または酸化白金からなる。 - 特許庁

This CdTe compound semiconductor single crystal having a small absorption coefficient and a high resistance is realized by doping indium.例文帳に追加

インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。 - 特許庁

The smooth layer includes an indium composition less than the active region and is typically deposited at higher temperatures than the active region.例文帳に追加

平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。 - 特許庁

Forming of the first electrode with the use of indium tin oxide containing silicon oxide will make up a display device of high reliability.例文帳に追加

第１の電極を、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物を用いて形成すると高信頼性を有する表示装置となる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element for suppressing the deterioration of a group III nitride semiconductor layer containing indium elements.例文帳に追加

インジウム元素を含むIII族窒化物半導体層の劣化を抑える窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

This transparent electrode membrane is made of an amorphous oxide containing indium, zinc and tin, and has a membrane thickness not greater than 25 nm.例文帳に追加

インジウム、亜鉛及び錫を含む非晶質酸化物からなり、膜厚が２５ｎｍ以下である透明電極膜。 - 特許庁

Thus, the laser diode and the heatsink can be accurately bonded while they are keeping high planarity owning to indium or gold tin solder.例文帳に追加

レーザーダイオードとヒートシンクはインジウムや金錫半田などで高い平面性を持って高精度に接合する事が出来る。 - 特許庁

TIN OXIDE-INDIUM OXIDE POWDER FOR FORMING ITO FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ITO FILM例文帳に追加

ＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

This semiconductor element is provided with: the indium-based compound semiconductor thin film formed on a substrate 1 made of a gallium arsenide.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。 - 特許庁

The oxygen absorbing compound is selected from vanadium compound, indium compound, tinn compound and tantalum compound.例文帳に追加

前記酸素吸収化合物が、バナジウム化合物，インジウム化合物、錫化合物およびタンタル化合物から選ばれた１種以上である。 - 特許庁

The InAlGaN layer 19 has a larger indium composition than an InAlGaN well layer 13a.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層１９のインジウム組成はＩｎＡｌＧａＮ井戸層１３ａのインジウム組成よりも大きい。 - 特許庁

This tin/antimony-doped indium oxide particle has Sn/In molar ratio of 0.1-0.3 and Sb/In molar ratio of 0.03-0.4.例文帳に追加

本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。 - 特許庁

The conductive adhesive comprises a thermoset resin, a curing agent, a thermoplastic resin, a coupling agent, and an indium filler.例文帳に追加

導電性接着剤において、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、熱可塑性樹脂と、カップリング剤と、インジウムフィラーとを含むこととした。 - 特許庁

To provide an indium compound spintronics material capable of simultaneously controlling magnetism and electric conductivity.例文帳に追加

磁性と電気伝導性とを同時に制御することが可能である、インジウム化合物スピントロニクス材料を提供する。 - 特許庁

In the figure, 4 is a mosaically divided ITO (indium oxide transparent electrode pattern) and 3 is a bank part surrounding the transparent electrode part.例文帳に追加

なお、４はモザイク状に区切られたＩＴＯ（インジウムオキサイド透明電極パターン、３は透明電極部分を囲む土地部である。 - 特許庁

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HETERO-FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いたヘテロ電界効果トランジスタとその製造方法 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING PROCESS OF SILICON NITRIDE THIN FILM AND INDIUM OXIDE THIN FILM FOR FERROELECTRIC RAM DEVICE APPLICATION例文帳に追加

ＦｅＲＡＭデバイスアプリケーションのための窒化シリコン薄膜および酸化インジウム薄膜の選択的エッチングプロセス - 特許庁

The oxide conductive film layer 50 has either one of indium oxide, tin oxide, or zinc oxide, or it has either one of them as a main ingredient.例文帳に追加

酸化物導電膜層５０は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛のいずれか、又はこれらのいずれかを主成分とするものである。 - 特許庁

The recovery device of oxalate ions includes an indium oxalate aqueous solution storage tank 1, an electrodialyzer 2 and an oxalic acid storage tank 3.例文帳に追加

シュウ酸イオンの回収装置は、シュウ酸インジウム水溶液貯槽１と、電気透析装置２と、シュウ酸貯槽３とを備える。 - 特許庁

TIN OXIDE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-DENSITY INDIUM TIN OXIDE TARGET USING THE SAME例文帳に追加

錫酸化物粉末、その製造方法及びこれを使用した高密度インジウム錫酸化物ターゲットの製造方法 - 特許庁

The InAlGaN layer 19 has a larger indium composition than an InAlGaN barrier layer 13b.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層１９のインジウム組成はＩｎＡｌＧａＮ障壁層１３ｂのインジウム組成よりも大きい。 - 特許庁

To provide a tin/indium alloy plating bath free from cyanic compounds at all and used for substitution for tin/lead alloy solder plating.例文帳に追加

シアン化合物を全く含有せず、錫／鉛合金はんだめっきの代わりとなる錫／インジウム合金めっき浴を提供する。 - 特許庁

In this case, excessive indium soldering materials 106a and 106b remain as an island around (on both sides) the semiconductor laser chip 101.例文帳に追加

この時、半導体レーザーチップ１０１の周囲（両脇）に島状の余剰インジウムロウ材１０６ａ、１０６ｂが残留する。 - 特許庁

A thin film 104" containing metal oxide particulate (indium tin oxide) and a metal oxide precursor is applied onto a glass substrate 106.例文帳に追加

ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。 - 特許庁

The obtained indium germanate submicron tube has the length of several hundreds μm and the outer diameter of about 600 nm.例文帳に追加

得られるゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブは、その長さが数百μｍであり、その外径がおおよそ６００ｎｍである。 - 特許庁

The high purity indium metal for the electronic component is characterized in that the content of tin (Sn) is <0.1 mass ppm.例文帳に追加

スズ（Ｓｎ）の含有量が０．１質量ｐｐｍ未満であることを特徴とする電子部品用高純度インジウムメタルである。 - 特許庁

INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁

The ratio x of In in indium nitride gallium (In_xGa_1-xN:0<X≤1) by the method is 0.5 or larger.例文帳に追加

この方法により、窒化インジウムガリウム（Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ：０＜Ｘ≦１）中のＩｎの比率Ｘが０．５以上である。 - 特許庁

In this way, the tin, zinc, aluminum-containing indium oxide particle having average particle diameter of 5-100 nm is obtained.例文帳に追加

これにより、粒子の平均粒子径が５ｎｍから１００ｎｍの範囲にあるスズ亜鉛アルミニウム含有酸化インジウム粒子を得る。 - 特許庁

Alternatively, the oxide sintered compact essentially consists of indium and comprises tungsten and tin, and has a specific resistance of ≤1 kΩcm.例文帳に追加

あるいは、主としてインジウムからなりタングステン及びスズを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が１ｋΩｃｍ以下である。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM例文帳に追加

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor having an indium/gallium/nitride layer in which stress on a buffer interface is reduced.例文帳に追加

バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

The mixture further includes at least one of platinum, indium oxide, ruthenium oxide, silver oxide and silver sulfide.例文帳に追加

さらに該混合物が炭素、白金、酸化インジウム、酸化ルテニウム、酸化銀及び硫化銀の少なくとも１種をさらに含有する生体用電極。 - 特許庁

INDIUM TIN OXIDE ITO SOLID ELECTRODE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MANUFACTURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR BATTERY例文帳に追加

酸化インジウムスズＩＴＯ立体電極、その製造方法、製造装置、及びそのソーラー電池の製造方法 - 特許庁

To provide an analytical method capable of carrying out precise depth-directional analysis, in distribution analysis of indium or gallium in silicon by a SIMS.例文帳に追加

ＳＩＭＳによるシリコン中のインジウムやガリウムの分布分析において、高精度な深さ方向分析を実現できる方法を提供する。 - 特許庁

The etching solution is formed from a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid, and etches an indium tin oxide.例文帳に追加

塩酸と酢酸の混合水溶液からなることを特徴とするインジウム錫酸化物をエッチングするためのエッチング溶液。 - 特許庁

For example, the fuse element is manufactured by using indium tin oxide for the first layer and aluminum for the second layer.例文帳に追加

例えば、第１の層としてインジウム錫酸化物、第２の層としてアルミニウムを用いてヒューズ素子を作製する。 - 特許庁

Further, an adhesive layer 13 using an ICO (indium cerium oxide) is provided between the metal layer 14 and the transparent conductive film 12.例文帳に追加

また、金属層１４と透明導電膜１２との間に、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）を用いた接着層１３が設けられている。 - 特許庁

INDIUM TYPE MULTICOMPONENT OXIDE VISIBLE LIGHT RESPONSIVE PHOTOCATALYST AND HARMFUL CHEMICAL SUBSTANCE DECOMPOSING AND REMOVING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

インジウム系複合酸化物可視光応答性光触媒とそれを用いた有害化学物質分解除去方法 - 特許庁