「indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

A state with the mean square of unevenness on the surface of the transparent electrode being 30 nm or smaller, the state that the transparent electrode formed of an indium tin oxide(ITO), the state that the base material formed of zirconia stabilized yttrium(YSZ), and the state that the element used as an resonator type organic luminescent element are preferable.例文帳に追加

前記透明電極の表面における凹凸の２乗平均が３０ｎｍ以下である態様、前記透明電極がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）である態様、前記基材がジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）で形成された態様、共振器型有機発光素子として用いられる態様、などが好ましい。 - 特許庁

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。 - 特許庁

A polymer coating coats the surface of the bottle and the polymer coating contains an interference pigment, wherein the interference pigment is a flake minute mineral coated with a metal oxide having a high refractive index and the metal oxide is a titanium oxide, a ferrous oxide, a lead oxide, an oxidation indium, a zinc oxide or a chrome oxide.例文帳に追加

表面に高分子被膜が被覆されており、当該高分子被膜は干渉顔料を含み、上記干渉顔料は、高屈折率を有する金属酸化物で被覆された薄片状微小鉱物であり、上記金属酸化物が、酸化チタン、酸化鉄、酸化鉛、酸化インヂウム、酸化亜または酸化クロムであることを特徴とする瓶である。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

The solder alloy is composed of 0.5-60 wt.% of bismuth, 0.5-50 wt.% of indium, 1-5 wt.% of silver, and the rest of tin.例文帳に追加

はんだ合金の組成を、0.5重量パーセントを超えた値で、かつ60重量パーセントを越えない含有量のビスマス（Ｂｉ）と、0.5重量パーセント以上でかつ50重量パーセントを越えない含有量のインジュウム（Ｉｎ）と、1重量パーセント以上で5 重量パーセント未満の含有量の銀（Ａｇ）とからなり、残量を錫（Ｓｎ）とした組成とする。 - 特許庁

The photosensitive coating liquid for transparent conductive film formation with indium acetylacetone and an organic tin compound dissolved in a solvent, and then with photosensitive resin with a pyrolytic property and combustibility and a diluted liquid added, is coated on a substrate, dried, exposed, and developed to form fine patterns, which are baked at a temperature of 400°C or more to form a transparent conductive pattern film.例文帳に追加

アセチルアセトンインジウムと有機錫化合物を溶剤に溶解させた後、熱分解性又は燃焼性を有する感光性樹脂と希釈液を加えた透明導電膜形成用感光性塗布液を用い、この塗布液を基材上に塗布、乾燥し、露光、現像を行って微細なパターンを形成し、４００℃以上の温度で焼成して透明導電パターン膜を形成する。 - 特許庁

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas.例文帳に追加

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の１Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。 - 特許庁

Fine indium-tin oxide particles having an average particle size of 100 nm or lower are mixed with at least one kind of metal source selected from among group 1A elements of the periodic table, and the resultant mixture is treated at 150-300°C in the atmosphere of an inert gas, an inert gas containing an alcohol, or a gas mixture comprising a reducing gas and an inert gas.例文帳に追加

平均粒径が１００ｎｍ以下のインジウム錫酸化物微粒子と周期律表の２Ａ族群から選択された少なくとも１種の金属源とを混合した後、不活性ガス、あるいはアルコールを含む不活性ガス、もしくは還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下１５０〜３００℃の温度で処理することを特徴とする。 - 特許庁

This liquid state curable composition contains the following components (A), (B), (C) and (D): (A) particles consisting mainly of an oxide of at least one element selected from the group consisting of indium, antimony, zinc and tin, (B) a compound having two or more polymerizable unsaturated groups in its molecule, (C) a silicone-based surfactant, and (D) a solvent.例文帳に追加

下記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）： （Ａ）インジウム、アンチモン、亜鉛及び錫よりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とする粒子、 （Ｂ）分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物、 （Ｃ）シリコーン系界面活性剤、 （Ｄ）溶剤、 を含有する液状硬化性組成物。 - 特許庁

The coating material contains the electron emissive material containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of caesium, zinc, indium, gallium, and tin, and a material for forming a protective film containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of yttrium, aluminum, zirconium, hafnium, niobium, silicon, vanadium.例文帳に追加

本発明の塗料は、セシウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、スズの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする電子放射性物質と、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、ケイ素、バナジウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。 - 特許庁

In the optoelectronic device mounted in a portable telephone set, a flexible board 70 is mounted on an optoelectronic panel 400 with an anisotropic conductive material 800 and the rear-side terminals 721 of the flexible board 70 are electrically connected to terminals 911 consisting of ITO(indium tin oxide) films of the optoelectronic panel 400.例文帳に追加

携帯電話機に搭載した電気光学装置において、電気光学パネル４００にはフレキシブル基板７０が異方性導電材８００によって実装され、電気光学パネル４００のＩＴＯ膜からなる端子９１１に対して、フレキシブル基板７０の裏面側端子７２１が電気的に接続されている。 - 特許庁

After applying, on a substrate, a dispersion solution comprising particulates of metals chosen from indium, tin, artimony, aluminum, and zinc, particulates of an alloy composed of two or more kinds of metals out of these, or a mixture of these particulates, their burning in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere, and a reducing atmosphere is performed, and burning in an oxidizing atmosphere is performed after that.例文帳に追加

インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた金属の微粒子、これらの金属の２種以上の金属からなる合金の微粒子、又はこれら微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成する。 - 特許庁

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order.例文帳に追加

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

As the conductive material, zinc oxide (aluminum is added as a dopant material) or the material obtained by forming a transparent conductive film of tin oxide (antimony is added as the dopant material) or indium oxide (tin is added as the dopant material) on the surface of a white metal oxide such as titanium oxide or a white material such as titanium oxide is used.例文帳に追加

導電性材料としては、酸化亜鉛（ドーパント物質としてアルミニウムを添加）や酸化チタン等の白色系金属酸化物あるいは、酸化チタンのような白色系材料表面に酸化スズ（ドーパント物質としてアンチモンを添加）や酸化インジウム（ドーパント物質としてスズを添加）の透明導電性膜が形成されたものが使用される。 - 特許庁

At the time of subjecting a multilayer electrically conductive film 5 composed by laminating a silver series thin film 3 and transparent oxide thin films 2 and 4 essentially consisting of indium oxide to etching with an etchant essentially consisting of sulfuric acid and nitrid acid, the etching is executed by using an etchant contg. a buffer for suppressing the volatilization of nitric acid.例文帳に追加

銀系薄膜３と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２、４とを積層して構成される多層導電膜５を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。 - 特許庁

This is the substrate with the transparent conductive film which is equipped with the transparent conductive film at least on one face of the substrate, and in which the transparent conductive film is equipped with a first thin film layer composed of zinc oxide and a second thin film layer composed of indium oxide containing tin sequentially from the substrate side.例文帳に追加

基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。 - 特許庁

The inorganic solid ion conductor contains one or a plurality of amorphous metal oxides selected from a group consisting of silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, cerium oxide, niobium oxide, tin oxide and indium oxide, and monovalent, bivalent or trivalent metal ions contained in the metal oxides, and has ion conductivity of 1×10^-7 S cm^-1 or higher at 25°C (room temperature).例文帳に追加

無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 - 特許庁

To provide a substrate which is used for mounting a luminous element containing, as a main component, at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, and which enables efficient discharge of light emitted from the luminous element to the outside of the substrate and control of the direction of the emitted light discharged to the outside of the substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする発光素子を搭載するための基板であって、発光素子からの発光を基板外部へ効率よく放出し、かつ基板外部へ放出される発光の方向を制御できる基板を提供する。 - 特許庁

In a coating solution for forming a photosensitive transparent conductive film including an ultraviolet rays hardening type or an ultraviolet rays collapse type of photosensitive resin and solvent, it permits a chelate complex coordinated with an organic coordination to be included into a combination including indium (In) and tin (Sn) as a material for forming a transparent conductive film and a hydroxy compound created from an organic acid.例文帳に追加

紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と溶剤とを含有する感光性透明導電膜形成用塗布液において、透明導電膜形成材料として、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）を含む化合物と有機酸から生成したヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体を含有せしめる。 - 特許庁

Provided is the method for producing the homo allyl alcohol, such as 3-methyl-2-phenylpent-4-en-2-ol, which comprises reacting a ketophenone represented by formula I, such as acetophenone, with an α-substituted allyl boronate represented by formula II, such as pinacolyl α-methyl allyl borate, in the presence of zero-valent indium as a catalyst in water.例文帳に追加

水中で、触媒として０価のインジウムの存在下、式Ｉで表されるケトフェノン例えばアセトフェノンと、式ＩＩで表されるα−置換アリルボロネート例えばピナコリルα−メチルアリルボレートとを反応させることにより、ホモアリルアルコールである３−メチル−２−フェニルペント−４−エン−２−オールを得る。 - 特許庁

The basic molding 1 formed to emit metal color from a metal color layer 15 formed by vapor deposition of indium is installed in a predetermined mold, and a surface coating layer 5 formed of a thermoplastic synthetic resin material comprising PC, PMMA, or the like transparent and lower in fusing point than the basic molding 11 is provided on the surface side of the metal color layer 15 assuming the metal color.例文帳に追加

インジウムの蒸着にて形成される金属色層１５から金属色の発せられるようになった基礎成形体１を所定の型内に設置するとともに、その金属色を呈する金属色層１５の面側に、透明性を有するものであって基礎成形体１１よりも低融点のＰＣまたはＰＭＭＡ等からなる熱可塑性合成樹脂材にて形成される表面被覆層５を設ける。 - 特許庁

To provide an actinic energy ray-reactive electrical insulation ink that has strong adhesion to a substrate such as a flexible printed circuit board, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, an ITO (indium tin oxide) vapor deposition film or an ITO vapor deposition glass and that is excellent in applicability and printability as well as electrical insulating properties, and to provide a laminate using the same.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムや、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）蒸着フィルム、ＩＴＯ蒸着ガラスなどの基材に対する高度な接着力を有し、かつ塗布、印刷性に優れる電気絶縁性に優れた活性エネルギー線反応型電気絶縁インキ及びそれを用いた積層体を提供する。 - 特許庁

The heat radiation reflecting arrangement structure with an improved high heat resistance to the temperature of 500°C or lower includes a substrate, a heat reflecting layer (A) on at least one side of the substrate which contains indium tin oxide (ITO), and a barrier layer (B) that covers the heat reflecting layer (A), which contains at least one metal oxide and at least one metal nitride.例文帳に追加

５００℃以下の温度に対して高耐熱性である熱反射配列構造体を、基板と、基板の少なくとも片面上に設けられるインジウム酸化錫（ＩＴＯ）含有熱反射層(Ａ)と、熱反射層（Ａ）を被覆するためであって、少なくとも１種の金属酸化物及び少なくとも１種の金属窒化物を含有するバリア層（Ｂ）から構成する。 - 特許庁

In the method for producing a substrate 20 with an ITO transparent electrically conductive film in which an indium oxide vapor depositing material contg. tin oxide is irradiated with arc discharge plasma, and the vapor depositing material is evaporated to coat the surface of a transparent substrate 21 with an ITO film, the gas atmosphere is composed of the one contg. gaseous xenon, gaseous krypton or the gaseous mixture thereof.例文帳に追加

酸化錫を含有する酸化インジウム蒸着材料にアーク放電プラズマを照射して蒸着材料を蒸発させ、透明基板上にＩＴＯ膜を被覆するＩＴＯ透明導電膜付き基板の製造方法で、ガス雰囲気をキセノン、クリプトンまたはそれらを混合しガスを含むガス雰囲気とする。 - 特許庁

With such a constitution, in addition to this, that enclosed quantity of the halide of indium with valence of +3 is made below about 90 mg/cc per inner volume of the unit emission tube and that xenon selected as the rare gas is enclosed at a pressure below 2.5 MPa, the optimum flux and color of light as the light source for a head lamp of a vehicle is obtained.例文帳に追加

それに加えて、＋３価のインジウムのハロゲン化物の封入量を単位発光管内容積当たり約９０ｍｇ／ｃｃ以下とし、かつ希ガスにキセノンガスを選択して、その封入圧を２．５ＭＰａ以下とする構成では、自動車前照灯用光源に最適な光束と光色が得られる。 - 特許庁

The sputtering composite target 1 comprises an oxide base component 2 including indium oxide and carbon base components 3a to 3d, and in the case the oxide base component 2 and the carbon base components 3a to 3d are different substances, respectively, the carbon base components 3a to 3d are stacked on at least a part of the surface of the oxide base component 2, so as to be used.例文帳に追加

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化インジウムを含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。 - 特許庁

In a manufacturing method of a negative electrode can for a lead-free manganese dry cell in which by a process of applying a lubricant to a small piece of a plate shaped lead-free zinc and fixing and adhering it, and molding it into a bottomed cylindrical can by an impact molding method after that, the lubricant is made to contain metal powder materials of indium or bismuth.例文帳に追加

鉛が無添加の板状亜鉛の小片に、潤滑剤を塗布し、固着させる工程と、その後、インパクト成形法により有底円筒形の缶に成形する鉛無添加のマンガン乾電池用負極缶の製造方法において、前記潤滑剤に、インジウムまたはビスマスの金属粉体を含ませる。 - 特許庁

Coatings 70, 72, 74, and 76 for preventing wide band reflections formed of a pair or a plurality of pairs of two thin layers of a high refractive index and low refractive index are applied to these layers, by which the unwanted double reflections produced from the interfaces between the indium tin oxide 30a and the adjacent layers 22a and 32a are minimized.例文帳に追加

高屈折率、低屈折率の薄い２層の１対もしくは複数対で形成される広帯域反射防止コーティング７０，７２，７４，７６を施すことにより、酸化すずインジウム３０ａと隣接層２２ａ，３２ａの間のインターフェースから生ずる望ましくない重複反射が最小限にされる。 - 特許庁

This oxide superconducting wire comprises a first metal layer 12 selected from a silver alloy containing at least one of copper, antimony, tin, germanium, gallium, indium, zinc, platinum, and palladium, a second metal layer 11 that is fixed to the first metal layer and has tensile strength larger than silver, an oxide superconductor layer 13 formed on the first metal layer 12.例文帳に追加

銅、アンチモン、錫、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、亜鉛、白金、パラジウムのうち少なくとも１種を含む銀合金から選択される第１の金属層１２と、第１の金属層に固着され、銀より引っ張り強度の大きい第２の金属層１１と、第１の金属層１２上に形成された酸化物超電導体層１３とからなる事を特徴とする酸化物超電導線材。 - 特許庁

In this hydrogen-gas detecting element, a sensitive layer 2 which covers a noble metal wire 1 and which is formed of a semiconductor composed mainly of indium oxide is formed, 0.4 to 10 mol% of the oxide of at least one kind of a metal selected from among lanthanide metals is added to the sensitive layer 2, and a dense silica this film 3 is formed on the surface of the sensitive layer.例文帳に追加

貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層にランタニド金属から選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を０．４〜１０ｍｏｌ％添加してあるとともに、感応層表面に緻密なシリカ薄膜を形成してある。 - 特許庁

A bath for tin or tin-alloy plating includes: (A) a soluble salt formed of either a stannous salt or a mixture of the stannous salt and a salt of a metal selected from the group consisting of silver, copper, bismuth, indium, zinc, antimony, nickel and lead; (B) an acid or a salt thereof; and (C) a dibenzazole disulfide sulfonate compound specifically such as dibenzothiazolyl disulphide disodium disulfonate.例文帳に追加

(Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable electroconductive film-forming composition exhibiting fluidity suitable for coating by a coating method using ITO (indium tin oxide) powder, readily curable by irradiation of active energy rays such as ultraviolet light or electron beams, applicable even to resin substrates having low heat resistance or substrates of diversified shapes and forming a transparent electroconductive film sufficiently satisfying characteristics such as smoothness, electroconductivity and transparency.例文帳に追加

ＩＴＯ粉末を用いた塗工法により、塗布に適した流動性を示し、紫外線、電子線などの活性エネルギー線の照射により容易に硬化し、耐熱性の低い樹脂基板や多様な形状の基板にも適用でき、平滑性、導電性、透明性等の特性が十分に満足できる透明導電膜を形成することができる活性エネルギー線硬化性導電膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

The first and second electrodes 20, 24 are connected to the source of current via extension terminals 20T, 24T extended out to the peripheral edge of the substrate from the electrodes, and the terminal width of the extension terminal 20T of at least one of the electrodes 20 formed from a transparent conductive material such as ITO(indium tin oxide) is about 50% or more of the width of the electrode.例文帳に追加

第１及び第２電極２０、２４は、各電極から基板周縁部に引き出された引出端子２０Ｔ、２４Ｔを介して電流源に接続され、２つの電極のうち少なくともＩＴＯ等の透明導電性材料から構成される電極２０の引出端子２０Ｔの端子幅を該電極の幅の５０％以上としている。 - 特許庁

The free NaOH concentration in an alkaline solution containing at least one kind of copper, iron, lead, tin, and indium, as impurities, and gallium is adjusted to ≤150 g/L and after the solution is adjusted to a temperature below 40°C, the solution is brought into contact with a mixture composed of metallic zinc like zinc powder and active carbon and is used as a gallium electrolyte for recovering gallium metal by electrowinning.例文帳に追加

不純物としての銅、鉄、鉛、錫およびインジウムの少なくとも１種とガリウムとを含むアルカリ性溶液中の遊離ＮａＯＨ濃度を１５０ｇ／Ｌ以下に調整し、その溶液を４０℃以下の温度に調整し、亜鉛末のような金属亜鉛と活性炭の混合物に接触させ、電解採取によってガリウムメタルを回収するためのガリウム電解液として使用する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11.例文帳に追加

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。 - 特許庁

To provide a transparent heat insulation sheet which solves problems of insufficiency in performance and cost of a conventional transparent heat insulation sheet and has good permeability and heat insulating property, without using an expensive silver thin film or indium oxide (ITO) thin film being a rare material, to stably achieve low-temperature film formation on a film, and to inexpensively provide a high-performance transparent heat insulation sheet.例文帳に追加

本発明は、従来の透明断熱シートの性能面及びコスト面での不十分さを克服して、良好な透過性と断熱性を併せ持つ透明断熱シートを、希少材料である高価な銀薄膜や酸化インジウム（ＩＴＯ）薄膜を使用せずに、フィルム上での低温成膜を安定的に実現し、高性能な透明断熱シートを、安価に提供することを目的とする。 - 特許庁

The clear-coat-provided stainless steel sheet is characterized in that its design that makes the most of the original texture of the stainless steel sheet gives a feeling of high quality, and, by dispersing/incorporating into the clear coat tin-added indium oxide powders which has high transparency and high conductivity, conductivity, i.e., grounding nature can be imparted without damaging the design quality.例文帳に追加

クリア塗装ステンレス鋼板は、ステンレス鋼板の素地を活かした意匠が高級感を示すことが特徴であり、高透明性かつ高導電性を有する錫添加酸化インジウム粉末をクリア塗膜に分散配合することで、意匠性を損なうことなく、導電性、すなわち、アース性を付与できる。 - 特許庁

The zinc alloy powder contains alloy compositions of aluminum (Al) 0.001-0.03 wt.%, bismuth (Bi) 0.001-0.02 wt.%, and indium (In) 0.01-0.07 wt.%, and the zinc alloy powder is powder made by a centrifugal atomization method and 85% or more of the zinc alloy powder has a particle size 250 μm or less.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）０．００１ｗｔ％〜０．０３ｗｔ％、ビスマス（Ｂｉ）０．００１ｗｔ％〜０．０２ｗｔ％、インジウム（Ｉｎ）０．０１ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％がそれぞれ合金成分として添加された亜鉛合金粉末であって、その亜鉛合金粉末が遠心噴霧法で造紛された粉末体であるとともに、粒度２５０μm以下の亜鉛合金粉末が８５％以上存在する。 - 特許庁

This gallium nitride compound semiconductor light-emitting element contains indium and aluminum, and at least a pair of clad layers 4 and 8, a quantum-well structure active layer 6, and a cooling layer 5 and a heating layer 7, including a GaN thin layer between at least either of the clad layer, and the quantum-well structure active layer are laminated on a substrate.例文帳に追加

インジウム及びアルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、基板上に少なくとも、一対のクラッド層４，８及び量子井戸構造活性層６、少なくとも一方のクラッド層と量子井戸構造活性層間に、ＧａＮ薄層を含む降温層５及び昇温層７が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

The unleaded solder consists of tin or an alloy of the tin and indium as a main component and contains zinc, antimony and aluminum as additive components and is joined to the materials to be joined of the inorganic nonmetals by chemical bonding with oxygen as a medium and to the materials to be joined of the metals by diffusion bonding or chemical bonding with the oxygen as the medium.例文帳に追加

錫又は錫とインジウムの合金を主成分とし、亜鉛とアンチモンとアルミニウムを添加成分とし、無機非金属の被接合物に対して酸素を媒介とした化学結合によって、金属の被接合物に対して拡散結合又は酸素を媒介とした化学結合によって接合する無鉛ハンダ。 - 特許庁

To provide an etching method for collecting heavy metals such as indium or the like with a simplified method generating a small amount of sludge by making smaller an undercut by the etching process, in regard to formation of high precision circuit of an image of the IZO film suitable for a transparent electrode of a thin film transistor liquid crystal display apparatus for flat panel display or the like.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なＩＺＯ膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。 - 特許庁

An ITO film 12 is formed on a glass substrate 11, wherein an indium film 13 and an iron film 14 in stripe forms patterned on the ITO film 12 are formed, the glass substrate 11 is heated to the temperature of 600 to 1,000°C to form beads repeatedly by CVD method using a carbon containing gas as the raw material gas.例文帳に追加

ガラス基板１１上にＩＴＯ膜１２を形成し、このＩＴＯ膜１２上にパターニングされたストライプ状のＩｎ膜１３及びＦｅ膜１４を形成し、前記ガラス基板１１を６００〜１０００℃に加熱し、炭素含有ガスを原料ガスとしたＣＶＤ法により、ビーズを繰り返し形成する。 - 特許庁

The material comprises a synthetic resin containing preferably 30 to 98 wt.% of a hexagonal laminar compound of indium zinc oxides expressed by general formula (ZnO)_m.In_2O_3 (m=2 to 20), and having an average thickness of 0.001 to 0.3 μm and an average aspect ratio of 3 to 1,000.例文帳に追加

一般式（ＺｎＯ）_m・Ｉｎ_2Ｏ_3（ｍ＝２〜２０）で表わされ、平均厚さが０．００１〜０．３μｍ、平均アスペクト比が３〜１０００であるインジウム亜鉛酸化物系六方晶層状化合物などのインジウム亜鉛酸化物系六方晶層状化合物を、合成樹脂に、好ましくは３０〜９８重量％含有させたことを特徴としている。 - 特許庁

The laminated film 10 is formed on at least one surface of a support 11 made of polyester by coating a first layer 12 containing fine particles and a binder mainly composing either one of tin oxide, indium oxide, zirconium oxide, and titanium oxide in the order starting from the support 11, and a second layer 13 disposed so as to contact with the first layer 12.例文帳に追加

ポリエステルからなる支持体１１の少なくとも一方の面に、支持体１１から近い順に、酸化錫、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかひとつを主成分とする微粒子及びバインダを含む第１層１２と、第１層１２に接するようにして配置される第２層１３とを塗設して積層フィルム１０を形成する。 - 特許庁

The transparent conductive film is a transparent plastic film with transparent conductive thin films with indium oxide and cerium oxide as main ingredients laminated on either of its face, and specific resistance of the above transparent conductive thin films is not more than 1.0×10^-1 Ω.cm and light transmittance of the above transparent conductive film is not less than 82%.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に酸化インジウムと酸化セリウムを主成分とする透明導電性薄膜が積層された透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜の比抵抗が１．０×１０^-1Ω・ｃｍ以下であり、かつ前記透明導電性フィルムの光線透過率が８２％以上であることを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁