indiumを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1948件
The step (β) includes: adding zinc dust to the leachate in an amount of 2 to 5 equivalent weight with respect to an amount of tin in the leachate by stoichiometry in a substitutional reduction reaction, producing a suspension of spongy indium (1) and a solid content of reductively precipitated impurity metals which are nobler than indium, and separating and collecting the spongy indium (1) to obtain an aqueous solution of indium chloride.例文帳に追加
工程（ロ）：前記浸出液に、該浸出液中のスズに対し置換還元反応の化学量論量で２〜５当量に当たる亜鉛末を添加し、スポンジインジウム（１）と還元析出された、インジウムより貴な不純物金属固形分の懸濁液とを形成し、スポンジインジウム（１）を分離回収した後、塩化インジウム水溶液を得る。 - 特許庁
This collecting method includes: bringing the waste etching liquid of oxalic acid containing indium in contact with a chelate resin having a polyamine group or an amidoxime group as a functional group; making the indium in the waste etching liquid of oxalic acid chelate-bonded to the functional group of the chelate resin; thereby making the chelate resin adsorb the indium; and collecting the indium from the waste etching liquid of oxalic acid.例文帳に追加
インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液を、官能基としてポリアミン基又はアミドオキシム基を有するキレート樹脂に接触処理せしめて、かかるキレート樹脂の官能基に対して、シュウ酸エッチング廃液中のインジウムを、キレート結合させることにより、インジウムをキレート樹脂に吸着させて、シュウ酸エッチング廃液中から回収するようにした。 - 特許庁
Firstly, oxalato indium is adsorbed to resin in an eluate in which indium is eluted by using the oxalic acid waste liquid (oxalic acid etching liquid of ITO) containing indium, or in which a liquid crystal panel is eluted with indium by using 1 to 10% of an oxalic acid by firstly using an anion exchange resin having an acid retardation function.例文帳に追加
インジウムを含んだシュウ酸廃液（ＩＴＯのシュウ酸エッチング液）または液晶パネルを１−１０％シュウ酸でインジウムを溶出させた溶出液を、まず、アシッドリターデション機能を有するアニオン交換樹脂を使用することにより、まずオキサラトインジウムを樹脂に吸着させる。 - 特許庁
To obtain an Al wiring which can suppress a battery reaction with indium tin oxide(ITO) to avoid hillock growth.例文帳に追加
ＩＴＯとの電池反応を抑制でき、ヒロックの発生を防止できるＡｌ配線を得る。 - 特許庁
ITO (indium tin oxide) is used in the transparent electrodes of LCD panels.例文帳に追加
また、液晶パネルの透明電極ではITO材（インジウム錫酸化物）が使用されている。 - 経済産業省
The Technical Guideline for Preventing Health Impairment of Workers Engaged in the Indium Tin Oxide Handling Processes例文帳に追加
インジウム・スズ酸化物等の取扱い作業による健康障害防止に関する技術指針 - 厚生労働省
Its detection sensitivity is high and minute amount of indium can be quantitated.例文帳に追加
検出感度が高く、インジウムについて微量分析が可能な分析装置である。 - 厚生労働省
Especially a target made of sintered body consisting indium oxide and tin oxide is called “ITO target”.例文帳に追加
特に、酸化インジウムと酸化スズの焼結体から成るターゲットを「ITOターゲット」と呼ぶ。 - 厚生労働省
To provide a means for selectively extracting indium or gallium from a solution containing indium, gallium and zinc, or a means for selectively extracting cobalt or nickel from a solution containing cobalt and nickel.例文帳に追加
インジウム、ガリウム及び亜鉛を含有する溶液から、インジウム又はガリウムを選択的に抽出する手段、或いはコバルト及びニッケルを含有する溶液から、コバルト又はニッケルを選択的に抽出する手段を提供する。 - 特許庁
To provide a method of easily producing an indium ion-containing aqueous solution in which, from an acid aqueous solution comprising indium ions and tin ions, the tin ions are substantially removed.例文帳に追加
インジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性水溶液から錫イオンが実質的に除去されたインジウムイオン含有水溶液を簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁
As for the material of the electrode disposed in the lower layer, a transparent conductive film of amorphous indium zinc oxide, amorphous indium germanium oxide or amorphous oxide essentially comprising the above oxides is used.例文帳に追加
下層に配置される電極の材料として、アモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜を用いる。 - 特許庁
Provided is a post treatment method for a trialkyl indium which is characterized by dissolving a trialkyl indium in a hydrocarbon solvent and subsequently bringing it into contact with oxygen.例文帳に追加
本発明の課題は、トリアルキルインジウムの後処理方法であって、トリアルキルインジウムを炭化水素溶媒に溶解させた後、酸素と接触させることを特徴とする、トリアルキルインジウムの処理方法によって解決される。 - 特許庁
A charge collecting electrode 11 is constituted of an amorphous transparent conductive oxide film composed essentially of ITO, indium-zinc oxide, indium-germanium oxide, etc.例文帳に追加
電荷収集電極１１を、ＩＴＯやインジウムと亜鉛との酸化物、インジウムとゲルマニウムとの酸化物等を基本組成とする非晶質透明導電酸化膜で構成する。 - 特許庁
An active layer 23 of the semiconductor lamination 15 has a gallium nitride-based semiconductor layer containing indium, and an indium composition of the gallium nitride-based semiconductor layer is ≥0.2.例文帳に追加
半導体積層１５の活性層２３は、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を有しており、この窒化ガリウム系半導体層のインジウム組成は０．２以上である。 - 特許庁
The indium germanate submicron tube can be synthesized by heating a mixture of indium oxide powder, germanium oxide powder and active carbon powder in an inert gas stream for a given time at a given temperature.例文帳に追加
酸化インジウム粉末、酸化ゲルマニウム粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中で、所定温度において所定時間加熱し、ゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブを合成することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing indium oxide powders having a small amount of residual chlorine at a low cost even when indium chloride is used as a raw material.例文帳に追加
塩化インジウムを原料として用いた場合であっても、残留塩素量が少ない酸化インジウム粉末を低コストに製造する方法を提供する。 - 特許庁
In the production method, the acid aqueous solution comprising the indium ions and the tin ions can be obtained by dissolving a compound comprising indium, tin and oxygen in hydrochloric acid.例文帳に追加
インジウムイオンと錫イオンとを含有する酸性水溶液が、インジウムと錫と酸素とを含有する化合物を塩酸に溶解して得られる酸性水溶液である前記記載の製造方法。 - 特許庁
The conductive inorganic oxide particle contains, for example indium oxide, and at least one kind of atom selected from a group of tin added to the indium oxide, zinc, and aluminum.例文帳に追加
導電性無機酸化物粒子は、例えば、酸化インジウムと、前記酸化インジウムに添加されたスズ、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子とを含む。 - 特許庁
To provide an indium hydroxide powder containing a reduced amount of residual chlorine, even when indium chloride is used for the raw material.例文帳に追加
塩化インジウムを原料として用いた場合であっても、残留塩素量が少ない水酸化インジウム粉末を低コストに製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of forming a pocket area by using indium and decreasing the increase of leak current by ion injection of indium.例文帳に追加
インジウムを用いてポケット領域を形成し、かつインジウムのイオン注入によるリーク電流の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁
In this sputtering target, 0.1-5 wt.% of zirconium oxide is included in indium oxide, and the zirconium oxide forms a solid solution in the indium oxide.例文帳に追加
酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁
The loop antenna is film-formed with indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material, using a sputtering apparatus.例文帳に追加
ループアンテナは、透明性を有する導電性材料である酸化インジウムスズや、酸化インジウム亜鉛等をスパッタリング装置などで薄膜形成する。 - 特許庁
Further, the low growth-temperature of the aluminum indium nitride (Al_xIn_1-xN) clad layer protects an indium gallium nitride (InGaN) active luminous layer to eventually increase the luminous efficiency.例文帳に追加
さらに、窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）クラッド層の成長温度が低いことにより、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）活性発光層を保護し、最終的に発光効率を高める。 - 特許庁
The compound body of a carbon nano tube network and indium tin oxide comprise: a carbon nano tube network layer; and an indium tin oxide layer formed on the carbon nano tube network layer.例文帳に追加
カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体は、カーボンナノチューブネットワーク層と、カーボンナノチューブネットワーク層上に配置されたインジウムスズ酸化物層とを含み得る。 - 特許庁
To provide a method for producing simply and industrially-advantageously indium organic carboxylate useful as an indium source in the production of InP fine particles or the like.例文帳に追加
ＩｎＰ微粒子などの製造におけるＩｎ源として有用な有機カルボン酸インジウムを、簡易にかつ工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁
When forming the indium, tin and silicon oxide film 13 using indium, tin, silicon and oxygen targets, the oxygen concentration of sputtering gas is set to ≥30%.例文帳に追加
そして、インジウム・錫・珪素・酸素ターゲットを用いて、インジウム・錫・珪素酸化膜１３を形成する際のスパッタガスの酸素濃度は３０％以上とする。 - 特許庁
Making the bismuth and indium present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part can be attained by doping a bismuth compound and an indium compound to an electrolyte.例文帳に追加
上記のようにビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させることは、電解液にビスマス化合物およびインジウム化合物を添加することによって達成できる。 - 特許庁
The indium-based oxide fine particle is manufactured by dispersing indium-based hydroxide in alcohol, drying and then heating at 200-500°C.例文帳に追加
インジウム系水酸化物をアルコールに分散させ、ついで乾燥した後、２００〜５００℃の温度範囲で加熱処理するインジウム系酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁
A transparent conductor film mainly formed of indium tin oxide or indium zinc oxide is etched with the composition of etching liquid for conductor film.例文帳に追加
本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。 - 特許庁
The high orientation silica nanotube or the silica nanotube with indium included is produced by heating a mixture of silicon powder and indium oxide powder at 1,350-1,420°C for 30-60 minutes under reduced pressure.例文帳に追加
珪素粉末と酸化インジウム粉末の混合物を、減圧下で1350〜1420℃に３０〜６０分加熱することにより、高配向性のシリカナノチューブあるいはインジウムが内含されたシリカナノチューブを製造する。 - 特許庁
(1) The electrode formed of a thin film using the silver 2 as the conductor is covered with an indium oxide thin film or an indium tin oxide thin film 3 and a masking tape 4 is spread further.例文帳に追加
１）銀２を導電体として用いた薄膜で形成された電極上をインジウム酸化物薄膜あるいはインジウム錫酸化物薄膜３で被覆する更にマスキングテープ４を張った。 - 特許庁
PROCESS FOR PRODUCING TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE, COATING MATERIAL FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL CONTAINING TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMED USING COATING MATERIAL FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL例文帳に追加
錫含有酸化インジウムの製造方法、錫含有酸化インジウムを含む透明導電材用塗料、並びに、透明導電材用塗料を用いて成膜される透明導電膜 - 特許庁
To provide an ITO (Indium Tin Oxide) target including calcium of about 0.001 to 10% by atom, compared with an indium atom, and an ITO transparent electrode for a display apparats manufactured from an ITO target.例文帳に追加
本発明は、インジウム原子に対して０．００１〜１０ａｔ％のカルシウムを含んだＩＴＯターゲットおよび前記ターゲットを用いて製造されたディスプレイ装置用ＩＴＯ透明電極を提供する。 - 特許庁
To provide a method for efficiently recovering indium from a hydrochloric acid solution containing high purity indium generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target.例文帳に追加
ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後等に発生する高純度インジウムを含有する塩酸溶液からインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁
INDIUM BASED OXIDE FINE PARTICLE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, COATING LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM CONTAINING INDIUM BASED OXIDE FINE PARTICLE, BASE MATERIAL WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE COATING FILM, AND DISPLAY APPARATUS例文帳に追加
インジウム系酸化物微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系酸化物微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate and a vapor deposition equipment which can prevent particle containing indium from sticking on a surface of group III nitride film which contains indium.例文帳に追加
インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of efficiently recovering indium from fibrous waste such as thick cotton gloves or papers on which indium is stuck or adhesive waste such as a masking tape.例文帳に追加
インジウムが付着した軍手や紙などの繊維質廃棄物、マスキングテープ等の接着性廃棄物から効率良くインジウムを回収する方法を提供する。 - 特許庁
The plated member is obtained by subjecting a base material to silver plating and indium plating, and diffusing indium into silver by thermal diffusion.例文帳に追加
本発明のめっき部材は、基材に銀めっきとインジウムめっきとを施し、熱拡散によってインジウムを銀中に拡散させることによって形成することができる。 - 特許庁
In the above step, direct current plasma is used in particular for the purpose of avoiding increase of contact resistance by oxidation of indium metal, to improve adhesiveness of vapor deposited indium.例文帳に追加
この際、インジウム金属の酸化による接触抵抗の上昇を避けるため、特に、直流プラズマを利用して蒸着インジウムの密着性を向上させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a substance containing indium oxide, e.g. high-purity indium hydroxide by eliminating impuries contained in an ITO scrap.例文帳に追加
インジウム酸化物を含有する物質、例えば、ＩＴＯスクラップに含有される不純物を除去して高純度の水酸化インジウムを製造する方法を提供する - 特許庁
To provide a method for production of an indium target capable of favorably inhibiting the occurrence of abnormal discharge when sputtering, and to provide the indium target.例文帳に追加
スパッタ時の異常放電の発生を良好に抑制することが可能なインジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲットを提供する。 - 特許庁
This transparent conductive thin film is structured by a three layered structure forming a transparent conductive layer 12 of indium tin oxide, a mixed layer 14 of indium tin oxide and metal oxide an a metal oxide layer in this order.例文帳に追加
透明導電薄膜を透明基板１０上に、インジウム錫酸化物の透明導電性層１２、インジウム錫酸化物と金属酸化物との混合層１４、金属酸化物層をこの順に形成した３層構造によって構成する。 - 特許庁
To provide a method for recovering indium where indium is separated from tin, so as to be efficiently recovered from blast particles used for cleaning ITO films or the like.例文帳に追加
ＩＴＯ膜洗浄などに用いたブラスト粒子から、インジウムをスズと分離して効率よく回収することができるインジウムの回収方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for efficiently recovering indium from high purity oxidized indium-containing scrap generated at the time of producing an IXO sputtering target or after its use.例文帳に追加
ＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁
INDIUM BASED METAL FINE PARTICLE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND COATING LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT AND CONDUCTIVE FILM CONTAINING INDIUM BASED METAL FINE PARTICLE, BASE MATERIAL PROVIDED WITH TRANSPARENT AND CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
インジウム系金属微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系金属微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置 - 特許庁
The target for ion plating for producing a zinc oxide-based thin film composed of a sintered body comprising zinc oxide and indium, the ratio of the indium element contained in the sintered body is 0.003 to 30 mass%.例文帳に追加
酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、焼結体に含まれるインジウム元素の比率は０．００３〜３０質量％である。 - 特許庁
A color filter is made by forming an indium-tin oxide layer on a glass substrate and sequentially forming a silicon nitride layer, an amorphous silicon layer, an n-type silicon layer and a metal layer on the indium-tin oxide layer.例文帳に追加
インジウム錫（スズ）酸化物層がガラス基板上に形成され、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層が前記インジウム錫酸化物層上に順次形成され、カラーフィルタとなる。 - 特許庁
The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film.例文帳に追加
積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁
The indium foil 154, the transparent member 152, the solid-state laser medium 151, the transparent member 153, and the indium foil 155 respectively have a disk shape and are laminated in that order.例文帳に追加
インジウム箔１５４、透明部材１５２、固体レーザ媒質１５１、透明部材１５３およびインジウム箔１５５は、各々ディスク形状のものであり、この順に積層されている。 - 特許庁
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