「indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an indium-recovering method which solves problems that some indium deposits when selectively separating only tin from oxides of indium and tin, though the separation is difficult, and a conventional method needs a high cost because of generating a harmful chlorine gas when electrolytically refining indium in a final step if chloride ions remain in a liquid in the refining step, and accordingly requiring a process for separating chloride ions from indium ions.例文帳に追加

インジウムとスズ酸化物からスズのみを選択的分離することは難しく、分離の際一部のインジウムが沈殿してしまうという問題や最終工程においてインジウムを電解精製する際に液中に塩素イオンが残存していると有害な塩素ガスが発生する為、塩素イオンとインジウムイオンを分離する工程が必要でありコスト高になるという問題を解消するインジウム回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element to simplify processes and to improve productivity by selectively exposing amorphous indium tin oxide to light to convert into polycrystalline or crystalline indium tin oxide and selectively etching residual amorphous indium tin oxide to form a pixel electrode.例文帳に追加

前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成することにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。 - 特許庁

The magnesium oxide nanowires and the magnesium oxide nanorods containing indium are produced by allowing metal magnesium and metal indium to react in an inert gas atmosphere at 700°C to 950°C by using a mixture comprising iron oxide, boron oxide, and an indium compound carried by alumina as a catalyst.例文帳に追加

アルミナに保持した酸化鉄、酸化ホウ素およびインジウム化合物からなる混合物を触媒として用い、金属マグネシウムと金属インジウムとを、７００℃から９５０℃の不活性ガス雰囲気中で反応させることにより、酸化マグネシウムナノワイヤーおよびインジウムが内含された酸化マグネシウムナノロッドを生成する。 - 特許庁

The method for condensating the blast treatment material containing an indium oxide compound includes a process in which the ratio of the indium oxide compound in processing the blast is increased by calcinating the blast treatment material containing the indium oxide compound and vegetable blast material, and firing the blast material.例文帳に追加

酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

By the method for producing the indium compound, the indium compound can be easily produced from a ferrous chloride solution containing indium (for example, a waste solution produced in an etching process for etching an ITO material or the like by ferric chloride) by using a chelate resin having a polyamine group or N-methylglucamine group.例文帳に追加

本発明者らは、インジウムを含有する塩化第一鉄液（例えばＩＴＯ材等の塩化第二鉄によるエッチング廃液より）からインジウムを回収する方法を鋭意検討した結果、インジウムを含有する塩化第一鉄液からポリアミン基またはN−メチルグルカミン基を有するキレート樹脂を用いることによりインジウム化合物を容易に製造することができることを見出して完成させた。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor thin film includes a metal excessive supply process of excessively supplying indium exceeding a stoichiometry condition S, and a droplet conversion process of converting indium droplets 15 deposited on the substrate 10 in the metal excessive supply process into an indium nitride layer 16 by supplying the active nitrogen species 12 until the stoichiometry condition S is met.例文帳に追加

窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a decorative coating having both superior artistic design properties due to metallic luster and radar beam transmittance which are equivalent to those obtianed, when using indium in spite of using metal lower in price than indium without using expensive indium, as to an exterior decoration disposed in a radar beam route of a radar device.例文帳に追加

レーダ装置のレーダビーム経路内に配設される外装装飾部材において、高価なインジウムを使用することなく、インジウムより安価な金属を用いながら、インジウムを用いた場合と同等の金属光沢による優れた意匠性とレーダビーム透過性とを兼ね備えた装飾皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The high conductivity indium tin oxide fine particle is produced by mixing indium tin oxide powder and a fluorine compound in the predetermined ratio under the presence of water of a predetermined amount and firing under a low-oxygen atmosphere at a low temperature, or by mixing indium oxide powder, stannic oxide powder and a fluorine compound in a predetermined ratio and firing under the low-oxygen atmosphere at the low temperature.例文帳に追加

所定量の水の存在下で、インジウム錫酸化物粉末とフッ素化合物とを所定比率で混合し、低酸素雰囲気下、低温で焼成することにより、または酸化インジウム粉末と酸化第二錫粉末とフッ素化合物とを所定比率で混合し、低酸素雰囲気下、低温で焼成することにより、高導電性インジウム錫酸化物微粒子を製造する。 - 特許庁

The method for obtaining the stencil mask 100 comprises steps of forming an indium oxide thin film 11 on the supporting substrate 1 comprising a silicon wafer to manufacture the substrate 10 for the stencil mask, forming an opening 31 in the supporting substrate 1 by pattern-processing the supporting substrate 1 and the indium oxide thin film 11, and forming a charged beam transmitting hole 12 in the indium oxide thin film 11.例文帳に追加

シリコンウェハーからなる支持基板１上に酸化インジウム薄膜１１を形成してステンシルマスク用基板１０を作製し、支持基板１及び酸化インジウム薄膜１１をパターニング処理して支持基板１に開口部３１、酸化インジウム薄膜１１に荷電ビーム透過孔１２を形成してステンシルマスク１００を得る。 - 特許庁

This tin/indium alloy electroplating bath free from cyanic compounds is composed of a weak-alkaline aqueous solution of a tin/indium alloy for electoplating, and in which, as metallic salts, the tetravalent tin salt of metastannic acid and the tervalent indium salt of organic sulfonic acid and, moreover, a chelating agent are added, and pH is controlled to 7 to 11 with caustic alkali.例文帳に追加

錫／インジウム合金の電気めっき用弱アルカリ性水溶液であって、金属塩としてメタ錫酸の４価錫塩と有機スルホン酸の３価インジウム塩、更に、キレート剤を添加し、苛性アルカリでｐＨを７〜１１に調製することを特徴とするシアン化合物を含まない錫／インジウム合金電気めっき浴。 - 特許庁

In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.例文帳に追加

不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁

In the conductive zinc oxide particles containing indium, a ratio [In/(Zn+In)] of atomic number of indium to the total anomic number of metal components of zinc (Zn) and indium (In) is 0.001-0.45, an average particle size of particles is 1-200 nm, and an electrical conductivity under pressurization by 9.81 MPa is 0.05 S/cm or more.例文帳に追加

インジウムを含有する導電性酸化亜鉛微粒子であって、亜鉛（Ｚｎ）とインジウム（Ｉｎ）の金属成分の合計原子数に対するインジウムの原子数の比［Ｉｎ／（Ｚｎ＋Ｉｎ）］が０．００１〜０．４５、該微粒子の平均粒子径が１〜２００ｎｍ、かつ９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が０．０５Ｓ／ｃｍ以上である導電性酸化亜鉛微粒子。 - 特許庁

This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.例文帳に追加

ＩＴＯ膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁

This collecting method includes: bringing the waste etching liquid of oxalic acid containing indium in contact with a weakly basic anion-exchange resin having a primary amino group and/or a secondary amino group as a functional group; thereby making the anion-exchange resin physically adsorb the indium in the waste etching liquid of oxalic acid; and collecting the indium from the waste etching liquid of oxalic acid.例文帳に追加

インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液を、官能基として１級アミノ基及び／又は２級アミノ基を有する弱塩基性陰イオン交換樹脂に接触処理せしめることにより、かかるシュウ酸エッチング廃液中のインジウムを、かかる陰イオン交換樹脂に物理的に吸着させて、シュウ酸エッチング廃液中から回収するようにした。 - 特許庁

A material contg. indium oxide is dissolved into an acidic aq. soln., next, the pH in the dissolving soln. is controlled to the range of 2 to 4, the produced precipitates are separated away, and it is recovered as an indium-contg. aq.soln. to reduce the concn. of zirconium in the recovered indium.例文帳に追加

（１）インジウム酸化物を含有する物質を酸性水溶液に溶解して、次いで該溶解液のｐＨを２以上４以下の範囲に調整して、生成した沈殿物を分離除去して、インジウム含有水溶液として回収することにより、回収されるインジウム中のジルコニウム濃度を低減させることを特徴とするインジウムの回収及び精製方法。 - 特許庁

In the inspection method and the inspection apparatus for the unreacted metal indium in the indium phosphorus polycrystal, an indium phosphorus polycrystal ingot is irradiated with light at a wavelength of 0.92 μm or more at an illuminance of 150 lux or more, ingot transmitted light is received by an infrared camera, and a light received image is converted into a visible image.例文帳に追加

インジウムリン多結晶中の未反応金属インジウムの検査方法であって、インジウムリン多結晶インゴットに０．９２μｍ以上の波長を有する光を１５０ｌｕｘ以上の照度で照射してインゴット透過光を赤外線カメラで受光し、該受光像を可視映像に変換することを特徴とするインジウムリン多結晶中の未反応金属インジウム検査方法、及び検査装置。 - 特許庁

The method for treating the indium-containing solution comprises the steps of: adding activated carbon into the solution containing lead and indium to make the activated carbon adsorb lead; adding a sulfurizing agent in an amount of sufficiently sulfurizing lead remaining in the solution, into the solution to remove the remaining lead as a sulfide; and collecting indium from the solution from which the sulfide of the lead has been removed.例文帳に追加

鉛とインジウムとを含有する溶液へ活性炭を添加し鉛を吸着させる工程と、当該溶液中へ、当該溶液中に残留する鉛を硫化するに足る量の硫化剤を添加し、当該残留する鉛を硫化物として除去する工程と、当該鉛の硫化物を除去した溶液からインジウムを採取する工程と、を有するインジウム含有溶液の処理方法である。 - 特許庁

A transparent conductive film laminate has a three-layer laminated structure in which an indium oxide transparent conductive film (I) formed on a translucent substrate is used as a base, and a zinc oxide transparent conductive film (II) for protecting the indium oxide transparent conductive film and a zinc oxide transparent conductive film (III) having excellent concavo-convex properties are formed in sequence on the indium oxide transparent conductive film.例文帳に追加

透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜（Ｉ）を下地として、その上に、酸化インジウム系透明導電膜を保護するための酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩ）、次いで凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩＩ）が順次形成された三層積層構造とする。 - 特許庁

The indium hydroxide-based powder production method is characterized in that an aqueous solution containing indium salt or indium salt-based metal salt is neutralized by using an alkaline aqueous solution to obtain a suspension, and the hydroxide in the obtained suspension is circularly cleaned by a continuous pressure cross flow filtration method while replacing the aqueous solution content in the obtained suspension with pure water.例文帳に追加

インジウム塩、または、インジウム塩を主成分とする金属塩が含まれる水溶液を、アルカリ水溶液で中和することによりサスペンションを得て、連続加圧クロスフロー濾過方式により、サスペンション中の水溶液分を純水と置換しつつ、サスペンション中の水酸化物を循環洗浄する。 - 特許庁

This plated coating film comprises a two-elements alloy plated coating film formed on the underlying metal, which includes tin as a main ingredient, and either one of copper, silver bismuth or indium, and a conversion coating film formed on the alloy plated coating film, which includes either one of additional silver, bismuth or indium other than the above silver, bismuth or indium included in the alloy plated coating film.例文帳に追加

下地金属の上に形成された、錫を主成分としてこれに銅、銀、ビスマス、インジウムのいずれかを含有する２元素系の合金めっき被膜と、この合金めっき被膜の上に形成され、合金めっき被膜に含有される先の銅、銀、ビスマス、インジウムを除く残りの銀、ビスマス、インジウムのいずれかを有する置換被膜とを有するようにしたものである。 - 特許庁

As the non-conductive oxide, a mixture of indium oxide particles and tin compound particles, a mixture of indium oxide particles, zinc compound particles, and tin compound particles, a mixture of indium oxide particles, magnesium compound particles, and tin compound particles, or a mixture of compound particles of an element which may be pentavalent with tin oxide particles, for example, are used.例文帳に追加

前記非導電性酸化物としては、酸化インジウム粒子と錫化合物粒子との混合物、酸化インジウム粒子と亜鉛化合物粒子と錫化合物粒子との混合物、酸化インジウム粒子とマグネシウム化合物粒子と錫化合物粒子との混合物、または酸化錫粒子と５価となり得る元素の化合物粒子との混合物等を用いることができる。 - 特許庁

The electroconductive indium oxide fine particle contains indium oxide and a halogen element and has 0.001-0.05 ratio [X/(In+X)] of the number of atoms of the halogen element (X) to the total of that of atoms of the indium (In) and that of atoms of the halogen element (X) and ≥0.1 S/cm electric conductivity when pressurized up to 9.81 MPa.例文帳に追加

酸化インジウムとハロゲン元素とを含有する導電性微粒子であって、インジウム（Ｉｎ）の原子数とハロゲン元素（Ｘ）の原子数との合計に対するハロゲン元素（Ｘ）の原子数の比［Ｘ／（Ｉｎ＋Ｘ）］が０．００１〜０．０５であり、９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が、０．1Ｓ／ｃｍ以上である導電性酸化インジウム微粒子及びその製造方法である。 - 特許庁

it is made by attaching a radioactive substance called indium 111 to a monoclonal antibody called huafp31. 例文帳に追加

huafp31と呼ばれるモノクローナル抗体にインジウム111と呼ばれる放射性物質を結合させることによって作成される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

huafp31 binds to tumor cells that make alpha fetoprotein (afp), and the indium in 111 may kill the tumor cells. 例文帳に追加

huafp31はαフェトプロテイン（afp）を生成している腫瘍細胞に結合し、その腫瘍細胞はインジウム111の作用により死滅する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

it is made by attaching a radioactive substance called indium 111 to the monoclonal antibody trastuzumab (herceptin). 例文帳に追加

トラスツズマブ（ハーセプチン）と呼ばれるモノクローナル抗体にインジウム111と呼ばれる放射性物質を結合させることで作られる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

(a) Aluminum, gallium or indium organic compounds with a purity exceeding 99.999% 例文帳に追加

イ　アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony 例文帳に追加

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Group A: indium, tin and zinc and B group: magnesium, silicon, titanium, vanadium, manganese, cobalt, nickel, copper, gallium, germanium, etc.例文帳に追加

Ａ群：インジウム、錫、及び亜鉛 Ｂ群：マグネシウム、シリコン、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、ゲルマニウム・・等 - 特許庁

The copper alloy may contain metal such as magnesium, tin, silver, indium, strontium, and calcium by a prescribed amount.例文帳に追加

銅合金はマグネシウム、錫、銀、インジウム、ストロンチウム、カルシウムなどの金属を所定量含有していても良い。 - 特許庁

The first semiconductor layer 9a consists of the III-V compound semiconductor comprising at least nitrogen, indium and gallium.例文帳に追加

第１の半導体層９ａは、少なくとも窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The anode catalyst is provided with platinum, and at least one kind of temper metals selected from zinc (Zn), gallium (Ga) and indium (In).例文帳に追加

白金と、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）から選ばれる少なくとも１種の添加金属と、を備えるアノード触媒を用いる。 - 特許庁

As a first added element, the silver alloy includes at least one kind selected from among aluminum, indium, tin, bismuth, gallium, zinc and magnesium.例文帳に追加

銀合金は、第１の添加元素としてアルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、マグネシウムのうちの少なくとも１種を含む。 - 特許庁

Then the sapphire substrate is lifted off through a metallization procedure for releasing a nitrogen from gallium, aluminum or indium.例文帳に追加

ガリウム、アルミニウム、またはインジウムから窒素が解離されるメタライゼーション手順を使用して、サファイア基板をリフトオフする。 - 特許庁

The cathode includes a synthetic polymer, e.g, PTFE, lead, zinc, cadmium, mercury, indium, and carbon having activity as a high hydrogen overpotential electrode.例文帳に追加

陰極がＰＴＦＥ等の合成ポリマー、鉛、亜鉛、カドミウム、水銀、インジウム、高水素過電圧電極としての活性を有する炭素を含む。 - 特許庁

The metal is one or more selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, platinum, steel, chromium, and indium.例文帳に追加

金属はニッケル、銅、金、銀、白金、鉄鋼、クロムおよびインジウムからなるグループから選ばれる一種以上である。 - 特許庁

To provide a method for producing a homoallyl hydrazide by allylating N-acylhydrazone by using monovalent indium, and to provide an asymmetric catalyst for use therein.例文帳に追加

一価インジウムを用いてN-アシルヒドラゾンをアリル化するホモアリルヒドラジドの製造方法、及びそれに用いる不斉触媒を提供する。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。 - 特許庁

VISIBLE LIGHT-RESPONSIVE INDIUM-BARIUM COMPOUND OXIDE PHOTOCATALYST, METHOD OF PRODUCING HYDROGEN USING THE PHOTOCATALYST, AND METHOD FOR DECOMPOSING HARMFUL CHEMICAL SUBSTANCE USING PHOTOCATALYST例文帳に追加

インジウムバリウム複合酸化物可視光応答性光触媒とこの光触媒を用いた水素の製造方法及び有害化学物質分解方法 - 特許庁

The pixel electrode is a transparent electrode consisting of indium oxide to which tin is added and having ≥140 nm film thickness.例文帳に追加

前記画素電極は、錫の添加された酸化インジウムより成る１４０ｎｍ以上の膜厚を有する透明電極である。 - 特許庁

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator.例文帳に追加

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。 - 特許庁

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements.例文帳に追加

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。 - 特許庁

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM例文帳に追加

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用 - 特許庁

The phosphorous semiconductor layer may be a multilayer structure and have a layer containing aluminum as well as have a layer containing gallium, indium, or phosphorus.例文帳に追加

リン系半導体層は多層構造でアルミニウムを含有する層を有していても、ガリウム・インジウム・リンを含む層を有していてもよい。 - 特許庁