「insulator structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The spacer is composed of a lamination in order of a first film 2 having a structure in which silver particles are dispersed in oxynitride of aluminum on a substrate 1 made of an insulator and a second film 3 containing tungsten, germanium and nitrogen.例文帳に追加

絶縁体からなる基材１上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜２と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜３とを順次積層してスペーサとする。 - 特許庁

A reference edge in the vertical direction is determined by forming a cavity in an silicon on insulator (SOI) structure having an embedded silicon island 108.例文帳に追加

埋め込まれたシリコン・アイランド１０８を有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造内にキャビティを形成することにより、垂直方向の基準エッジを定める。 - 特許庁

A cable termination and connection structure includes a bushing, made of insulator attached to an outer wall of power equipment, and a ground electrode is provided at an area situated in the outer periphery of stress cone of the bushing.例文帳に追加

本発明のケーブル終端接続構造は、記電力機器の外壁に密閉して取り付けられる絶縁体製のブッシングを備えており、当該ブッシングのストレスコーンの外周に位置する部位にはアース電極が設けられている。 - 特許庁

To obtain an insulator which can absorb vibration generated from an audio apparatus or vibration of the installation plane of the audio apparatus efficiently through a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造で、オーディオ機器で発生する振動やオーディオ機器の設置面の振動を効率よく吸収することができるインシュレータを得る。 - 特許庁

The silicon on insulator (SOI) structure has a low defect density device layer and, optionally, a handle wafer having improved gettering capabilities.例文帳に追加

欠陥密度が低いデバイス層を有し、かつ改良されたゲッタリング能を必要に応じて有するハンドルウエハを有するシリコン・オン・インシュレーター（「ＳＯＩ」）構造体を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric film formed on the insulator is formed of lead titanate or is a solid solution containing lead titanate, and is a polycrystalline substance having a perovskite structure with the crystal grain diameter between 50 nm and 1000 nm.例文帳に追加

絶縁膜上に形成される強誘電体膜は、チタン酸鉛またはチタン酸鉛を含有する固溶体であるとともに、ペロブスカイト構造を有する多結晶体であり、結晶粒径が５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 - 特許庁

A diblock copolymerization layer containing at least two polymers and having a lamellar structure perpendicularly to a substrate 3 is deposited on a first gate insulator 4 formed on the substrate.例文帳に追加

少なくとも２つの重合体を備え、かつ、基板３に垂直のラメラ構造を有するダイブロック共重合体層が、基板に形成された第１のゲート絶縁体４に堆積される。 - 特許庁

To improve a yield of an optical semiconductor device wherein a belt-shaped semiconductor laminate structure having an electrode formed at the top is embedded with an organic insulator.例文帳に追加

電極が頂上に形成された帯状の半導体積層構造を、有機絶縁体で埋め込んだ光半導体装置の歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a commutator which can be manufactured easily and can be made a structure in which a commutator member is hardly separated from an insulator, and furthermore, of which roundness can be increased easily.例文帳に追加

容易に製造することができるとともに、整流子片が絶縁体から剥離し難い構造とすることができ、更に真円度を容易に高くすることができる整流子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor with little gate induced drain leakage current and an integrated circuit which includes a thin insulator structure between a gate electrode and a source/drain region.例文帳に追加

ゲート誘起ドレインリーク電流が少ない電界効果トランジスタ、および、ゲート電極とソース／ドレイン領域との間に薄い絶縁体構造物を含む集積回路を提供する。 - 特許庁

The insulator composition is used for forming the insulating section which the organic semiconductor device has, has an organic group as a substituting group, and contains a polysilsesquioxane derivative having a specific structure.例文帳に追加

絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられるものであり、置換基に有機基を有し、特定の構造を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transistor type ferroelectric nonvolatile memory element, having an MFMIS(metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor) structure, which can be integrated to high density.例文帳に追加

高密度に集積できるＭＦＭＩＳ（金属−強誘電体−金属−絶縁体−半導体）構造を有するトランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

To prevent the occurrence of unevenness in and violent movement of a harness and to smoothly progress a fixing work for the harness, in the fixing structure of the harness disposed on the surface of an insulator dash.例文帳に追加

インシュレータダッシュの表面に配設されるハーネスの固定構造において、ハーネスのばらつきや暴れを防止するとともに、ハーネスの固定作業を円滑に進めることを課題とする。 - 特許庁

The resin package unit assembly 70 has a structure in which a resin package unit 71 equipped with the equalizer function is combined with an insulator block 90.例文帳に追加

樹脂パッケージユニット組立体７０は、イコライザ機能を備えた樹脂パッケージユニット７１と絶縁体ブロック９０とが組み合わされた構造である。 - 特許庁

The device has a structure wherein a dielectrics or an insulator is sandwiched with a conductor and a ground conductor, and a magnetic substance is electrically contacted with the conductor and the ground conductor or the conductor.例文帳に追加

誘電体もしくは絶縁体を導体と地導体によって挟んだ構造を有し、その導体と地導体あるいは導体に磁性体を電気的に接触させる。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a silicon on insulator (SOI) substrate having a semiconductor base material 11, a buried insulating film 12, and a semiconductor layer 16; and a semiconductor element structure formed on the SOI substrate.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基材１１と埋め込み絶縁膜１２と半導体層１６とを有するＳＯＩ基板と、このＳＯＩ基板上に形成された半導体素子構造とを備える。 - 特許庁

A package structure 100 includes a wafer 102 having a plurality of integrated circuit devices 104, an extension metal pad 112, a first conductive bump 114, and an insulator layer 118.例文帳に追加

パッケージ構造１００は複数の集積回路素子１０４を有するウエハ１０２と、延伸金属パッド１１２と、第１導電バンプ１１４と、絶縁層１１８とを含む。 - 特許庁

A bonding pad structure according to the present invention includes one of more insulator film patterns and/or conductive via patterns provided inside a region limited by the circumferential edge of a related main conductive film pattern.例文帳に追加

本発明に従うボンディングパッド構造は、関連された主要な導電膜パターンの周縁によって限定される領域内部に提供された一つ又はそれ以上の絶縁膜パターン及び／又は導電ビアパターンを含む。 - 特許庁

The wiring of composite structure configured of a metal plate made from such metal as copper and includes an isometric branch wiring member which branches in isometric manner once or more times, is provided on an insulator substrate.例文帳に追加

例えば銅のような金属からなる金属板により形成され、１回又は２回以上等長に分岐する等長分岐配線部材を含む複合構造の配線を、絶縁体基板上に備える。 - 特許庁

The insulator 12 of the detection probe 10 has a monolithically molded structure not only to surround the main electrode 11 and the earth electrode 13 but also to protect the earth electrode 13 from humidity in the duct.例文帳に追加

検出プローブ１０の絶縁物１２は、一体成形構造を有し、主電極１１及び接地電極１３を囲むと共に、ダクト内の湿気から接地電極を保護する。 - 特許庁

A superlattice 106, constituted by respectively laminating each metal layer (201) and each insulator layer (202), is formed into a structure with electrodes 104 and 102 being respectively arranged at the upper and lower positions in the direction vertical to the surface of the superlattice 106.例文帳に追加

金属層（２０１）と絶縁体層（２０２）を繰り返して積層した超格子１０６において、前記超格子の面直方向に関して上下の位置にそれぞれ電極１０２、１０４を配した構成をとる。 - 特許庁

The first laminate structure has multiple first electrode films laminated along a first direction and first inter-electrode insulator films provided between the multiple first electrode films.例文帳に追加

前記第１積層構造体は、第１方向に沿って積層された複数の第１電極膜と、前記複数の第１電極膜どうしの間に設けられた第１電極間絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

Current in the sensor is confined to regions close to the air bearing surface by a first multilayer insulator structure between the stack and at least one electrode to enhance reader sensitivity.例文帳に追加

センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 - 特許庁

To provide a transistor type ferroelectric nonvolatile storage element, having an MFMIS (a second conductor film-ferroelectric film-first conductor film-insulator film-semiconductor) structure which can be integrated with high density.例文帳に追加

高密度に集積できるＭＦＭＩＳ（第2導電体膜—強誘電体膜—第1導電体膜—絶縁体膜—半導体）構造を有するトランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

The piezoelectric body 20 is heated, the piezoelectric body 20 is separated at the ion implantation layer 22, and a piezoelectric body film structure 10t for which a piezoelectric body film 24 separated from the piezoelectric body 20 and the insulator 34 are bonded is formed.例文帳に追加

圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。 - 特許庁

A resistance layer has a structure that a transition metal or an alloy containing the transition metal is involved in a carbon nanotube, and has a characteristic in which a metal-insulator transition (Mott transition) is induced by applying a voltage or current.例文帳に追加

抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起される特性を有する。 - 特許庁

The trench structure 7 is formed by forming a trench and then by forming a high-concentration p^+ type region on the sidewall or by burying p^+ type doped polysilicon or an insulator into the trench.例文帳に追加

該トレンチ構造７は、トレンチを形成した後に、その側壁に高濃度ｐ^＋型領域を形成するか、若しくは、該トレンチ内部にｐ^＋型にドープしたポリシリコンまたは絶縁物を埋め込むことで形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate of an SOI (silicon on insulator) structure which can perform effective capturing operation while not exerting influence upon a semiconductor layer (SOI layer) wherein impurity metals function as the active layer of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物金属が半導体装置の活性層として機能する半導体層（ＳＯＩ層）に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができるＳＯＩ構造の半導体基板を提供。 - 特許庁

To provide a motor that ensures a high dielectric strength between a drive coil and a stator core by improving the structure of the third insulator.例文帳に追加

第３インシュレータの構成を改良して駆動コイルとステータコアとの間に高い絶縁耐圧を確保することのできるモータを提供すること。 - 特許庁

A resonator structure 100 includes a metal-insulator-metal waveguide comprising two metal layers 110 and 130 and an insulating layer 120 between the two metal layers 110 and 130.例文帳に追加

共振器構造１００は、２つの金属層１１０，１３０と、該２つの金属層１１０，１３０の間に挟持された絶縁層１２０とを有する金属−絶縁体−金属導波路を備える。 - 特許庁

The semiconductor layers comprises a doped region used for a collector and a heavily-doped region which is adjacent to the doped region and used as a reach-through structure, between the insulator layers and a collector contacts electrode.例文帳に追加

この半導体層は、コレクタとして使用するドープした領域と、このドープした領域に隣接し、絶縁体層とコレクタ接点電極の間のリーチスルーとして使用する濃くドープした領域とを含む。 - 特許庁

As a coil wire, two types of conductive plates, namely a flat coil plate and an electrode plate, are covered in a lamination structure by an insulator having a high dielectric constant.例文帳に追加

コイル線として、平板状のコイル板及び電極板の２種類の導電板を高誘電率を有した絶縁体にて積層構造に被覆して構成する。 - 特許庁

The radio wave absorbing material is obtained by dispersing magnetic nanoparticles, having super-paramagnetism and a particle size distribution, including particle sizes that indicates a single magnetic domain structure, in a nonmagnetic insulator.例文帳に追加

電波吸収材料は、超常磁性及び単磁区構造を示す粒径を含むような粒度分布を有する磁性ナノ粒子を、非磁性絶縁体中に分散させることで得られる。 - 特許庁

The top substrate 25 is formed in the multilayered structure having a conductive layer 25d buried in a substrate body 25a made of an insulator, and the conductive layer 25d is formed in a mesh shape.例文帳に追加

トップ基板２５は、絶縁体からなる基板本体２５ａに導電層２５ｄが埋設された多層に形成され、その導電層２５ｄはメッシュ状に形成されている。 - 特許庁

The engine hood structure includes a gas layer 3 completely sealing an engine hood insulator 2 provided on a rear face 1a of an engine hood 1, and a gas exhaust valve 4 for exhausting gas in the gas layer 3 therefrom at a predetermined pressure or above.例文帳に追加

エンジンフード１の裏面１ａに設けるエンジンフードインシュレータ２を、密封した気体層３と、この気体層３内の気体を所定圧力以上で外方に逃がす気体排出弁４と、を備えて構成する。 - 特許庁

Further, the metal insulator metal structure of a wiring layer metal 22, a capacitor insulating film 32 and a metal pattern 42 on an interlayer dielectric 12 becomes a capacity unit U2.例文帳に追加

さらに、層間絶縁膜１２上の配線層メタル２２、キャパシタ絶縁膜３２及びメタルパターン４２のＭＩＭ構造は、容量ユニットＵ２となる。 - 特許庁

To enable providing a plurality of same conductive-type transistors having different work functions each other in a semiconductor device having a metal insulator semiconductor (MIS) structure using a high-k film as a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜にｈｉｇｈ−ｋ膜を使用したＭＩＳ構造の半導体装置において、互いに異なる仕事関数を有する複数の同一導電型トランジスタを設けることを可能にする。 - 特許庁

Since the seesaw switch having double-break structure is constituted, the generation of an arc is remarkably reduced, and consumption/deterioration of the contact, an insulator, and grease is decreased.例文帳に追加

従って、二重切り構造のシーソースイッチとなるため、接点開離時のアークの発生を大幅に低減することが可能となり、接点、インシュレータ、グリースの消耗・劣化の程度が緩和される。 - 特許庁

The circuit board 23 is formed in multilayered structure having a conductive layer 23d buried in a substrate body 23a made of an insulator, and the conductive layer 23d is formed in a mesh shape.例文帳に追加

回路基板２３は、絶縁体からなる基板本体２３ａに導電層２３ｄが埋設された多層に形成され、その導電層２３ｄはメッシュ状に形成されている。 - 特許庁

The pulleys 3 are positioned to the insulator I side on the frame 2, so that the support can be installed in a portion with a shorter suspension length of a suspension line from the structure.例文帳に追加

滑車３が枠体２に対して碍子Ｉ側に位置かるから、構造物からの吊架線Ｗの懸垂長さの小さい箇所でも取り付けることができる。 - 特許庁

This pump cover fastening structure in a water pump includes a housing 1, a pump cover 2, an impeller 5, and a stator core A with a core insulator surrounding a magnetic core, wound with a winding.例文帳に追加

ハウジング１と、ポンプカバー２と、インペラ５と、磁性コアを包むコアインシュレータに巻線が巻着されたステータコアＡとからなること。 - 特許庁

To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect.例文帳に追加

ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

A MIM (metal insulator metal) structure of a wiring layer metal 21, a capacitor insulating film 31 and a metal pattern 41 on an interlayer dielectric 11 becomes a capacity unit U1.例文帳に追加

層間絶縁膜１１上の配線層メタル２１、キャパシタ絶縁膜３１及びメタルパターン４１によるＭＩＭ構造は、容量ユニットＵ１となる。 - 特許庁

To offer an integrated circuit structure comprising a pair of capacitors, which respectively have metal plates separated by an insulator, and a metal-gate semiconductor transistor which is electrically connected to the capacitors.例文帳に追加

絶縁体によって分離された金属プレートをそれぞれ有する一対のコンデンサと、コンデンサと電気的に接続された金属ゲート半導体トランジスタとを含む集積回路構造を提供すること。 - 特許庁

To provide the chip-type electronic component of the structure that extending of plating in the electroplating of terminal electrode can be prevented, without forming an insulator layer on the surface of a single material formed of a ceramics semiconductor.例文帳に追加

セラミックス半導体でなる素体表面に絶縁体層を形成することなく端子電極における電気めっきの際のめっき伸びを防止することができる構造のチップ型電子部品を提供する。 - 特許庁