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insulator structureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 550



例文

To provide a substrate for the production of a SOI (Semiconductor On Insulator) structure which allows a high flexibility to adjust the lattice dimensions of an insulator layer for the integration of either fully relaxed or strained semiconductor layers consisting of a variety of materials with high crystalline quality.例文帳に追加

高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for improving the breakdown voltage of a semiconductor device having a structure where a buried insulator is formed at a bottom section of a trench, and insulating films are formed on both side surfaces of a shallow section of the trench not filled with the buried insulator.例文帳に追加

トレンチの底部が埋込絶縁体で充填されているとともに、埋込絶縁体で充填されていないトレンチ浅部領域の両側面に、絶縁膜が形成されている構成を有する半導体装置の耐圧を向上する技術を提供する。 - 特許庁

A winding insulation structure has a configuration that boosts insulation properties of respective windings (4, 5) by providing a V-shaped insulator (6) between different-phased windings (4, 5) from each other within a slot (3), and ensures their positioning by causing the end (6A) thereof to engage into a recess (20) of a U-shaped insulator (10).例文帳に追加

本発明による巻線絶縁構造は、スロット(3)内の互いに相の異なる巻線(4,5)間にV字状絶縁体(6)を設けることにより、各巻線(4,5)間の絶縁を強化し、その先端部(6A)をU字状絶縁体(10)の凹部(20)内に係合させることにより位置決めを行う構成である。 - 特許庁

In laminate structure consisting of an oxide layer and an insulator layer, carrier density of the oxide layer is 10^18/cm^3 or less, an average crystalline particle diameter is 1 μm or more, and crystal of the oxide layer is arranged on a surface of the insulator layer in the shape of a pillar.例文帳に追加

酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が10^18/cm^3以下、平均結晶粒径が1μm以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。 - 特許庁

例文

The wall of the projection 8 of this structure prevents deposition of metal spattered from the terminal electrode members 2 and 3 on a part of the inner wall of a ceramic insulator tube 4 in a clearance 11 between the outer surface 8b of the projection 8 and the inner surface of the ceramic insulator tube 4 during main discharge.例文帳に追加

すると突出部8が壁になって、主放電の際に端子電極部材2、3から飛散する金属が突出部8の外側面8bとセラミクス碍子管4の内面との隙間11部分のセラミクス碍子管4の内壁に付着しない。 - 特許庁


例文

To solve the problem of the conventional insulating structures for a motor in which layers of air are present in gaps between a core and an insulator and between the insulator and a coil, and to provide an insulating structure for a motor that allows effective release of heat, generated in the coil during operation of the motor, into the core.例文帳に追加

従来のモータの絶縁構造の問題点であった、鉄心とインシュレータ間、及び、インシュレータとコイル間の隙間に空気層が存在する点を解決し、モータ運転時にコイルで発生する熱を効率よく鉄心に逃がすことが可能なモータの絶縁構造を得る。 - 特許庁

A winding is inserted into a partitioning space 225 by using a partitioning structure insulator 22 in order to solve the problem, the crossover is inserted into a groove 223, the wiring is easily optimized, and then, the insulator 22 is inserted into a stator core and fixed thereto.例文帳に追加

そうした目的のために間仕切り構造インシュレータ22を用い、間仕切り空間225に巻線部を挿入し、溝部223に渡り線を挿入して、簡易に配線の適正化を行った上で、インシュレータ22をステータコア内に挿入、固定する。 - 特許庁

To provide a method for manually inserting, into the cable and insulator, a rubber stress cone of the simplified (cost reduction) structure for giving pressure to the interface between the cable and insulator with a contraction force of the rubber stress cone thereof at the time of forming termination connection part of the CV cable.例文帳に追加

CVケーブルの終端接続部形成において、ゴムストレスコーン自体の収縮力でケーブル絶縁体との界面に圧力を加える簡易型(コストダウン)構造のゴムストレスコーンをケーブルと絶縁体に挿入するに人力では不可能である。 - 特許庁

The planar showerhead 44, the upper insulator plate 52 and the lower insulator plate 50 are in a stacked structure, and are also positioned on the shelf 42 in the vicinity of the process space 14 for introducing a process gas into a substrate in the process space.例文帳に追加

たな42は室本体の内壁に設けられ、平らなシャワヘッド44および上方52および下方50絶縁板は積重ねられた構造物として配置され、かつプロセスガスをプロセス空間内の基板に導入するため、プロセス空間14の近傍のたな42の上に設置される。 - 特許庁

例文

To provide a curing cover capable of covering an insulator with a easy work, improving ease of work by providing a simple structure hardly coming off regardless of strong wind or the like, and reducing a cost of an apparatus, so that the insulator is cured at low cost and efficiently.例文帳に追加

容易な作業で碍子を覆うことができ、同時に、強風などでも容易に外れることのない簡単な構造を実現することにより、作業性を向上させるとともに、装置費用を削減して、碍子の養生を安価かつ効率よく行うことのできる養生カバーを提供すること。 - 特許庁

例文

The laminate structure includes a first thermal conductor 23 fixed to the cooler 5, an insulator 22 disposed on the first thermal conductor 23, and a second thermal conductor 21 that is disposed on the insulator 22, and on which the semiconductor chip 2 is mounted.例文帳に追加

上記積層構造は、冷却体5に固定された第1の熱伝導体23と、第1の熱伝導体23上に配置される絶縁物22と、絶縁物22上に配置され、半導体チップ2が載置される第2の熱伝導体21とを有している。 - 特許庁

To provide a supporting structure for a contact of a connector stably supporting the contact at an insulator by setting clearances between two engaging portions of the contact and two engaging portions of the insulator to be small.例文帳に追加

コンタクトの2つの係合箇所の間の寸法と、インシュレータの2つの係合箇所の間の寸法とにおいて、クリアランスを小さく設定し、コンタクトがインシュレータに安定して保持されるコネクタのコンタクト保持構造を提供する。 - 特許庁

To provide a sealed battery that facilitates mounting of a conductive lead such as a positive electrode lead and a negative electrode lead to an insulator and can securely prevent the conductive lead from being short-circuited to a peripheral structure having a different polarity after the insulator is incorporated into a battery case.例文帳に追加

電極体と出力端子とを接続する導電リードが、電極体と蓋との間に設けたインシュレータで位置保持されて、電池ケースと接触し短絡するのを防止してある密閉型の電池を対象にして、導電リードとインシュレータの組み付けを容易化し、組み付け不良を一掃する。 - 特許庁

A combining structure between a bearing holder 9 and an insulator 37 comprises one or more recesses 9c formed on the front edge of the bearing holder 9 and one or more protrusions 45b arranged in the insulator 37 and tightly engage with the recesses 9c of the bearing holder 9.例文帳に追加

ベアリングホルダ9とインシュレータ37との結合構造を、ベアリングホルダ9の前方端部に形成した1以上の凹部9cと、インシュレータ37に設けられてベアリングホルダ9の凹部9cにきつく嵌合される1以上の突出部45bとから構成する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic switch, having a structure where return force of a plunger 7 is received by an insulator 18 abutting against a stationary core 3 at a switch single body, improving the strength by increasing the thickness t of an insulator 18 without giving rise to enlargement of the axial length.例文帳に追加

スイッチ単体の時に、プランジャ7の戻り力をインシュレータ18がステーショナリコア3に当接することで受け止める構造であり、電磁スイッチの軸長増大を招くことなく、インシュレータ18の厚みtを増大して強度向上を図ること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GERMANIUM-ON-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING POROUS LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

多孔質層を用いてゲルマニウム・オン・インシュレータ半導体構造を形成するための方法及びこれらの方法によって形成される半導体構造 - 特許庁

To provide a method for forming a germanium-on-insulator semiconductor structure using a porous layer, and a semiconductor structure formed by the method.例文帳に追加

多孔質層を用いてゲルマニウム・オン・インシュレータ半導体構造を形成するための方法及びこれらの方法によって形成される半導体構造を提供すること。 - 特許庁

More specifically, the laser has a ridge waveguide structure where the periphery of the mesa is air, and the modulator has a ridge waveguide structure where the periphery of the mesa is filled with an organic insulator and flattened.例文帳に追加

すなわち、レーザ部はメサ周囲が空気であるリッジ導波路構造、変調器部はメサ周囲を有機絶縁物で埋め込んで平坦化したリッジ導波路構造とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a layered structure of an insulator and silicon aims to manufacture a layered structure of a first substrate made of silicon and a second substrate made of an insulating material.例文帳に追加

絶縁体とシリコンとの積層構造体の製造方法は、シリコンによって形成される第1の基板と、絶縁体材料によって形成される第2の基板とを積層した積層構造体を製造する方法である。 - 特許庁

To provide an improved barrier layer for a Cu-Damascine structure with an insulator having low dielectric constant, and a method for producing such structure accompanied therewith.例文帳に追加

低誘電率の絶縁体を有する銅ダマシン構造用の改善されたバリア層、およびそれに伴うこのような構造を製作する方法を提供すること。 - 特許庁

To produce a fine structure with fine particles or fine wires almost uniform in size on an insulator substrate and to obtain a catalyst and a sensor using the fine structure.例文帳に追加

絶縁体基板上にほぼ均一なサイズの微小粒子もしくは微小細線を備える微細構造とその製造方法およびその微細構造を用いた触媒とセンサを提供する。 - 特許庁

The means for increasing an effective area of the capacitance is a trench inside a semiconductor substrate, ineqularities inside an MIS structure, an MIM(metal-insulator- metal) structure or the like.例文帳に追加

このキャパシタンスの実効面積を増大する手段は、半導体基板内のトレンチ、MIS構造内の凹凸、MIM(金属−絶縁体−金属)構造などである。 - 特許庁

In a semiconductor device with SOI structure, an insulator in the SOI structure is allowed to project at the side of a semiconductor layer, and the thickness of the semiconductor layer of the part is set smaller than that of the semiconductor layer around the part.例文帳に追加

SOI構造を有する半導体装置において、SOI構造における絶縁体を半導体層側に張り出させ、この部分の半導体層の厚さをその周辺部分の半導体層の厚さよりも小さくする。 - 特許庁

To provide an MIS transistor constituted of metal-insulator-semiconductor structure having performance superior in both structure and property, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

構造的にも特性的にも高い性能を有する金属−絶縁物−半導体構造からなるMISトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A structure exhibiting electroconductivity by dispersing one or more kinds of metals into one or more kinds of ceramics being an insulator or a semiconductor is directly joined to the surface of a base material to form the composite structure.例文帳に追加

一種類以上の絶縁体もしくは半導体であるセラミックスに一種類以上の金属を分散させて導電性を発現させた構造物を基材上に直接接合させて形成している。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor structure, insulator layer 8, and drain electrode 7 of the first transistor portion 11 are united with a corresponding structure or layer in the second transistor portion 12.例文帳に追加

第1のトランジスタ部11のIII族窒化物半導体層構造、絶縁体層8およびドレイン電極7は、第2のトランジスタ部12において対応する構造または層と一体化されている。 - 特許庁

The electrode plate with the uniform insulated shunt conductive structure is provided with an insulated shunt conductive structure 104, having a conductor 1045 inside and covered by an insulator 1046 outside.例文帳に追加

均一な絶縁性導電分流構造を持つ電極板であり、内部に導電体1045を持ち、外部は絶縁体1046に被覆される絶縁性導電分流構造104を設置する。 - 特許庁

The dielectric film is an insulator having a higher dielectric constant than the a liquid crystal material used for the first wall-like structure, the second wall-like structure, and the liquid crystal layer and is provided so as to project into the liquid crystal layer.例文帳に追加

誘電体膜は、第1の壁状構造体及び第2の壁状構造体及び液晶層に用いられる液晶材料の誘電率より高い誘電率を有する絶縁体であり、液晶層に突出するように設けられる。 - 特許庁

To obtain an overhead insulated electric wire supporting structure which is free of pollution that would cause leakage current, as a structure for fixing a vertically wired part of an overhead insulated electric wire to an insulator and supporting it.例文帳に追加

架空絶縁電線の垂直方向配設部を碍子に固定支持する構造として、漏洩電流が発生するような汚染の生じない架空絶縁電線支持構造を得る。 - 特許庁

A coaxial cable 102 and a coaxial cable 103 are arranged in a double helix structure, and an interposing member 104 consisting of an insulator is arranged along the center line of the double helix structure and made interposed between the coaxial cables 102, 103.例文帳に追加

同軸ケーブル102と同軸ケーブル103とを2重らせん構造に配置し、絶縁体からなる介在部材104を2重らせん構造の中心線に沿って配置して、同軸ケーブル102,103間に介在させる。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that the soft magnetic particle is composed of a magnetic material in which nano-crystalline structure of100 nm crystal grain size comprises at least50% of the structure and the insulator particle is a silica particle.例文帳に追加

また、軟磁性粒子は組織の少なくとも50%以上が結晶粒径100nm以下のナノ結晶組織を有する磁性体であること、絶縁体粒子はシリカ粒子であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a vine prevention device which can be easily installed in an upper position of a guy by passing a structure in a simple operation from the ground, even when the structure such as a ball insulator is provided in the midway position of the guy.例文帳に追加

支線の途中位置に玉がいし等の構造物が設けられていても地上からの簡単な操作で構造物を通過させて支線の上部位置に容易に設置できること。 - 特許庁

To provide a sensor constitution for a semiconductor kinematic value sensor formed by a beam structure body, of which supporting for the beam structure body becomes stable through etching an insulating film by using an SOI(silicon-on-insulator) wafer.例文帳に追加

SOIウェハを用いて絶縁膜をエッチングすることにより、梁構造体を形成してなる半導体力学量センサにおいて、梁構造体の支持が安定となるようなセンサ構成を提供する。 - 特許庁

To provide a water-cooled cable terminal structure for a large current easy to replace a water-cooled cable, while making the structure simple by causing no existence of an exposed charging part and dispensing with an excessively large insulator.例文帳に追加

露出充電部が存在せず、過大な絶縁体覆いを必要としない簡潔な構造であって、水冷ケーブルの取り替えも容易な大電流用水冷ケーブル端子構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a device constituted of thickness of the silicon layer of a bipolar part or a metal insulator semiconductor field effect transistor MISFET part of the thickness suitable for the device structure, and to provide a flat device structure having no difference in level in the boundary area, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

バイポーラ部分あるいはMISFET部分のシリコン層の厚さをそのデバイス構造に適した厚さで構成しつつ、その境界領域での段差のない平坦なデバイス構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesive force of the bonding pad structure is improved and the frequency and the degree of separation, splitting, and peeling of various conductive layers and insulator films coupled to the bonding pad structure are relaxed.例文帳に追加

ボンディングパッド構造の接着力が向上されて、ボンディングパッド構造に結合される多様な導電膜及び絶縁膜の分離、分裂、剥離の頻度及びその程度が緩和される。 - 特許庁

This coaxial cable 1 has a structure in which a center conductor 11, an insulator 12, an outer conductor 13 having a spiral shield structure, and an outer sheath 20 are stacked one by one coaxially.例文帳に追加

同軸ケーブル1は、中心導体11、絶縁体12、横巻シールド構造をもつ外部導体13、及び外被20が同軸に順次積層された構造を有する。 - 特許庁

More specifically, the conductive structure to constitute the compound structure is a compound body formed of at least one kind of insulator or semiconductor ceramic and at least one kind of metal.例文帳に追加

具体的には、複合構造物を構成している導電性構造物が一種類以上の絶縁体もしくは半導体のセラミックスと一種類以上の金属からなる複合体であることを特徴とする - 特許庁

To provide a structure with an economical, waste-free arrangement by using a heat insulator and wire net over a panel for a concrete structure such as a foundation, wall or column.例文帳に追加

建築物の基礎、壁、柱等のコンクリート構造物に関わり、パネル体に断熱材と金網を重ね使用し、経済的で廃棄物のない構成の構造体とする。 - 特許庁

Also, with the surface skin made of the sound absorbing material 22b of the high density felt, the weight of the soundproof structure can be reduced, the resonance of the toeboard insulator 22 in a low frequency can be avoided, and the deterioration of the sound insulating capability of the soundproof structure can be avoided.例文帳に追加

又表皮を高密度フェルトの吸音材22bとしたので、軽量化が実現でき、トーボードインシュレータ22の低周波領域での共振が回避され、遮音性能の低下を回避することができる。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes; an optical waveguide structure consisting of a projection-shaped semiconductor laminate structure; the organic insulator embedding the optical waveguide structure and having a plurality of opening parts reaching the top of the optical waveguide structure; and an electrode formed in a plurality of opening parts.例文帳に追加

凸状の半導体積層構造からなる光導波路構造と、前記光導波路構造を埋め込み、前記光導波路構造の頂上に達する複数の開口部を有する有機絶縁体と、前記複数の開口部に形成された電極を具備すること。 - 特許庁

This MFMIS transistor has a structure, where an MFM(metal- ferroelectric-metal) structure and an MIS(metal-insulator-semiconductor) structure are stacked vertically inside almost the same area, and the lower MIS structure has a means for increasing an effective area of an MIS capacitance.例文帳に追加

本発明のMFMISトランジスタの構成によれば、MFM(金属−強誘電体−金属)構造とMIS(金属−絶縁体−半導体)構造とをほぼ同一面積内で上下に積み重ねる構造を有し、かつ、下のMIS構造にはMISキャパシタンスの実効面積を増大する手段を有している。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク16を形成する工程と、この絶縁体マスク16を用いて多重量子井戸層12をエッチングし量子細線17を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide an insulator which has excellent vibration transmitting and interrupting characteristics without addition of an unnecessary vibrating component by adopting a structure suspended by a wire, and satisfying a structure which sufficiently exerts the maximum characteristic of simple and free vibrations of the suspending structure.例文帳に追加

ワイヤで吊る構造を採用するとともに、その吊り構造の持つ、シンプルで自由に振動するという最大の特徴を十二分に発揮する構成を満たすことにより、不要な振動成分が付加されない優れた振動伝達遮断特性を備えたインシュレーターを得ることを目的とする。 - 特許庁

The transmission line structure chip is embedded in the insulator layer in wiring structure, a low-pass filter element which builds in the transmission line structure chip is loaded on a printing wiring substrate, and connected between an output terminal of the switching element and a transmission line.例文帳に追加

伝送線路構造チップは配線構造中の絶縁体層中に埋め込まれ、伝送線路構造チップを内蔵するロウパスフィルタ素子は印刷配線基板上に搭載されて、スイッチング素子の出力端子と伝送線路の間に接続される。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

CPP構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層(あるいはその反対方向)に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same.例文帳に追加

複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がSOI型構造の少なくとも1つの活性半導体層から、SOI型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

(ii) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of substrates of integrated circuits whose insulators are made of silicon dioxide and that have silicon-on-insulator structure. 例文帳に追加

二 絶縁体が二酸化けい素からなる集積回路の基板であって、シリコンオンインシュレータ構造を有するものの設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

A semiconductor structure includes at least one e-fuse embedded in a trench that is located in a semiconductor substrate (a bulk or semiconductor-on-insulator substrate).例文帳に追加

半導体基板(バルク又は半導体オン・インシュレータ)内に配置されたトレンチ内に埋め込まれた少なくとも1つのeヒューズを含む半導体構造体が提供される。 - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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