「inter-diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁

To provide an inter-layer closing device, preferably closing an inter-layer gap without restrictively connecting a wall panel and a floor material to each other, and surely preventing diffusion of smoke from a lower story to an upper story.例文帳に追加

壁パネルと床材とを拘束的に結合することなく層間隙間を好適に塞ぎ、下層階から上層階への煙の拡散を確実に防止することができる層間塞ぎ装置を提供する。 - 特許庁

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

To suppress variations of the threshold voltage of a transistor caused by an inter-diffusion of impurities between both gate electrodes in a dual gate electrode structure.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造における両ゲ−ト電極間の不純物の相互拡散によるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

Then, a film (the diffusion preventing film 8) having compression stress is formed on the first inter-layer insulation film 2 so as to cover the embedded wiring 7.例文帳に追加

次に、埋め込み配線７を覆うように、第一の層間絶縁膜上２に圧縮応力を有する膜（拡散防止膜８）を形成する。 - 特許庁

After a second inter-layer insulation film 120 is formed on the capacity upper electrode 119, a third plug 121 for connecting the impurity diffusion layer 111 and upper layer wiring 122 is formed on the respective inter-layer insulation films.例文帳に追加

容量上部電極１１９の上に第２の層間絶縁膜１２０を形成した後、各層間絶縁膜に、不純物拡散層１１１と上層配線１２２とを接続する第３のプラグ１２１を形成する。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁

To realize laminated ceramic electronic parts for reducing inter-diffusion areas, and for improving the flexibility of design without damaging bonding strength on an interface.例文帳に追加

界面における接合強度を損なうことなく、相互拡散領域を低減し、設計の融通性を向上させることができる積層セラミック電子部品を実現する。 - 特許庁

First and second control gates CG driving the floating gate through an inter-gate insulating film IGI are formed on both sides of the floating gate, which correspond to the diffusion layers.例文帳に追加

両拡散層に対応した浮遊ゲートの両側にゲート間絶縁膜ＩＧＩを介して浮遊ゲートを駆動する第１、第２の制御ゲートＣＧが形成されている。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

To provide a method of evaluating inter-electrode water movement of a fuel battery that can accurately and discriminatingly evaluate water movement by electroosmosis and water movement by diffusion.例文帳に追加

電気浸透による水移動と拡散による水移動とを切り分けて正確に評価することができる燃料電池の極間水移動評価方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

To provide a high reliable semiconductor device which reduces the effect due to the diffusion of nitrogen and hydrogen from silicon nitride film for suppressing diffusion of metals from a metal wiring portion to an inter layer dielectric film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

金属配線部から、金属が層間絶縁膜に拡散することを抑制するためのシリコン窒化膜等から窒素や水素が拡散することによる影響を軽減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

So, the wiring route of the source wiring 213 is not limited by the route of the inter-drain wiring 224, and is wired to cover the common source diffusion region 301 more widely.例文帳に追加

従って、ソース配線２１３の配線経路は、ドレイン間配線２２４の経路に制約を受けることが無く、共有ソース拡散領域３０１上をより広く覆うように配線できる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100 where a memory cell transistor and an impurity diffusion layer 111 are formed, a first inter-layer insulation film 112 provided with a first plug 113 connected to the memory cell transistor and a second plug 114 connected to the impurity diffusion layer 111 is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

This is because holes generated due to an inter-band tunnel effect are attracted to the word gate by negative potential on the junction end portion of a right diffusion region 42 and further accumulated under a target control gate 62.例文帳に追加

これは、右側の拡散領域４２の接合端部でバンド間トンネル効果により発生するホールが負の電位によってワードゲートの方に引き寄せられ、目標制御ゲート６２の下に更に蓄積されるからである。 - 特許庁

Otherwise, an opening part is formed in a fine pattern of stripe, etc., at an inter-layer insulating film 6 of lower layer, and the aluminum layer 3 comprising a rough (step) pattern corresponding to the pattern at the opening part may be a diffusion reflection layer.例文帳に追加

また、下層の層間絶縁膜６にストライプ状等の微細パターンで開口部を形成し、この開口部のパターンに対応した凹凸（段差）パターンを有するアルミニウム層３を、拡散反射層とすることもできる。 - 特許庁

A first select transistor 22, one end of which is connected to one end of a cell transistor column, comprises a stack of a first conductive film 52, inter-electrode insulating film 53, and second conductive film 54, and source/drain diffusion layers 55.例文帳に追加

第１選択トランジスタ２２は、一端がセルトランジスタ列の一端と接続され、積層された第１導電膜５２と電極間絶縁膜５３と第２導電膜５４と、ソース／ドレイン拡散層５５と、を有する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

If the inter-level via is offset over the edge of the metallization layer, the metal in the via contacts the embedded stop layer and not the first dielectric layer, whereby the embedded stop layer serves as a copper diffusion layer.例文帳に追加

もし、レベル間バイアが金属化層の縁上からずれていれば、バイア内の金属は埋込みストップ層に接触し、第１の誘電体層には接触しないので、埋込みストップ層は銅拡散バリヤーとして役立つ。 - 特許庁

An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加

下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁

A second select transistor 23 is connected between the other end of the first select transistor and a bit line 15, and comprises a stack of a first conductive film 62, inter-electrode insulating film 63, second conductive film 64, and source/drain diffusion layers 65.例文帳に追加

第２選択トランジスタ２３は、第１選択トランジスタの他端とビット線１５との間に接続され、積層された第１導電膜６２と電極間絶縁膜６３と第２導電膜６４と、ソース／ドレイン拡散層６５と、を有する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

The formation of the Al electrode layer 4 by the low temperature film forming can prevent inter-diffusion between the Al and Ti or the like included in the underlying electrode layer 5 and prevent the deterioration in the crystallinity of the Al electrode layer 4.例文帳に追加

Ａｌ電極層４を低温成膜によって形成することにより、Ａｌと下地電極層５に含まれるＴｉ等との相互拡散が防止され、Ａｌ電極層４における結晶配向性が阻害されることを防止する。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

To provide an excellent reference electrode capable of acquiring excellent diffusion of internal liquid in an external sample by stabilizing an outflow quantity of the internal liquid, suppressing an inter-liquid potential error caused by adhesion of the sample, and performing highly accurate measurement.例文帳に追加

内部液の流出量を安定させて外部のサンプルでの内部液の良好な拡散を得ることができ、しかもサンプルの付着などに起因する液間電位誤差を抑制して、精度の高い測定をすることができるといった、優れた参照電極を提供する。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

The cell transistor is equipped with a semiconductor substrate where a projection is formed, a gate insulating film, a pair of diffusion regions to serve as source/drain regions, a tunnel insulating film, a pair of floating gates FG1 and FG2 formed on the opposed sides of the projection respectively, an inter-poly insulating film, and a control gate CG.例文帳に追加

セルトランジスタは、凸部が形成された半導体基板と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレインとなる一対の拡散領域と、トンネル絶縁膜と、凸部の各側面側に設けられた一対のフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２と、インターポリ絶縁膜と、コントロールゲートＣＧとを備える。 - 特許庁

A memory cell is provided with a floating gate electrode 8 formed on a first channel region between first and second diffusion layers through a first gate insulating film 7, and control gate electrodes 2 and 11 formed on the floating gate electrode 8 through a first inter-electrode dielectric 10.例文帳に追加

メモリセルは、第１及び第２拡散層間の第１チャネル領域上に第１ゲート絶縁膜７を介して形成されるフローティングゲート電極８と、フローティングゲート電極８上に第１電極間絶縁膜１０を介して形成されるコントロールゲート電極２，１１とを有する。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.例文帳に追加

コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁

The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin.例文帳に追加

スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。 - 特許庁

In a W-CDMA radio base station, the radio base station device 12 is provided with a diffusion code for inter-base station communication and connects up to the exchange network 14 in a peripheral are by performing radio communication with another BTS that does not lose a communication function with the wire circuit in disaster when the radio base station device 12 is constantly disconnected from the wire circuit in emergency such as the disaster.例文帳に追加

Ｗ−ＣＤＭＡ無線基地局において、無線基地局装置１２は、基地局間通信用の拡散コードを設けて、災害等の非常時に有線回線と恒常的に断になった場合に、災害で有線回線との通信機能を失っていない、別のＢＴＳと無線通信を行うことで、周辺地域の交換機網１４まで接続する。 - 特許庁

Electricity shortage in China is said to have derived from demand-side factors - 1) a sharp expansion of production capacity by manufacturers following investment expansion and 2) the diffusion of air-conditioning equipment and other household electric appliances, and supply-side factors ? 3) curbing of the construction of new thermal power plants, 4) the shortage of investment in inter-regional electric power system, 5) discrepancy　between price increases for coal, a primary fuel source for power generation, and inflexible pricing of power rates, and 6) drought in the vicinity of the location of hydroelectric power plants.例文帳に追加

中国の電力不足は、需要側の要因として、①投資拡大による製造業の急激な生産能力の拡大、②エアコン等家電製品の普及、供給側の要因として、③新規火力発電所の抑制、④地域間系統に係る投資の不足、⑤主要な発電燃料である石炭価格の上昇と硬直的な電力料金のギャップ、⑥水力発電所所在地における渇水、等が指摘されている。 - 経済産業省