「interface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The interface station 7 includes: a storage vessel 300 storing a plurality of wafers W at multiple stages in the vertical direction and formed with openings 301, 302 on side faces on the processing station 5 side and on the exposure device 6 side; and diffusion plates 310, 311 horizontally projecting from the upper surface of the storage vessel 300.例文帳に追加

インターフェイスステーション７は、複数のウェハＷを上下方向に多段に収容し、処理ステーション５側と露光装置６側の側面に開口部３０１、３０２が形成された収容容器３００と、収容容器３００の上面から水平方向に張り出した拡散板３１０、３１１と、を有する。 - 特許庁

The two substrates are next superposed under atmospheric pressure such that the thin films formed on the two substrates are in contact and, when necessary, the substrates are heated to cause atomic diffusion at a bonded interface and grain boundary of the microcrystalline thin films, which bonds the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁

The functional fiber or the functional textile product, which radiates infrared rays and charged particles, is provided, being obtained by the following steps that semiconductor particles are dispersed in a predetermined dispersion and selectively dispersed in the crystal interface regions or noncrystalline regions of a fibrous polymer to effect infiltration/diffusion into the fibrous polymer.例文帳に追加

赤外線及び荷電粒子を放射する機能性繊維又は機能性繊維製品は、所定の分散液中で半導体粒子を分散させ、半導体粒子を繊維高分子の結晶界面領域又は非結晶領域に選択的に分散させ浸透拡散することにより作成する。 - 特許庁

To prevent a capacitive insulating film from deteriorating in ferroelectric characteristic by suppressing diffusion of metal produced from metal nitride in a heat treatment when a conductive member made of metal oxide having an interface with a capacity element having a capacitive insulating film made of the insulating metal oxide is used.例文帳に追加

絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜を持つ容量素子と界面を持つ金属窒化物からなる導電性部材を用いる場合に、熱処理時に該金属窒化物から発生する金属拡散を抑制して、容量絶縁膜の強誘電体特性の劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

Then, in a low-beam light distribution pattern formed by the first unit and the second unit, a low-brightness part with brightness partially lowered is formed at an interface at either right and left end of a superposed part on a diffusion area forming pattern, out of peripheral edge parts for a cutoff line forming pattern formed by the sub units.例文帳に追加

そこで、第１ユニットと第２ユニットとで形成するすれ違いビームの配光パターンにおいて、サブユニットが形成するカットオフライン形成用パターンの周端部分のうち、拡散領域形成用パターンの上に重なる部分における左右両端側の境には、明るさが部分的に低減された低照度部が形成される。 - 特許庁

It relates to the film electrode assembly of the fuel cell in which electrochemical characteristic including an ion exchange high polymer of the latest technology and a gas diffusion electrode of the latest technology is reformed by addition of hydrophilic ingredient arranged in accordance with one side of the interface of an electrode or both sides and/or one side on the membranous external surface.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び／又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

Impurity diffusion is computed by adding to an interface a virtual film of the same material as that of a neighboring area which was taken into consideration in original computation, but excluded from a computation area because of area limitation for shortening a computation time, an impurity concentration of an original structure is updated from the computation result, and data of the virtual film is discarded in transition to a following process.例文帳に追加

元々の計算では考慮されていたが、計算時間を削減するための領域限定により計算領域から除外された隣接領域と同一材質の仮想膜を界面に付加して不純物拡散の計算を実行し、計算結果から元の構造の不純物濃度を更新し、後続のプロセスに移る際に仮想膜のデータを破棄する。 - 特許庁

According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加

上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

Subsequently, heat treatment is carried out to make Mn in the alloy layer 17 react with the constituent of the porous film 20 to form a self-formation barrier film 19 composed of an Mn compound having copper diffusion barrier performance at the interface between the alloy layer 17 and the porous film 20.例文帳に追加

その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell composed of an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a conductive porous gas diffusion layer is provided with a groove for circulating or storing fluid at the interface between the catalyst layer and the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜、触媒層及び導電性多孔質ガス拡散層とから構成される固体高分子型燃料電池用膜電極接合体において、前記触媒層と電解質膜との界面に流体を流通または溜めるための溝が設けられている固体高分子型燃料電池用膜電極接合体およびその膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

This 1/4 wavelength plate is used for the backlight system having the polarization reflective plate, and is constituted of a 1/4 wavelength layer and a light diffusion layer where rugged parts are formed on a nearly whole surface of its one side surface layer, and which develops light diffusiveness since the light beam transmitting the surface layer is diffracted in many directions by refractive index differences of the rugged interface.例文帳に追加

偏光反射板を有するバックライトシステムに用いるための１／４波長板であって、該１／４波長板は、１／４波長層と、（１）その一方の表層のほぼ全面に凹凸が形成されてなり、かつ（２）該表層を透過する光が該凹凸界面の屈折率差により多方向に屈折されることにより光拡散性を発現する光拡散層とからなることを特徴とする１／４波長板。 - 特許庁