「interface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To inexpensively obtain irregularities giving high total light transmittance at an interface, diffuse reflecting or diffuse transmitting incident light moderately and having low wavelength dependency of the total light transmittance and a diffusion angle.例文帳に追加

界面での高い全透過率を与えると同時に適度に入射光を拡散反射または拡散透過させ、しかも、全透過率や拡散角度の波長依存性の小さい凹凸を安価に得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a fluid-processing device which utilizes a large specific interface area between the fluids to be mixed for effective diffusion without causing stagnation of the fluids and formed product in the micro-flow channel and can cope with mass production.例文帳に追加

混合される流体間の比表面積が大きく、効率の良い拡散が行なわれ、流体および生成物のマイクロ流路内での滞留がなく、大量製造にも対応できる流体処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining dissimilar materials in which the pressure condition suitable for diffusion of the materials is realized at a joining interface of two kinds of different materials, the area of the adequate conditional range is increased, and the joint strength is increased.例文帳に追加

異なる２種類の材料の接合界面において材料の拡散に適した圧力条件とすることができ、適切な条件範囲の面積を広げて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy.例文帳に追加

この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

To solve the problem that a contact resistance in an interface between silicon films is increased by the mutual diffusion of dopants between the p-type silicon and the n-type silicon through a high-melting point metal and a metal nitride film formed above the silicons, in a dual polymetal gate electrode.例文帳に追加

デュアルポリメタルゲート電極において、ｐ型シリコンの不純物とｎ型シリコンの不純物がその上に形成した高融点金属や金属窒化膜などを介して相互に拡散することによりシリコン膜界面の接触抵抗が増大する。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high output density and stabilizing the performance for a long time without causing damage to an interface between a solid polymer electrolyte membrane and catalyst layer joining material and a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜・触媒層接合体とガス拡散層に生じる界面にダメージを生じることなく、高い出力密度を可能とし、かつ長時間性能が安定する固体高分子電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an epitaxial high-κ insulating film which can be reduced in film thickness in terms of SiO_2, improved in heat-resistant properties with its interface characteristics kept excellent, and improve the impurity diffusion resistant-properties.例文帳に追加

エピＨｉｇｈ−κのＳｉＯ_２換算膜厚低減の可能性、良質な界面特性を保持しつつ、耐熱性を向上させ、不純物拡散耐性をも改善させたＨｉｇｈ−κ絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method for providing insulation (isolation) between the adjacent regions of an integrated circuit (10), guard layers (40, 68, 72, 88, 90, and 128) are provided on a field edge that is the interface between field oxide film regions (30, 54, and 92) and diffusion regions (14, 26, 52, 86, and 96) where dopant is introduced.例文帳に追加

集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁（アイソレーション）を提供するための製造方法は、フィールド酸化膜領域(30,54,92)と、ドーパントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールドエッジ上にガード層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。 - 特許庁

The MOSFET 20 of the second conductivity type further includes a diffusion prevention film 3 formed between the first insulating film 2 and the second insulating film 4 to prevent the material for controlling the work function from being diffused to an interface of the first insulating film 2.例文帳に追加

また、第２導電型のＭＯＳＦＥＴ２０は、第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜４との間に形成され、仕事関数を制御する材料が第１の絶縁膜２界面に拡散するのを防止する拡散防止膜３をさらに備える。 - 特許庁

In hotpressing, a presser 10 is provided with a water content supplying mechanism 11, otherwise a wet hydrated object is arranged outside a laminate 1 in which a hydrocarbon based solid polyelectrolyte film 2 is pinched by a gas diffusion electrode 3, so that a water content is refilled to the joint interface of electrolyte film 2 through the gas diffusion electrode 3.例文帳に追加

ホットプレスに際して、プレス装置１０に水分供給機構１１を設けることによって、あるいは炭化水素系固体高分子電解質膜２をガス拡散電極３で挟持して成る積層体１のさらに外側に湿潤状態の含水体を配置することによって、ガス拡散電極３を介して電解質膜２の接合界面に水分を補給する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a heat sink having high jointing properties (adhesion properties) and exhibiting high heat dissipation effect by integrating fins and a base while eliminating the interface through diffusion welding of the fins and a basic material, and to enhance heat dissipation effect furthermore by oscillating the fins.例文帳に追加

フィンと基材を拡散接合にて接合することにより界面がなくなり、フィンと基台を一体化し、接合性（密着性）が高く、放熱効果の高いヒートシンクを提供すると共に、フィンを揺動させることにより、より一層放熱効果を向上させてなる。 - 特許庁

Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加

これにより、酸素濃度調整薄膜４に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Ｖｔを低減したＭＩＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

A polycrystal silicon for solar cell manufactured by electromagnetic induction continuous casting using a cooling crucible has an area extending from a solidification interface to 300 mm maintained at 1,275°C or above and a lifetime of 80 μsec or longer after phosphorus diffusion.例文帳に追加

冷却るつぼを用いた電磁誘導連続鋳造法により製造された太陽電池用多結晶シリコンであって、凝固界面から３００ｍｍまでの領域が１２７５℃以上に保持され、リン拡散後のライフタイムが８０μｓｅｃ以上である多結晶シリコン。 - 特許庁

The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask for EUV lithography (EUVL) using a reflective mask blank for EUVL configured by forming a reflective layer which reflects EUV light, an absorber layer which absorbs the EUV light at least in this order on a substrate, and which prevents formation of a diffusion layer on a reflective layer interface and decline of EUV light reflectivity by the formation of the diffusion layer.例文帳に追加

基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶＬ用反射型マスクを製造する方法であって、反射層界面での拡散層形成、およびそれによるＥＵＶ光線反射率の低下を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加

被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

The read durability can be improved by introducing a thermally stable diffusion prevention layer between a signal reading layer comprising Sb or Te and a protection layer to block or regulate reaction due to temperature rise in the interface between the signal reading layer and the protection layer.例文帳に追加

本願発明においては、Ｓｂ又はＴｅから成る信号再生機能層と保護層との間に、熱的に安定な拡散防止層を導入することにより、信号再生機能層と保護層界面の昇温に伴う反応を阻止または抑制し、再生耐久性を上げることができる。 - 特許庁

A control circuit applies a positive hole removing voltage higher than the voltages being applied to the first and second impurity diffusion regions to the gate electrode, and discharges holes trapped in each layer between the gate electrode and the channel region or on the interface of adjacent layers.例文帳に追加

制御回路が、第１と第２の不純物拡散領域のいずれに印加される電圧よりも高い正の正孔排除電圧をゲート電極に印加し、ゲート電極とチャネル領域との間の各層または相互に隣接する層の界面にトラップされている正孔を放出する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.例文帳に追加

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the heat sink where a substrate 3a is interposed between fins 2a and 2a, interface is eliminated by diffusion bonding, and the fins and a base mount are bonded integrally, water channels are bored in the fins and the substrate and a horse coupling 4 is provided on one side face of the base mount 3.例文帳に追加

フィン２ａとフィン２ａの間に基材３ａを介在させ、拡散接合等にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなるヒートシンクにおいて、フィン及び基材に水が通る水路孔を穿設すると共に、基台３の一側面にホースを継ぐためのホース継手４を設ける。 - 特許庁

A dielectric film deposition method is used as a means for solving the problems, characterized in that anti-oxidation films to prevent the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted and deposited in the interface of the substrate and dielectric film, and the interfaces of the dielectric films, in a method of depositing the dielectric film on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電膜を蒸着する方法において、基板と誘電膜の界面と、誘電膜間の界面とに下部電極の酸化及び拡散を防止する酸化防止膜を挿入して蒸着することを特徴とする誘電膜蒸着法を課題の解決手段とする。 - 特許庁

To provide a joint inspection method by which the end part of a joint interface of metallic pipes joined by a diffusion joining method, especially the presence or absence of a difference level and a defect on the inner peripheral surface side can be detected in the non-destructive condition and also the size of the difference in level and the defect can be detected with high accuracy.例文帳に追加

拡散接合法により接合された金属管の接合界面の端部、特に、内周面側における段差及び欠陥の有無を非破壊で検出でき、しかも段差及び欠陥の大きさを高い精度で検出することが可能な接合部の検査方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method in which reliability of a metal wiring is secured by selectively forming a titanium or ruthenium metal, which is capable of preventing diffusion of a copper selectively, at an interface between a copper (Cu) metal wiring having no head for electromigration and a capping film.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションに弱い銅（Ｃｕ）金属配線とキャッピング膜との界面に選択的に銅の拡散を防止することが可能なチタニウム又はルテニウム金属を選択的に形成して金属配線の信頼性を確保することが可能な金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

At that time, while the solutions L1 and L2 flowing in form of thin section like laminar flows with widths corresponding to the aperture widths W1 and W2 toward a liquid outlet 28 side, molecule diffusion occurs in the contact interface of the respective laminar flows along the normal direction and mixing of the solutions L1 and L2 is promoted.例文帳に追加

このとき、溶液Ｌ１，Ｌ２は開口幅Ｗ１，Ｗ２に対応する幅を有する薄片状の成層流となって出液口２８側へ向って流れつつ、各成層流の接触界面ではその法線方向に沿って分子拡散が生じて溶液Ｌ１，Ｌ２の混合が進行する。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁