「interface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fuel cell and an electrode for the fuel cell with a stable output through securing of a gas diffusion channel at an air electrode and a three-phase interface.例文帳に追加

空気極における気体の拡経経路および三相界面が確保され、出力が安定的に発揮される燃料電池および燃料電池用電極を提供する。 - 特許庁

When there is a diffusion preventing film on either the upper or the lower interface, the physical film thickness must be in a range of 2.8 nm or larger and 5.0 nm or smaller.例文帳に追加

上界面もしくは下界面どちらか一方に拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．８ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁

A diffusion layer formed on a multilayer film interface can be thinned as a result, so as to provide the multilayer film reflection mirror 80 of low reflectance reduction.例文帳に追加

その結果、多層膜界面に形成される拡散層を薄くすることができ、反射率の低下が小さい多層膜反射鏡８０を提供することができる。 - 特許庁

Counter diffusion of a metal element is produced on an interface between the Ni-P plating layer 32 and the Cr plating layer 33 to generate a liquid phase of an eutectic composition (Step S3).例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐめっき層３２とＣｒめっき層３３の界面に金属元素の相互拡散を発生させ、共晶組成の液相を生成する（ステップＳ３）。 - 特許庁

According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加

この方法によれば，従来のＦａｉｒモデルでは表せなかったＳｉ／ＳｉＯ_２界面における不純物パイルアップを，点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく（すなわち従来のペア拡散モデルを用いず）表すことが可能となる。 - 特許庁

To prevent drying of an electrolyte membrane in a gas inlet of a gas passage upstream and prevent water clogging on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and within the diffusion layer in a gas outlet of the gas passage downstream in a membrane-electrode assembly of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体において、ガス流路上流のガス入口側では電解質膜の乾燥を防止し、下流のガス出口側では触媒層と拡散層界面さらに拡散層内の水詰まりを防止する。 - 特許庁

A reflection angle is made large, at an interface between the light-diffusion particle and the depletion part so that reflection of the fluorescent light converted by the scintillator layer 13 is produced in the small region, and suppresses lowering of the resolution or the luminance due to diffusion of the reflected light to long distance.例文帳に追加

光散乱性粒子と空乏部との界面での屈折角が大きくなり、シンチレータ層13により変換された蛍光の反射が小領域内で生じ、反射光の遠方拡散による解像度低下や輝度の低下を抑える。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

When a silicon nitride film as the diffusion preventing film exists on the interface of the High-K film and silicon substrate and the diffusion preventing film containing nitrogen exists on the interface of the High-K film and electrode, an ideally stable EOT and small leakage current characteristics can be achieved, by using EOT of 0.7 nm or larger.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

In an internal structure of the treated face of the outer peripheral face of the cylinder liner, a diffusion layer 2 in which nitrogen is diffused, and a compound layer 3 at an interface area between the diffusion layer 2 and a plating layer 4, dispersedly exist, and are firmly adhered and integrated with the base 1.例文帳に追加

製造されるシリンダライナの外周面の処理面における内部構造は、母体(1) に窒素が拡散された拡散層(2) と、その拡散層(2) とメッキ層(4) との界面領域の化合物層(3) が分散して存在し、強固に密着一体化している。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

Since a comparatively firm interatomic bond can be acquired on the interface between the oxidation prevention layer comprising a noble metal material and the diffusion prevention layer including Cr or Ti, diffusion of noble metal atoms from the oxidation prevention layer into a reflecting film can be prevented effectively.例文帳に追加

貴金属材料からなる酸化防止層と、Ｃｒ又はＴｉを含有する拡散防止層の界面では比較的強固な原子間の結合が得られるために、酸化防止層から反射膜への貴金属原子の拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

To provide a catalyst electrode forming a three phase interface which does not damage reaction gas permeability in a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell, and capable of stably supplying reaction gas to the three phase interface during power generation.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散電極における反応ガス透過性を損なうことがない三相界面を形成させ、発電時に安定した反応ガス供給を三相界面に対して行うことができる触媒電極を提供する。 - 特許庁

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level.例文帳に追加

第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

An open-voltage estimation part 110 calculates an open voltage U(θ) corresponding to a local SOC θ based on a lithium concentration in an active-material interface estimated by the diffusion estimation part 100.例文帳に追加

開放電圧推定部１１０は、拡散推定部１００によって推定された活物質界面でのリチウム濃度に基づく局所ＳＯＣθに応じて、開放電圧Ｕ（θ）を求める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンとキャップ層との界面を伝うＣｕの拡散を抑制し、同時にＣｕ配線パターンの抵抗の増大を抑制するＣｕダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To obtain a three-dimensional structural body functioning as a template which allows formation of a functional material such as a ceramic thin film wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface.例文帳に追加

表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を得る。 - 特許庁

When the fuel cell set is assembled, an anode gas diffusion layer and a cathode gas diffusion layer are joined on both sides of a membrane electrode of a fuel cell unit cell and then, a matching type bipolar electrode module is arranged on the adjoining interface, and thus a module structure of a plurality of unit cells is completed.例文帳に追加

該燃料電池セットを組み立てる時は、燃料電池単電池の膜電極アセンブリの両側にアノードガス拡散層とカソードガス拡散層を結合させた後、その隣り合う界面に整合式双極板モジュールを配置すれば、複数の単電池をモジュール化した構造が完成する。 - 特許庁

Further based on molecular diffusion on an interface 22 between the first fluid 3 and the second fluid 11 and on an interface 24 between the first fluid 3 and the photocatalyst 18, the hardly decomposable organic compound 2 in the first fluid 3 is oxidized and decomposed by generated OH radicals.例文帳に追加

そして、生成されたＯＨラジカルにより、第１流体３と第２流体１１との界面２２、および第１流体３と光触媒１８との界面２４における分子拡散に基づき、第１流体３中の難分解性の有機化合物２が、酸化，分解される。 - 特許庁

Since an In composition near the hetero-interface of a channel layer 30 constituted of InGaAs is similar to that of an electron supply layer 4, constituted of InGaP and In composition in the channel layer 30 changes continuously, the diffusion of In atoms is suppressed, and superior interface steepness is obtained.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層３０のヘテロ界面付近でのＩｎ組成が、ＩｎＧａＰからなる電子供給層４の組成と同じ組成であり、チャネル層３０内のＩｎ組成が連続的に変化しているので、Ｉｎ原子の拡散が抑止され優れた界面急峻性が得られる。 - 特許庁

The medium is produced by successively laminating a protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4 in which optical characteristics are reversibly changed by irradiation of laser light, an interface layer 5, a light-transmitting reflection layer 6 which transmits the laser light at the wavelength 1, and a thermal diffusion layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に、保護層２と、界面層３と、レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層４と、界面層５と、波長λの前記レーザー光を透過する光透過形反射層６と、熱拡散層７とを順次積層する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

To reduce the concentration of Mn remaining in a Cu layer and to reduce the specific resistance when a diffusion barrier film including Mn is formed by self-forming reaction at an interface between the Cu layer and an insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

Further, since the emission light of the light source 2 is diffused and transmitted by the translucent member 4 and the total reflection in the interface of the light control mirror 3 is reduced by diffusion and transmission, light extraction efficiency of light is improved.例文帳に追加

また、光源２の出射光は、透光部材４で拡散透過し、拡散透過によって調光ミラー３の界面での全反射が軽減されるので、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

When the film thickness of the titanium film 61 is set to 40 nm or less, diffusion of titanium to the interface with the PZT precursor film 71 due to firing can be minimized, and thereby formation of titanium oxide is minimized.例文帳に追加

チタン膜６１の膜厚を４０ｎｍ以下とすることで、ＰＺＴ前駆体膜７１との界面への焼成によるチタンの拡散を抑えることができ、酸化チタンの形成を抑えることができる。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for fuel cell which has hardly cracks in the layer interface and is excellent both in adhesion to an electrolyte membrane and drainage to a gas diffusion layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層界面でのひび割れが生じ難く、かつ、電解質膜への密着性とガス拡散層へ排水性がともに良好な燃料電池用電極触媒層とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique that suppresses breakage of a cathode-side catalyst layer even if generated water freezes on the interface between the cathode-side catalyst layer and a cathode-side gas diffusion layer during low-temperature start-up of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の低温始動時に、カソード側の触媒層とガス拡散層との界面で生成水が凍結しても、カソード側の触媒層の破損を抑制することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To reduce cross leak to a counter electrode of a fuel such as methanol, and to secure electron conductivity between a catalyst layer and a diffusion layer of an MEA and a separator to reduce interface resistance.例文帳に追加

メタノールなどの燃料の対極へのクロスリークを低減するとともに、ＭＥＡ中の触媒層、拡散層、セパレータ間での電子伝導性の確保し、界面抵抗を小さくしようとすること。 - 特許庁

To provide a multilayer coating method which prevents an interface between layers from mixing by solvent diffusion even when using coating liquid having low viscosity, in the multilayer coating method using the organic solvent- based coating liquid.例文帳に追加

有機溶剤系の塗工液を用いた多層塗工方法において、低粘度の塗工液であっても層間の界面が溶剤拡散により混じらないようにした多層塗工方法を提供すること。 - 特許庁

A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加

前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁

Since diffusion speed of D is lower than that of ordinary hydrogen H1, and hydrogen concentration of the gate electrode and in the vicinity of a gate oxide film interface is lower than that of an ordinary case, diffusion of bron in the gate electrode 105 is restrained, and decrease of a threshold value of the PMOSFET and deterioration of cut-off characteristic are restrained.例文帳に追加

Ｄは通常の水素Ｈ^１より拡散速度が遅いため、ゲート電極とゲート酸化膜界面近傍の水素濃度は通常の場合より低いので、ゲート電極１０５中でのボロンの拡散が抑制され、ＰＭＯＳＦＥＴのしきい値の低下やカットオフ特性の悪化が改善される。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed.例文帳に追加

その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。 - 特許庁

The first layer 31 and the second layer 32 are formed in an integral structure by a mutual joining by a soldering or a diffusion junction, and the stress by the difference of the coefficients of thermal expansion is absorbed surely on a firm junction interface.例文帳に追加

第１層３１および第２層３２は、ロウ付けまたは拡散接合により互いに接合して一体構造とし、強固な接合界面で、熱膨張係数差による応力を確実に吸収させる。 - 特許庁