「interface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加

第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode consists of a gas diffusion layer and the catalyst layer, in which a catalyst having water electrolysis activity is arranged at an interface of the gas diffusion layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ガス拡散層および触媒層からなるガス拡散電極であって、水電解活性を有する触媒がガス拡散層および触媒層の界面に配置されてなる、ガス拡散電極。 - 特許庁

Then the BPSG film 8 is separated into a side of a source diffusion layer 41 and a side of a drain diffusion layer 42 with a gate electrode disposed therebetween as an interface therebetween.例文帳に追加

次いで、ゲート電極を境にしてＢＰＳＧ８膜をソース拡散層４１側の部分とドレイン拡散層４２側の部分とに分離する。 - 特許庁

An EL element 20 is separated from an interface F1 of a diffusion area of an thin film transistor 4 adjacent thereto.例文帳に追加

ＥＬ素子２０とこれに近接する薄膜トランジスタ４の拡散領域の界面Ｆ１を離間させる。 - 特許庁

To obtain a three-dimensional structural body, wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface.例文帳に追加

表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できた三次元構造体を得る。 - 特許庁

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.例文帳に追加

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING EMBRITTLEMENT AND ENHANCING BONDING FORCE OF INTERFACE BETWEEN TITANIUM USING SILVER DIFFUSION-CONTROLLED LAYER AND DISSIMILAR METAL例文帳に追加

銀拡散制御層を使用したチタンと異種金属接合部の脆性防止及び接合力向上方法 - 特許庁

To provide a film electrode diffusion layer junction having an integrated structure in which interface formation between each layer is prevented.例文帳に追加

各層間の界面形成が防止された一体的な構造の膜電極拡散層接合体を実現する。 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly is formed by forming an adhesive layer on an assembly interface of a catalyst layer and a gas diffusion layer and strongly joining a membrane-catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層の接合界面に接着剤層を形成し、膜−触媒層とガス拡散層を強固に接合した膜−電極接合体。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for uniformly and easily depositing a film having a diffusion-blocking layer on an interface with a base material at low cost.例文帳に追加

基材との界面に拡散防止層を有する皮膜を、均一、容易且つ低コストに形成する方法を提供する。 - 特許庁

A basic material is placed between fins and subjected to diffusion welding thus jointing the fins and a base integrally while eliminating the interface.例文帳に追加

フィンとフィンの間に基材を介在させ、拡散接合にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなる。 - 特許庁

To provide a joining structure of a thermal diffusion member capable of suppressing heat stress of a joining interface, a cooling structure of a heating element, and a method for joining the thermal diffusion member, while using a thermal diffusion member made of a carbonaceous material.例文帳に追加

炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁

The oxidation is carried out on an interface 17 between a laminar flow layer 14 of toluene and the photocatalyst 4, and on an interface 18 between a laminar flow layer 15 of water and the photocatalyst 4, by molecular diffusion.例文帳に追加

酸化反応は、層流のトルエン層１４と光触媒４の界面１７や、層流の水層１５と光触媒４の界面１８で、分子拡散により行われる。 - 特許庁

A hydrophilic portion 8a is formed at least at a part of the interface between the gas diffusion layer substrate 8 and the conductive covering layer 6.例文帳に追加

ガス拡散層基材８と導電性被覆層６との界面の少なくとも一部に、親水部８ａを有している。 - 特許庁

Further, a step of forming a film of cobalt may be selectively performed at high temperature to form a diffusion suppressing interface film.例文帳に追加

また、選択的にコバルトを含む膜の形成工程を高温で実施して拡散抑制界面膜を形成させることもできる。 - 特許庁

A multilayer film is formed between a glass substrate 1 and a silicon film 3 as an impurity diffusion stop layer and the diffusion stop power of the multilayer film and the non-continuity of the interface between the layer 3 and the multilayer film are utilized to capture impurities, whereby diffusion of the impurities in glass is stopped.例文帳に追加

ガラス基板１とシリコン膜３との間に不純物拡散阻止層２として多層膜を形成し、膜の拡散阻止能および膜界面の非連続性を利用して不純物を捕獲することによりガラス不純物の拡散を阻止する。 - 特許庁

To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.例文帳に追加

分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁

A boundary condition setting part 140 successively sets boundary conditions in the active-material interface for the diffusion equation of the diffusion estimation part 100 on the basis of the estimated battery current density I(t).例文帳に追加

境界条件設定部１４０は、推定された電池電流密度Ｉ（ｔ）に基づいて、拡散推定部１００の拡散方程式の活物質界面での境界条件を逐次設定する。 - 特許庁

The transference into water and the reaction with water of the benzyl cation are carried out on an interface 16 between the toluene layer 14 and the water layer 15, by molecular diffusion.例文帳に追加

又、水への移行および水との反応は、トルエン層１４と水層１５間の界面１６で、分子拡散により行われる。 - 特許庁

To detect a P type abnormal diffusion layer 103 produced on the interface of an N type epitaxial 8 and a P type high resistivity epitaxial layer 30.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル８とＰ型高比抵抗エピタキシャル層３０との界面に発生するＰ型異常拡散層１０３を検出する。 - 特許庁

An accumulation region 49D of a metal element is formed on the interface between the Cu wiring pattern and the insulating diffusion barrier film by heat treatment.例文帳に追加

熱処理により、銅配線パターンと絶縁性拡散障壁膜との界面に、金属元素の濃集領域４９Ｄを形成する。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁

Total reflection of the light at the interface with air is lessened to a great degree by light scattering effect of the light diffusion part 5.例文帳に追加

空気との間の界面で光が全反射されることを光拡散部５の光散乱効果によって極めて少なくすることができる。 - 特許庁

If the n-type impurity is subsequently doped, the stress-caused enhanced diffusion does not take place, and a projection is not formed at a junction interface.例文帳に追加

その後にＮ型不純物を添加すれば応力起因の増速拡散は発生することはなく、接合界面の突起は発生しない。 - 特許庁

The interface layer 5, a diffusion suppressing layer 6 and a high dielectric constant insulating film 7 are sequentially formed in this order on one surface 2a of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の一つの面２ａに界面層５と拡散抑制層６と高誘電率絶縁膜７とがこの順で形成されている。 - 特許庁

In the coating liquid having low-viscosity, the interface between layers is not mixed by the solvent diffusion, and a beautiful multilayer coating film can be formed.例文帳に追加

低粘度の塗工液においても、層間の界面が溶剤拡散により混じることがなく、綺麗な多層塗膜を形成することができる。 - 特許庁

To inhibit the diffusion of copper on the interface between copper wiring and a cap film for increasing electromigration resistance, and to secure reliability in the copper wiring.例文帳に追加

銅配線とキャップ膜との界面における銅の拡散を抑制してエレクトロマイグレーション耐性を高め、銅配線の信頼性を確保する。 - 特許庁

When there is no diffusion preventing film on either the upper or the lower interface, the physical film thickness must be in a range of 3.2 nm or larger and 5.0 nm or smaller.例文帳に追加

上界面にも下界面どちらにも拡散防止膜がない場合には、物理膜厚を３．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁

When a diffusion preventing film exists in either the upper or lower interface, the physical film thickness must be adjusted to 2.8-5.0 nm.例文帳に追加

上界面もしくは下界面どちらか一方に拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．８ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁

To reduce a leakage current and parasitic resistance by suppressing diffusion of metallic elements from a silicide layer while keeping interface resistance between the silicide layer and a silicon low.例文帳に追加

シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。 - 特許庁

To reduce a thickness of a metamorphic layer caused by diffusion/segregation of In in the hetero-interface between a compound semiconductor including In and a compound semiconductor not including In.例文帳に追加

Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。 - 特許庁

A time before starting the heat treatment is set on the basis of the quantity of the diffusion stabilizer in the vicinity of an interface with the base layer in the applied solution.例文帳に追加

塗布した溶液中の下地層Ｆ１との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 - 特許庁

Consequently, crystal of a bonding interface is made fine, so that plastic deformation is easily caused even with a low load and the metal diffusion bonding is facilitated to improve bondability.例文帳に追加

これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 - 特許庁

Furthermore, an intermediate layer 4 for suppressing mutual diffusion between both layers near an interface of both layers is provided between the positive electrode layer 1 and solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

また、正極層1と固体電解質層3との間に、これら両層の界面近傍における両層間の相互拡散を抑制する中間層4を備える。 - 特許庁

To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method.例文帳に追加

イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。 - 特許庁

A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.例文帳に追加

２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, both diffusion-proof property and close contact property can be satisfied through disturbance of column type interface by coupling the nitrogen element to metal crystal of barrier metal.例文帳に追加

これにより窒素成分をバリアメタルの金属結晶に結合させて柱状界面を乱し、耐拡散性と密着性とを両立させることができる。 - 特許庁