「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加

この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁

Accordingly, a polymerized layer can be formed on the whole substrate interface including the reflective electrode 20.例文帳に追加

それにより、反射電極２０を含めた全基板界面にポリマー化層を形成できる。 - 特許庁

To prevent decrease in impurity concentration on the interface of a silicon wafer and an epitaxial layer.例文帳に追加

シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。 - 特許庁

The wireless communication device has a layer 2 interface designed as a finite state machine.例文帳に追加

無線通信装置は有限状態機械として設計されたレイヤ２インターフェイスを有する。 - 特許庁

A body diode is formed on the interface between the region 6 and the layer 2.例文帳に追加

ｐ型ボディー領域６とｎ型エピタキシャル層２との界面でボディーダイオードが形成される。 - 特許庁

Interface of both members 6 and 8 is included in the upper surface 6US of the insulating resin layer.例文帳に追加

両部材６，８の界面は絶縁樹脂層上面６ＵＳ内に包含される。 - 特許庁

This page documents the interface for those who wish or need to use the DDP layer directly. 例文帳に追加

このページは DDP 層を直接利用したいユーザーのために、インターフェースを記述したものである。 - JM

A fluororesin layer 2c is provided at an interface between the cathode 2 and the separator 4.例文帳に追加

また、正極２とセパレータ４との界面には、フッ素樹脂層２ｃが設けられている。 - 特許庁

An interface 33 is formed of the gallium nitride-based semiconductor layer 37 and substrate 32.例文帳に追加

界面３３は、窒化ガリウム系半導体層３７と基板３２とにより形成される。 - 特許庁

CONTAINER FOR MOLTEN METAL, USE OF CONTAINER, AND METHOD OF DETERMINING INTERFACE LAYER例文帳に追加

溶融金属のための容器、該容器の使用及び界面層を決定するための方法 - 特許庁

The surface of the interface layer provided on the opposite side of the casting mold is formed into a textured surface.例文帳に追加

界面層２０を形成するため鋳型表面１８上に溶液が堆積される。 - 特許庁

Thus a mixed layer is hardly formed on the interface and the roughness of the surface is prevented when the clear paint is applied.例文帳に追加

クリヤ塗装時に界面に混層が形成されにくく、表面の荒れが防止される。 - 特許庁

Moisture permeability at an interface does not become large between the protective coat 33 and bias electrode layer 32.例文帳に追加

保護膜33とバイアス電極層32との界面での水分透過率が大きくならない。 - 特許庁

Thereby, an electron transfer is smoothly performed in an interface of the resistance layer and an electrode.例文帳に追加

これにより、抵抗層と電極との界面では、電子移動がスムーズに行われる。 - 特許庁

The thin Si layer is consumed by oxidation of an interface of the thin Si with the embedded oxide.例文帳に追加

薄いＳｉ層は埋込み酸化物／薄いＳｉの界面の酸化によって消費される。 - 特許庁

Further, there is a layer of oxide on an interface between the hollow 7 and semiconductor substrate.例文帳に追加

中空７と半導体基板の界面に酸化物の層があることを特徴とする。 - 特許庁

INTERFACE ROUGHNESS REDUCING FILM, WIRING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

界面ラフネス緩和膜、配線層、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

Then, copper atoms are diffused gradually into tin, to form an alloy layer on an interface.例文帳に追加

すると、銅原子がスズ中に徐々に拡散し界面に合金層が形成される。 - 特許庁

The assembly also includes the interface layer 16 positioned between the first and second workpieces.例文帳に追加

アセンブリは、第１および第２のワークピースの間に位置付けられた界面層１６も含む。 - 特許庁

An interface circuit 7 is arranged on the semiconductor chip (3) mounted at the lowermost layer.例文帳に追加

最下部に搭載されている半導体チップ３には、インタフェース回路７が設けられている。 - 特許庁

The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.例文帳に追加

水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The first crystal region is grown from an interface with one impurity semiconductor layer, and the second crystal region is grown towards the interface with the other impurity semiconductor layer from a position separated from the interface with one impurity semiconductor layer.例文帳に追加

一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。 - 特許庁

To provide an interface detection method and an interface detector capable of specifying accurately a position of an interface of each layer, when analyzing in depth direction of a thin film laminate.例文帳に追加

薄膜積層体の深さ方向分析を行う場合において、各層の界面の位置を正確に特定することが可能な界面検出方法及び界面検出装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a sheet formed and decorated simultaneously and not generating the interlaminar release on an interface between a metal gloss layer and a printed layer or a film in contact with the metal gloss layer.例文帳に追加

金属光沢層とこれに接する印刷層またはフィルムの界面で層間剥離が生じない成形同時加飾シートを提供する。 - 特許庁

The platform contains an object services layer, a map provider layer, and a bridge layer which may ultimately interface with a variety of commercially available databases.例文帳に追加

プラットフォームは概して、究極的には様々な商用データベースとインターフェイスをとることができるオブジェクトサービスレイヤ、マッププロバイダレイヤ、およびブリッジレイヤを備える。 - 特許庁

The p-type layer (4) and the second n-type layer (5) contact with each other so as to form a hetero interface, and a positive electrode (E1) is formed on the second n-type layer (5).例文帳に追加

ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。 - 特許庁

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。 - 特許庁

Furthermore, an intermediate layer 4 for suppressing mutual diffusion between both layers near an interface of both layers is provided between the positive electrode layer 1 and solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

また、正極層1と固体電解質層3との間に、これら両層の界面近傍における両層間の相互拡散を抑制する中間層4を備える。 - 特許庁

The first insulation layer 48 is formed in the upper side of the semiconductor layer 24 including a termination material for terminating the dangling bond at the interface of the semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１絶縁層４８は、半導体層２４よりも上側に形成され、半導体層２４の界面のダングリングボンドを終端させる終端材料を含む。 - 特許庁

Further, a leak current generated at an interface between the active layer and the conductive layer can be prevented from generation, and deterioration of the active layer can be avoided.例文帳に追加

また、活性層と導電型層との界面において発生するリーク電流を防止することができ、活性層の劣化するのを回避することができる。 - 特許庁

The top layer 48 is formed, in order to prevent an undesired high-resistance oxide layer from being formed on the interface between the plug 55 and the intermediate metal layer 42.例文帳に追加

トラップ層４８は、プラグ５５と中間金属層４２との界面に所望しない高抵抗酸化物層が形成されるのを防ぐために形成されている。 - 特許庁

The interface 51 controls the physical layer and data link layer of a communication protocol and the communication task of the CPU 31 controls layers that are higher than the data link layer.例文帳に追加

ネットワークインタフェース５１は通信プロトコルの物理層とデーリンク層の制御を行い、ＣＰＵ３１の通信タスクはデーリンク層より上層の制御を行う。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

A gas permeating layer (5) into which the gas supplied to this electrode permeates is also installed in the interface between the gas shielding layer and the electrode contacting this gas shielding layer.例文帳に追加

さらに、前記ガス遮断層とこのガス遮断層に接する電極との界面にこの電極に供給されるガスが透過するガス透過層（５）を設ける。 - 特許庁

The battery 1 includes a buffer layer 16 which absorbs deviation of lithium ions in the vicinity of interface of these layers between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15.例文帳に追加

この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備える。 - 特許庁

An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide.例文帳に追加

活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。 - 特許庁

A first layer 6 in first 95 nm is formed under the condition that Ar:O2=25 sccm:1 sccm and a second layer (an interface 6) in the residual 5 nm layer is formed under the condition that Ar:O2=25 sccm:10 sccm.例文帳に追加

最初の95nmの第１層６の成膜を、Ar:O_2=25sccm:1sccmの条件で行い、第２層（界面部６）である残りの5nm の層の成膜を、同じく25sccm:10sccm で行った。 - 特許庁

To provide a functional adhesive sheet which has high interface adhesion between a functional layer such as a thermal conductive layer and an adhesive layer and in which characteristics of respective layers are stable.例文帳に追加

熱伝導層等の機能性層と粘着層との界面接着力が高く、各層の特性が安定した機能性粘着シートを提供する。 - 特許庁

In the reworkable pressure-sensitive adhesive layer, the neighborhood of the interface opposite the monomer absorption layer is preferably a region within 50% of the entire thickness in the thickness direction from the interface opposite the monomer absorption layer.例文帳に追加

該リワーク性粘着部材では、モノマー吸収層とは反対側の界面近傍が、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

The variation rate of resistance is improved with the current pinching effect of the oxide insulation layer 31 and the interface scattering effect at the magnetic/non-magnetic interface BD1 of the magnetic intermediate layer 30/lower side non-magnetic intermediate layer 29.例文帳に追加

酸化絶縁層３１の電流狭窄効果と磁性中間層３０／下側非磁性中間層２９との磁性／非磁性界面ＢＤ１での界面散乱効果により抵抗変化率を向上させることができる。 - 特許庁

With this structure, formation of a depletion layer at an interface between the sulfide particle and a positive electrode active material can be restrained, and thus, formation of a depletion layer in the vicinity of an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte layer can also be restrained.例文帳に追加

この構成により、硫化物粒子と正極活物質との界面における空乏層の形成を抑制することができ、もって、正極層と固体電解質層との界面近傍における空乏層の形成をも抑制することができる。 - 特許庁

The article comprises a first outer layer (300); a second intermediate layer (200, 201); and a substrate (100); wherein the second intermediate layer (200, 201) contacts the first outer layer (300) at first interface and the substrate (100) at a second interface.例文帳に追加

本物品は、第１の外側層（３００）と、第２の中間層（２００、２０１）と、基材（１００）とを含み、第２の中間層（２００、２０１）は、第１の界面で第１の外側層（３００）にかつ第２の界面で基材（１００）に接触している。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

Furthermore, the method for manufacturing the resin coated metal plate comprises the step of heating an interface region between the tin-plated layer and the silane coupling agent coating layer, the silane coupling agent coating layer, and the interface region between the silane coupling agent coating layer and the resin layer to (the melting point of the resin)-10°C to (the melting point of the resin)+100°C.例文帳に追加

また、少なくとも、前記錫めっき層と前記シランカップリング剤塗布層との界面領域、シランカップリング剤塗布層及び前記シランカップリング剤塗布層と前記樹脂層との界面領域を、前記樹脂の融点−１０℃〜前記樹脂の融点＋１００℃に加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

The roughness of an interface between the distortion applying layer of SiGe and the distortion semiconductor layer of Si deposited thereon, or an interface between the distortion semiconductor layer of Si and the gate insulating layer on it are reduced to an appropriate value, and MOSFET is formed on the distortion semiconductor layer of Si.例文帳に追加

ＳｉＧｅの歪印加層とその上に堆積されたＳｉの歪半導体層との間の界面、又はＳｉの歪半導体層とその上のゲート絶縁層との間の界面の粗度を適切な値に小さくし、Ｓｉの歪半導体層にＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁