「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The patches 400, 410 may include an adhesive layer 404, 414, a collection layer 405, 416, an interface layer 408, 418 and a sweat-permeable membrane 403, 415.例文帳に追加

このパッチ４００、４１０は、接着層４０４、４１４、収集層４０５、４１６、インターフェース層４０８、４１８および汗浸透性膜４０３、４１５を備え得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where the reduction in carrier mobility of a semiconductor layer, which is an interface characteristic between the semiconductor layer and an insulating layer, is prevented; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体層と絶縁層との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

At an interface between the contact layer 113 and the p side electrode 115, there is formed an alloy layer 120, consisting of elements which constitute Ni, Au, Zn and the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 - 特許庁

The adjusting crystal layer 3 reduces the difference of lattice constant at a hetero junction interface formed with the well layer 7 and barrier layers 6 contained in the active layer 4.例文帳に追加

調整結晶層３は、活性層４が有する井戸層７とバリア層６が形成するヘテロ接合界面における格子定数差を縮小させる機能を果たす。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 12, whose conductivity is different from the n-type semiconductor layer 3 is formed at the interface between the n-type semiconductor layer 3 and a silicon oxide film 2.例文帳に追加

また、ｎ−型半導体層３と前記シリコン酸化膜２との界面に、ｎ−型半導体層３と導電型の異なるｐ型半導体層１２が形成される。 - 特許庁

When a voltage is not applied to the gate electrode 11, the 2DEG layer is not formed along the interface between the electron travelling layer 3 and the continuous growth inhibition layer 5.例文帳に追加

ゲート電極１１に電圧が印加されていない時に電子走行層３と連続的成長阻止層５との界面に沿って２ＤＥＧ層が形成されない。 - 特許庁

Since the electron gas is distributed in a two-dimensional region along the bonding interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, a two-dimensional electron gas layer can be formed.例文帳に追加

この電子ガスは、バッファ層１３と電子ガス層１４の接合界面に沿った２次元領域に分布するため、２次元電子ガス層を形成することができる。 - 特許庁

Each image reading apparatus is a board-shaped scanner with a low profile without a mechanical drive part provided with a light emitting layer, a liquid crystal slit layer, a light receiving element layer, and an output interface.例文帳に追加

各画像読み取り装置は、発光層と液晶スリット層と受光素子層と出力インタフェースを備えた薄型で機械駆動部分のないボード状のスキャナとする。 - 特許庁

To provide a technology which can improve a contact property of an interface in order to further reduce contact resistance in the interface between an electrolyte layer and an active material layer in a solid electrolyte battery.例文帳に追加

固体電解質電池において、電解質層と活物質層との界面における接触抵抗をより一層低減させるべく、当該界面の接触性を向上させうる技術を提供する。 - 特許庁

The controller also includes a scan layer interface driving a scan chain portion with the configurable test clock, and a control layer interface configured so as to access the control information for controlling the scan chain portion.例文帳に追加

コントローラはまた、構成可能なテストクロックでスキャンチェーン部分を駆動するスキャンレイヤインタフェースと、スキャンチェーン部分を制御するための制御情報にアクセスするように構成された制御レイヤインタフェースを含む。 - 特許庁

Thereby, it can be made that a large difference in refractive indexes may not occur at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3, and total reflection caused by the difference in refractive indexes at the interface can be suppressed.例文帳に追加

透明電極層４と緩和層３の間の界面で大きな屈折率の差が生じないようにすることができ、界面での屈折率差によって生じる全反射を抑制することができる。 - 特許庁

In a casting process using a texture interface layer 20 for separating the surface of the casting mold 10 from the surface of the composite article 12 manufactured using the casting mold 10, a solution is deposited on the surface 18 of the casting mold 10 in order to form the interface layer 20.例文帳に追加

本発明は、鋳型１０を用いて製造される複合物品１２の表面から該鋳型の表面１８を隔離させるためテクスチャー界面層２０を使用する鋳造プロセスに関わる。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The area near the interface on the opposite side to the monomer-absorbing layer is preferable to be a region ranging from the interface on the opposite side to the monomer-absorbing layer in the thickness direction up to 50% of the overall thickness.例文帳に追加

モノマー吸収層とは反対側の界面近傍は、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

Since the tightly adhering layer 2 is installed between the substrate 1 and the transparent electrode layer 3, and adhesiveness of the both at the interface is improved, and generation of peel-off and cracks at the interface is prevented.例文帳に追加

基板１と透明電極層３との間に密着層２が設けられているので、両者の界面における密着性が向上し、界面における剥離やクラックの発生が防止される。 - 特許庁

In a reverse stagger type thin film transistor, a silicon nitride layer as a gate insulating layer and a silicon oxide layer formed as an oxide of the silicon nitride layer are laminated, and a microcrystalline semiconductor layer crystal grown directly from the upper surface of an interface of the gate insulating layer with the silicon oxide layer is formed.例文帳に追加

逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

An interface between the application and a network layer of a protocol stack is provided for providing information on network interface availability to the application 5, selecting the network interface by an application 61, and submitting the selected network interface as parameter to the network layer 62.例文帳に追加

アプリケーションとプロトコルスタックのネットワーク層との間のインターフェイスが、ネットワークインターフェイスの利用可能性についての情報をアプリケーション５に提供し、アプリケーション６１によってネットワークインターフェイスが選択され、そして選択されたネットワークインターフェイスをパラメータとしてネットワーク層６２に送信するために提供されている。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加

Ａｌ層の厚みが５μｍ以上であり、Ａｌ層と鋼材との界面に、厚みが１μｍ以上のＦｅ−Ａｌ合金層又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金層を有しても良い。 - 特許庁

The second light deflection liquid crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a second direction.例文帳に追加

第２の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第２の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

The first light deflection crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a first direction.例文帳に追加

第１の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第１の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

The logic network layer 2 positions between the network adopter layer 3 and the graphical interface layer 1 and comprises a logic network controller 11 for logically expressing an entity of the network and controlling the logic network layer 2.例文帳に追加

論理ネットワーク層２は、ネットワークアダプタ層３とグラフィカルインタフェース層１の間に位置し、ネットワークのエンティティの論理表現と、論理ネットワーク層２を制御する論理ネットワークコントローラ１１とを有する。 - 特許庁

In an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), an insulating region 62 is formed as extended in the drift layer 28 up to a buffer layer 26 and arranged while being dispersed along an interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ドリフト層２８内を伸びてバッファ層２６に達するとともに、バッファ層２６とドリフト層２８の界面に沿って分散配置されている絶縁領域６２が形成されている。 - 特許庁

After that, a Ti-Ni layer 5 as a solder barrier layer is formed to the interface between the Ti layer 3 and the Ni layer 4 by executing heat treatment with a quartz tube type heat treatment furnace of a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

その後、窒素雰囲気の石英管熱処理炉にて熱処理を行うことによってＴｉ層３とＮｉ層４との界面に半田バリア層としてのＴｉ−Ｎｉ層５を形成する。 - 特許庁

A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13.例文帳に追加

基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。 - 特許庁

The light guide 68 includes a first light guide layer 72 and second light guide layer 74 superimposed, and forming an interface 76 between the first light guide layer 72 and second light guide layer 74.例文帳に追加

導光体６８は、第１の導光層７２と第２の導光層７４とが重ねられており、第１の導光層７２と第２の導光層７４との間に界面７６が形成されている。 - 特許庁

After carrying out an interface process 3 to form an interface layer 12 on the surface of a shaped textile fabric 11, PIP process 4 and CVI process 5 are alternately carried out several times, and a laminated matrix 15, consisting of PIP matrix layer 13 and CVI matrix layer 14 alternately built up in between the gaps of the interface layer 12 on the surface of the textile, is formed.例文帳に追加

成形した繊維織物１１の表面にインターフェース層１２を形成するインターフェース工程３を行った後に、ＰＩＰ工程４とＣＶＩ工程５を交互に複数回行い、繊維表面のインターフェース層１２の隙間にＰＩＰマトリックス層１３とＣＶＩマトリックス層１４が交互に積層した積層マトリックス１５を形成する。 - 特許庁

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.例文帳に追加

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

While the alloy layer 116 which contains Ni being prevented from Au atom diffusing into the semiconductor layer, the internal dispersion and the absorption loss are eliminated at the interface between the semiconductor layer 111 or the contact layer 114 and the electrode 115 by preventing the aggravation of the interface flatness between the semiconductor layer and the electrode 115.例文帳に追加

上記Ｎiを含む合金層１１６が、Ａu原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極１１５との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層１１１やコンタクト層１１４および半導体層と電極１１５との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。 - 特許庁

The API layer 53 has an application program interface (API) 69 supporting delivery of data among the system utility layer 52, the interface driver layer 50, and the application layer 54 wherein the system utility layer 52 has a manager being used commonly from a plurality of applications by its API 69.例文帳に追加

そのＡＰＩ層５３が、システムユーティリティ層５２およびインタフェースドライバ層５０とアプリケーション層５４との間のデータ授受をサポートするアプリケーションプログラムインタフェース（ＡＰＩ）６９を備えており、システムユーティリティ層５２が、そのＡＰＩ６９により複数の各アプリケーションから共通に使用されるマネージャを有する。 - 特許庁

The avalanche photodiode has such a structure as at least one crystal layer (referred to interface layer) having a forbidden band width larger than that of a light absorbing layer is formed with a composition or a material different from that of the light absorbing layer on the connection interface of a compound semiconductor (referred to light absorbing layer) absorbing a signal light and an Si multiplication layer.例文帳に追加

信号光を吸収する化合物半導体（光吸収層と称する）とＳｉ増倍層との接続界面に，少なくとも一層の，光吸収層とは異なる組成もしくは材料で形成され光吸収層よりも大きな禁制帯幅をもつ結晶層（界面層と称する）が形成されている構造をもつ。 - 特許庁

The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

The synthetic resin molding includes the front surface layer 73 made of the first synthetic resin composition 71 and having transparency or translucency, the back surface layer 74 made of the second synthetic resin composition 72, and an interface layer sheet 6 formed at the interface between the front surface layer 73 and the back surface layer 74 and integrated with the front surface layer 73 and the back surface layer 74.例文帳に追加

本発明の合成樹脂成形品は、第１の合成樹脂組成物７１よりなり透明性又は半透明性を有する表面層７３と、第２の合成樹脂組成物７２よりなる裏面層７４と、表面層７３と裏面層７４との界面に設けられて表面層７３及び裏面層７４と一体となった界面層シート６とを備えている。 - 特許庁

This counter includes: a transparent layer 73 provided on the surface side to transmit light; a shielding layer 74 provided to shield the back of the transparent layer 73; and a light guide layer 6 provided on an interface between the transparent layer 73 and the shielding layer 74, having a light entering part 64 at one end, and having a light emitting surface 65 on the interface with the transparent layer 73.例文帳に追加

本発明のカウンタは、表面側に設けられ光を透過させる透光層７３と、該透光層７３の裏側を遮蔽するように設けられた遮蔽層７４と、透光層７３と遮蔽層７４との界面に設けられ、一端に入光部６４を有すると共に、透光層７３との界面に出光面６５を有する導光層６とを備えている。 - 特許庁

The electrolytic copper foil with a carrier foil equipped with a resin layer for forming an insulating layer is characterized in that a bonding interface layer is provided on the surface of the carrier foil and an electric copper foil layer having both smooth surfaces is provided on the bonding interface layer and a resin layer is provided on the electric copper foil layer.例文帳に追加

絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔であって、当該キャリア箔付電解銅箔は、キャリア箔の表面に接合界面層を備え、その接合界面層上に両面が平滑な電解銅箔層を備え、当該電解銅箔層の上に樹脂層を備えることを特徴とする絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔等を採用する。 - 特許庁

The thickness of the alloy layer 19 is set to 100 μm or less, the zinc concentration in the alloy layer 19 is set to 95 mass% or less, an the zinc concentration in the alloy layer 19 is continuously reduced from the interface with the steel wire 17 toward the interface with the copper layer 18.例文帳に追加

銅−亜鉛合金層１９の厚さは１００μｍ以下とし、銅−亜鉛合金層１９における亜鉛濃度は９５質量％未満とし、銅−亜鉛合金層１９における亜鉛濃度は、鋼線１７との界面から銅層１８との界面に向かって連続的に低下させる。 - 特許庁

Recesses 11 and 12 are provided to the ends of an emitter mesa and base/collector mesas, respectively, insulating organic films 13 and 14 are formed in the recesses 11 and 12, respectively, and an interface between the end of the emitter layer 5 and the base layer 4 and another interface between the base layer 4 and the collector layer 3 are covered with the insulating organic films 13 and 14.例文帳に追加

エミッタメサおよびベース・コレクタメサの端部に凹部１１および１２を形成し、これらの凹部にそれぞれ絶縁性有機膜１３および１４を形成して、エミッタ層５の端面とベース層４との界面、およびベース層４とコレクタ層３との界面を絶縁性有機膜で被覆する。 - 特許庁

A light scattering structure which scatters light is formed at least at the interface of the buffer layer 3 and the transparent electrode layer 4 or at its surroundings, and suppresses total reflection of light by scattering light at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3.例文帳に追加

そして、少なくとも緩和層３と透明電極層４との界面又はその付近に光を散乱させる光散乱構造が形成してあり、透明電極層４と緩和層３との界面で光を散乱させて全反射することを抑制するようにしてある。 - 特許庁

To manufacture a thermoplastic resin pipe having a foamed layer whose foaming magnification is 2-7 times the average foaming magnification as an intermediate layer, and which shows a high interface strength between a non-foamed skin layer and a foamed layer and a high interface strength between fusion-bonded faces and therefore, is not peelable.例文帳に追加

中間層に平均発泡倍率の２〜７倍の発泡層を有する熱可塑性樹脂管の製造することができ、また、非発泡の表皮層と発泡層との界面強度と、融着面の界面強度とが大きく、剥離しない熱可塑性樹脂管を得ることができる。 - 特許庁

In a magnetic layer 11 of a ferromagnetic metallic thin film formed on a non-magnetic supporting body 12, a ratio of oxygen content of the interface oxidation layer 12b (the interface side 50% of magnetic layer thickness) in close proximity to non-magnetic supporting object 12 to the oxygen content of the whole magnetic layer is 30-48%.例文帳に追加

非磁性支持体１２上に形成される強磁性金属薄膜の磁性層１１について、前記磁性層全体の酸素量に対する非磁性支持体１２近接の界面酸化層１２ｂ（磁性層厚みの界面側５０％）の酸素量の比率を３０〜４８％とする。 - 特許庁

Due to this structure, there are positive fixed electric charges arising out of the spontaneous polarization effect or piezo polarization effect in the interface between an electron supply layer and the diamond semiconductor layer, and at the same time, a two-dimensional electron gas 13 is generated near the interface between the electron supply layer and the diamond semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 - 特許庁

The device includes a first crystalline substance layer, a second crystalline substance layer disposed in the vicinity of the first crystalline substance layer and forming electron gas at a first interface, and a first ferroelectric layer having a ferroelectric domain to impart an electric field to a part of the first interface.例文帳に追加

装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 - 特許庁

In the case of a negative or positive photoresist layer patterned by a conventional lithography technique, a photoresist layer in an interface region with a semiconductor substrate is overheated to a temperature higher than its fusing temperature in a short time in order to fusedly bond a photoresist layer at an interface to a layer located therebelow on the semiconductor substrate.例文帳に追加

従来のリソグラフィー技術を用いてパターンされたネガもしくはポジフォトレジスト層の場合、界面のフォトレジスト層を、その下に位置する層と、半導体基板において溶着するために、半導体基板との界面領域のフォトレジスト層は、短期的に、溶解温度より高い温度で過熱される。 - 特許庁

The organic thin-film electronic device comprising at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode is characterized in that the at least one electron transport layer or electrode interface layer contains 0.1-70 wt.% of a carbene compound.例文帳に追加

陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層または電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、電子輸送層または電極界面層の少なくとも一層にカルベン化合物を０．１〜７０重量％含有することを特徴とする有機薄膜電子デバイス。 - 特許庁