「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The steel column having rustproof property of the embedment land side part has an anti-corrosive coating and has a coating layer comprising an anticorrosion material excellent in durability to water solution containing ammonium ions in an outer part of at least 50 mm of the steel column on the atmosphere side and on the filling material side of an upper end part of an interface where the steel column contacts with the filling material for embedment.例文帳に追加

防食被覆を有する鋼製柱であって、該鋼製柱と埋設用充填材が接する界面上端部の大気側及び充填材側の少なくとも５０ｍｍの鋼製柱外側部分に、アンモニウムイオンを含む水溶液に対する耐久性に優れた耐食材からなる被覆層を有する埋設地際部の腐食防御性を有する鋼製柱である。 - 特許庁

With the nonaqueous electrolyte secondary battery provided with an electrode group 3 having a cathode 4, an anode 6 and a separator 5 arranged between the cathode 4 and the anode 6, and nonaqueous electrolyte solution, a lubricant layer 15 characteristically exists at least at a part of an interface of at least either the cathode 4 or the anode 6 and the separator 5.例文帳に追加

正極４と負極６と前記正極４及び前記負極６間に配置されるセパレータ５とを有する電極群３と、非水電解液とを備える非水電解質二次電池において、前記正極４及び前記負極６のうちの少なくとも一方の電極と前記セパレータ５の界面の少なくとも一部に潤滑剤層１５が存在することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

The organic resin-coated steel sheet is constituted by providing an organic resin film, which contains a heterocyclic conjugated or hetero atom-containing conjugated type π conjugated polymer and a dopant for imparting conductivity to the π conjugated polymer, on the surface of a steel substrate through an interface layer comprising a silane coupling agent having at least one kind of an organic functional group selected from a cycloalkane and an atomic group having a π bond.例文帳に追加

シクロアルカン，π結合を有する原子団から選ばれた一種又は二種を有機官能基とするシランカップリング剤からなる界面層を介し、複素環式共役系又はヘテロ原子含有共役系のπ共役高分子及び該π共役高分子に導電性を付与するドーパントを含む有機樹脂皮膜が下地表面に設けられた有機樹脂被覆鋼板である。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

A color pattern layer devised to prevent reflected light on the interface between the relief hologram and the reflective thin film formed on the relief hologram from being strong, as well as, being diffracted to become return light is provided between the relief hologram and the reflective thin film and at a position facing the cholesteric liquid crystal; and thereby the visibility of the cholesteric liquid crystal is improved and the precision of authenticity determination is improved.例文帳に追加

レリーフホログラムとそのレリーフホログラム上に形成されている反射性薄膜との間であって、コレステリック液晶と相対する位置に、その界面での反射光が強く且つ回折して戻り光とならないよう工夫した着色パターン層を設けることにより、コレステリック液晶の視認性を改善するとともに、真正性判定の精度を向上させる。 - 特許庁

An image forming apparatus includes an application layer 103 having a user interface 300 which displays screens to perform setting related to an operation or management, notifies the existence of relevance when items set on each screen cooperates with items set on other screens on each screen or has exclusive relevance to one another, and performs direct transition to the other screens having the relevance.例文帳に追加

操作または管理に関する設定を行うための画面を表示し、各々の画面において設定される項目が他画面で設定される項目と連動または排他の関連性をもつ場合、上記の関連性が存在することをユーザに報知し、また、上記の関連性を有する他画面に直接遷移するユーザインターフェイス３００を有するアプリケーション層１０３を備えた画像形成装置。 - 特許庁

To provide a low reflection film negligible in surface glaring by suppressing interference unevenness (irregular color ) caused by involvement of incident light from a surface, particularly reflected light reflected on the interface between a transparent substrate film and a layer adjacent to it, when visual information such as a character and a graphic image used for various displays or the like to be recognized through a transparent substrate film, is observed.例文帳に追加

各種ディスプレイ等に使用して透明基板を通して認識する文字や図形画像などの視覚情報を観察する場合に、表面からの入射光が、特に透明基材フィルムとこれに隣接する層との界面で反射される反射光が関与することにより発生する干渉ムラ（色ムラ）を抑制することができると共に面ギラの問題とならない低反射フィルムを提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The logic device controls the measurement request device, and the measurement request device requests a common measurement to other radio network controller (RNC) using a global procedure module of a radio network sub-layer application part (RNSAP) procedure via a radio network controller interface (IUR), and requests a user measurement to a serving radio network controller (SRNC) using the RNSAP procedure via the IUR.例文帳に追加

ロジック装置は、測定要求デバイスを制御し、測定要求デバイスは、無線ネットワークコントローラインターフェース（ＩＵＲ）を介して無線ネットワークサブレイヤアプリケーションパート（ＲＮＳＡＰ）手順のグローバルプロシージャモジュールを使用して、他の無線ネットワークコントローラ（ＲＮＣ）に共通測定を要求し、また、ＩＵＲを介してＲＮＳＡＰ手順を使用して、サービング無線ネットワークコントローラ（ＳＲＮＣ）にユーザ測定を要求する。 - 特許庁

The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The reflection detection light from the optical coupler depending on the minute distance between the metallic membrane 1 and the measurement object 5 generated by the optical mutual reaction between the metal intensifying evanescent light generated on the interface of the gap layer 6 side and the approaching measurement object 5 is measured by the optical detector 4, and thereby the minute displacement of the measurement object 5 is detected.例文帳に追加

入射計測光により金属薄膜１の間隙層６側の界面に発生させた金属増強エバネッセント光が近接する測定対象物５と光学的に相互作用して、金属薄膜１と測定対象物５間の微小距離に依存した、光結合器からの反射検出光を、光検出器４で計測することによって、測定対象物５の微小変位を検出する。 - 特許庁

To improve interface adherence between a gasket 11 for sealing a first member 5 and a peripheral portion of a membrane electrode assembly 3 and the first member 5 and the peripheral portion of the membrane electrode assembly 3 in a fuel cell A using a separator 4 comprising the first member 5 of a metal porous member contacting with an electrode layer of the membrane electrode assembly 3 and a planar second member 6 laminated on the first member.例文帳に追加

セパレータ４として、膜電極接合体３の電極層側に接する金属多孔体部材である第１部材５と該第１部材に積層した平板状の第２部材６とで構成されたセパレータを用いる燃料電池Ａにおいて、第１部材５と膜電極接合体３の周縁をシールするガスケット１１と、第１部材５と膜電極接合体３の周縁との間の界面接合態様を改善する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁

An electromagnetic wave interface device 200 which supplies or receives power to or from an electromagnetic wave transmission medium having a mesh electrode includes a spiral first conductor 210 which is arranged closely to a first conductor layer substantially in parallel therewith, a second conductor 230 which is arranged to face the first conductor substantially in parallel therewith, and a dielectric 220 which is arranged between the first conductor and second conductor.例文帳に追加

メッシュ状の電極を有する電磁波伝達媒体との間で給電または受電する電磁波インターフェース装置２００であって、第一導電体層に近接して略平行に配置されるスパイラル状の第一導電体２１０と、第一導電体に対向して略平行に配置された第二導電体２３０と、第一導電体と第二導電体との間に配置された誘電体２２０とを備える電磁波インターフェース装置とする。 - 特許庁

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge.例文帳に追加

埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。 - 特許庁

The capacitive element comprises the bottom electrode 6 formed to supply voltage to a transistor formed in a semiconductor substrate 11, the top electrode 10 formed on the opposite side of the semiconductor substrate 11 from the bottom electrode 6, the capacitive insulation film 9 formed between the top electrode 10 and the bottom electrode 6, and an interface reinforcing layer 7a formed to improve the interfacial characteristics of the capacitive insulation film 9.例文帳に追加

容量素子は、半導体基板１１に形成されたトランジスタへ電圧を供給するために形成された下部電極６と、下部電極６に対して半導体基板１１の反対側に形成された上部電極１０と、上部電極１０と下部電極６との間に形成された容量絶縁膜９と、容量絶縁膜９の界面特性を改善するために形成された界面強化層７ａとを具備する。 - 特許庁

To prevent interface crystallization of a photoconductive layer 4 for reading without lowering a reading efficiency.例文帳に追加

放射線を透過する第１電極１、放射線の照射により電荷を発生する記録用光導電層２、電荷輸送層３、上記電荷を静電潜像として蓄積する蓄電部８、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層４および第２電極６がこの順で積層されてなり、読取用光導電層４と第２電極６との間に読取用光導電層４において生じる界面結晶化を防止する抑制層５を有する静電記録体１０において、読取効率を低下させることなく読取用光導電層４の界面結晶化を防止する。 - 特許庁