「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

When the cathode Cath has a negative potential and electrons are injected, the depletion layer in the vicinity of the interface 4a contracts to spread the two-dimensional electron gas, and thereby a current flows between the cathode Cath and the anode An.例文帳に追加

陰極Ｃａｔｈが負電位となり電子が注入されると、界面４ａ付近の空乏層が縮小して２次元電子ガスが広がり、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間に電流が流れる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that illuminates a back surface and prevents a dark current caused by an interface state by evenly forming a hole storage layer without having variations among pixel on a light-receiving surface of a light-receiving part.例文帳に追加

受光部の受光面に、画素間のばらつきなく均一にホール蓄積層を形成して、界面準位に起因した暗電流を抑制することが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The [Co/Ni]_x multilayer reference layer 23 is formed by a process using low power and high pressure argon gas to prevent a damage in an interface between Co and Ni and thereby to maintain the vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor which can keep an electric characteristic, such as electrical conductivity, etc., and has superior deterioration resistance and a low interface resistance of a nonaqueous electrolytic, solution and is superior in low-temperature characteristic.例文帳に追加

十分な電気伝導性等の電気特性を維持しつつ、耐劣化性に優れ、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れた非水電解液電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

To lower on-voltage of SiC-IGBT, whose inverted channel's channel resistance is high due to the influence from the surface level of the interface between a gate insulation film and a base layer, and whose on-voltage is high.例文帳に追加

ＳｉＣ−ＩＧＢＴは、ゲート絶縁膜とベース層との界面の表面準位の影響によって、反転型チャネルのチャネル抵抗が高くオン電圧が高いが、このオン電圧を低くすることが求められている。 - 特許庁

To provide a circuit wiring board capable of improving a thermal cycling resistance of an interlayer contact interface portion of a conductive via and a conductive layer for wiring in especially a multilayer wiring board, and of obtaining a high connecting reliability.例文帳に追加

特に多層配線基板における導電ビアと配線用導電層との層間接触界面部分の熱サイクル耐性を向上し高い接続信頼性を得ることができる回路配線基板を提供する。 - 特許庁

At that time, an interfacial layer 20A containing tin/silver alloy containing tin of not more than 90 wt.% as mean composition is formed on an interface between the first connection electrode 15B and the electric resistance reduction film 20.例文帳に追加

その際、第１の接続用の電極１５Ｂと電気抵抗減少用の膜２０との界面に、平均組成としてスズを９０重量％以下含むスズ−銀合金を含む界面層２０Ａが形成される。 - 特許庁

To prevent a depleted layer at a part of gate electrode near the interface with a gate insulating film and to form a T-type gate electrode with precision, related to an insulated gate semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート電極のゲート絶縁膜との界面近傍での空乏層の発生を防止するとともに、精度良くＴ型ゲート電極を形成する。 - 特許庁

To improve sensitivity of a photodetector and prevent degradation of characteristics in an optical system of light pick-up by reducing reflection of incident light from an outside in an interface between a package surface in a light receiving side and an air layer.例文帳に追加

受光側のパッケージ表面と空気層との界面において、外部からの入射光の反射を低減して、受光素子の高感度化を図り、さらに、光ピックアップの光学系における特性劣化を防ぐ。 - 特許庁

The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.例文帳に追加

保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁

The resin coated metal plate for a container has resin layers on both sides thereof, and after the metal plate is formed in the container, the surface of a resin layer that coats the inner surface of the container shows an interface free energy against water of 30 mN/m or higher.例文帳に追加

樹脂層を両面に有し、金属板を容器成形した後に容器内面側になる樹脂層表面の水との界面自由エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以上である容器用樹脂被覆金属板。 - 特許庁

To provide an organic transistor with high electric characteristics by preventing an insulation layer of a channel interface from being damaged even with a strong organic solvent applied which can dissolve a highly movable low molecular weight material.例文帳に追加

チャネル界面の絶縁層が、高移動度の低分子系材料を溶解しうる強い有機溶剤を塗布しても破壊されないようにすることによって、高い電気的特性を有する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method and a substrate processing apparatus for effectively forming a barrier layer including a high quality Ti film even under a low temperature and forming also a TiSi_x film, in a self-aligning manner, in an interface region between the Ti film and an underlayer thereof.例文帳に追加

低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成することができ，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉ_ｘ膜を形成することができる。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

The first condition is a condition of thinning the thickness of the interface layer more than when formed by the second condition, and the second condition is a condition of being faster in a forming speed of the layers more than when formed by the first condition.例文帳に追加

第１条件は、界面層の厚さが第２条件で形成する場合に比べて薄くなる条件であり、第２条件は、層の形成速度が第１条件で形成する場合に比べて速い条件である。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

A gold layer is exposed only to a circuit connecting portion of a metal lead, and an interface of a package sealing portion which is covered with a material other than gold and is exposed to an external environment is not provided to the other lead surface.例文帳に追加

金属リードの回路接続部のみに金層を表出し、他のリード表面に封止性が良好な、金以外の材料で覆い、外部環境に曝されるパッケージ封止部の界面を持たない構成である。 - 特許庁

To execute switching of a communication interface to a network layer level automatically when a mobile host moves among networks of different communication technologies while continuing communication with a fixed host.例文帳に追加

移動ホストが固定ホストとの通信を継続しながら、異なる通信技術によるネットワーク間を移動する際、通信インタフェースの切り替えを行い、その場合、ネットワーク層レベルまでを自動的に切り替えるようにする。 - 特許庁

In the diaphragm of two-layer structure, a channel (face-like collector of negative polarized pole) composed of a highly concentrated two-dimensional electronic gas is formed on a hetrojunction interface by a piezoelectricity peculiar to a nitride semiconductor.例文帳に追加

この２層構造のダイアフラムには、窒化物半導体に特有の強い圧電性によって高濃度の２次元電子ガスからなるチャネル（負の分極電荷の面状の集合体）がヘテロ接合界面上に形成される。 - 特許庁

The reset circuit for the communication device is configured to be reset by using link information to be information about a connection in which a physical layer has been already established or not established yet to an external interface signal.例文帳に追加

通信装置用のリセット回路において、外部インタフェース信号との物理レイヤの接続確立済もしくは接続確立未の情報であるリンク情報を使用して、前記装置のリセットを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel capable of effectively preventing protrusion of a light diffusive particles from the interface of an adhesive layer and making the display screen of a display device sharp and to provide a liquid crystal display.例文帳に追加

光拡散性粒子を接着層の界面から突出させることを有効に防止し、表示デバイスの表示画面を鮮明なものにできる液晶表示パネル並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a method for setting communication procedure, communication data are selected by selecting an instance which occupies part of the communication procedure, a protocol layer based on the communication procedure, and the summarized communication interface of a protocol for the communication procedure.例文帳に追加

コミュニケーション手順の一部を占めるインスタンスを選択し、コミュニケーション手順に基づいてプロトコル層を選択し、コミュニケーション手順用にプロトコルの要約コミュニケーション・インタフェースを選択し、コミュニケーション・データを選択する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a carbon contamination on the surface of silicon carbide is removed, in which an ohmic electrode of a low contact resistance can be formed and in which the good-quality interface between an insulating film and a semiconductor layer can be formed.例文帳に追加

炭化珪素表面のカーボンコンタミを除去して低コンタクト抵抗のオーミック電極や良質な絶縁膜／半導体層の界面が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By a standardized arrangement of the interlayer interface region, and a standardized arrangement of conductors of the interlayer bus, circuit layer design and the interconnection of functional units to the interlayer bus can be simplified.例文帳に追加

層間インターフェース領域を標準化して配置すること、及び層間バスの導電体を標準化して配置することで、、回路層の設計及び機能ユニットを層間バスに相互接続することを簡略化できる。 - 特許庁

Reflection of incident light which becomes a detection object is greatly reduced in an interface between a package surface and an air layer by providing a reflection prevention film 7 to a flattened surface 6 at a light receiving side of a package 5.例文帳に追加

パッケージ５の受光側の平滑化された表面６に、反射防止膜７を設けて、パッケージ表面と空気層との界面において、検出対象となる入射光が反射されるのを大幅に低減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated material for an insulating substrate, which has excellent solder bondability, and can prevent generation of a crack and peeling at a junction interface and generation of deformation on a surface of a Ni layer.例文帳に追加

はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生及びＮｉ層の表面の変形の発生を防止することができる絶縁基板用積層材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A bipolar transistor of polysilicon emitter structure has a polysilicon region 8 doped with impurities, and an emitter region 30 having a thin film layer 30 containing carbon at an interface with the polysilicon region 8.例文帳に追加

多結晶シリコンエミッタ構造のバイポーラトランジスタであって、不純物をドープされた多結晶シリコン領域８と、多結晶シリコン領域８との界面に炭素含有薄膜層３０を有するエミッタ領域３０を具備する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly for a fuel cell increasing three layer interface, enlarging gas permeability, securing an electron moving path, and enhancing power generation efficiency, and to provide the manufacturing method of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

三相界面を増大させ、ガス透過性を拡大し、且つ電子移動経路を確保することが可能で、発電効率が向上した燃料電池用膜電極接合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a protocol establishing method which starts up quickly for initial setting processing, etc., when one application layer is provided with plural connecting functions by using an infrared interface.例文帳に追加

赤外線インタフェイスを用いて、１つのアプリケーション層に複数の接続機能を持たせる場合、初期設定処理等における立ち上がり動作が早いプロトコル確立方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In particular, by positioning a transistor channel much further below this interface, occurrence of a hot spot due to the highest-concentration dopant made adjacent to an insulating oxide layer can be minimized.例文帳に追加

特に、トランジスタのチャネルは、この境界よりもかなり下方に配置することにより、最高濃度のドーパントが絶縁酸化物層に近接することによって生じるホットスポットの発生を最小化することができる。 - 特許庁

To rapidly analyze and evaluate the presence of a crystal in a solid-liquid interface, a crystal structure, a crystallite dimension (crystal domain size) or a correlation length and the structure of atomic ions or molecular ions of an interfacial electric double layer.例文帳に追加

固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which increase a breakdown voltage by having an embedded layer on an interface between a semiconductor substrate and an epilayer formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と半導体基板上に形成されたエピ層との界面に埋め込み層を有す半導体装置において、十分な高耐圧化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a transfer sheet, the interface resistance value between the catalyst layer and the electrolyte membrane is small, and an electrode-electrolyte membrane assembly which can supply the fuel and the oxidizer sufficiently can be manufactured.例文帳に追加

該転写シートを用いることにより、触媒層と電解質膜との間の界面抵抗値が小さく、且つ燃料及び酸化剤を十分に供給し得る電極−電解質膜接合体を製造できる。 - 特許庁

A layer 9 comprising the polymerizable liquid crystalline molecules 12 each having a liquid crystal skeleton and having a nature to vertically align the director in an interface with a different substance and a nature to be polymerized is layered on the underlayer 4.例文帳に追加

液晶性骨格を有し、異種物質との界面においてディレクタを垂直に向けて配向する性質と、重合する性質とを有する重合性液晶分子１２からなる層９を下地層４に積層する。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

With this configuration, a microlens 33 allows some components of an incident light which are not collected in an incident surface 30a to be transmitted through the planarizing layer 31 and to be reflected on the interface 34, and to be guided to the opening 28.例文帳に追加

これにより、マイクロレンズ３３で入射面３０ａに集光しきれなかった入射光の成分の一部が、平坦化層３１を透過したり、界面３４で反射したりして、開口２８に導かれる。 - 特許庁

Since the p-type region 12 and the n-type region 13 are formed in the vicinity of the interface of the semiconductor substrate 11 and an insulating layer 14, the careiers generated in the semiconductor substrate 11 can be taken in at a high speed.例文帳に追加

半導体基板１１と絶縁層１４との界面近傍にｐ型領域１２およびｎ型領域１３が設けられているので、半導体基板１１で発生するキャリアを高速に取り込むことができる。 - 特許庁

The material of interface layer 106 comprises the functions of reinforcing adhesion between the interface layer 106 and insulation sealing material 102, reinforcing insulation between a solar cell 103 group or solar cell submodule 104 group and the rear face protection material 105, preventing material reaction between the insulation sealing material 102 and rear face protection material 105, and protecting a surface of the rear face protection material 105.例文帳に追加

界面層１０６の材料には、界面層１０６と絶縁性封止材１０２と間の接着性強化の機能を有し、太陽電池セル１０３群又は太陽電池サブモジュール１０４群と裏面保護材１０５との間の絶縁強化の機能を有し、絶縁性封止材１０２と裏面保護材１０５との間の材料間反応防止の機能を有し、裏面保護材１０５の表面保護の機能を有する材料を用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat panel detector for obtaining a phosphor layer having a high emission amount by highly accurately forming the phosphor layer on the surface of a photodetector panel without generating local peeling on the interface of a photodetector panel (support) and the phosphor layer, and thereby highly accurately receiving/measuring light converted by the phosphor layer with a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This organic electroluminescence element 10 includes a pair of electrodes composed of an anode 2 and a cathode 8, and at least one organic layer including a luminescent layer 5 between the electrodes, wherein the luminescent layer 5 contains at least a host compound, a phosphorescence material and an electrically-inactive material, and average T1 energy in the luminescent layer 5 decreases as distances from an interface on the anode 2 side and that on the cathode 3 side increase.例文帳に追加

陽極２及び陰極８からなる一対の電極と、該電極間に発光層５を含む少なくとも一層の有機層とを備え、該発光層５が少なくともホスト化合物、りん光材料、および電気的に不活性な材料を含み、発光層５内における平均Ｔ１エネルギーが陽極２側の界面、および陰極３側の界面からの距離が大きくなるに従って減少することを特徴とする有機電界発光素子１０。 - 特許庁

The mobile node is provided with a production means of producing control information for each interface, a notification means to notify the control information notified by each interface to an upper layer, and a path control means to perform either confirmation of connectivity or update of a path based on the notified control information.例文帳に追加

移動ノードに、各インタフェースに対する制御情報を生成する生成手段と、各インタフェースから通知された制御情報を、上位層に通知する通知手段と、通知された制御情報に基づいて、接続性の確認および経路更新のうち少なくとも一方を行う経路制御手段とを備えることにより達成される。 - 特許庁

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical multilayer film which can acquire a desired transmittance with thoroughly low optical absorption, because of causing no optical absorption due to an interface transition layer formed by an interface reaction occurring among multilayers, while keeping an adequate film-forming speed, and to provide the optical multilayer film manufactured with the method.例文帳に追加

良好な成膜速度を維持しつつ、多層化に伴う界面反応によって生じる界面遷移層による光学吸収がなく、光吸収が十分に小さいといった所望の透過率とすることができる光学多層膜を製造する光学多層膜の製造方法および該製造方法により製造される光学多層膜の提供。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁