「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

The manufacturing method of the huge single crystal represented by general formula [I] comprises forming two layers consisting of an upper layer of a solution of a metal salt of the organic carboxylic acid having a conjugated system and a lower layer of a solvent immiscible with the solution, and introducing vapor of a substituted pyrazine to form the single crystal at the interface.例文帳に追加

一般式[I]で示される巨大単結晶の製造方法であって、共役系を有する有機カルボン酸金属塩の溶液を上層とし、該溶液と混じり合わない溶媒を下層として２層を形成し、置換ピラジン蒸気を導入して界面に単結晶を生成させる。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

The transmission film on the rear side has an interface of the maximum refractive index grade difference that gives smaller luminous efficiency than the front side luminous efficiency in the luminous efficiency characteristics in which the luminous efficiency from the luminous layer changes in relation to the thickness of the transmission layer by the optical interference.例文帳に追加

背面側の透過膜は、発光層からの発光の効率が光学的干渉により透過膜の膜厚に対して変化する発光効率特性における前面側の発光効率よりも小なる発光効率を生ぜしめる最大屈折率段差の界面を有する。 - 特許庁

To provide a power transmission belt and its manufacturing method eliminating the formation of scraps such as chips from cutting, grinding or polishing, preventing a pinhole from being formed near an interface between a cog crest part of a compressed rubber layer and an adhesive rubber layer and preventing early crack initiation during belt traveling.例文帳に追加

切削屑、研削屑、又は研磨屑のようなスクラップの発生を無くし、圧縮ゴム層のコグ山部と接着ゴム層との界面付近に発生するピンホールを阻止し、ベルト走行時における早期の亀裂発生を阻止した動力伝動用ベルトとその製造方法を提供する。 - 特許庁

A translucent material 15 having a high refractive index is filled between the one face 10a of the translucent substrate 10 and a support substrate 19 with the shielding conductive layer 18 formed thereon, so that no reflective interface exists between the translucent substrate 10 and the shielding conductive layer 18.例文帳に追加

また、透光性基板１０の一方面１０ａと、シールド用導電層１８が形成された支持基板１９との間には高屈折率の透光性材料１５が充填されているため、透光性基板１０とシールド用導電層１８との間には、反射性の界面が存在しない。 - 特許庁

Since there is no connection portion between the end surface of the via conductor 4 with a comparatively weak connecting strength and the external wiring 7a in the interface between the ceramic wiring substrate 1 and the lowest layer of the insulating resin layer 2, whose thermal stress tends to increase, the possibility of wire fracture is reduced.例文帳に追加

熱応力が大きくなるセラミック配線基板１と最下層の絶縁樹脂層２との界面に、比較的接続強度の弱いビア導体４の端面と外部配線７ａとの接続部を有さないので、配線が破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive adhesive sheet having a pressure sensitive adhesive layer which reduces total reflection of light at the interface between an optical film or an optical material and the pressure sensitive adhesive layer and does not reduce visibility even when plastic material is used as the optical material.例文帳に追加

光学フィルムや光学用部材と感圧性接着剤層との界面における光の全反射を低減することができ、光学用部材としてプラスチック部材が用いられていても視認性を低下させない感圧性接着剤層を有する感圧性接着シートを得る。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

In ATM communication equipment C190, the physical layer side C220 is provided with a FIFO processing section C100 and a UTOPIA interface section C106 and the ATM layer side C300 is provided with a detection circuit C108, a UTOPIA circuit C107, and a selector C109.例文帳に追加

ＡＴＭ通信装置Ｃ１９０において、物理レイヤ側Ｃ２００が、ＦＩＦＯ処理部Ｃ１００と、ユートピアインターフェース部Ｃ１０６とをそなえるとともに、ＡＴＭレイヤ側Ｃ３００が、検出回路Ｃ１０８と、ユートピア回路Ｃ１０７と、セレクタＣ１０９とをそなえて構成する。 - 特許庁

To prevent obstacles such as stripes from occurring in the interface of laminated layers when forming a plurality of layers including a photosensitive layer on a support film, and to prevent reflection of the shape of a winding core in the photosensitive layer so that protective film is not wasted.例文帳に追加

支持体フィルム上に感光層を含む複数の層を形成する際に、重ね合わされた層の界面にスジ等の障害が発生することを防止すると共に、巻芯の形状の感光層への写り込みを防止し、保護フィルムの浪費の抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a power transmission belt and its manufacturing method for preventing the formation of pin holes near an interface between a cog crest portion of a compressed rubber layer and an adhesive rubber layer and preventing the occurrence of early cracking during the travel of the belt while eliminating scrap such as cutting, grinding or polishing debris.例文帳に追加

切削屑、研削屑、又は研磨屑のようなスクラップの発生を無くし、圧縮ゴム層のコグ山部と接着ゴム層との界面付近に発生するピンホールを阻止し、ベルト走行時における早期の亀裂発生を阻止した動力伝動用ベルトとその製造方法を提供する。 - 特許庁

This solves the problem that the data written in a conventional MFIS transistor vanishes within a day or a little longer mainly because large leakage current from the buffer layer and the ferroelectric prevents electric polarization of the ferroelectric from controlling electric conduction between the source drains of transistors in which electric charges are accumulated around an interface between the ferroelectric and the buffer layer so that they shield electric polarization stored in the ferroelectric.例文帳に追加

本願発明においては、絶縁体バッファ層２をHfO_2+uあるいはHf_1-xAl_2xO_2+x+yで構成することにより、絶縁体バッファ層２と強誘電体３の両方のリーク電流を低く押さえることができ、データ保持時間が真に充分長いメモリトランジスタが実現する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor which has various characteristics, such as low internal resistance, etc., required as nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor and is superior in self-distingushing property, flame resistance and deterioration resistance, and which has a low interface resistance in a nonaqueous electrolytic solution and is superior in low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタとして必要とされる低い内部抵抗等の諸特性を維持しつつ、自己消火性ないし難燃性に優れ、耐劣化性に優れ、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れる非水電解液電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

To provide a highly reliable junction structure and method of manufacturing the same wherein this is no disconnection failure at an interface between a terminal and a wax junction layer and it has a highly reliable junction terminal between an electrode and the wax junction layer.例文帳に追加

端子と電極との界面における断線不良が発生せず、また端子とロウ接合層の界面で脆牲層が形成されない、電極やロウ接合層との接続信頼性が高い端子を備える信頼性の高い接合構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to manufacture a catalyst layer with high effective utilization rate of platinum catalyst by making a configuration with little coagulation of catalyst carrying carbon particle and a high porosity and increasing three-phase interface area in the electrode catalyst layer for solid oxide fuel cell.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池用電極触媒層において、触媒担持カーボン粒子の凝集が少なく、空孔率の高い形態をつくり、三相界面の面積を増大させることで白金触媒の有効利用率の高い触媒層を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

To provide a high-performance semiconductor device for preventing influence of an inverting layer that causes failures in electrical characteristics, such as variations in current amplification rate and generation of leakage current, and is formed on the interface between a semiconductor layer and an insulating film in a lateral bipolar transistor of SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の横型バイポーラトランジスタにおいて、電流増幅率の変動とリーク電流の発生等の電気特性の不具合の原因となり、半導体層と絶縁膜との界面に形成される反転層の影響を防止する高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

This method is characterized in storing an aqueous organic silicon emulsion so that the relation of the area (A) of the liquid interface of the above emulsion layer and of the above oil layer which are produced during their storage, and maintaining a total weight(W) of the emulsion in the range of the following relationship: A (cm2/W (kg)=1 to 200.例文帳に追加

水性有機ケイ素エマルションを、貯蔵中に生じる前記エマルション層と前記油層との液界面の面積（Ａ ）と前記エマルションの全重量（Ｗ）との関係が、 Ａ（ｃｍ^2）／Ｗ（ｋｇ）＝１〜２００ の範囲になるように保持して貯蔵することを特徴とする。 - 特許庁

When the dose of radiation is monitored, off voltage of the TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed by the operating voltage of the TFT 3.例文帳に追加

放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子２の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるＴＦＴのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、ＴＦＴ３の動作電圧で除去される。 - 特許庁

The ceramic-made wiring board comprising the ceramic-made insulating substrate and the wiring conductor layer which is joined with at least one surface of the insulating substrate is characterized in that the mathematical mean roughness of the interface of the conductor layer which is joined with the insulating substrate is ≤1.0 μm.例文帳に追加

セラミック製絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一方の表面に接合された配線導体層とからなるセラミック製配線基板において、前記導体層の絶縁基板と接合する界面での算術平均粗さが１．０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Then, the power density of the laser beam is set at some 280 mJ/cm^2, and thus, an altered layer 11a which is altered into a gallium-rich state in which a gallium in the gallium nitride constituting a first contact layer 51 has a composition larger than that in a stoichiometric ratio thereof is formed in the vicinity of the interface.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２ に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁

A metal foil of the sealing component consisting of at least a support base material, a release resin layer, and the metal foil is patterned in a given plurality of shapes, and an interface of the release resin layer and the metal foil is peeled off.例文帳に追加

少なくとも支持基材、剥離樹脂層、金属箔からなる封止部材の、金属箔が所定の複数形状にパターニングされ、剥離樹脂層と金属箔の界面が剥離することを特徴とする有機ＥＬ素子用封止部材を用いて有機ＥＬ素子を封止する。 - 特許庁

This framework is composed of a user interface layer 10 for inputting and outputting data; a domain layer 11 for processing data; a database layer 12 for storing and retrieving data; and the complex of software components classified into four stage layers of a common layer 13 for performing communication and log output, wherein each of the software components belonging to the hierarchies is provided with a benchmark function for measuring the performance in the hierarchies.例文帳に追加

データの入出力を行うユーザインターフェイス層１０、データの処理を行うドメイン層１１、データの蓄積および検索を行うデータベース層１２、通信、ログ出力を行う共通層１３の四階層に分類されたソフトウェア部品の複合体からなり、前記階層に属する各々の前記ソフトウェア部品が前記階層における性能を測定できるベンチマーク機能を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁

To prevent deterioration of sensitivity due to remaining charge and residue of ghost image or the like by reducing the remaining charge inside an inhibition layer, in a radiation image recording medium which records radiation image information by accumulating charge generated in a recording photoconducting layer by radiation, which has an inhibition layer for inhibiting interface cyrstallization of a recording photoconducting layer.例文帳に追加

放射線により記録用光導電層において発生した電荷を蓄積することにより放射線画像情報を記録する放射線画像記録媒体であって、記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層を有する放射線画像記録媒体において、抑制層内の残存電荷を減少させ、この残存電荷による感度の劣化やゴースト像の残留などを防止する。 - 特許庁

The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.例文帳に追加

本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁

This 1/4 wavelength plate is used for the backlight system having the polarization reflective plate, and is constituted of a 1/4 wavelength layer and a light diffusion layer where rugged parts are formed on a nearly whole surface of its one side surface layer, and which develops light diffusiveness since the light beam transmitting the surface layer is diffracted in many directions by refractive index differences of the rugged interface.例文帳に追加

偏光反射板を有するバックライトシステムに用いるための１／４波長板であって、該１／４波長板は、１／４波長層と、（１）その一方の表層のほぼ全面に凹凸が形成されてなり、かつ（２）該表層を透過する光が該凹凸界面の屈折率差により多方向に屈折されることにより光拡散性を発現する光拡散層とからなることを特徴とする１／４波長板。 - 特許庁

In the original plate for the planographic printing plate, an undercoating layer containing hollow particles and having hardness higher than that of the aluminum support and an image forming layer converting light to heat and changed in solubility with respect to a developing solution by heat are successively provided on the aluminum support and the distribution of aluminum in the undercoating layer is obliquely reduced from the interface of the support toward a photosensitive layer.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、中空粒子を含み且つアルミニウム支持体より硬度が高い下塗り層と、光を熱に変換しその熱で現像液に対する溶解性が変化する画像形成層とを、順に有し、その下塗り層内におけるアルミニウムの分布が支持体界面から感光層側へ行くに従って傾斜的に減少していることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling increase in an electrical resistance at an interface in a source/drain region or between a source/drain region and a silicide layer while improving carrier mobility by giving distortion to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを与えてキャリア移動度を向上させつつ、ソース・ドレイン領域またはソース・ドレイン領域とシリサイド層の界面における電気抵抗の増加を抑えることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the high-order layer interface section 120, a noise power correction value is calculated on the basis of the inputted difference and when transmitting noise power in the next ACK, the noise power is inserted into a Noise Power field while taking the correction value into account.例文帳に追加

上位レイヤインターフェース部１２０では、入力された差分に基づいてノイズ電力の補正値を算出し、次のＡＣＫでノイズ電力を送信する際に、その補正値を考慮し、Noise Powerフィールドに挿入する。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Components of the plating layer 5 are contained in welding burrs 12 formed on places adjacent to the junction interface 11.例文帳に追加

ハウジング４と接地電極３との接合界面１１及び接地電極３の表面には、メッキ層５が存在しておらず、接合界面１１に隣接する位置に形成された溶接バリ１２の中に、メッキ層５の成分が存在している。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth device and a method of manufacturing the liquid phase epitaxial growth in which a p-n-p-n layer is not formed in an area near a composition interface and a light emitting diode can be manufactured at a higher yield.例文帳に追加

組成界面付近でｐ−ｎ−ｐ−ｎ層が形成されず、高歩留まりで発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate W comprises a sealing coating 106 covering at least part of a first interface between two layers 100, 102 on the substrate or between each layer and the substrate without extending to a central portion of the substrate.例文帳に追加

基板Ｗは、基板上の２つの層１００、１０２の間、又は層と基板の間の第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、基板の中心部分まで延在しない密封コーティング１０６を含む。 - 特許庁

The n+ interface layer comprises an oxygen-depleted oxide containing ZnO_x, TiO_x, and IZO_x, as well as at least any one of ZnO, TiO, and IZO in which an n-type impurity is doped in high concentration.例文帳に追加

前記ｎ＋界面層は、ＺｎＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＩＺＯ_ｘを含む酸素欠乏酸化物と、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたＺｎＯ、ＴｉＯ、ＩＺＯのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the penetration of boron into a substrate while suppressing an increase in thickness of a base interface layer and can reduce dopants in a gate insulation film.例文帳に追加

下地界面層の膜厚増加を抑制しつつ、ホウ素の基板への突き抜けを防止するとともに、ゲート絶縁膜中の不純物を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, planarization properties of the lower interface (forming surface) of the insulating barrier layer 5 can be improved appropriately, so that the rate of resistance change (ΔR/R) that is higher than that in the conventional elements becomes possible, while low RA is maintained.例文帳に追加

また、前記絶縁障壁層５の下界面（形成面）の平坦化性を適切に向上でき、これにより、低ＲＡを維持しつつ従来に比べて高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能になる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell 1, the gas permeability from the inner surface of a fuel electrode 5 up to an interface between the fuel electrode 5 and a solid electrolyte layer 7 is 1×10^-4 ml/cm^2 secPa or more.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池１は、燃料極５の内表面から、燃料極５と固体電解質層７の界面までのガス透過率が、１×１０^-4ｍｌ／ｃｍ^2ｓｅｃＰａ以上な構成とする。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 is formed by a gas phase method, a liquid phase method or a sintering method, and alloyed with the negative electrode current collector 11 at least in a part of the interface with the negative electrode current collector 11.例文帳に追加

負極活物質層１２は、気相法，液相法または焼結法で形成され、負極集電体１１との界面の少なくとも一部において負極集電体１１と合金化している。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

To provide an electrolyte-electrode joined assembly which is formed by an anode-side electrode, a solid electrolyte, and a cathode-side electrode and with an intermediate layer inserted in order to reduce interface resistance between the solid electrolyte and the cathode-side electrode.例文帳に追加

アノード側電極、固体電解質、カソード側電極から構成され、固体電解質とカソード側電極間の界面抵抗を減少させるために中間層を介挿させた電解質・電極接合体の提供。 - 特許庁

An electrode body 2 is integrally fixed with a porous structure 1 via a silicon carbide layer 3 formed on an interface between the electrode body 2 and the porous structure 1 by using the electrode body 2 being carbonaceous such as graphite.例文帳に追加

黒鉛など炭素質の電極体２を用い、電極体２と多孔質構造体１との界面に形成された炭化ケイ素層３を介して、電極体２を多孔質構造体１と一体に固着した。 - 特許庁

To provide an organic EL element which allows charges to be well injected from an electrode, is less apt toy cause deterioration of the interface between a charge injection/transport layer and the electrode, and attains high efficiency and prolonged lifetime.例文帳に追加

本発明は、電極からの電荷の注入が良好であり、電荷注入輸送層と電極との界面での劣化が生じにくく、高効率で長寿命な有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress the generation of a Pb-poor layer in the vicinity of an interface between an electrode and a ferrodielectric film and obtain the ferrodielectric film, excellent in crystal orientation, in a ferrodielectric capacitor and a ferrodielectric memory apparatus.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるＰｂプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。 - 特許庁