「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for controlling the surface topography of an adhesion plane comprises a step in which a microreplicated topography is formed from contacting a microembossed pattern to a layer of an adhesive so that the topography of the adhesive surface controls the performance of the adhesion interface when the adhesion interface is established between the layer of an adhesive and a supporting substrate.例文帳に追加

接着面の表面形態を制御する方法であって、接着剤層と支持基材との問に接着界面が確立されると、接着面の表面形態がその接着剤と前記支持基材との間の接着界面の性能を制御するように、微細エンボスパターンを接着剤層に接触させて、微細複製接着面を形成するステップを含む方法を開示する。 - 特許庁

Thereby, since the organic compound of the electron transport layer 3 and the electrolyte solution form the gel layer 6, and the sensitizing dye exist in the gel layer 6, the reaction interface of the organic compound becomes large and conversion efficiency is improved, while delivery efficiency of electrons from the sensitized dye to the organic compound of the electron transport layer 3 is improved to further improve transporting efficiency of electrons.例文帳に追加

このため、電子輸送層３の有機化合物と電解質溶液がゲル層６を形成すると共に増感色素がゲル層６内に存在することで、有機化合物の反応界面が大きくなり、変換効率が向上すると共に、増感色素から電子輸送層３の有機化合物への電子の受け渡し効率が向上して電子の輸送効率が向上する。 - 特許庁

A plurality of piezoelectric ceramic layers 1 and a plurality of internal electrode layers 2 are laid alternately and fired simultaneously to produce the multilayer piezoelectric element wherein the piezoelectric ceramic layer 1 contains ceramic particles 7 and, on the ruptured phase of interface between the piezoelectric ceramic layer 1 and the internal electrode layer 2, the ceramic particles 7 partially buried in the internal electrode layer 2 are exposed to the surface thereof.例文帳に追加

複数の圧電磁器層１と複数の内部電極層２とが交互に積層され、同時焼成された積層型圧電素子であって、圧電磁器層１がセラミック粒子７を含み、圧電磁器層１と内部電極層２との界面での破断面において、内部電極層２に一部が埋設されたセラミック粒子７が内部電極層２表面に露出していることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser element, a semiconductor layer interface 116 containing oxygen atoms is present at least above an active layer 103 in the internal region of the laser resonator, and a peak wavelength of photoluminescence on the active layer 103 in end face close region of the laser resonator is shorter than a peak wavelength of photoluminescence on the active layer in the inner region of the laser resonator.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、酸素原子を含む半導体層界面１１６が少なくともレーザ共振器の内部領域の活性層１０３の上方に存在し、かつ、レーザ共振器の端面近傍領域の活性層１０３のフォトルミネッセンスのピーク波長が、レーザ共振器の内部領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長よりも短くなっている。 - 特許庁

A network monitoring system comprises a graphical interface layer 1 for displaying a logic view of the system and processing user interaction, a logic network layer 2 for logically expressing the network and integrating application modules able to be customized through a general platform, and a network adopter layer 3 for generating a management message for the network and translating the message from the network to what suitable to the logic network layer 2.例文帳に追加

ネットワークをモニタリングするシステムは、システムの論理ビューを表示しユーザインタラクションを処理するグラフィカルインタフェース層１と、ネットワークを論理的に表現し汎用プラットフォームを通じてカスタム化可能なアプリケーションモジュールを統合する論理ネットワーク層２と、ネットワークのための管理メッセージを生成しネットワークからのメッセージを論理ネットワーク層２のために変換するネットワークアダプタ層３とを有する。 - 特許庁

Since there is no interface between the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 to be the base of the light reflecting film 3 by this constitution, the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 do not exfoliate from each other and adhesive strength with the light reflecting film 3 increases.例文帳に追加

この構成により、基材２１と光反射膜３の下地層となるアルミ酸化膜層２２との間に界面が存在しないので、基材２１とアルミ酸化膜層２２とが剥離することがなく、光反射膜３との接着強度が向上する。 - 特許庁

An automotive resin component 1 composed of the base material 2 comprising the polystyrene resin and the covering layer 3 formed on the surface of the base material 2 by coating or plating is immersed in limonene 4 and is mechanically agitated in a temperature range of 40 to 45°C, whereupon the automotive resin component 1 can be efficiently separated into the base material 2 and the covering layer 3 at the interface therebetween.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂からなる基材２と、基材２の表面に塗装やめっきにより形成された被覆層３とを備える自動車用樹脂部品１を、リモネン４に浸漬して、４０〜４５℃の温度範囲において機械撹拌する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer of which at least the surface is in an amorphous state is formed, and then the barrier layer of a magnesium oxide having a single crystalline structure wherein (001) planes are aligned in parallel with the interface throughout layers is formed by sputtering, and furthermore annealing processing is performed.例文帳に追加

少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate for electronic components, which reduces a coefficient of thermal expansion and reduces thermal stress at an interface between a wiring layer and the ceramic substrate, while assuring thermal conductivity and electric conductivity both required for the wiring layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミック基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a necessity for reducing an equivalent oxidized film thickness of a dielectric layer, and for modifying a device performance by improving an interface characteristic still remains in the structure of an improved dielectric layer having a higher crystallization temperature, and in the manufacturing method of the structure.例文帳に追加

より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。 - 特許庁

An oily solution phase 2 is disposed on an aqueous solution phase 1, a lipid monomolecular film 3 to be an outer layer lipid membrane is formed on an oil/water interface, and W/O drop 5 in which an inner layer lipid membrane 6 is formed is introduced into the oily liquid phase 2.例文帳に追加

水性溶液相１上に油性溶液相２を配するとともに、油水界面に外層脂質膜となる脂質単分子膜３を形成しておき、油性液体相２中に内層脂質膜６が形成されたＷ／Ｏ液滴５を導入する。 - 特許庁

To provide a light emitting element whose luminescence characteristic is improved by improving the lattice matching of the junction interface of pi junction or pn junction comprising a light emitting layer in the light emitting element having the light emitting layer formed of a zinc oxide system semiconductor.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層を有する発光素子において、該発光層を含むｐｉ接合またはｐｎ接合の接合界面の格子整合性を向上させることによって、発光特性を向上させた発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device in which an image data with deep directory structure having a folder in a lower-level layer of a folder is displayed as hierarchical structure where only a file exists in the lower-level layer, GUI design is made easy, and a user-friendly interface is available.例文帳に追加

フォルダの下位にフォルダが存在するような深いディレクトリ構成を有する画像データをフォルダの下位にファイルのみが存在するような階層構造として表示し、ＧＵＩの設計を容易とし、ユーザフレンドリーなインターフェースを有する画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor manufacturing method which extremely lowers a density of a first metal inducing crystallization to an interface of an amorphous silicon layer, and uniformly and stably controls the density of the first metal and a thickness of a metal catalyst layer.例文帳に追加

本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

A luminous liquid crystal compound layer and a non-liquid crystal luminous organic compound layer are laminated and, from their interface, electroluminescence emission that has different spectrum from the spectrum of each photoluminescence of the above luminous liquid crystal compound and the luminous organic compound is obtained.例文帳に追加

発光性液晶化合物層と非液晶性の発光性有機化合物層とを積層し、その界面から、上記発光性液晶化合物及び発光性有機化合物のそれぞれのフォトルミネッセンスのスペクトルとは異なるスペクトルのエレクトロルミネッセンス発光を得る。 - 特許庁

In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To apply a Utopia Level 12 bus interface to a device like a package of PHY layer devices by making it possible to accurately detect a cell-available signal even when an ATM layer device is not mounted in a device package.例文帳に追加

ＡＴＭレイヤデバイスがデバイスパッケージの未実装状態においても正確にセルアベイラブル信号を検出できるようにすることで、ＰＨＹレイヤデバイスがパッケージで構成されているような装置にＵｔｏｐｉａ Ｌｅｖｅｌ２バスインタフェースを適用可能とすることを目的とする。 - 特許庁

In order to prevent peeling on the interface between the colored optical fibers 15 and an integrating layer 4 both constituting the optical fiber ribbon, the maximum thickness of the color layer 14 of the colored optical fiber 15 is controlled to ≤10 μm.例文帳に追加

光ファイバテープ心線を構成する着色光ファイバ素線１５と一体化層４との間などの界面において発生する剥離現象を防止するために、着色光ファイバ素線１５の着色層１４の最大厚さを１０μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

The coating layer is arranged by integrally forming the interface of the coating layer and the resin film by comprising the resin composition and an organic solvent, wherein the surface of the resin film substrate is capable of dissolving or swelling, as the main components.例文帳に追加

前記樹脂組成物と、前記樹脂フィルム基体の表面を溶解又は膨潤可能である有機溶媒とを主成分とすることによって、該塗工層の界面と前記樹脂フィルムの界面を一体化させて形成することにより前記塗工層を設ける。 - 特許庁

In the memory cell, a variation in potential of a storage node corresponding respectively to an output node of each inverter is transmitted to a gate of the other load transistor being cross-coupled through contact resistance of an interface between a silicon layer constituting poly-metal structure and a metal layer.例文帳に追加

メモリセルにおいて、各インバータの出力ノードにそれぞれ相当する記憶ノードの電位変化は、ポリメタル構造を構成するシリコン層と金属層との界面の接触抵抗を介して、交差結合されたもう１つのインバータの負荷トランジスタのゲートへ伝達される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent an organic semiconductor layer from peeling at the interface of a protective film while sufficiently protecting the organic semiconductor layer with the protective film, and therefore has excellent characteristics and enhanced yield by virtue of improved mechanical reliability.例文帳に追加

有機半導体層を保護膜で十分に保護しつつも、保護膜界面での剥がれを防止することが可能で、これにより特性が良好であり、かつ機械的信頼性の向上による歩留まりの向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the m surface is a non-polarised surface, unlike the C surface, when regrowing the GaN electron running layer 22 and the AlGaN electron supplying layer 26 with the m surface as a growth surface, a polarised charge of such as piezo charge does not grow on an interface of AlGaN/GaN hetero surface.例文帳に追加

ｍ面は、Ｃ面とは異なり無極性面であるので、ｍ面を成長面として、ＧａＮ電子走行層２２、ＡｌＧａＮ電子供給層２６を再成長させると、ピエゾ電荷等の分極電荷がＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ界面に生じない。 - 特許庁

To provide a conductive fine particles which can hardly generate destruction on an interface between a conductive layer and a low melting-point metal layer and can attain high reliability, to provide an anisotropic conductive material using the conductive fine particles, and to provide a connection structure.例文帳に追加

導電層と低融点金属層との界面において破壊が生じにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for power module excellent in thermal cyclic reliability, the substrate being capable of preventing an occurrence of an undulation or a wrinkle on a surface of a circuit layer and preventing a thermal stress from acting on a junction interface between a ceramic substrate and the circuit layer during a thermal cyclic loading.例文帳に追加

熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

To neutralize detrimental effects of charges at a interface between an insulating layer including an oxide film and a semiconductor layer in edge terminations for silicon carbide devices, and reduce the effect of the oxide film charges, or eliminate the sensitivity against the oxide film charges, at a multiple floating guard ring termination.例文帳に追加

炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造において、酸化膜などの絶縁層の境界面電荷の悪影響を中和し、多重フローティングガードリング終端では、この酸化膜電荷の変化に対する影響を少なくし、又は影響をなくす。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

Nt product of the upper electron supply layer 140 is set to about 1.4 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax of a heterojunction interface and the Nt product of the lower electron supply layer 120 to about 1.1 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax and to lie within the range of 1.0 times to 2.0 times.例文帳に追加

上側電子供給層１４０のＮｔ積をヘテロ結合界面の最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．４倍とし、下側電子供給層１２０のＮｔ積を最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．１倍とし、１．０倍〜２．０倍の範囲内とした。 - 特許庁

To enhance the bonding reliability by suppressing occurrence of plastic deformation such as undulation and wrinkles on the surface of a circuit layer, and suppressing application of thermal stress onto the bonding interface of a ceramic substrate and the circuit layer, even when a thermal cycle load is applied.例文帳に追加

熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide an optical layered product that effectively inhibit interface reflection and generation of an interference pattern between an optical permeability substrate and a hard coat layer, excels in visibility and surface mechanical strength, and in which adhesion between the optical permeability substrate and the hard coat layer is excellent.例文帳に追加

光透過性基材−ハードコート層間における界面反射と干渉縞の発生を有効に防止し、視認性に優れ、表面の機械的強度に優れ、且つ光透過性基材−ハードコート層間の密着性が良好な光学積層体を提供する。 - 特許庁

An application 5 in charge of absorbing a difference caused by the communication protocol is arranged at the interface parts of the both and the format of resources managed by the low-order layer and the format of resources managed by the high-order layer are mutually transformed.例文帳に追加

両者のインターフェース部分には、通信プロトコルによる違いを吸収する役割を担うアプリケーション５を配置し、このアプリケーションにおいて、下位層が管理するリソースのフォーマットと上位層が管理するリソースのフォーマットとの相互変換を行なうようにする。 - 特許庁

When light is made incident on a phosphor layer 504 formed on the surface of a color wheel substrate 502, a reflection component in an interface is reduced by irregularity of the surface of the phosphor layer 504 and interference between radiated light and reflected light is thus reduced.例文帳に追加

カラーホイール基板５０２の表面に形成された蛍光体層５０４に対し、光が入射する際の界面における反射成分を、蛍光体層５０４表面の凹凸によって低減し、照射された光と反射光との干渉を減少させる。 - 特許庁

After a D.C. voltage is applied to the electrostatic recording body 10 by a power supply 60 to charge both conductor layers 1, 5, an object 9 is exposed by a recording illuminating means 90 to record an electrostatic latent image on the interface between the recording photoconductive layer 2 and the charge transport layer 3.例文帳に追加

この静電記録体10に電源60により直流電圧を印加して両導電体層1,5 を帯電させた後、記録用照射手段90により被写体９を爆射し、記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面に静電潜像を記録する。 - 特許庁

The apparatus has a pretreatment light irradiation device 23 where an image recording layer 40 is irradiated with pretreatment light for preventing fog in the layer so as to decolorize a dye from the surface side and dye concentration distribution showing increase in the dye concentration toward the interface side of the supporting body is produced.例文帳に追加

前処理光照射装置２３は、画像記録層４０にかぶりを生じないように露光する前処理光を照射して表面側から染料を退色させ、支持体との界面側に向けて色素濃度が高くなる色素濃度分布を形成する。 - 特許庁

To provide a resist pattern causing no intermixing on an interface between an upper resist layer and a lower resist layer and thereby, having a favorable profile, and to provide a method for forming a resist pattern, and a method for patterning a thin film using the resist pattern, and a method for manufacturing a thin film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic component for electronic components capable of reducing a coefficient of thermal expansion as well as ensuring a heat transfer property and a conductive property required for a wiring layer, and capable of reducing thermal stress in an interface between the wiring layer and a ceramic substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミックス基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the heat treatment is performed after the major surface of the operating region 18 in the epitaxial layer 12 is covered with the Schottky electrode 14, the major surface of the epitaxial layer can be kept in a clean state, resulting in a Schottky interface having high characteristics.例文帳に追加

本発明では、エピタキシャル層１２のうち動作領域１８の主面上がショットキー電極１４により覆われた後に熱処理を行なうので、エピタキシャル層の主面上を清浄な状態で保つことができ、特性の高いショットキー界面を得ることができる。 - 特許庁

Since the catalyst layer absorbs the light ray of specific wavelength which cures the plating resist, the light ray hitting the plating resist does not cause halation at the interface with the catalyst layer and the plating resist is patterned into an accurate shape capable of forming a metal pattern into an accurate shape.例文帳に追加

メッキレジストを硬化させる特定波長の光線を触媒層が吸収するので、メッキレジストを露光する光線が触媒層との界面でハレーションを発生せず、メッキレジストを正確な形状にパターニングできるので金属パターンも正確な形状に形成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したＬＤＤ型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element, and an organic electroluminescent element, in which an organic layer with a pattern formed can be simply formed on a substrate, and having excellent light-emitting efficiency and durability so as the formed organic layer not to mix at an interface.例文帳に追加

基板上にパターンを形成した有機層を簡便に形成できるとともに、形成した有機層が界面で混合しないために発光効率及び耐久性に優れた有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To form a trench isolation region which is capable of preventing an insulating layer formed on a silicon nitride liner from separating off at an interface and being damaged, by a method wherein a uniform gas distribution region is formed on a trench, and an insulating layer of uniform density is grown.例文帳に追加

トレンチ上に均一のガス分布領域を形成して、均一の密度を有する絶縁層を成長することにより、シリコン窒化膜ライナー層上に形成された絶縁層が界面で剥れる損傷を防止するトレンチ隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

In a charge/discharge, absorption and discharge of H+ take place on the negative electrode 2 surface, and an electrical charge is then accumulated and emitted to an electrical double layer formed in the negative electrode 2 surface and the interface of the electrolyte.例文帳に追加

充放電時には負極２表面にＨ^+ の吸着、放出が起こり、その時に電荷が負極２表面と電解液の界面に形成される電気二重層へ蓄積、放出される。 - 特許庁