「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

To provide a method capable of removing selectively an amorphous oxide produced on the surface of an insulating oxide thin film without affecting on a barrier layer for interface reforming type bonding.例文帳に追加

界面改質型接合のバリア層に影響を与えることなく、絶縁性酸化物薄膜の表面に生成したアモルファス酸化物を選択的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁

It employs a vapor deposition layer of a fluoride and/or acetate, has higher stability than a conventional device, and reduces the energy-potential loss an the interface between layers.例文帳に追加

フッ化物及び／又は酢酸塩からなる蒸着層を採用することで、従来のデバイスより高い安定性を有し、層間界面上におけるエネルギーポテンシャルのロスを低減できる。 - 特許庁

The first electrode is arranged on the support layer to cover the grained portion and has an undulant first interface according to the shape of the grained portion on the opposite side of the grained portion.例文帳に追加

第１電極は、粒状部分を覆うように支持層上に配設され、且つ粒状部分と反対側に粒状部分の形状に従った波状の第１界面を有する。 - 特許庁

According to this constitution, in the catalyst layer 14, a region superior in diffusibility of the fuel and a region much in the interface of three phases of high activity can be formed respectively in the thickness direction.例文帳に追加

本構成によれば、触媒層１４において、燃料の拡散性の良い領域と活性の高い三相界面が多い領域とを厚さ方向にそれぞれ形成できる。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤3×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

エピタキシャル成長された単結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は３×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

The luminescent layer 5 may be formed by laminating a first region 51 that does not include the particles 8 and a second region 52 that includes the particles 8 at an interface with the first region 51.例文帳に追加

発光層５は、粒子８を含まない第１領域５１と、粒子８を第１領域５１との界面に含む第２領域５２とが積層されて形成されていてもよい。 - 特許庁

When cleavage is performed along a division line D from the other side of a semiconductor substrate 2, the multilayer semiconductor structure 3 can be divided without making the cleavage interface reach the plating electrode layer 5.例文帳に追加

また、分割線Ｄに沿って半導体基板２の他面側からへき開を行うことで、へき界面をめっき電極層５まで到達させずに多層半導体構造３を分割できる。 - 特許庁

To provide an electrode-electrolyte membrane junction which has small interface resistance value between a catalyst layer and an electrolyte membrane of a fuel cell and can supply the fuel and oxidizer sufficiently.例文帳に追加

燃料電池の触媒層と電解質膜との間の界面抵抗値が小さく、且つ燃料及び酸化剤を十分に供給し得る電極−電解質膜接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a silicon oxide film formed on a silicon substrate or on the interface of a silicon layer and a high-permittivity insulating film are made thin easily.例文帳に追加

シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer made of a mixture of an ion conductive oxide in an electrolyte and an ion conductive oxide in a fuel electrode is installed on the interface of the electrolyte and the fuel electrode.例文帳に追加

電解質と燃料極の界面に、前記電解質におけるイオン導電性酸化物と、前記燃料極におけるイオン導電性酸化物を混合した中間層を有する。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

To realize a high quality and high reliability polarizing diffraction element by reducing mixing of air bubbles into a diffraction-grating and falling of a concavo-convex grating, and also reducing a layer interface chipping.例文帳に追加

回折格子内への気泡の混入及び凹凸格子の倒れを低減するともに、層界面チッピングを低減し、高品質、高信頼性の偏光回折素子を実現する。 - 特許庁

To improve light reflectivity at an interface of a semiconductor layer and a contact electrode, and restrain electrode peeling by simultaneously improving adherence of an electrode, in a semiconductor light-receiving device.例文帳に追加

半導体受光装置において、半導体層とコンタクト電極との界面における光反射率を向上させ、同時に電極の密着性を向上させ、電極剥がれを抑制する。 - 特許庁

To provide a photoelectric element comprising an electron transport layer having excellent electron transport characteristics and a sufficiently large reaction interface, achieving low resistance loss, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

優れた電子輸送特性と十分広い反応界面を有する電子輸送層を備え、低抵抗損失を有し、光と電気の変換効率に優れた光電気素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CMC turbine engine component having an interface layer on a CMC to improve load distribution within the CMC and reduce metallic wear.例文帳に追加

ＣＭＣ内における負荷分散を改善するとともに金属摩耗を低減するために、ＣＭＣ上に界面層を備えたＣＭＣタービン機関部品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, higher charge carrier concentrations can be established at a position distant from the interface between the gate oxide and the epitaxial layer by implanting an appropriate dopant to the active regions.例文帳に追加

次に、能動領域に適切なドーパントを注入することにより、ゲート酸化物とエピタキシャル層との境界から離れた位置に高濃度の電荷キャリアを生じさせることができる。 - 特許庁

To provide an electrode membrane assembly, having a surface structure of nano scale in the interface regions in the electrode membrane assembly comprising an anode catalyst layer, a proton exchange membrane, and a cathode catalyst.例文帳に追加

アノード触媒層、プロトン交換膜、カソード触媒からなる電極膜アセンブリにおいて、それらの界面領域にナノ規模の表面構造有する電極膜アセンブリを提供する。 - 特許庁

The percentage of the area of a juncture interface 15 present in the surface layer 12 is 50% or higher to 100% or lower in terms of a plane projected on one surface of the plate member.例文帳に追加

接合界面１５が表面層１２内に存在する面積割合は、板状部材の一方表面への投影平面に換算して５０％以上１００％以下である。 - 特許庁

To measure X-ray magnetic circular dichroism without disturbing the magnetic characteristic of a magnetic multilayer film, and to observe the magnetic characteristics near a layer interface or a magnetic characteristic distribution in the film thickness direction.例文帳に追加

磁性多層膜中の磁気特性を乱すことなくＸ線磁気円２色性を測定し、層界面近傍の磁気特性又は膜厚方向の磁気特性分布を観測する。 - 特許庁

A composition inclining layer gently changing composition distribution of a main component element of a current collector and silicon is formed in the vicinity of the interface between a current collector and the negative active material thin film.例文帳に追加

集電体と負極活物質薄膜との界面近傍に、集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されている。 - 特許庁

In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層１にその面方向（水平方向）に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極３及びソース電極４間の電流が制御される。 - 特許庁

To prevent an air layer from being formed at an interface part between a pipe and a concrete layer by a method wherein the pipe for flowing thermal medium is buried inside an under-floor concrete layer of a building and the like and an assembly heat storage system for giving or receiving heat to or from between the pipe where the thermal medium flows and the concrete is installed.例文帳に追加

建物等の床下コンクリート層内部に熱媒体を流すためのパイプを埋設し、前記熱媒体が流れるパイプと前記コンクリートとの間で熱の授受を行なう躯体蓄熱システムの施工時に、パイプとコンクリートの境界部に空気層が形成されることを防止することを目的とする。 - 特許庁

The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁

The substrate 1 for a printed wiring board is formed by laminating a plating layer 30 on the surface of the insulative base material 10, wherein metal particles L for suppressing oxidation of the plating layer 30 are dispersed and deposited on an interface between the insulative base material 10 and the plating layer 30.例文帳に追加

絶縁性の基材１０の表面にめっき層３０を積層してなるプリント配線板用基板１であって、前記絶縁性の基材１０とめっき層３０との界面にめっき層３０の酸化を抑制する金属粒子Ｌを分散付着させてあることを特徴とするプリント配線板用基板である。 - 特許庁

The capsule toner comprises toner particles each having: a toner base particle containing a binder resin and a colorant; and a resin layer containing resin fine particles and coating the surface of the toner base particle, wherein fine particles having a function of controlling the electric resistance are contained on the interface between the toner base particle and the resin layer and in the resin layer.例文帳に追加

カプセルトナーは、バインダー樹脂および着色剤を含むトナー母粒子と、樹脂微粒子を含み、該トナー母粒子表面を被覆する樹脂層とを有するトナー粒子で構成され、前記トナー母粒子と樹脂層との界面および前記樹脂層中に、電気抵抗調整機能を有する微粒子を含む。 - 特許庁

A transfer layer pattern 3 is formed by pressing a mold; then, a patterned film 4 is formed on the transfer layer pattern 3; and thereafter, the transfer layer pattern 3 is removed, and etching is performed from the association interface (indicated by a dotted line) at the formation of the patterned film 4 to etch the patterned film 4 into a final pattern 7.例文帳に追加

モールドを押し付けて形成した転写層パターン３を形成し、転写層パターン３に被パターン形成膜４を形成し、その後、転写層パターン３を除去して、被パターン形成膜４形成時の会合界面（点線部）からエッチングを進行させて、被パターン形成膜４をエッチングして最終パターン７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of planarizing a semiconductor layer without increasing the number and complexity of manufacturing processes as well as without deteriorating crystal characteristics, and a method of planarizing a surface of a semiconductor layer for stabilizing the interface between the surface of the semiconductor layer and a gate insulating film, in order to achieve a TFT having good characteristics.例文帳に追加

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。 - 特許庁

The composite member for semiconductor device is a composite metal plate, where particles of cuprous oxide is dispersed in a copper matrix; the surface of the composite metal plate is covered with a metal layer; and a copper layer whose thickness is at least 0.5 μm is interposed in the interface constituted of the composite metal plate and the metal layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置用複合部材は、銅マトリックス中に亜酸化銅からなる粒子を分散させた複合金属板で、該複合金属板の表面が金属層により被覆され、該複合金属板と該金属層とで構成される界面に厚さ０.５μｍ 以上の銅層が介在することを特徴とする。 - 特許庁

A decapsulizer 12b receives the layer MAC frame F, and, when an edge destination address is the address of its own subscriber interface based on the layer header H and recognized to have been transmitted from an edge node device in an identical virtual LAN, extracts the user MAC frame f from the layer MAC frame F and decapsulizes it.例文帳に追加

デカプセル化処理部１２ｂは、階層化ＭＡＣフレームＦを受信し、階層化ヘッダＨにより、エッジ宛先アドレスが自己の加入者インタフェースのアドレスであり、かつ同一ＶＬＡＮ内の入口エッジ装置から送信されてきたことを認識した場合に、階層化ＭＡＣフレームＦからユーザＭＡＣフレームｆを取り出してデカプセル化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁

When near infrared laser light impinges on the side face of the substrate, moisture and organic components existing in the bonding layer are vaporized selectively utilizing an evanescent wave leaking from infrared laser light impinging on the side face of the substrate and reflecting totally on the interface of the substrate and the bonding layer and then they are removed from the bonding layer by evacuation.例文帳に追加

基板側面に近赤外レーザー光を入射させることにより、基板とろう付接合層の界面で全反射したレーザ光からもれるエバネッセント波を利用して接合層に介在する水分、有機物成分を選択的に気化させて、真空引きすることにより接合層から除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.例文帳に追加

ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a sequential extraction process using an organic solvent for sequential extraction from the water layer, the liquid level of the interlayer generated between the organic layer and the water layer is controlled by means of a differential pressure transmitter, and more desirably, an electrostatic capacity type interface detector is used in combination for controlling the liquid level of the interlayer.例文帳に追加

水層から有機溶媒を用いて連続抽出する工程において、有機層と水層の中間に生じる中間層の液面を差圧伝送器を用いて制御し、更に好ましくは中間層の液面制御に静電容量式界面検知器を組み合わせて用いて中間層の液面を制御する。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

The laser beam transmitted through the first press plate 301 which is a glass plate and the electrolyte membrane 11, reaches the contact surface of the catalyst layer 14 with the electrolyte membrane 11, locally heats the contact interface between the electrolyte membrane 11 and the catalyst layer 14, and heat-bonds the electrolyte membrane 11 and the catalyst layer 14.例文帳に追加

ガラス板である第１のプレス板３０１と電解質膜１１とを透過したレーザ光は、触媒層１４の電解質膜１１との接触面に到達し、電解質膜１１と触媒層１４との接触界面を局所的に加熱し、電解質膜１１と触媒層１４とを熱融着する。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

In this interface cable constituted by covering two sets of twist pair electric wires, whose each electric wire used as a signal wire, is covered with an internal shield layer and two insulation covered electric wires, used as power supply wire with an external shield layer, two insulation covered electric wires used as signal wire, are covered with the external shield layer.例文帳に追加

信号線として用いられる各々が内部シールド層で覆われた２組のツイストペア電線と、電源線として用いられる２本の絶縁被覆電線とが外部シールド層により覆われてなるインターフェースケーブルにおいて、更に信号線として用いられる２本の絶縁被覆電線が前記外部シールド層により覆われている。 - 特許庁

The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に結晶成長で得られる第１のｐ型窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるｐ型窒化物半導体層２とを有しており、第１と第２の窒化物半導体層の界面近傍がｐ型の導電性を有するようにする。 - 特許庁

To manufacture a membrane-electrode assembly (MEA) of a solid polymer fuel cell wherein a catalyst retaining carbon layer for controlling a condensation state is formed on a polymer electrolyte membrane and improvement of power generation performance is aimed by sufficiently forming a three-phase interface of a catalyst layer and by making a membrane/catalyst layer at an interfaceless state.例文帳に追加

高分子電解質膜上に凝集状態を制御した触媒担持カーボン層を形成し、触媒層の三相界面を十分に形成するとともに、膜／触媒層を界面レスにすることによる発電性能の向上を図った固体高分子型燃料電池用膜電極接合体（ＭＥＡ）を製造する。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane-electrolyte assembly (100) is provided with a hydrogen separation membrane (1) and an electrolyte layer (3) composed of a proton conductive oxide and an intermediate layer (2) which is formed on an interface between the hydrogen separation membrane and the electrolyte layer and is composed of a ceramics containing a metal as a composition element composing the hydrogen separation membrane.例文帳に追加

水素分離膜−電解質接合体（１００）は、水素分離膜（１）と、プロトン伝導性酸化物から構成される電解質層（３）と、水素分離膜と電解質層との界面に形成され水素分離膜を構成する金属を構成元素に含むセラミックスからなる中間層（２）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁