「interface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated piezoelectric device where delamination is prevented from occurring in an interface between an inner electrode and a piezoelectric body or between a laminate and an electric insulating film layer or an outer electrode without using special material.例文帳に追加

特殊な材料を用いずに内部電極と圧電体の界面，積層体と電気絶縁被覆層や外部電極の界面の剥離を防止できる積層型圧電素子を提供すること。 - 特許庁

Even when a residual charge is generated at an insulating liquid 4 and the interface thereof by the resistance layer 8 which is conductive though having high resistance, the residual charge is escaped to the partition electrode 7 and the display electrode 6 to be promptly eliminated.例文帳に追加

高抵抗だが導電性の抵抗層８によって、絶縁性液体４やその界面に残留電荷が発生しても、隔壁電極７、表示電極６へ逃がされて速やかに消失する。 - 特許庁

To provide an optical item, for example, an ophthalmic lens in which the interference fringe phenomenon occurring at the interface between a substrate and a polymeric material layer is significantly mitigated, and which is stable in time and more particularly, photodegradation resistant.例文帳に追加

基材と高分子物質層との間の界面で起こる干渉縞現象が抑制され、経時的に、特に、光分解に対して安定である、眼用レンズ等の光学製品を提供する。 - 特許庁

To improve adhesion reliability of a fusion interface between polymer resin and a lead terminal in a nonaqueous electrolyte battery using a film having the thermo-fusing polymer resin layer as a housing.例文帳に追加

熱融着性の高分子樹脂層を有するフィルムを外装体として用いた非水電解質電池において、前記高分子樹脂とリード端子との融着界面の接着信頼性を向上させる。 - 特許庁

When the IBML receives indication that a link layer hard handoff is in progress, the IBML transfers the presently being buffered packets to a corresponding IBML (202, 212) in the target communications interface.例文帳に追加

リンク層ハード・ハンドオフが進行していることの表示をＩＢＭＬが受信するとき、ＩＢＭＬは現在バッファされているパケットをターゲット通信インタフェースの対応するＩＢＭＬ（２０１，２１２）に転送する。 - 特許庁

Since the intermediate layer is formed of an oxide containing the first element, interface level density can be suppressed even when Al_2O_3 or the like is employed as the material of a gate insulating film.例文帳に追加

第１の元素を含む酸化物より成る中間層が形成されているため、ゲート絶縁膜の材料としてＡｌ_２Ｏ_３等を用いた場合であっても、界面準位密度を低く抑えることができる。 - 特許庁

In the multilayer printed circuit board 10, ground patterns 11 are arranged immediately below connector mounting parts of all layers except a layer in which the signal pattern of an external interface connector 20 passes and at peripheries of the parts immediately below the connector mounting parts.例文帳に追加

多層プリント配線板１０に於いて、外部インタフェースコネクタ２０の信号パターンを通す層を除いた、すべての層の上記コネクタ実装部の直下とその周辺部にグランドパターン１１を設ける。 - 特許庁

In the etching processing (RIE) for forming the through-hole 106, the etching progresses only up to the interface between the silicon substrate 101 and buried oxide layer 102 along the depth of the silicon substrate 101.例文帳に追加

貫通孔１０６の形成のためのエッチング処理（ＲＥＩ）においては、シリコン基板１０１の深さ方向に、シリコン基板１０１と埋め込み酸化層１０２との界面までしかエッチングが進行しない。 - 特許庁

The angle of incidence when the light is incident on the interface between the substrate 1 and outside air is made smaller by an angle of the refraction than it is without the space layer, and components totally reflected beyond critical angle are greatly reduced.例文帳に追加

これにより、光が基板１と外気との界面に入射する際の入射角が、先に屈折された分だけ小さな角度となり、臨界角を超えて全反射する成分が大きく減少する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring film which has proper adhesion of an interface of a barrier layer and a copper or a copper alloy film, and to provide a method for efficiently manufacturing the same.例文帳に追加

バリア膜と銅または銅合金膜の界面における密着性が良好な配線膜を有する半導体装置および該半導体装置を効率良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁

In particular, method and apparatus are provided for cross-bar switches 200, a multiple protocol interface device, a low latency upper communication protocol layer, addressing and remote direct memory access over a massively parallel network.例文帳に追加

この方法及び装置では、クロスバースイッチ２００、マルチプロトコルインターフェースデバイス、低レイテンシー上位通信プロトコル層、アドレス指定、及び超並列ネットワークにリモートダイレクト通信アクセスをするために提供されている。 - 特許庁

The thin film, with a thickness between 10 nm and μm, thus presents a decreasing silver concentration gradient from the interface 3 between the thin film 2 and the main layer 1 to the free surface 2a of the thin film 2.例文帳に追加

これによって、厚さ１０ｎｍ〜１μｍの薄膜が、薄膜２と主要層１との間の界面３から該薄膜２の自由表面２ａに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。 - 特許庁

The metal-containing substrate film 13 has a metal nitride layer 106 at an interface with the Cu film 107 in a first region 11 including a part of the sidewall connected to an opening of the contact hole 104.例文帳に追加

コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。 - 特許庁

To improve the light take-out efficiency of light taken out of an element by reducing totally reflected light generated on the interface between a substrate as the element outermost surface and an air layer as a loss.例文帳に追加

損失となる素子最表面である基板と空気層との界面で生じる全反射される光を減らすことで、素子外部に取り出される光取出し効率を向上させることができる。 - 特許庁

A first interface unit 31 inputs transmission target data and a trigger relating to cancellation of transmission of the transmission data from a processing unit 30 that performs processing in compliance with a communication protocol of an upper layer.例文帳に追加

第１インタフェース部３１は、送信対象データおよび送信対象データの送信のキャンセルに関係するトリガを、上位層の通信プロトコルに従った処理を行う処理部３０から入力する。 - 特許庁

The present invention also discloses that, when the component is selected by the user, the help content of the component is directly displayed on the layer by superimposition on the display interface in the neighborhood of the component.例文帳に追加

本発明はさらに、ユーザによってコンポーネントが選択されると、そのコンポーネントのヘルプ・コンテンツが、コンポーネントのそばに、表示インターフェースの上に重なって、レイヤ上に直接表示されることを開示する。 - 特許庁

Then, a surface layer of the base region 2 is removed until the surface of the base region 2 becomes lower than the interface between the gate electrode 5 and the interlayer insulation film 7 by etching to form a first recess 6.例文帳に追加

そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。 - 特許庁

The insulator interface layer is formed by sputtering using a metal target to form a metal film, and then oxidizing the metal film under an oxidizing atmosphere such as oxygen radicals or oxygen plasma.例文帳に追加

絶縁体界面層は、金属ターゲットを用いてスパッタリングすることによって金属膜を形成した後、酸素ラジカルや酸素プラズマ等の酸化性雰囲気中で金属膜を酸化することによって形成する。 - 特許庁

An impact is applied to a laminate structure on the substrate, and the lower electrode is peeled on an interface between the itself and the low adhesion layer, and the dielectric thin film laminated on the peeled section of the lower electrode is selectively removed.例文帳に追加

基板上の積層構造に衝撃を与え、低密着層との界面において下部電極を剥離させ、下部電極の剥離部分に積層された誘電体薄膜を選択的に除去する。 - 特許庁

In metal, oxide, and semiconductor field effect transistors as well as an insulated gate bipolar transistor; a location having an interface with a high-concentration impurity layer tends to be subjected to reduction of the withstand voltage of the insulating film.例文帳に追加

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜の絶縁耐圧が低下しやすい箇所は高濃度不純物層と界面をもつ箇所である。 - 特許庁

The present invention also includes an electronic apparatus comprising a heat source (12), a heat sink (14), and a layer (16) of the moisture resistant, thermally conductive interface material disposed between and in contact with the heat source (12) and the heat sink (14).例文帳に追加

さらには、熱源（１２）、ヒートシンク（１４）、ならびに熱源（１２）とヒートシンク（１４）の間に、そして接触して配置された耐湿性の、熱伝導性材料層（１６）からなる電子装置を含む。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed of a metal oxide and contains at least a metal, having an electron-donor quality and having a work function of 3.7 eV or smaller near the interface present on the side of the anode 1.例文帳に追加

中間層３は金属酸化物から形成され、且つ中間層３の少なくとも陽極１側の界面の近傍に仕事関数３．７ｅＶ以下の電子供与性の金属が含有されている。 - 特許庁

To provide a seamless belt that reduces smoothness of an interface between the seamless belt and a surface protective layer and thereby reduces glossiness of the belt surface so that the glossiness change associated with the use of the belt is suppressed.例文帳に追加

シームレスベルトと表面保護層との界面の平滑性を低くし、ひいてはベルト表面の光沢度を低減し、使用に伴う光沢度変化を抑制することができるシームレスベルトを提供すること。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

A metal plating layer 4a is formed also on the interface between the protruded electrode 3 of a portion formed in a region on the insulating base member 1 on opposite sides of the conductive wiring 2 and the insulating base member 1.例文帳に追加

導体配線２の両側の絶縁基材１上の領域に形成された部分の突起電極３の絶縁基材１との界面にも、金属めっき層４ａが形成されている。 - 特許庁

To surely stick ceramic layers with each other without shift of the layer without conducting a heat lamination in manufacturing a multilayer ceramic which comprises laminated non-calcined ceramic films having conductor path and interface connections.例文帳に追加

導体路および貫通接続部を有する不焼成セラミックフィルムを積層した多層セラミックの製造において、熱積層化を行わずに、個々のセラミック層がずれることがなく、十分に固着させる。 - 特許庁

Control lines 6A to 6N of a cell available signal and control lines 7A to 7N of an enable signal are individually connected between the ATM layer function 1 and respective groups of subscriber interface functions 2A to 2N.例文帳に追加

セルアベイラブル信号の制御ライン６Ａ〜６Ｎと、イネーブル信号の制御ライン７Ａ〜７Ｎは、ＡＴＭレイヤ機能１と加入者インタフェース機能２Ａ〜２Ｎの各グループとの間に個別に接続される。 - 特許庁

A system 1200 is equipped with a tank 1210, a heat sink 1220 adjacent to the tank 1210, and a thermal interface 1230 (a mechanical adjusting layer) disposed between the tank 1210 and the heat sink 1220.例文帳に追加

システム１２００は、槽１２１０、槽１２１０に隣接するヒートシンク１２２０、および槽１２１０とヒートシンク１２２０との間に配置される熱インターフェイス１２３０（機械的調節層）を備える。 - 特許庁

In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.例文帳に追加

第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁

To provide a sealing material for sealing a laser, capable of improving the seal reliability between glass substrates by relaxing the residual stress produced on the joint interface between the glass substrate and a sealing layer.例文帳に追加

ガラス基板と封着層との接合界面に生じる残留応力を緩和することによって、ガラス基板間の封着信頼性を高めることを可能にしたレーザ封着用封着材料を提供する。 - 特許庁

With a package which is a three layer structure, deflection of package is reduced by adjusting material or thickness of the sealing tape, effectively preventing opening at the interface between the resin and pellet or occurrence of cracks.例文帳に追加

また、パッケージが３層構造になるため、封止テープの材質や厚さを調整することで、パッケージの反りを小さく抑え、樹脂とペレットとの界面の口開きやクラックの発生を効果的に防止できる。 - 特許庁

To eliminate reflection loss in the interface of a transparent conduction film and a photoelectric conversion active layer in a back electrode, to provide a photoelectric conversion element with high photoelectric conversion efficiency, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

裏面電極における透明導電膜と光電変換活性層との界面での反射ロスをなくし、光電変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diaphragm 12 is a laminate 23 composed of a porous film 20 and a reinforcing material 40 and the reinforcing material 40 contains a moisture-permeable resin layer 30 in the interface 50 side with the porous film 20.例文帳に追加

隔膜１２は、多孔質膜２０と補強材４０との積層体２３であって、前記補強材４０は、前記多孔質膜２０との界面５０側に透湿性樹脂層３０を内在している。 - 特許庁

A novel inclined band gap interface layer of p-i and i-n is formed by continuous growth method, and electrical contact resistance is decreased by improving the characteristics of a composition surface.例文帳に追加

本発明では連続成長の方法で新規の傾斜バンドギャップのｐ−ｉとｉ−ｎ界面層を製造しており、接合面の特性を改善することで接触電気抵抗を減少させる。 - 特許庁

At least the minus Fresnel lens shape of the structure is filled with the high refractive index material layer, thereby, a surface including the region being in the Fresnel lens shape is provided at an interface with the structure.例文帳に追加

また、当該高屈折率材料層は、少なくとも当該構造体のマイナスフレネルレンズ形状を埋めることで、当該構造体との界面においてフレネルレンズ形状である領域を含む面を備える。 - 特許庁

To fully employ a merit of using high dielectric material for a gate insulating film efficiently, as well as to form a good quality interface layer between a high dielectric ratio gate insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜と半導体基板との間に良質の界面層を形成することができ、ゲート絶縁膜に高誘電体材料を用いたことによるメリットを十分に生かす。 - 特許庁

These glass particles 14 are formed in a large number so as to be scattered in island shape along the interface of at least the one face 12a side of the first conductive film 12 and the catalyst conductor layer 13.例文帳に追加

このガラス粒子１４は、少なくとも第一導電膜１２の一面１２ａ側と触媒導電体層１３との界面に沿って、島状に多数散在するように形成されている。 - 特許庁

To restrain accumulation of carrier in an interface between an InAlAs buffer layer and an InP substrate in an epitaxial wafer of an n-type InAlAs/InGaAs system HEMT structure using InP in a substrate.例文帳に追加

基板にＩｎＰを用いたｎ型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造のエピタキシャルウェハにおいて、ＩｎＡｌＡｓバッファ層とＩｎＰ基板との界面におけるキャリアの蓄積を抑制することを可能とする。 - 特許庁

As a result, the silicide layer 380 having an uniform interface can be formed, metal agglomeration phenomenon of the silicide structure of a semiconductor device is prevented, and thermal stability can be improved.例文帳に追加

これにより、均一な界面を有するシリサイド層３８０を形成することができ、半導体装置のシリサイド構造の金属集塊現象を防止して熱的安定性を改善することができる。 - 特許庁

To ensure high reliability even under severe environment by preventing the penetration of air and moisture from the adhesion interface between a resin case and a lead terminal, and the generation of air bubbles within a coating resin layer.例文帳に追加

樹脂ケース／リード端子間の接着界面からの空気，湿気の侵入、およびコーティング樹脂層内の気泡発生を防止して厳しい使用環境下でも高い信頼性が確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell preventing separation of an electrolyte layer and a counter electrode interface due to expansion and contraction resulting from temperature changes and superior in photoelectric transfer efficiency and high temperature durability.例文帳に追加

温度変化に伴う膨張と収縮等による電解質層と対極界面の剥離を防ぎ、光電変換効率および高温耐久性に優れた色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁

This glass long fiber-reinforced polyamide resin pellet is obtained by forming a specific amount of a grafted polyamide resin layer on an interface of the polyamide resin and the glass fiber of the glass long fiber reinforced polyamide resin pellet.例文帳に追加

ガラス長繊維強化ポリアミド樹脂ペレットのポリアミド樹脂とガラス繊維との界面に特定量のグラフト化ポリアミド樹脂層を形成させることを特徴とするガラス長繊維強化ポリアミド樹脂ペレット。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a GeO_2 layer even when GeO_2 is used as a gate insulator interface material thereby improving the reliability of an element and the yield in the processes.例文帳に追加

ゲート絶縁膜界面材料としてＧｅＯ_2 を用いた場合においてもＧｅＯ_2 層の劣化を抑制することができ、素子の信頼性向上をはかると共に、プロセスの歩留まり向上をはかる。 - 特許庁

According to this method, the first substrate and the second substrate are peeled under a negative pressure to enlarge the gap in the inside or interface of the peeling layer, so that peeling can be facilitated.例文帳に追加

かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 - 特許庁

In a charge/discharge, absorption and discharge of H+ take place on the negative electrode 2 surface, and an electrical charge is then accumulated and emitted to an electrical double layer formed in the negative electrode 2 surface and the interface of the electrolyte.例文帳に追加

充放電時には負極２表面にＨ^+ の吸着、放出が起こり、その時に電荷が負極２表面と電解液の界面に形成される電気二重層へ蓄積、放出される。 - 特許庁